CN101899653B - 一种工艺气体的输送法兰 - Google Patents
一种工艺气体的输送法兰 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101899653B CN101899653B CN 201010235724 CN201010235724A CN101899653B CN 101899653 B CN101899653 B CN 101899653B CN 201010235724 CN201010235724 CN 201010235724 CN 201010235724 A CN201010235724 A CN 201010235724A CN 101899653 B CN101899653 B CN 101899653B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- process gas
- flange body
- flange
- runner
- reaction chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了一种工艺气体的输送法兰，其包括环形的法兰体、设于该法兰体内一侧的冷却水流道、设于该法兰体外缘的与冷却水流道一端口联通的进水管以及与其另一端口联通的出水管；还包括设于所述法兰体内另一侧的工艺气体流道、沿工艺气体流道内壁设置的并与法兰体内壁导通的一圈针孔、设于法兰体外缘的并与工艺气体流道联通的气嘴，设于法兰体的内圈、靠近冷却水流道一侧的密封圈。本发明将工艺气体通过法兰体针孔往石英管反应室内渗透，而不是采用传统的方式通过气嘴直接往里吹气。这使得工艺气体混合更加充分，在反应室内的分布更加均匀，也提高了反应室内气场的稳定性，很好地改善了硅片的镀膜效果。
Description
技术领域
本发明涉及半导体工艺设备，尤其涉及一种晶体硅太阳能电池生产中PECVD工艺气体的输送法兰。
背景技术
PECVD是一种半导体工艺设备，主要用于晶体硅太阳能电池制造中电池片的减反射膜生长工艺。在晶体硅太阳能电池生产中，电池片减反射膜的镀膜效果直接关系到电池片的最终转换效率与电性能参数。
PECVD镀膜工艺要求其反应管内气流稳定，且工艺气体分布均匀。但是现有的PECVD镀膜设备，一般用“Y”型气嘴将两种工艺气体在炉口法兰处汇集起来，直接往PECVD的石英管反应室内吹气，受气体流速的影响，在靠近气嘴处的工艺气体浓度必然高于石英管反应室内其它地方的浓度，这种供气方式影响到反应室内工艺气体分布的均匀性，从而影响镀膜工艺时的化学反应，继而影响到电池片镀膜工艺质量。另外，供气气嘴还容易受到工艺气体气流的冲击而松动。
发明内容
本发明所要解决的现有PECVD镀膜工艺中反应室内工艺气体分布均匀、气嘴易松动的技术问题，提出一种这使得工艺气体混合更加充分、在反应室内的分布更加均匀、气嘴连接可靠的工艺气体输送法兰。
为解决所述技术问题，本发明提出的工艺气体的输送法兰，其包括环形的法兰体、设于该法兰体内一侧的冷却水流道、设于该法兰体外缘的与冷却水流道一端口联通的进水管以及与其另一端口联通的出水管。该输送法兰还包括设于所述法兰体内另一侧的工艺气体流道。沿工艺气体流道内壁设置的并与法兰体内壁导通的一圈针孔、设于法兰体外缘的并与工艺气体流道联通的气嘴设于法兰体的内圈、靠近冷却水流道一侧的密封圈。所述的两个流道之间是完全隔离，互不相通的。
其中，气嘴可以由不锈钢材料制作
所述针孔的直径为0.5～4mm。
所述针孔的间隔角度为10度～60度。
本发明安装于反应炉炉口，工艺气体(NH3--氨气和SiH4--硅烷)通过设于法兰内壁的一圈针孔往石英管反应室内渗透，而不是采用传统的方式通过气嘴直接往里吹气。这种供气方式使得工艺气体混合更加充分，在反应室内的分布更加均匀，也提高了反应室内气场的稳定性，很好地改善了硅片的镀膜效果。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作详细地说明，其中：
图1本发明的主视图；
图2为图1中A-A向的剖视图；
图3为本发明的工作原理示意图。
具体实施方式
图1、图2示出了本发明较佳实施例的基本结构，所述的工艺气体的输送法兰，其包括环形的法兰体1、设于该法兰体内右侧的冷却水流道2、设于该法兰体外缘顶部的与冷却水流道2左边端口联通的进水管3以及与其右边端口联通的出水管4。还包括设于法兰体1内右侧的工艺气体流道5、沿工艺气体流道内壁设置的并与法兰体内壁导通的一圈针孔6、设于法兰体外缘下部的并与工艺气体流道5联通的不锈钢气嘴7，设于法兰体1的内圈、靠近冷却水流道2一侧的密封圈15。冷却水流道2与工艺气体流道5之间是完全隔离，互不相通的。针孔6的直径为0.5～4mm。针孔6的间隔角度为10度～60度。本实施例的针孔6的直径为0.8mm。针孔6的间隔角度为10度。
如图3所示，本发明的工艺气体的输送法兰安装在PECVD镀膜工艺中石英管反应室8炉口的一侧(右侧)，法兰体1的冷却水流道2的一侧贴近石英管反应室8安装，法兰体1的内径与石英管反应室8的内径相同，推舟机构再将装载硅片的石墨舟9送入石英管反应室8中，气路控制系统关上炉门，并利用安装在炉口的氟胶密封圈15密封石英管反应室。法兰体1上的不锈钢气嘴7与外部各路工艺气体(NH3--氨气和SiH4--硅烷)管道10、11联通并将各路工艺气体汇集起来。在开始做工艺之前，先用真空泵将石英管反应室和工艺气体管道内部抽空，直到符合工艺要求的真空度。然后外部供气系统将工艺气体分别从相应的工艺气体管道输往炉口的法兰体1内。工艺气体在气嘴7处汇集进入法兰体1的工艺气体流道5后，在该流道内再次充分混合，随着外部供气系统按设定的流量值不断的往石英管反应室8输送工艺气体，即进入到工艺气体流道5内的工艺气体将以恒定的流量从针孔6渗透出来(混合工艺气体的流动方向13，是沿法兰内部的工艺气体流道向两边分散流动，又从针孔6径向流出来，参见图1)，进入到石英管反应室8内。由于石英管反应室两端分别有相应的密封圈将其密封，如此使得石英管反应室8的压力在工艺过程中保持恒定的值。从而使得工艺气体混合更加充分，在石英管反应室内的分布更加均匀，也提高了反应室内气场的稳定性，很好地改善了硅片的镀膜效果。另外，在工艺进行的同时，冷却水也按照设定的流量从冷却水进水管3进入法兰体1的冷却水流道2内，沿法兰逆时循环一周(与气流方向相反，参见图1)后从出水管4排出。如此不断循环，使炉口温度维持在一定的水平，从而保证了安装在炉口的氟胶密封圈15不因炉体的高温而受损，继而保证了石英管反应室内的反应压力处于恒定的值，确保工艺的正常运行。
Claims (4)
1.一种工艺气体的输送法兰，其特征在于，包括环形的法兰体(1)、设于该法兰体内一侧的冷却水流道(2)、设于该法兰体外缘的与冷却水流道(2)一端口联通的进水管(3)以及与其另一端口联通的出水管(4)；还包括设于所述法兰体(1)内另一侧的工艺气体流道(5)、沿工艺气体流道内壁设置的并与法兰体内壁导通的一圈针孔(6)、设于法兰体外缘的并与工艺气体流道(5)联通的多气路汇集气嘴(7)，设于法兰体(1)的内圈、靠近冷却水流道(2)一侧的密封圈(15)。
2.如权利要求1所述的工艺气体的输送法兰，其特征在于，所述的气嘴(7)为不锈钢材料制作。
3.如权利要求2所述的工艺气体的输送法兰，其特征在于，所述的针孔(6)的直径为0.5～4mm。
4.如权利要求3所述的工艺气体的输送法兰，其特征在于，所述针孔(6)的间隔角度为10度～60度。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201010235724 CN101899653B (zh) | 2010-07-23 | 2010-07-23 | 一种工艺气体的输送法兰 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201010235724 CN101899653B (zh) | 2010-07-23 | 2010-07-23 | 一种工艺气体的输送法兰 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101899653A CN101899653A (zh) | 2010-12-01 |
| CN101899653B true CN101899653B (zh) | 2013-01-23 |
Family
ID=43225559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201010235724 Active CN101899653B (zh) | 2010-07-23 | 2010-07-23 | 一种工艺气体的输送法兰 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101899653B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103924216B (zh) * | 2014-04-10 | 2016-04-20 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 等离子发生器混气管路 |
| CN111979530B (zh) * | 2020-08-28 | 2022-10-18 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | Pecvd设备的加热系统、加热控制方法及pecvd设备 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201778112U (zh) * | 2010-07-23 | 2011-03-30 | 深圳市捷佳伟创微电子设备有限公司 | 一种工艺气体的输送法兰 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100433285B1 (ko) * | 2001-07-18 | 2004-05-31 | 주성엔지니어링(주) | 멀티 홀 앵글드 가스분사 시스템을 갖는 반도체소자제조장치 |
| JP5172617B2 (ja) * | 2007-11-12 | 2013-03-27 | シャープ株式会社 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
-
2010
- 2010-07-23 CN CN 201010235724 patent/CN101899653B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201778112U (zh) * | 2010-07-23 | 2011-03-30 | 深圳市捷佳伟创微电子设备有限公司 | 一种工艺气体的输送法兰 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101899653A (zh) | 2010-12-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN201778112U (zh) | 一种工艺气体的输送法兰 | |
| CN115094521B (zh) | 一种硼扩散反应系统及其工艺方法 | |
| CN101899653B (zh) | 一种工艺气体的输送法兰 | |
| CN110129770A (zh) | 光伏电池背钝化沉积装置 | |
| CN210163522U (zh) | 一种炉管及lpcvd设备 | |
| CN209199965U (zh) | 一种晶硅太阳能电池生产用负压湿氧扩散装置 | |
| CN106756884B (zh) | 一种pecvd镀膜装置 | |
| CN201804848U (zh) | 一种用于制造半导体器件的氧化装置 | |
| CN218321630U (zh) | 气路传输系统 | |
| CN111139456A (zh) | 一种提高真空镀膜气氛均匀性的辉光区气路布置方法以及气路装置 | |
| CN103924216B (zh) | 等离子发生器混气管路 | |
| CN210104072U (zh) | 一种tma介质的供给系统 | |
| CN203360400U (zh) | 一种整体式加氢气化炉喷嘴及气化炉 | |
| CN210974871U (zh) | 光伏电池镀膜反应炉 | |
| CN111916530A (zh) | 量产型高效光伏电池三合一镀膜设备 | |
| CN113249780A (zh) | 导流装置、单晶炉及导流控制方法 | |
| CN110158057B (zh) | 一种pecvd工艺腔室支管路装置及其所在的气路系统 | |
| CN113151806A (zh) | 一种低压化学气相沉积炉进气装置 | |
| CN109778145B (zh) | 一种用于生产太阳能电池的cvd设备供气装置及其供气方法 | |
| CN209816273U (zh) | 一种改善管式pecvd气体均匀性的装置 | |
| CN210104070U (zh) | 一种tma介质的蒸发系统 | |
| CN210261990U (zh) | 一种向管式pecvd的tma介质输送系统 | |
| CN217997413U (zh) | 一种扩散炉管抽气管路 | |
| CN220926927U (zh) | Mad设备的进气系统 | |
| CN205152399U (zh) | 一种扩散炉用石英管 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C53 | Correction of patent of invention or patent application | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 518000, Guangdong, Shenzhen province Baoan District manhole Street oyster four Lin slope pit Industrial Zone A4 and No. A6 workshop Applicant after: SHENZHEN HEADQUARTER: S.C NEW ENERGY TECHNOLOGY Corp. Address before: 1, Shenzhen, Guangdong, Baoan District Province, oyster Town, four Lin Keng Hang industrial zone A4 building Applicant before: Shenzhen Jiejia Weichuang Microelectronics Equipment Co.,Ltd. |
|
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: SHENZHEN JIEJIA WEICHUANG MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO., LTD. TO: SHENZHEN S.C NEW ENERGY TECHNOLOGY CORPORATION |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20230815 Address after: 312000 Area A south of Yuejiang Road, Ma'an Street, Heqiao District, Shaoxing City, Zhejiang Province Patentee after: Zhejiang Riyue Solar Energy Technology Co.,Ltd. Address before: No.a4 and A6 factory buildings of Ho Si Lin Po Keng Industrial Zone, Shajing street, Bao'an District, Shenzhen, Guangdong 518000 Patentee before: SHENZHEN HEADQUARTER: S.C NEW ENERGY TECHNOLOGY Corp. |