CN101899642A - 镀膜装置 - Google Patents

镀膜装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101899642A
CN101899642A CN2009103026002A CN200910302600A CN101899642A CN 101899642 A CN101899642 A CN 101899642A CN 2009103026002 A CN2009103026002 A CN 2009103026002A CN 200910302600 A CN200910302600 A CN 200910302600A CN 101899642 A CN101899642 A CN 101899642A
Authority
CN
China
Prior art keywords
target
coating apparatus
film coating
substrate
bogey
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2009103026002A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101899642B (zh
Inventor
裴绍凯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Hon Hai Precision Industry Co Ltd
Original Assignee
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Hon Hai Precision Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd, Hon Hai Precision Industry Co Ltd filed Critical Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Priority to CN200910302600.2A priority Critical patent/CN101899642B/zh
Priority to US12/568,800 priority patent/US8673123B2/en
Publication of CN101899642A publication Critical patent/CN101899642A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101899642B publication Critical patent/CN101899642B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3423—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

一种镀膜装置，其包括镀膜室及设置在该镀膜室内的靶材承载装置及基材承载装置。靶材承载装置包括本体及至少一个靶材座，本体内开设溅射腔，该本体具有环绕溅射腔的内侧壁。靶材座设于内侧壁上。基材承载装置设于溅射腔内，其包括至少一个基材座。镀膜装置还包括第一驱动装置和第二驱动装置。第一驱动装置与基材承载装置连接，用于驱动基材承载装置相对于靶材承载装置旋转。第二驱动装置与靶材承载装置连接，用于驱动靶材承载装置绕溅射腔旋转。该镀膜装置通过使基材承载装置相对于靶材承载装置旋转，从而使基材的不同待镀表面均可朝向靶材，以提高膜层的均匀度。而且，由于靶材承载装置可以绕溅射腔旋转，因此可使各靶材消耗程度比较均匀。

Description

镀膜装置
技术领域
本发明涉及一种镀膜装置。
背景技术
溅镀装置通常将待镀基材与靶材相对设置，并利用等离子体轰击靶材，使靶材原子在等离子体的作用下溅射到基材上，形成膜层。目前的溅镀装置一般将靶材固定，待镀基材可相对于靶材平移，而不能相对于靶材旋转。当待镀基材的形状比较复杂时，该待镀基材上的一些待镀表面相对于靶材平面的截面积较小，因此这些待镀表面上所镀的膜层比其它表面的膜层要薄，从而导致待镀基材所镀膜层厚度不均匀。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种可提高膜层均匀度的镀膜装置。
一种镀膜装置，其包括一个镀膜室及设置在该镀膜室内的靶材承载装置及基材承载装置。所述靶材承载装置包括一个本体及至少一个靶材座，所述本体内开设一个溅射腔，该本体具有一个环绕所述溅射腔的内侧壁。所述靶材座设于所述内侧壁上。所述基材承载装置设于所述溅射腔内，该基材承载装置包括至少一个基材座，该基材座与所述内侧壁相对设置。所述镀膜装置还包括一个第一驱动装置和一个第二驱动装置。该第一驱动装置与所述基材承载装置连接，用于驱动该基材承载装置相对于所述靶材承载装置旋转。该第二驱动装置与所述靶材承载装置连接，用于驱动该靶材承载装置绕所述溅射腔旋转。
本发明的镀膜装置通过使所述基材承载装置相对于所述靶材承载装置旋转，从而使基材的不同待镀表面均可朝向所述靶材，以提高膜层的均匀度。而且，由于靶材承载装置可以绕所述溅射腔旋转，因此可以使各靶材消耗程度比较均匀。
附图说明
图1是本发明实施方式提供的镀膜装置的示意图。
图2是图1中的镀膜装置的部分立体图。
图3是图1中的镀膜装置的部分分解图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本发明作进一步的详细说明。
图1所示为本发明实施方式提供的一种镀膜装置100，其包括一个镀膜室10、一个抽真空系统11、一个气体供应装置12、一个靶材承载装置13、一个基材承载装置14、两个连接装置15、一个电源16、一个第一驱动装置17、一个第二驱动装置18及一个冷却装置19。
所述镀膜室10用于容置所述靶材承载装置13、基材承载装置14及连接装置15。
所述抽真空系统11与所述镀膜室10连通，用于抽取所述镀膜室10内的气体。
所述气体供应装置12与所述镀膜室10连通，用于向该镀膜室10提供反应气体，如氩气。
请参阅图2及图3，所述靶材承载装置13包括一个本体131及至少一个靶材座132。在本实施方式中，该靶材承载装置13包括六个靶材座132，每一靶材座132用于承载一个靶材(图未示)。所述本体131为环状结构，该环状结构中部形成一个溅射腔133。该本体131具有一个外侧壁134及一个与该外侧壁134相对的内侧壁135，该内侧壁135环绕所述溅射腔133。所述多个靶材座132均匀间隔地环设于所述内侧壁135上。该本体13内还设有一个循环水道136，该循环水道136用于供冷却水通过以对本体131及靶材座132进行冷却，使靶材的温度不会过高。
所述基材承载装置14设于所述溅射腔133内，该基材承载装置14包括一个上基板141、一个下基板142及至少一个设于所述上基板141与下基板142之间的基材座143。所述上基板141和下基板142均为圆形板，该上基板141和下基板142上分别对称地设有一个固定部144。在本实施方式中，所述基材承载装置14包括六个基材座143。所述基材座143的一端固定于所述上基板141上，另一端固定于所述下基板142上。该基材座143与所述靶材承载装置13的内侧壁135相对设置，该基材座143用于承载待镀基材(图未示)。
每个连接装置15包括一个轴承部151及分别设于所述轴承部151相对两侧的两个连接杆152。其中一个连接装置15的轴承部151套设于所述上基板141的固定部144上，另一连接装置15的轴承部151则套设于所述下基板142的固定部144上。每个连接杆152远离所述轴承部151的一端固定在所述靶材承载装置13的内侧壁135上。
所述电源16与靶材座132(阴极)及基材座143(阳极)电性连接，其用于在溅射腔133内提供高压电场以将氩气电离成氩离子与电子。
所述第一驱动装置17与所述基材承载装置14连接，用于驱动该基材承载装置14相对于所述连接装置15的轴承部152旋转。
所述第二驱动装置18与所述靶材承载装置13连接，用于驱动所述靶材承载装置13绕所述溅射腔133旋转。
所述冷却装置19连接所述靶材承载装置13的循环水道136的两端，用于为所述靶材承载装置13提供冷却水，以冷却该靶材承载装置13。
使用该镀膜装置100时，先将所述靶材和基材分别装入所述靶材座132和基材座143。然后抽真空系统11将所述镀膜室10抽成真空，所述气体供应装置12向该镀膜室10提供氩气。开启所述电源16，使所述靶材座132与基材座143之间产生高压电场。所述氩气在该高压电场的作用下电离成带正电荷的氩离子和电子，氩离子在电场的作用下加速轰击所述靶材，溅射出大量的靶材原子(或分子)，呈中性的靶材原子沉积在基材上成膜。在开启所述电源16的同时，所述第一驱动装置17驱动所述基材承载装置14相对于所述靶材承载装置13旋转，以使基材的不同待镀表面均可朝向所述靶材，从而提高膜层的均匀度。所述第二驱动装置18则驱动所述靶材承载装置13绕溅射腔133旋转，以避免因等离子体分布不均匀而造成各靶材消耗程度不均匀。在镀膜的过程中，所述冷却装置19持续地向所述靶材承载装置13的循环水道136供应冷却水，以使靶材承载装置13的温度不会过高。
本发明的镀膜装置通过使所述基材承载装置相对于所述靶材承载装置旋转，从而使基材的不同待镀表面均可朝向所述靶材，以提高膜层的均匀度。而且，由于靶材承载装置可以绕所述溅射腔旋转，因此可以使各靶材消耗程度比较均匀。
可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (6)

1.一种镀膜装置，其包括一个镀膜室及设置在该镀膜室内的靶材承载装置及基材承载装置，其特征在于，所述靶材承载装置包括一个本体及至少一个靶材座，所述本体内开设一个溅射腔，该本体具有一个环绕所述溅射腔的内侧壁，所述靶材座设于所述内侧壁上；所述基材承载装置设于所述溅射腔内，该基材承载装置包括至少一个基材座，该基材座与所述内侧壁相对设置；所述镀膜装置还包括一个第一驱动装置和一个第二驱动装置，该第一驱动装置与所述基材承载装置连接，用于驱动该基材承载装置相对于所述靶材承载装置旋转；该第二驱动装置与所述靶材承载装置连接，用于驱动该靶材承载装置绕所述溅射腔旋转。
2.如权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述基材承载装置包括分设于所述基材座两端的一个上基板和一个下基板，所述上基板和下基板上均设有一个固定部；所述镀膜装置还包括两个连接装置，每一个连接装置包括一个轴承部及分别设于所述轴承部相对两侧的两个连接杆，所述两个连接装置的轴承部分别套设于所述上基板和下基板的固定部上，每个连接杆远离所述轴承部的一端固定在所述内侧壁上。
3.如权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述镀膜装置还包括一个冷却装置，所述本体内设有一个循环水道，所述冷却装置与所述循环水道的两端连接，该冷却装置用于向所述循环水道供应冷却水。
4.如权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述镀膜装置还包括一个电源，该电源分别与所述靶材座和基材座电性连接，用于在该靶材座和基材座之间形成电场。
5.如权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述镀膜装置还包括一个气体供应装置，该气体供应装置与所述镀膜室连通，用于向该镀膜室供应反应气体。
6.如权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述镀膜装置还包括一个抽真空系统，所述抽真空系统与所述镀膜室连通，用于抽取该镀膜室内的气体。
CN200910302600.2A 2009-05-25 2009-05-25 镀膜装置 Expired - Fee Related CN101899642B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200910302600.2A CN101899642B (zh) 2009-05-25 2009-05-25 镀膜装置
US12/568,800 US8673123B2 (en) 2009-05-25 2009-09-29 Magnetron sputtering device having rotatable substrate holder

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200910302600.2A CN101899642B (zh) 2009-05-25 2009-05-25 镀膜装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101899642A true CN101899642A (zh) 2010-12-01
CN101899642B CN101899642B (zh) 2013-03-20

Family

ID=43123850

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200910302600.2A Expired - Fee Related CN101899642B (zh) 2009-05-25 2009-05-25 镀膜装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8673123B2 (zh)
CN (1) CN101899642B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102534516A (zh) * 2010-12-25 2012-07-04 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 溅镀装置
CN103498128A (zh) * 2012-04-29 2014-01-08 江苏中能硅业科技发展有限公司 磁控溅射镀膜装置及镀膜方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201132791A (en) * 2010-03-29 2011-10-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Plasma coating equipment
RU2522506C1 (ru) * 2013-01-22 2014-07-20 Открытое акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" Устройство для ионно-плазменного нанесения многокомпонентных пленок в вакууме
WO2018209197A2 (en) * 2017-05-12 2018-11-15 Gvd Corporation Systems for depositing coatings on surfaces and associated methods
US11623239B2 (en) 2020-04-24 2023-04-11 Gvd Corporation Systems and methods for polymer deposition
US11590527B2 (en) 2020-04-24 2023-02-28 Gvd Corporation Systems, methods, and articles for polymer deposition
US11376626B2 (en) 2020-04-24 2022-07-05 Gvd Corporation Methods and systems for polymer deposition

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101082123A (zh) * 2006-06-02 2007-12-05 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 溅镀装置及溅镀方法
CN101285171A (zh) * 2007-05-10 2008-10-15 胜倍尔超强镀膜（苏州）有限公司 旋转圆柱磁控溅射靶

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE13561T1 (de) * 1980-08-08 1985-06-15 Battelle Development Corp Zylindrische magnetron-zerstaeuberkathode.
US4851095A (en) * 1988-02-08 1989-07-25 Optical Coating Laboratory, Inc. Magnetron sputtering apparatus and process
US5421979A (en) * 1993-08-03 1995-06-06 Photran Corporation Load-lock drum-type coating apparatus
US5795448A (en) * 1995-12-08 1998-08-18 Sony Corporation Magnetic device for rotating a substrate
US5969423A (en) * 1997-07-15 1999-10-19 Micron Technology, Inc. Aluminum-containing films derived from using hydrogen and oxygen gas in sputter deposition
JPWO2002063064A1 (ja) * 2001-02-07 2004-06-10 旭硝子株式会社 スパッタ装置及びスパッタ成膜方法
JP2008505250A (ja) * 2004-07-01 2008-02-21 カーディナル・シージー・カンパニー マグネトロンスパッタリング用の振動磁石を有する円筒形のターゲット
WO2006071596A1 (en) * 2004-12-27 2006-07-06 Cardinal Cg Company Oscillating shielded cylindrical target assemblies and their methods of use

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101082123A (zh) * 2006-06-02 2007-12-05 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 溅镀装置及溅镀方法
CN101285171A (zh) * 2007-05-10 2008-10-15 胜倍尔超强镀膜（苏州）有限公司 旋转圆柱磁控溅射靶

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102534516A (zh) * 2010-12-25 2012-07-04 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 溅镀装置
CN103498128A (zh) * 2012-04-29 2014-01-08 江苏中能硅业科技发展有限公司 磁控溅射镀膜装置及镀膜方法
CN103498128B (zh) * 2012-04-29 2017-10-03 江苏中能硅业科技发展有限公司 磁控溅射镀膜装置及镀膜方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20100294658A1 (en) 2010-11-25
CN101899642B (zh) 2013-03-20
US8673123B2 (en) 2014-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101899642B (zh) 镀膜装置
US7347919B2 (en) Sputter source, sputtering device, and sputtering method
EP2122006B1 (en) Methods and apparatus for forming diamond-like coatings
US10586689B2 (en) Sputtering apparatus including cathode with rotatable targets, and related methods
JP2009041115A (ja) スパッタ源、スパッタリング装置、及びスパッタリング方法
CN101857951A (zh) 磁控溅射装置
JP5146106B2 (ja) スパッタ装置
CN102234776A (zh) 磁控溅镀装置
JP5467173B1 (ja) スパッタリング成膜装置及び真空成膜設備
CN201400714Y (zh) 一种多功能镀膜设备
US9754771B2 (en) Encapsulated magnetron
US7708866B2 (en) Sputtering apparatus
KR101956722B1 (ko) 무선 주파수(rf) - 스퍼터 증착 소스, 증착 장치, 및 그의 동작 방법
CN104204270A (zh) 真空成膜装置及真空成膜方法
JP2016042471A (ja) プラズマ発生源の冷却機構及び冷却方法
US20090057134A1 (en) Thin film application device and method for coating small aperture vacuum vessels
KR20130088548A (ko) 박막 증착용 인라인 스퍼터 장치
KR20130043595A (ko) 진공 성막 방법 및 진공 성막 장치
JP2017218624A (ja) 硬質膜の成膜方法
KR101385590B1 (ko) 스퍼터 장치
KR101125557B1 (ko) 스퍼터 장치
KR20120061013A (ko) 리니어 ｃｖｄ 소스 및 전자빔 스퍼터를 이용한 입체상 중합체의 금속박막 형성장치 및 형성방법
KR20130063680A (ko) 스퍼터 장치
EP2811508B1 (en) Gas configuration for magnetron deposition systems
JP2019527301A (ja) スパッタ堆積源、スパッタ堆積装置及びスパッタ堆積源を操作する方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130320

Termination date: 20150525

EXPY Termination of patent right or utility model