CN101882550A - 发光基板、显示板和图像显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种发光基板、显示板和图像显示装置。所述发光基板包含：基板；按矩阵布置在所述基板上的多个发光部件；以及按矩阵布置在所述多个发光部件之上的多个金属背。在所述多个金属背中的每一行或每一列中，两个相邻金属背通过电阻部件相互连接。具有比电阻部件低的电阻值的导电部件与电阻部件的一部分连接，所述部分与所述两个相邻金属背间隔开。

Description

发光基板、显示板和图像显示装置

技术领域

本发明涉及包含发光部件的发光基板，所述发光部件通过被电子照射而发光。本发明还涉及具有包含发光基板的显示板的、诸如电视机的图像显示装置。

背景技术

存在已知类型的图像显示装置：其中，用从电子发射器件发射的电子照射诸如荧光体的发光部件。这种类型的图像显示装置具有包含扁平的矩形真空容器(vacuum envelope)的显示板，所述扁平的矩形真空容器的内部空间被维持在低于大气压的压力(真空)。所述扁平的矩形真空容器典型地包含后板(rear plate)和前板(face plate)(发光基板)。后板具有按矩阵布置的许多电子发射器件。前板具有诸如荧光体的发光部件、和充当用于将几十千伏(kV)的高压施加到所述发光部件的阳极电极的金属背(metal back)。前板和后板彼此相对地设置，并接合在一起以在它们的边缘处形成气密的密封，从而构成扁平的矩形真空容器。

日本专利公开No.2006-120622公开了这样的图像显示装置：其中，多个金属背按矩阵布置，并且通过条状电阻器(strip resistor)一行一行地或者一列一列地电连接。因此，即使在电子发射器件和金属背之间发生放电，也可以减少对电子发射器件的损坏。

在日本专利公开No.2006-120622中所描述的图像显示装置中，例如，如果在电子发射器件和金属背中的任何一个之间发生放电(短路)，则所述金属背的电势瞬间下降。结果，在所述金属背和与其相邻的另一金属背之间瞬间生成大的电势差(即，大的电场)。为了减少由这样的电势差的瞬间生成而产生的电流(放电电流)的流动，连接两个相邻金属背的电阻器具有高的电阻值是必要的。同时，所述电阻器具有低的电阻值也是必要的。具体地说，在图像显示装置正被驱动时，用电子照射金属背。由于这导致金属背的电势的下降，所以电阻器需要具有低的电阻值以减少这样的下降。

然而，近年来，已存在对具有较高发光亮度且能够提供较高分辨率的显示图像的图像显示装置的需求。

为了改善图像显示装置的发光亮度，有必要将较高电势施加到金属背并增加从电子发射器件发射的电子的数量。

为了提供较高分辨率的显示图像，有必要减小要布置电阻器的区域和允许用于电阻器的截面面积。这导致增大的电阻器的电阻值。

在这样的情况下，为了减小如上所述的放电电流和金属背的电势下降，可以减小两个相邻金属背之间的距离。然而，当发生放电时，金属背之间的小距离可导致通过电阻器相互连接的两个相邻金属背之间的增大的电势差(电场)。结果，可使电阻器的耐压性能退化。

换句话说，当发生放电时，通过电阻器彼此相邻的两个金属背被电短路。这增大流过电子发射器件的放电电流，并可损坏电子发射器件。

因此，存在对实现这样的高分辨率高亮度的图像显示装置的需求：所述图像显示装置能够在发生放电时表现出高耐压性能，并且能够在所述图像显示装置正被驱动时减小金属背的电压下降。

发明内容

本发明提供一种发光基板，所述发光基板包含：基板；按矩阵布置在所述基板上的多个发光部件；以及按矩阵布置在所述多个发光部件之上的多个金属背。在所述多个金属背中的每一行或每一列中，两个相邻金属背通过电阻部件相互连接。具有比所述电阻部件低的电阻值的导电部件与所述电阻部件的一部分连接，所述部分与所述两个相邻金属背间隔开。

根据本发明的实施例，即使将强电场施加到通过其将两个相邻金属背相互连接的电阻部件，电阻部件也可以维持其功能，并防止图像显示装置受到严重损坏。同时，可以容易地控制电阻部件的有效电阻值。

根据下面参照附图对实施例的描述，本发明的进一步的特征将变得明显。

附图说明

图1A至图1C图示根据本发明实施例的发光基板。

图2A和图2B图示图像显示装置的配置。

图3A和图3B是图示取决于是否存在导电部件的电子流的变化的示意图，图3C是示意性地示出电阻部件的耐场强度(withstand fieldstrength)如何取决于电阻部件的长度的曲线图，图3D是示意性地示出电阻部件的耐场强度如何取决于电阻部件的体积电阻率(volumeresistivity)的曲线图。

图4A至图4I图示导电部件的示例布置。

图5A和图5B图示导电部件的其它示例布置。

图6图示根据本发明的另一实施例的发光基板。

具体实施方式

本发明可应用于场发射显示器(FED)，其中，通过被施加高压的金属背，使从电子发射器件发射的电子加速，从而加速的电子与发光部件(例如，荧光体)撞击并且发射光。电子发射器件的示例包含冷阴极，诸如场发射型电子发射器件、表面传导电子发射器件、金属-绝缘体-金属(MIM)型电子发射器件或者弹道电子表面发射器件(BSD)。

以下，作为示例，将描述包含电子发射器件的显示板，所述电子发射器件通过在阴极电极和栅极电极之间施加电压来发射电子。

显示板是指所谓的显示模块。本实施例的显示板包含真空容器100。图像显示装置是指包含显示板、接收从外部输入的图像信号(例如，电视信号)的接收器、根据显示板的特性对输入的图像信号执行预定处理的图像处理电路、以及扬声器的装置。图像显示装置的典型示例是电视装置。

将参照图2A和图2B描述包含在图像显示装置中的显示板101的概要。图2A是显示板101的示意截面图。图2B是图示从前基板2观看的后基板1的示意平面图。

显示板101包含真空容器100，所述真空容器100的内部空间被维持在大约10-4Pa或更小的真空(即，在低于大气压的压力)。真空容器100包含多个电子发射器件4、与各自的电子发射器件4相对应的多个发光部件7(例如，荧光体)、以及充当阳极电极的多个金属背8。后基板1和对可见光透明的前基板2彼此相对地设置，其间通过支持框架3产生1mm至2mm的间隙。前基板2和后基板1接合在一起以在它们的边缘处形成气密的密封，从而构成具有扁平的矩形形状的真空容器100。前基板2和后基板1的厚度各为0.5mm至3mm，优选地为1mm或更小。为了抵抗作用在后基板1和前基板2上的大气压以支持真空容器100，可以在这些基板之间提供许多间隔件(未示出)。这样的显示板的示例包含FED。

如图2B所示，多个电子发射器件4按矩阵布置在后基板1上。这些电子发射器件4各与多条扫描线6中的一条和多条信号线5中的一条连接。驱动电子发射器件4中的每一个的驱动电路(参见图2A)通过信号线5和扫描线6与电子发射器件4连接。因为可以适当地采用公知的技术，所以这里将不对电子发射器件4以及线5和6的布置和结构及其制造方法进行详细的描述。电子发射器件4的示例包含表面传导电子发射器件和场发射型电子发射器件。

通过在具有对可见光透明的光学特性的前基板2上布置多个发光部件7和多个金属背8，制备发光基板(前板)。例如，玻璃基板可以用作前基板2。图1A是图示从后基板1观看的前基板2的示意平面图。图1B是沿着图1A的线IB-IB获取的截面图。图1C是沿着图1A的线IC-IC获取的截面图。在图1A至图1C以及图2A和图2B中，相同的附图标记指示相同的组件。如图2A所示，金属背8设置在发光部件7的一侧上，所述一侧与后基板1相邻。所述多个金属背8各设置在所述多个发光部件7之上，从而所述多个发光部件7中的所有发光部件被金属背8覆盖。

为了制备分开布置的金属背8，首先，在通过典型方法在前基板2上形成发光部件7的区域之上，通过蒸发等形成金属背。然后，通过光蚀刻对所得到的金属背进行构图，以制备金属背8。可替换地，例如，可以使用具有期望开口的金属掩模作为遮蔽部件，以执行蒸发(一般称为掩模蒸发)。通常使用铝作为金属背的材料。因此，金属背一般可以被视为金属铝膜。

在前基板2的主表面上(所述主表面面对后基板1)，多个发光部件7在X方向(以下称为第一方向)和正交于X方向的Y方向(以下称为第二方向)上按照矩阵布置。例如，发光部件7中的每一个在被电子照射时发射红色(R)、绿色(G)或蓝色(B)光。这里，红色、绿色和蓝色的发光部件7沿着第一方向依次地重复布置。同时，相同颜色的发光部件7沿着第二方向布置。为了防止从发光部件7发射的光束相互干涉，可以在相邻的发光部件7之间设置黑色材料的遮蔽部件11。换句话说，遮蔽部件11可以设置有按矩阵布置的多个开口，并且所述多个发光部件7可以位于它们相应的开口处。遮蔽部件11充当所谓的黑矩阵。

在发光部件7之上，所述多个金属背8也在第一方向和第二方向上按照矩阵布置。具体地说，所述多个金属背8中的每一行包含在第一方向上布置的“m”个金属背8，并且，所述多个金属背8中的每一列包含在第二方向上布置的“n”个金属背8，其中，“m”和“n”都是大于或等于2的整数。在第二方向上延伸的每一列中的金属背8的数量“n”小于或等于在第二方向上延伸的每一列中的发光部件7的数量。在第一方向上延伸的每一行中的金属背8的数量“m”小于在第一方向上延伸的每一行中的发光部件7的数量。

在图1A的示例中，在第一方向上相邻的两个发光部件7被一个金属背8覆盖。尽管用一个金属背8覆盖一个发光部件7可以使放电引起的损坏最少，但是通过构图可能难以实现此配置。因此，通过考虑图像显示装置的显示面积(即，发光部件7的总面积)和发生放电时产生的放电电流，可以适当地设置金属背8的数量(或者被一个金属背8覆盖的发光部件7的数量)。例如，在第一方向上相邻的三个发光部件7(RGB)可以被一个金属背8覆盖。可替换地，例如，在第一方向和第二方向这两个方向上相邻的四个发光部件7(即，在第一方向上相邻的两个发光部件7和在第二方向上相邻的两个发光部件7)可以被一个金属背8覆盖。

在金属背8的每一列(即，在第二方向上延伸的每一列)中，两个相邻金属背8通过在第二方向上延伸的电阻部件9相互连接。电阻部件9被设置成使得它不直接位于发光部件7之上。电阻部件9可以由诸如钌氧化物、铟锡氧化物(ITO，铟氧化物和锡氧化物的化合物)或锑锡氧化物(ATO，添有锑的锡氧化物)的高电阻金属氧化物制成。通过涂布和烘烤将这样的金属氧化物和玻璃料混合而制备的高电阻糊剂(paste)，可以形成具有期望的电特性的电阻部件9。电阻部件9可以由高电阻非晶硅制成。实践上，电阻部件9的薄层电阻(sheetresistance)被设置为1.0×10³Ω/□至1.0×10⁶Ω/□的值，优选地被设置为1.0×10⁴Ω/□至1.0×10⁵Ω/□的值，更优选地被设置为5.0×10⁴Ω/□至1.5×10⁵Ω/□的值。实践上，电阻部件9的体积电阻率被设置为1.0×10^-1Ω·m至1.0×10¹Ω·m的值，优选地被设置为5.0×10^-1Ω·m至2.0Ω·m的值。由于金属背8实际上是金属膜，所以金属背8的薄层电阻和体积电阻率比电阻部件9的薄层电阻和体积电阻率低至少两个数量级(实践上，至少五个数量级)。

在图1A的示例中，在第二方向上布置的金属背8的一列中，在直线上延伸的一个电阻部件9连接在第二方向上串联地布置的所有的三个或更多个金属背8。然而，可以对在第二方向上相邻的每两个金属背8设置一个电阻部件9。可以适当地设置连接在第二方向上相邻的两个金属背8的电阻部件9的数量。当对于金属背8的每一列使用多个电阻部件9时，可以在沿着第二方向的一条线上布置所述多个电阻部件9。可替换地，在金属背8的每一列中，在第二方向上相邻的两个金属背8可以通过在第二方向上延伸的多个电阻部件9连接。在这种情况下，在金属背8的每一列中，多个电阻部件9可以在一条线上和在多条线上这两种情况下布置。

在图1A的示例中，每一列中的多个金属背8通过一个电阻部件9连接。与此相对照，每一行中的多个金属背8可以通过一个电阻部件9连接。然而，当扫描线6延伸的方向(即，图2B中的X方向)和多个金属背8通过电阻部件9连接的方向彼此相交(或者彼此正交)时，可以限制放电电流并减少由放电引起的损坏。

电阻部件9充当用于将高压(阳极电压)从低电阻公共电极14供给到金属背8的布线，所述公共电极14包含主要由银制成的布线。电阻部件9还充当使用限流效应来限制放电电流的电阻器。

公共电极14与设置在显示板101之外的阳极端子电连接，并与电源连接(参见图2A)。所述电源通过电阻部件9将恒定的高压(例如，几十千伏(kV))供给到充当阳极电极的所述多个金属背8。因为这里可以采用公知的配置，所以这里将不对阳极端子和公共电极14之间的连接的配置进行描述。

电阻部件9能够限制发生放电时流动的电流。然而，如果放电导致在第二方向上相邻的两个金属背8之间生成大的电势差(电场)，则如上所述电阻部件9的耐压性能可退化，并且大的电流可流动。

参照图3A和图3B，将关于假设机制并且还关于本发明的效果给出描述，在所述假设机制中，当在相邻金属背8之间生成大的电势差时，电阻部件9的耐压能力退化。图3A和图3B是其中在第二方向上相邻的两个金属背8a和8b通过电阻部件9相互连接的部分的示意截面图。

当金属背8a的电势突然下降为低于金属背8b的电势时(即，在放电时)，突然产生从金属背8a指向金属背8b的电场。在电阻部件9中，电子被产生的电场加速并与原子撞击，从而多个电子被作为自由电子而发射。这个过程重复地发生。然后，产生的电子导致电子雪崩，从而假设大电流在金属背8a和8b之间流动。当施加到金属背8a和8b的电势是恒定的时，随着两个金属背8a和8b之间的距离减小，或者，随着电阻部件9的截面面积减小(即，随着电阻部件9的电阻值增大)，预计在放电时产生的电场增大。

图3C是示意性地示出电阻部件9的耐场强度如何取决于电阻部件9的长度的曲线图。在所述曲线图中，水平轴表示电阻部件9的长度(即，相邻金属背8之间的距离)，并且，垂直轴表示电阻部件9的耐场强度。如从图3C可见的那样，随着电阻部件9的长度减小，耐场强度提高，并且，对提高的耐场强度的贡献度(负倾斜度)变得较大。这种趋势对于诸如上述材料的高电阻材料是共有的。

如图3B所示，当导电部件10与电阻部件9的连接在第二方向上相邻的两个金属背8a和8b的一部分连接时，在电阻部件9的所述部分(即，设置导电部件10的部分)中可以生成其中电子未被加速的区域。结果，在图3B的配置中在第二方向上相邻的两个金属背8a和8b之间的耐场强度变得大于在图3A的配置中在第二方向上相邻的两个金属背8a和8b之间的耐场强度。这是基于这样的假设，即，在图3A中金属背8a和8b之间的距离与在图3B中下述两个距离之和相同：金属背8a和导电部件10之间的距离，以及金属背8b和导电部件10之间的距离。

在图4A和图4B中图示导电部件10的示例布置，图4A和图4B是沿着图1A的线IVA-IVA(IVB-IVB)获取的截面图。

如图4A所示，当电阻部件9被设置在导电部件10之上时，电阻部件9和导电部件10可以直接相互连接。在图4A的配置中，电阻部件9具有第一部分、第二部分、以及在第一部分和第二部分之间的第三部分，其中，第一部分与在第二方向上相邻的两个金属背8中的一个接近，第二部分与所述两个金属背8中的另一个接近。在该配置中，导电部件10可以与电阻部件9的第三部分直接连接。

如图4B所示，电阻部件9可以具有通过其间的导电部件10而相互连接的多个部分。具体地说，在图4B的配置中，电阻部件9具有第一部分和第二部分，其中，第一部分与在第二方向上相邻的两个金属背8中的一个接近，第二部分与所述两个金属背8中的另一个接近。导电部件10被设置在第一部分和第二部分之间，并且与第一部分和第二部分都连接。

在图4A的配置中，导电部件10被设置在电阻部件9和前基板2之间(即，更具体地说，在电阻部件9和遮蔽部件11之间)。可替换地，导电部件10可以被设置在电阻部件9上(即，在远离遮蔽部件11的一侧)。类似地，金属背8也可以被设置在电阻部件9上(即，在远离遮蔽部件11的一侧)。换句话说，电阻部件9可以被设置在金属背8和前基板2之间(即，更具体地说，在金属背8和遮蔽部件11之间)并且/或者在导电部件10和前基板2之间(即，更具体地说，在导电部件10和遮蔽部件11之间)。

如图4C和图4D所示，导电部件10可以按多个的方式被设置在第二方向上相邻的两个金属背8之间。图4C和图4D是各图示从后基板1观看的前基板2的局部示意平面图，如图1A的情况那样。图4C图示其中两个导电部件10被设置在第二方向上相邻的两个金属背8之间的配置。图4D图示其中三个导电部件10被设置在第二方向上相邻的两个金属背8之间的配置。如图4C和图4D所示，在第二方向上相邻的两个金属背8之间的多个导电部件10以预定的距离间隔开。

如图4E和图4F所示，只要导电部件10与在第二方向上相邻的两个金属背8都间隔开，就可以提高上述的耐场强度。如图4E所示，导电部件10可以位于将两个相邻金属背8之间的距离等分的位置处。换句话说，导电部件10可以被放置成使得满足关系L1＝L2。该关系也适用于其中按多个的方式设置导电部件10的配置。在图4F所示的关系L1′≠L2′的情况中，可以通过由L2′指示的较长部分来限定耐场强度。当导电部件10按多个的方式被设置在第二方向上相邻的两个金属背8之间时，导电部件10可以被均匀地间隔开。

在第二方向(Y方向)上导电部件10的长度(L0)可以根据金属背8之间的部分所需的电阻值和耐场强度来被适当地确定。为了提供导电部件10的上述效果，实践上，导电部件10的长度可以大于或等于电阻部件9的厚度。换句话说，实践上，在第二方向上(即，在电阻部件9的纵向方向上)，在大于或等于电阻部件9的厚度的长度之上，电阻部件10可以与电阻部件9连接。

如图4G、图4H和图4I所示，导电部件10的宽度(L3)可以与电阻部件9的宽度相同(参见图4G)，可以小于电阻部件9的宽度(参见图4H)，或者可以大于电阻部件9的宽度(参见图4I)。

导电部件10的电阻值可以是任何值，只要它在与电阻部件9接触的区域中是期望的值即可。取决于应用，适当地选择导电部件10的体积电阻率、厚度和宽度。为了提供导电部件10的上述效果，实践上，导电部件10可以具有比电阻部件9的电阻值低至少一个数量级的电阻值。

形成导电部件10的简单方法是与金属背8的形成同时地形成导电部件10。结果，可以使导电部件10的电特性(例如，薄层电阻和体积电阻率)与金属背8的电特性相似。因此，像金属背8那样，导电部件10可以被视为金属膜。

导电部件10的材料可以与金属背8的材料相同或不同。通过考虑体积电阻率和制造工艺，导电部件10的材料可以被适当地选自金属材料，诸如铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)、银(Ag)、金(Au)、钼(Mo)、钨(W)、钽(Ta)、铂(Pt)和镍(Ni)。

图3D是示意性地示出电阻部件9的耐场强度如何取决于电阻部件9的体积电阻率的曲线图。在所述曲线图中，水平轴表示电阻部件9的体积电阻率(用对数表达)，并且，垂直轴表示电阻部件9的耐场强度(用对数表达)。如从图3D可见的那样，随着电阻部件9的体积电阻率增大，电阻部件9的耐场强度提高。该趋势对于诸如上述材料的高电阻材料是共有的。

如上所述，将导电部件10与电阻部件9连接使得可以改变两个相邻金属背8之间的电阻值，而不改变电阻部件9的体积电阻率(即，不改变电阻部件9的耐场强度)。换句话说，在将电阻部件9的耐场强度维持在高水平的同时，可以控制每一列中的通过电阻部件9串联连接的金属背8的有效电阻值。因此，即使在每一列中的金属背8的电阻值被调节到期望的水平时，也可以在维持电阻部件9的体积电阻率的同时维持电阻部件9的耐场强度。

具体地说，如图5A所示，当在第二方向上相邻的一对或更多对金属背8中的金属背8通过导电部件10电连接且物理连接时，可以改变每一列中的金属背8的电阻值，而不改变电阻部件9的体积电阻率。如上所述，可以与金属背8的形成同时地形成导电部件10。因此，不用分开且仅通过将在第二方向上相邻的一对或更多对金属背8中的金属背8连接，可以改变每一列中的金属背8的电阻值。

当在第二方向上相邻的两个金属背8通过其间的导电部件10连接时，还可以将在第二方向上相邻的三个或更多个金属背8连接。图5B图示其中在第二方向上相邻的三个金属背8连续地连接的配置。可以确定要连续地连接的金属背8的数量，使得对于每一列的金属背8，电阻部件9具有期望的电阻值。

因此，可以实现既减少每一列中的金属背8的电阻值(即，减少图像显示装置正被驱动时的电压下降)，又维持电阻部件9的体积电阻率和耐场强度。

如图1A至图1C所示，可以用遮蔽部件(黑矩阵)11填充相邻发光部件7之间的空间。

在这种情况下，遮蔽部件11将在第一方向上相邻的两个金属背8电连接。为了限制放电电流的目的，仅有必要遮蔽部件11的电阻比电阻部件9的电阻高至少两个数量级。实践上，在第一方向上相邻的两个金属背8之间的遮蔽部件11的薄层电阻可以被设置为1.0×10⁶Ω/□至1.0×10⁹Ω/□的值。例如，遮蔽部件11可以由下述材料制成：主要由通常用作黑矩阵的材料的石墨构成的材料，或者具有低的光学透射率和反射率的材料。

图6是根据本发明另一实施例的发光基板的示意截面图。如图6所示，发光基板可以被设置有分隔部件(肋)12。分隔部件12位于在第一方向上相邻的发光部件7之间，在第二方向上延伸，并且向后基板1突出。分隔部件12可以由绝缘材料制成。例如，可以通过在遮蔽部件11上放置感光绝缘糊剂、将其曝光、并对其进行显影和烘烤，形成分隔部件12。

分隔部件12被设置用来防止这样的现象(光晕(halation))：其中，错误的邻近的发光部件7被反冲(recoil)电子照射并发光。当从电子发射器件4发射的电子被金属背8等部分地反射到后基板1时，产生反冲电子。

当使用分隔部件12时，电阻部件9可以被布置为在分隔部件12的表面(上表面)上沿着第二方向延伸，所述表面与后基板1相邻。为了与电阻部件9的电连接，将金属背8从发光部件7的上表面沿着分隔部件12的侧表面连续地布置到分隔部件12的上表面。

分隔部件12满足与遮蔽部件11的电特性相似的电特性是必要的。具体地说，仅有必要分隔部件12的电阻比电阻部件9的电阻高至少两个数量级。实践上，在第一方向上相邻的两个金属背8之间的分隔部件12的薄层电阻可以被设置为1.0×10⁶Ω/□至1.0×10⁹Ω/□的值。

实施例

现在将描述本发明的具体实施例。这里，将不给出对如何制备后基板1和支持框架3的描述。例如，如日本专利公开No.2-56822和No.2000-251708中所描述的那样制备后基板1和支持框架3。下面的描述涉及发光基板(前板)。

(第一实施例)

将参照图1A至图1C描述制备根据本发明第一实施例的发光基板(前板)的方法。

使用玻璃基板(诸如由Asahi Glass Co.，Ltd.制备的PD-200)作为前基板2。在对前基板(玻璃基板)2进行清洁之后，在前基板2的主表面上形成遮蔽部件11。作为遮蔽部件11的材料，黑色糊剂的膜(诸如由Noritake Co.，Limited制备的NP-7803D)通过丝网印刷被形成在前基板2的主表面上。所得到的膜具有与多个发光部件7相对应的开口的矩阵。所述开口在第一方向上以150μm的节距(pitch)且在第二方向上以450μm的节距被布置。每一个开口的尺寸在第一方向上为90μm且在第二方向上为220μm。在将黑色糊剂的膜在120℃干燥之后，在550℃对其进行烘烤，以形成具有5μm的厚度的遮蔽部件11。所得到的在第二方向上相邻的两个开口之间的距离为230μm。

接下来，通过印刷形成发光部件7。具体地说，将用于彩色显示的三色(RGB)P22荧光体分散到不同的聚合物溶剂中，从而制备用于每一种颜色的糊剂。在第二方向上按条纹丝网印刷三色荧光体糊剂，使得它们与遮蔽部件11的开口对准。发光部件7具有15μm的厚度，并且在120℃被干燥。

为了减小构成发光部件7的荧光体粒子之间的距离和所述荧光体粒子的高度的变化，通过喷涂将丙烯酸乳剂的水溶液作为成膜溶液涂布到前基板2的主表面。在发光部件7上，涂布的溶液干燥成成膜层。接下来，通过使用具有多个开口的金属掩模来将铝膜蒸发到成膜层上，其中，所述多个开口被布置为使得每一个开口位于在第一方向上相邻的两个发光部件7之上。然后，通过烘烤来热分解并去除成膜层。因此，形成多个金属背8，每一个金属背8是100nm厚的铝膜。金属背8被形成为使得在第一方向上相邻的两个发光部件7(例如，RG、BR和GB)被一个金属背8覆盖。注意，在第二方向上相邻的两个发光部件7不被一个金属背8覆盖。换句话说，在第二方向上相邻的两个发光部件7被不同的金属背8覆盖。在第二方向上，覆盖两个发光部件7的每一个金属背8超过发光部件7的边缘(即，开口的边缘)延伸15μm。

另外，在第二方向上相邻的两个金属背8之间的遮蔽部件11上形成导电部件10。在形成金属背8的层的过程中，导电部件10中的每一个被形成为与在第二方向上相邻的两个金属背8中的每一个间隔50μm。这意味着，导电部件10在第二方向上长度为100μm。具体地说，在上述的金属掩模中，预先生成用于导电部件10的布置的开口。利用该金属掩模，形成与金属背8的材料相同的材料且与金属背8的厚度相同的厚度的导电部件10。

接下来，利用分配器(dispenser)，在第二方向上交替地且重复地布置的金属背8和导电部件10之上形成电阻部件9。每一个电阻部件9在第一方向上相邻的两个发光部件7之间通过，并且在第二方向上直线地(linearly)延伸。在本实施例中，在第二方向上相邻的两个金属背8之间的区域中，在第二方向上，其中电阻部件9用作电阻器的总长度为100μm。使用包含钌氧化物的高电阻糊剂作为电阻部件9的材料。将所述高电阻糊剂形成为5μm厚的膜，并且在120℃对其进行干燥。除了上述的钌氧化物以外，还可以使用诸如ITO或ATO的高电阻金属氧化物作为在高电阻糊剂中包含的电阻调节成分。可以使用通过将这样的金属氧化物与玻璃料混合而制备的糊剂作为高电阻糊剂。可以使用高电阻非晶硅来形成电阻部件9。当高电阻糊剂在玻璃基板上被形成为具有5μm的厚度的图案、在120℃被干燥并被测量时，高电阻糊剂的体积电阻率大约为0.5Ω·m。

将如上所述制备的前板与后板相对地放置，在所述后板中，多个表面传导电子发射器件按矩阵被布置在后基板1上。将支持框架3放置在前板和后板之间。在维持于10^-5Pa的真空室中，通过在支持框架3插入其间的情况下将后基板1和前基板2密封和结合(bond)，制备显示板101。

在本实施例的显示板101中，当通过增大供给到公共电极14的阳极电压来增大通过电阻部件9施加到金属背8中的每一个的电压时，直到达到12kV才观察到表现为放电的现象。电阻部件9的耐场强度被评估为大约8.5V/μm。对电阻部件9的电阻的测量表明，电阻部件9的电阻值和体积电阻率分别大约为170kΩ和0.5Ω·m。

(第一比较例)

在该比较例中，除了不设置导电部件10以及在第二方向上相邻的两个金属背8之间的距离为100μm以外，以与第一实施例相同的方式制备发光基板和显示板。因此，在该比较例中，在第二方向上相邻的两个金属背8之间的区域中，在第二方向上，其中电阻部件9用作电阻器的长度为100μm。在该比较例中制备的显示板中，当通过增大供给到公共电极14的阳极电压来增大通过电阻部件9施加到金属背8中的每一个的电压时，在10kV发生放电。电阻部件9的耐场强度被评估为4V/μm至6V/μm。对电阻部件9的电阻的测量表明，电阻部件9的电阻值和体积电阻率分别大约为170kΩ和0.5Ω·m。

(第二实施例)

就电阻部件9的体积电阻率和导电部件10的数量而言，第二实施例不同于第一实施例。这里将不描述用于制备其它部件的方法，因为它们与第一实施例中的相同。

在第二实施例中，使用具有比第一实施例中的体积电阻率低的体积电阻率的电阻部件9。在第一实施例中，在第二方向上相邻的两个金属背8之间设置一个导电部件10。在第二实施例中，如图4C所示，在第二方向上相邻的两个金属背8之间设置两个导电部件10。在每一个导电部件10及其相邻金属背8之间的最短距离为50μm。在第二方向上每一个导电部件10的长度为25μm。两个导电部件10之间的距离为50μm。因此，在第二实施例中，在第二方向上相邻的两个金属背8之间的区域中，在第二方向上，其中电阻部件9用作电阻器的总长度为150μm。

关于其它方面，以与第一实施例相同的方式制备显示板101。在本实施例的显示板101中，当通过增大供给到公共电极14的阳极电压来增大通过电阻部件9施加到金属背8中的每一个的电压时，直到达到12kV才发生放电。电阻部件9的耐场强度被评估为大约10.2V/μm。对电阻部件9的电阻的测量表明，电阻部件9的电阻值和体积电阻率分别大约为150kΩ和0.3Ω·m。因此，即使在使用具有低体积电阻率且被假设具有低耐场强度的电阻部件9时，也可以通过设置导电部件10来提高耐场强度。

(第三实施例)

就电阻部件9的体积电阻率和导电部件10的布置而言，第三实施例不同于第一实施例。这里将不描述用于制备其它部件的方法，因为它们与第一实施例中的相同。

在第三实施例中，使用具有比第一实施例中的体积电阻率高的体积电阻率的电阻部件9。在第一实施例中，在第二方向上相邻的两个金属背8之间设置一个导电部件10。在第三实施例中，如图5A所示，在第二方向上布置的金属背8的每一列中，在第二方向上相邻的一对或更多对金属背8中的金属背8通过导电部件10电连接。这里，在第一实施例的金属背8的每一列中，通过导电部件10连接从顶部依次地布置的奇数(第N个)和偶数(第(N+1)个)的金属背8，诸如第一和第二金属背8、第三和第四金属背8、以及第五和第六金属背8。与第一实施例的情况中一样，通过一个直线状的电阻部件9来连接每一列中的所有的金属背8。

同时，在第二方向上相邻但不通过任何导电部件10电连接的两个金属背8之间，放置一个导电部件10，如第一实施例的情况中那样。也就是说，将一个导电部件10放置在第(N+1)个和第(N+2)个金属背8之间，诸如在第二和第三金属背8之间以及在第四和第五金属背8之间。

关于其它方面，以与第一实施例相同的方式制备显示板101。在本实施例的显示板101中，当通过增大供给到公共电极14的阳极电压来增大通过电阻部件9施加到金属背8中的每一个的电压时，直到达到12kV才发生放电。连接第N个、第(N+1)个和第(N+2)个金属背8的两个连续的电阻部件9的耐场强度被评估为8.5V/μm。对电阻部件9的电阻的测量表明，电阻部件9的电阻值和体积电阻率分别大约为170kΩ和1.0Ω·m。因此，即使在使用具有高体积电阻率且被认为具有高耐场强度的电阻部件9时，也可以通过设置导电部件10来降低耐场强度。

(其它实施例)

本发明的各方面还可以通过系统或装置的计算机(或诸如CPU或MPU的器件)以及通过如下方法来实现，所述系统或装置的计算机(或诸如CPU或MPU的器件)读出记录在存储器件上的程序并执行所述程序以执行上述(一个或多个)实施例的功能，所述方法的步骤由系统或装置的计算机通过例如读出记录在存储器件上的程序并执行所述程序以执行上述(一个或多个)实施例的功能来执行。为此目的，例如经由网络或者从充当存储器件的各种类型的记录介质(例如，计算机可读介质)向计算机提供所述程序。

虽然已经参考实施例描述了本发明，但是要理解的是，本发明并不局限于所公开的实施例。

Claims (10)

1.一种发光基板，包括：

基板；

多个发光部件，所述多个发光部件按矩阵被布置在所述基板上；以及

多个金属背，所述多个金属背按矩阵被布置在所述多个发光部件之上，

其中，在所述多个金属背中的每一行或每一列中，两个相邻金属背通过电阻部件相互连接；以及

具有比所述电阻部件低的电阻值的导电部件与所述电阻部件的一部分连接，所述部分与所述两个相邻金属背间隔开。

2.根据权利要求1所述的发光基板，其中，所述导电部件的电阻值比所述电阻部件的电阻值低至少一个数量级；以及

在布置所述两个相邻金属背的方向上、且在大于或等于所述电阻部件的厚度的长度之上，所述导电部件与所述电阻部件连接。

3.根据权利要求1所述的发光基板，其中，所述电阻部件具有第一部分、第二部分、以及在所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分，所述第一部分与所述两个相邻金属背中的一个接近，所述第二部分与所述两个相邻金属背中的另一个接近；以及

所述导电部件与所述电阻部件的所述第三部分连接。

4.根据权利要求3所述的发光基板，包含间隔开的且与所述电阻部件的所述第三部分连接的多个导电部件。

5.根据权利要求1所述的发光基板，其中，所述电阻部件具有与所述两个相邻金属背中的一个接近的第一部分、以及与所述两个相邻金属背中的另一个接近的第二部分；以及

所述导电部件被设置在所述第一部分和所述第二部分之间，并且与所述第一部分和所述第二部分都连接。

6.根据权利要求1所述的发光基板，包含多个电阻部件和多个导电部件，

其中，所述多个导电部件和所述多个电阻部件在所述两个相邻金属背之间交替地连接和布置。

7.根据权利要求1所述的发光基板，还包括设置在所述多个发光部件之间的遮蔽部件，

其中，所述电阻部件、所述导电部件和所述多个金属背还被设置在所述遮蔽部件上。

8.根据权利要求1所述的发光基板，其中，所述导电部件是由铝、铜、钛、银、金、钼、钨、钽、铂和镍中的任一个制成的金属膜。

9.一种显示板，包括：

根据权利要求1至8中的任一项所述的发光基板；以及

多个电子发射器件，所述多个电子发射器件被配置为向所述多个发光部件发射电子。

10.一种图像显示装置，包括根据权利要求9所述的显示板。

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