CN101877201B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示装置。本发明的实施方式提供了一种包括面板、触摸屏面板和感测单元的显示装置。面板包括置于显示区域中的子像素，所述显示区域被限定在第一基板以及与所述第一基板结合并密封的第二基板的一个面中。触摸屏面板被置于所述面板上并被配置成包括电极单元。感测单元被耦接到所述电极单元并被配置成通过所述电极单元感测位置。电极单元中的至少一些电极单元由异种金属的多层形成。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
本申请要求2009年4月30日提交的韩国专利中请10-2009-0038376的优先权，在此以引证的方式并入其全部内容。
随着信息技术的发展，显示装置(即，连接用户和信息的媒介)市场也在增长。按照这种趋势，在越来越多地利用平板显示器(FPD)，例如，液晶显示器(LCD)装置、有机发光二极管(OLED)显示装置和等离子体显示板(PDP)。
有些显示装置由在基板上以矩阵形式形成的晶体管驱动，由此能够显示图像。晶体管可以包括栅极、半导体层、源极和漏极。
同时，显示装置正在广泛地用于各种用途，范围从家用电器领域(例如，电视(TV)或视频)到工业领域(例如，计算机)。近来，正在对向显示装置提供触摸屏功能进行有效的研究。
发明内容
本发明的一个方面提供了一种包括面板、触摸屏面板和感测单元的显示装置。所述面板包括置于显示区域中的子像素，所述显示区域被限定在第一基板以及与所述第一基板结合并密封的第二基板的一个面中。所述触摸屏面板被置于所述面板上并被配置成包括电极单元。所述感测单元被耦接到所述电极单元并被配置成通过所述电极单元感测位置。所述电极单元中的至少一些电极单元由异种金属的多层形成。
本发明的另一个方面提供了一种包括面板、电极单元和感测单元的显示装置。所述面板包括置于显示区域中的子像素，所述显示区域被限定在第一基板以及与所述第一基板结合并密封的第二基板的一个面中。所述子像素覆盖有中间层膜。所述电极单元包括置于所述中间层膜上的第一电极和置于所述第二基板的一个面上的第二电极。所述子像素和所述第二基板的所述一个面彼此面对。所述感测单元被耦接到所述电极单元并被配置成通过所述电极单元感测位置。所述电极单元中的至少一些电极单元由异种金属的多层形成。
本发明的又一方面是提供面板和感测单元。所述面板包括置于在第一基板的一个面和第二基板的一个面之间限定的显示区域中的子像素以及置于所述第二基板中的电极单元。所述感测单元被耦接到所述电极单元并被配置成通过所述电极单元感测位置。所述电极单元中的至少一些电极单元由异种金属的多层形成。
附图说明
附图被包括在本说明书中以提供对本发明的进一步理解，并结合到本说明书中且构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方式，且与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1是根据本发明第一实施方式的显示装置的示意性框图；
图2是电容型感测单元的框图；
图3和图4是示出了置于触摸屏面板内的电极单元的结构的示例图；
图5示出了根据第一实施方式的具有电容型触摸屏面板的有机发光二极管显示装置的示意性结构；
图6示出了有机发光二极管的层级结构；
图7是电阻型感测单元的框图；
图8是示出了置于触摸屏面板内的电极单元的结构的示例图；
图9示出了根据第一实施方式的内建有电阻型触摸屏面板的有机发光二极管显示装置的示意性结构；
图10是根据本发明第二实施方式的显示装置的示意性框图；
图11是感测单元的框图；
图12到图15是示出了置于面板内的电极单元的结构的示例图；
图16和图17示出了根据本发明第二实施方式的内建有电阻型触摸屏面板的有机发光二极管显示装置的示意性结构；
图18是根据本发明第三实施方式的显示装置的示意性框图；
图19是电容型感测单元的框图；
图20和图21是示出了置于面板内的电极单元的结构的示例图；
图22和图23示出了根据本发明第三实施方式的内建有电容型触摸屏面板的有机发光二极管显示装置的示意性结构；
图24是电容型感测单元的框图；
图25是示出了置于面板内的电极单元的结构的示例图；以及
图26和图27示出了根据本发明第三实施方式的内建有电容型触摸屏面板的有机发光二极管显示装置的示意性结构。
具体实施方式
下面将参照在附图中示出的示例详细地描述本发明的实施方式。
<第一实施方式>
参照图1，显示装置包括面板PNL、触摸屏面板TPNL、扫描驱动器SDRV、数据驱动器DDRV以及感测单元TSC。
面板PNL可以包括FPD(例如，有机发光二极管显示面板、液晶显示面板或者PDP)。在本实施方式中，以有机发光二极管显示面板为例。扫描驱动器SDRV向面板PNL中包含的子像素提供扫描信号。数据驱动器DDRV向面板PNL中包含的子像素提供数据信号。触摸屏面板TPNL置于面板PNL上并被配置成包括电极单元。感测单元TSC耦接到电极单元并配置成当用户触摸该触摸屏面板TPNL时通过电极单元感测位置。根据触摸屏面板TPNL中形成的电极单元的结构，感测单元TSC可以是利用电容变化(即，根据介电常数电容中的变化)的电容型或者是利用电阻变化的电阻型。
参照图2，电容型感测单元TSC耦接到置于触摸屏面板TPNL内的电极单元TPL和TPR。当用户触摸该触摸屏面板TPNL时，感测单元TSC能够通过识别置于触摸屏面板TPNL内的电极单元TPL和TPR的电容变化感测被触摸位置。
例如，感测单元TSC可以包括信号输入单元SW、信号放大单元AMP、信号转换单元ADC和信号检测单元LUT，但不限于此。信号输入单元SW通过耦接到置于触摸屏面板TPNL内的电极单元TPL和TPR的配线Y0和Y1接收信号。信号放大单元AMP放大从信号输入单元SW接收到的信号。信号转换单元ADC将输入的模拟信号转换成数字信号。信号检测单元LUT基于经过数字转换后的信号通过识别电容的变化以确定用户已触摸了哪个区域来检测位置数据，并将检测到的位置数据传送给装置CD。
如上所述，感测单元TSC能够通过识别置于触摸屏面板TPNL内的电极单元TPL和TPR的电容的变化来检测被触摸位置。电极单元TPL和TPR可以具有以下结构。
参照图3和图4，电极单元TPL和TPR可以包括从触摸屏面板TPNL的左边到右边设置的第一电极TPL和从触摸屏面板TPNL的右边到左边设置的第二电极TPR。尽管第一电极TPL和第二电极TPR例示为置于相同的层，但沿一个方向以恒定间隔彼此隔开的方式对它们进行构图。此外，第一电极TPL和第二电极TPR可以构图为使得它们具有不同的电容。电极单元TPL和TPR可以通过配线Y0，...，Y9耦接到感测单元TSC。图3和图4仅仅是例示性的，以便帮助理解电极单元TPL和TPR的形状，并且本发明不限于图3和图4的形状。
下面描述根据本发明的第一实施方式的具有电容型触摸屏面板的有机发光二极管显示装置的结构。
参照图5，面板包括置于第一基板100a和第二基板100b之间的子像素。子像素包括响应于扫描信号而驱动的开关晶体管、配置成以数据电压的形式存储数据信号的电容器、由电容器中存储的数据电压驱动的驱动晶体管、以及配置成当驱动晶体管被驱动时发光的有机发光二极管。当从扫描驱动器和数据驱动器接收到扫描信号和数据信号时，子像素发光。面板可以相应地呈现图像。考虑到绘图的特征，在面板的图示中示出了子像素中包含的元件当中的驱动晶体管T和有机发光二极管D的截面。下面来描述面板中包含的子像素。
栅极110置于第一基板100a的一个面上。栅极110可以由从下述构成的组中选出的任何一种制成：钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)、或者它们的合金。或者，栅极110可以是由从下述构成的组中选出的任何一种制成的多层：钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)、或者它们的合金。或者，栅极110可以是Mo/Al-Nd双层或Mo/Al双层。
第一绝缘层111置于栅极110上。第一绝缘层111可以由硅的氧化物(SiOx)层、硅的氮化物(SiNx)层或它们的多层形成，但不限于此。
有源层112置于第一绝缘层111上。有源层112可以包括非晶硅或者结晶的多晶硅。有源层112可以包括源区、沟道区和漏区。此外，欧姆接触层113可以置于有源层112上。
分别耦接到有源层112的源区和漏区的源极114a和漏极114b置于欧姆接触层113上。源极114a和漏极114b可以是单层或者多层。在源极114a和漏极114b由单层形成的情况下，它们可以由从下述构成的组中选出的任何一种制成：钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)、或者它们的合金。同时，在源极114a和漏极114b由多层形成的情况下，它们可以是Mo/Al-Nd的双层，或者是Mo/Al/Mo的三层或Mo/Al-Nd/Mo的三层。
第二绝缘层115置于源极114a和漏极114b上。第二绝缘层115可以由硅的氧化物(SiOx)层、硅的氮化物(SiNx)层或它们的多层形成，但不限于此。
屏蔽金属116可以置于第二绝缘层115上。屏蔽金属116可以耦接到源极114a或漏极114b，并且它可以起保护晶体管免受外部干扰的作用。
第三绝缘层117置于第二绝缘层115上。第三绝缘层117可以由硅的氧化物(SiOx)层、硅的氮化物(SiNx)层或它们的多层形成，但不限于此。
耦接到源极114a或漏极114b的下电极120置于第三绝缘层117上。可以选择下电极120作为阴极或阳极。在选择下电极120作为阴极的情况下，该阴极可以由铝(Al)、Al合金和AlNd中的任何一种制成，但不限于此。此外，在选择下电极120作为阴极的情况下，有益地，该阴极还可以由具有高反射率的材料制成。
具有开口部的堤层(bank layer)130置于下电极120上，通过该开口部露出部分下电极120。堤层130可以包括有机物质，例如苯并环丁烯(BCB：benzocyclobutene)系列树脂(series resin)、丙烯酸系列树脂、或者聚酰亚胺树脂，但不限于此。
有机发光层140置于下电极120上。有机发光层140可以包括空穴注入层、空穴传输层、光发射层、电子传输层和电子注入层。参照图6，空穴注入层140a可以起到使空穴的注入平滑的作用。空穴注入层140a可以由从下述构成的组中选出的任何一种或更多种制成：CuPc(酞菁铜：cupper phthalocyanine)、PEDOT(聚(3，4)-亚乙基二氧噻吩：poly(3，4)-ethylenedioxythiophene)、PANI(聚苯胺：polyaniline)和NPD(N，N-二萘基-N，N′-二苯基联苯胺：N，N-dinaphthyl-N，N′-diphenyl benzidine)，但不限于此。空穴传输层140b可以起到使电子的传输平滑的作用。空穴传输层140b可以由从下述构成的组中选出的任何一种或更多种制成：NPD(N，N-二萘基-N，N′二苯基联苯胺：N，N-dinaphthyl-N，N′-diphenyl benzidine)、TPD(N，N′-双-(3-甲基苯基)-N，N′-双-(苯基)-联苯胺：N，N′-bis-(3-methylphenyl)-N，N′-bis-(phenyl)-benzidine)、s-TAD和MTDATA(4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺：4，4′，4″-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)，但不限于此。光发射层140c可以包括发射红光、绿光、蓝光和白光的材料，并且它可以由磷光材料或荧光材料制成。在光发射层140c可以由发射红光的材料制成的情况下，光发射层140c可以由包括基质材料和掺杂材料的磷光材料制成，基质材料包括CBP(咔唑联苯：carbazole biphenyl)或mCP(1，3-双(咔唑-9-基)：1，3-bis(carbazol-9-yl))，而掺杂材料包括从由下述构成的组中选择出的任何一种或更多种制成：PIQIr(acac)(双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱：bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium)、PQIr(acac)(双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱：bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium)、PQIr(三(1-苯基喹啉)铱：tris(1-phenylquinoline)iridium)和PtOEP(八乙基卟啉铂：octaethylporphyrin platinum)。或者，光发射层140c可以由荧光材料制成，其包括PBD：Eu(DBM)3(Phen)或二萘嵌苯(perylene)，但不限于此。在光发射层140c是由发射绿光的材料制成的情况下，光发射层140c可以由包括基质材料和掺杂材料的磷光材料制成，基质材料包括CBP或mCP，而掺杂材料包括Ir(ppy)3(面式三(2-苯基吡啶)铱：factris(2-phenylpyridine)iridium)。或者，光发射层140c可以由荧光材料制成，其包括Alq3(三(8-羟基喹啉)铝：tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)，但不限于此。在光发射层140c是由发射蓝光的材料制成的情况下，光发射层140c可以由包括基质材料和掺杂材料的磷光材料制成，基质材料包括CBP或mCP，而掺杂材料包括(4，6-F2ppy)2Irpic。或者，光发射层140c可以由荧光材料制成，该荧光材料包括从由下述构成的组中选出的任何一个：螺-DPVBi(spiro-DPVBi)、螺-6P(spiro-6P)、DSB(二苯乙烯基苯：distryrylbenzene)、DSA(二苯乙烯基芳烃：distyrylarylene)、PFO聚合物和PPV聚合物，但不限于此。电子传输层140d可以起到使电子的传输平滑的作用。电子传输层140d可以由从下述构成的组中选出的任何一种或更多种制成：Alq3(三(8-羟基喹啉)铝：tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)、PBD、TAZ、螺-PDB(spiro-PBD)、BAIq和Salq，但不限于此。电子注入层140e可以起到使电子的注入平滑的作用。电子注入层140e可以由Alq3(三(8-羟基喹啉)铝：tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)、PBD、TAZ、螺-PDB(spiro-PBD)、BAlq或SAlq制成，但不限于此。注意到，本发明不限于图6，并且可以省略空穴注入层140a、空穴传输层140b、电子传输层140d和电子注入层140e中的至少一个。
上电极150置于有机光发射层140上。可以选择上电极150作为阳极或阴极。这里，选择作为阳级的上电极150可以由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)和掺杂了Al2O3的ZnO(AZO)中的任何一种制成，但不限于此。
在第一基板100a的一个面上以矩阵形式设置有多个子像素。设置在第一基板100a的一个面上的子像素容易受到湿气或氧气的损害。因此，可以通过第一粘合部件160将第一基板100a与第二基板100b结合并密封在一起。
触摸屏面板包括附着到构成面板的第二基板100b的另一面的第三基板100c和第四基板100d。第三基板100c和第四基板100d通过第二粘合部件164彼此结合。第三基板100c通过第三粘合部件162附着到第二基板100b的另一面，使得该触摸屏面板可以置于面板上。然而，在本实施方式中，以将偏振片170附着到第二基板100b并且触摸屏面板附着到偏振片170上的示例作为一个例子进行了描述。触摸屏面板描述如下。
电极单元TPL和TPR被置于第四基板100d的一个面(即，与第三基板100c相对的面)上。如以上参照图3和4所述，可以以各种样式对电极单元TPL和TPR进行构图，并将电极单元TPL和TPR置于第四基板100d的一个面上。然而，在图5中，描述了以例如如图3所示的形式放置电极单元TPL和TPR的示例。
同时，当感测单元通过置于触摸屏面板中的电极单元TPL和TPR感测被触摸位置时，感测时间为τ＝RC(电阻，电容)，并且它随着电阻的减小而变快。
根据本实施方式，为了改善感测时间，至少某些电极单元TPL和TPR具有由异种金属制成的多层的结构。更具体地说，各电极单元TPL和TPR的一些或者全部具有由金属氧化物(M1)/金属(M2)/金属氧化物(M3)制成的三层结构。这里，金属(M2)比金属氧化物(M1和M3)相对更薄地形成。当如上所述地形成电极单元TPL和TPR时，尽管利用金属的等离子体真空效应向电极单元TPL和TPR中插入了金属，但是它们也能够在可见区域具有高透射率，并且能够实现低电阻。下表列出了对照例和本实施方式之间的光透射率和薄层电阻的比较结果。
表
Figure G2009102663215D00091
在表中，列出了由下述中任意一种制成电极单元TPL和TPR的结构的示例：氧化钨(WO3)、金(Au)、银(Ag)、氧化锰(MnO3)、氧化铈(CeO2)和铟锌氧化物(IZO)。然而，构成电极单元TPL和TPR的材料不限于此，而是可以包括金属氧化物(例如，氧化碲(TeO2)、氧化硒(SeO2)、铟锡氧化物(ITO)、氧化锡(SnO2)和AZO(掺杂了Al2O3的ZnO))和金属(例如，铝(Al)或铜(Cu))。
根据表可以看到，各电极单元TPL和TPR具有金属氧化物(M1)/金属(M2)/金属氧化物(M3)结构，与对照例相比，改善了光透射率和薄层电阻。因此，当电极单元TPL和TPR具有以上结构时，当制造触摸屏面板时能够满足电属性、光属性和透射特性。
下面描述根据本发明的第一实施方式的具有电阻型触摸屏面板的有机发光二极管显示装置的结构。
参照图7，电阻型感测单元TSC耦接到置于触摸屏面板TPNL内的电极单元TPY和TPX。当用户触摸了触摸屏面板TPNL时，感测单元TSC能够通过识别置于触摸屏面板TPNL内的电极单元TPL和TPR的电阻变化感测被触摸位置。
例如，感测单元TSC可以包括信号输入单元SW、信号放大单元AMP、信号转换单元ADC和信号检测单元LUT，但不限于此。信号输入单元SW通过耦接到置于触摸屏面板TPNL内的电极单元TPY和TPX的配线Y0和X0接收信号。信号放大单元AMP放大从信号输入单元SW接收到的信号。信号转换单元ADC将输入的模拟信号转换成数字信号。信号检测单元LUT基于数字转换后的信号通过识别电容的变化以确定用户已经触摸了哪个区域，来检测位置数据，并将检测到的位置数据传送给装置CD。
如上所述，电阻型感测单元TSC能够通过识别置于触摸屏面板TPNL内的电极单元TPY和TPX的电阻的变化来检测被触摸位置。电极单元TPY和TPX可以具有以下结构。
参照图8，电极单元TPY和TPX可以包括以Y轴方向设置的第一电极TPY和以X轴方向设置的第二电极TPX。第一电极TPY和第二电极TPX被构图为使得它们置于不同层，并且可以通过跨接电极JP连接所构图的电极TPY和TPX。图8仅是例示性的，以帮助理解电极单元TPY和TPX的形状，并且本发明不限于图8的形状。
参照图9，面板包括置于第一基板100a和第二基板100b之间的子像素。考虑到绘图的特征，在面板的示图中示出了子像素中包含的元件当中的驱动晶体管T和有机发光二极管D的截面。面板中包含的子像素具有与图5中所示结构相同的结构，并且省略其描述以避免赘述。触摸屏面板描述如下。
触摸屏面板包括附着到构成面板的第二基板100b的另一面的第三基板100c和第四基板100d。第三基板100c和第四基板100d通过第二粘合部件164彼此结合。第三基板100c通过第三粘合部件162附着到第二基板100b的另一面，从而可以将该触摸屏面板置于面板上。然而，在本实施方式中，作为示例，描述了偏振片170附着到第二基板100b并且触摸屏面板附着在偏振片170上的示例。
第二电极TPX置于第三基板100c的一个面上，而第一电极TPY置于第四基板100d的一个面(即，与第三基板100c相对的面)上。可以以诸如图8所示的形式或者其他形式，对电极单元TPY和TPX进行构图，并电极单元TPY和TPX可以分别置于第三基板100c和第四基板100d的一个面上。在图9中，假设以如图8所示形式放置电极单元TPY和TPX。
同时，当感测单元通过置于触摸屏面板中的电极单元TPY和TPX感测被触摸位置时，感测时间为τ＝RC(电阻，电容)。感测时间随着电阻的减小而变快。
根据本实施方式，为了改善感测时间，至少一些电极单元TPY和TPX具有由异种金属制成的多层的结构。更具体地说，各电极单元TPY和TPX的一些或者全部具有由金属氧化物(M1)/金属(M2)/金属氧化物(M3)制成的三层结构。这里，金属(M2)比金属氧化物(M1和M3)相对更薄地形成。当如上所述形成电极单元TPY和TPX时，尽管利用金属的等离子体真空效应向电极单元TPY和TPX插入了金属，它们也能够在可见区域具有高透射率，并且能够实现低电阻。
根据上表可以看到，当各电极单元TPY和TPX具有金属氧化物(M1)/金属(M2)/金属氧化物(M3)结构时，与对照例相比，改善了光透射率和薄层电阻。因此，当电极单元TPY和TPX具有以上结构时，当制造触摸屏面板时能够满足电属性、光属性和透射特性。
<第二实施方式>
参照图10，显示装置包括面板PNL、扫描驱动器SDRV、数据驱动器DDRV以及感测单元TSC。
面板PNL可以包括FPD，例如，有机发光二极管显示面板、液晶显示面板或者PDP。在本实施方式中，以有机发光二极管显示面板为例。面板PNL包括子像素和电极单元。扫描驱动器SDRV向面板PNL中包含的子像素提供扫描信号。数据驱动器DDRV向面板PNL中包含的子像素提供数据信号。感测单元TSC耦接到电极单元并配置成当用户接触面板PNL时通过电极单元感测位置。感测单元TSC可以是利用电容变化(即，根据介电常数电容的变化)的电容型或者是利用根据面板PNL中形成的电极单元的结构的电阻变化的电阻型。
参照图11，感测单元TSC耦接到置于面板PNL内的电极单元TPY和TPX。当用户触摸面板PNL时，感测单元TSC能够通过识别置于面板PNL内的电极单元TPY和TPX的电容变化或电阻变化来感测被触摸位置。
例如，感测单元TSC可以包括信号输入单元SW、信号放大单元AMP、信号转换单元ADC和信号检测单元LUT，但不限于此。信号输入单元SW通过耦接到置于面板PNL内的电极单元TPY和TPX的配线Y0和X0接收信号。信号放大单元AMP放大从信号输入单元SW接收到的信号。信号转换单元ADC将输入的模拟信号转换成数字信号。信号检测单元LUT基于数字转换后的信号通过识别电容变化或电阻变化以确定用户已经触摸了哪个区域来检测位置数据，并将检测到的位置数据传送给装置CD。
如上所述，感测单元TSC能够通过识别置于面板PNL内的电极单元TPY和TPX的电容变化或电阻变化来感测被触摸位置。电极单元TPY和TPX可以具有以下结构。
参照图12，电极单元TPY和TPX可以包括以Y轴方向设置的第一电极TPY和以X轴方向设置的第二电极TPX。第一电极TPY和第二电极TPX可以构图为使得它们置于不同的层。电极单元TPY和TPX 可以分别通过配线Y0，...，Y3和X0，...，X3耦接到感测单元TSC。
例如，参照图13，电极单元TPY和TPX可以包括公共设置的第一电极TPY和以X轴方向设置的第二电极TPX。第一电极TPY和第二电极TPX可以构图为使得它们置于不同的层。电极单元TPY和TPX可以分别通过配线Ym和X0，...，X3耦接到感测单元TSC。
例如，参照图14，电极单元TPY和TPX可以包括以Y轴方向设置的第一电极TPY和公共设置的第二电极TPX。第一电极TPY和第二电极TPX可以构图为使得它们置于不同的层。电极单元TPY和TPX可以分别通过配线Y0，...，Y3和Xn耦接到感测单元TSC。
例如，参照图15，电极单元TPY和TPX可以包括公共设置的第一电极TPY和公共设置的第二电极TPX。第一电极TPY和第二电极TPX可以构图为使得它们置于不同的层。电极单元TPY和TPX可以分别通过配线Ym和Xn耦接到感测单元TSC。图12到图15仅仅是例示性的，以帮助理解电极单元TPY和TPX的形状，并且本发明不限于图12到图15的形状。
下面描述根据本发明的第二实施方式的具有面板的有机发光二极管显示装置的结构。
参照图16和17，面板包括置于第一基板100a和第二基板100b之间的子像素。考虑到绘图的特征，在面板的示图中示出了子像素中包含的元件当中的驱动晶体管T和有机发光二极管D的截面。面板中包含的子像素具有与图5中所示结构类似的结构。然而，在这种情况下，中间层膜155置于子像素的上电极150上，使得能够将触摸屏面板配置在面板内。
触摸屏面板包括置于在面板内形成的子像素的中间层膜155上的第二电极TPX和置于第二基板100b的一个面(即，与子像素相对的面)上的第一电极TPY，并且在面板内形成触摸屏面板。在本实施方式中，偏振片170可以附着到第二基板100b的另一面。可以将电极单元TPY和TPX构图为具有诸如图12到图15所示的形式的任何一种形式或其他形式，并且将电极单元TPY和TPX分别置于中间层膜155上和第二基板100b的一个面上。
本实施方式例示了配置在面板内的电阻型触摸屏面板。如果触摸屏面板配置成具有电阻型，则通过第一电极TPY和第二电极TPX的接触产生电阻变化。因此，如图16所示，可以在第一电极TPY和第二电极TPX之间形成间隔SP以便进行该接触，或者如图17所示，在第一电极TPY和第二基板100b之间形成间隔SP以便进行该接触。
同时，当感测单元通过置于触摸屏面板中的电极单元TPY和TPX感测被触摸位置时，感测时间为τ＝RC(电阻，电容)。感测时间随着电阻的减小而变快。
根据本实施方式，为了改善感测时间，至少一些电极单元TPY和TPX具有由异种金属制成的多层的结构。更具体地说，各电极单元TPY和TPX的某些或者全部可以具有由金属氧化物(M1)/金属(M2)/金属氧化物(M3)制成的三层结构。这里，金属(M2)比金属氧化物(M1和M3)相对更薄地形成。当如上所述形成电极单元TPY和TPX时，尽管利用金属的等离子体真空效应向电极单元TPY和TPX插入了金属，它们也能够在可见区域具有高透射率，并且也能够实现低电阻。
根据第一或第二实施方式中描述的上表可以看到，当各电极单元TPY和TPX具有金属氧化物(M1)/金属(M2)/金属氧化物(M3)结构时，与对照例相比，改善了光透射率和薄层电阻。因此，当电极单元TPY和TPX具有以上结构时，当制造触摸屏面板时能够满足电属性、光属性和透射特性。
<第三实施方式>
参照图18，显示装置包括面板PNL、扫描驱动器SDRV、数据驱动器DDRV以及感测单元TSC。
面板PNL可以包括FPD，例如，有机发光二极管显示面板、液晶显示面板或者PDP。在本实施方式中，以有机发光二极管显示面板为例。面板PNL包括子像素和电极单元。扫描驱动器SDRV向面板PNL 中包含的子像素提供扫描信号。数据驱动器DDRV向面板PNL中包含的子像素提供数据信号。感测单元TSC耦接到电极单元并配置成当用户接触面板PNL时通过电极单元感测位置。感测单元TSC被耦接到在面板PNL中形成的电极单元并且被配置成是利用电容变化(即，根据介电常数电容的变化)的电容型。
参照图19，电容型感测单元TSC耦接到置于面板PNL内的电极单元TPL和TPR。当用户触摸面板PNL时，感测单元TSC能够通过识别置于面板PNL内的电极单元TPL和TPR的电容变化感测被触摸位置。
例如，感测单元TSC可以包括信号输入单元SW、信号放大单元AMP、信号转换单元ADC和信号检测单元LUT，但不限于此。信号输入单元SW通过耦接到置于面板PNL内的电极单元TPL和TPR的配线Y0和Y1接收信号。信号放大单元AMP放大从信号输入单元SW接收到的信号。信号转换单元ADC将输入的模拟信号转换成数字信号。信号检测单元LUT基于数字转换后的信号通过识别电容的变化以确定用户已经触摸了哪个区域来检测位置数据，并将检测到的位置数据传送给装置CD。
如上所述，感测单元TSC能够通过识别置于面板PNL内的电极单元TPL和TPR的电容的变化来检测被触摸位置。电极单元TPL和TPR可以具有以下结构。
参照图20和21，电极单元TPL和TPR可以包括从左到右设置的第一电极TPL和从右到左设置的第二电极TPR。尽管第一电极TPL和第二电极TPR例示为置于相同的层，但沿一个方向构图以固定间隔彼此隔开的方式对它们进行构图。此外，如图所示，第一电极TPL和第二电极TPR可以构图为具有不同的电容。电极单元TPL和TPR可以通过配线Y0，...，Y9耦接到感测单元TSC。图20和图21仅仅是例示性的，以帮助理解电极单元TPY和TPX的形状，并且本发明不限于图20到图21的形状。
下面描述根据本发明的第三实施方式的具有电容型触摸屏面板的有机发光二极管显示装置的结构。
参照图22和图23，面板包括置于第一基板100a和第二基板100b之间的子像素。考虑到绘图的特征，在面板的示图中示出了子像素中包含的元件当中的驱动晶体管T和有机发光二极管D的截面。面板中包含的子像素具有与图5中所示结构类似的结构，并且为了简洁省略其描述。
例如，在图22中，触摸屏面板包括置于第二基板100b的一个面(即，与子像素相对的面)上的第一电极TPL和第二电极TPR，并且在面板内形成触摸屏面板。此外，偏振片170可以附着到第二基板100b的另一面。可以将电极单元TPL和TPR构图为具有诸如图20和图21所示的形式的任何一种形式或其他形式，并且将电极单元TPL和TPR置于第二基板100b的一个面。
例如，在图23中，触摸屏面板包括置于第二基板100b的另一个面上的第一电极TPL和第二电极TPR，并且在面板外形成触摸屏面板。可以以偏振片170覆盖置于第二基板100b的另一面上的第一电极TPL和第二电极TPR的方式附着偏振片170。尽管未示出，可以在偏振片170和第一电极TPL与第二电极TPR之间设置绝缘层。
本实施方式例示了在面板内配置电容型触摸屏面板的示例。在触摸屏面板具有电容型的情况下，电极可以配置成具有不同图案，使得产生第一电极TPL和第二电极TPR的电容的变化。
参照图24，电容型感测单元TSC耦接到置于面板PNL内的电极单元TPY和TPX。当用户触摸面板PNL时，感测单元TSC能够通过识别置于面板PNL内的电极单元TPY和TPX的电容变化感测被触摸位置。
例如，感测单元TSC可以包括信号输入单元SW、信号放大单元AMP、信号转换单元ADC和信号检测单元LUT，但不限于此。信号输入单元SW通过耦接到置于面板PNL内的电极单元TPY和TPX的配线Y0和X0接收信号。信号放大单元AMP放大从信号输入单元SW接收到的信号。信号转换单元ADC将输入的模拟信号转换成数字信号。信号检测单元LUT基于数字转换后的信号通过识别电容的变化以确定用户已经触摸了哪个区域来检测位置数据，并将检测到的位置数据传送给装置CD。
如上所述，感测单元TSC能够通过识别置于面板PNL内的电极单元TPY和TPX的电容的变化来检测被触摸位置。电极单元TPY和TPX可以具有以下结构。
参照图25，电极单元TPY和TPX可以包括以Y轴方向设置的第一电极TPY和以X轴方向设置的第二电极TPX。第一电极TPY和第二电极TPX被构图为使得它们置于不同层并且其间夹有绝缘层DL1。可以通过跨接电极JP连接所构图的电极TPY和TPX。图25仅仅是例示性的，以帮助理解电极单元TPY和TPX的形状，并且本发明不限于图25的形状。同时，跨接电极JP可以具有金属氧化物/金属/金属氧化物结构，处于电极单元TPY和TPX中。
参照图26和图27，面板包括置于第一基板100a和第二基板100b之间的子像素。考虑到绘图的特征，在面板的示图中示出了子像素中包含的元件当中的驱动晶体管T和有机发光二极管D的截面。面板中包含的子像素具有与图5中所示结构类似的结构，并且为了简洁省略其描述。
在图26中，触摸屏面板包括置于第二基板100b的一个面(即，与子像素相对的面)上的第一电极TPY和第二电极TPX，并在第一电极TPY和第二电极TPX之间夹有绝缘层DL1，并且在面板内形成触摸屏面板。此外，偏振片170可以附着到第二基板100b的另一面。可以以诸如图25所示的形式或其他形式构图电极单元TPY和TPX，并且电极单元TPY和TPX可以置于第二基板100b的一个面上。在这种结构中，中间层膜155可以置于构成子像素的上电极150上，以防止上电极150和第二电极TPX之间的短路。
在图27中，触摸屏面板包括置于第二基板100b的另一个面上的第一电极TPY和第二电极TPX，并且第一电极TPY和第二电极TPX之间夹有第一绝缘层DL1，并且将触摸屏面板置于面板外。此外，可以以偏振片170覆盖置于第二基板100b的另一面上的第一电极TPY和第二电极TPX的方式附着偏振片170。在这种结构中，第二绝缘层DL2可以夹在偏振片170和第二电极TPX之间。
本实施方式例示了在面板内配置电容型触摸屏面板的示例。然而，要注意的是可以在面板内配置电阻型触摸屏面板。
同时，当感测单元通过置于触摸屏面板中的电极单元TPY和TPX感测被触摸位置时，感测时间为τ＝RC(电阻，电容)。感测时间随着电阻的减小而变快。
根据本实施方式，为了改善感测时间，至少一些电极单元TPY和TPX具有由异种金属制成的多层的结构。更具体地说，各电极单元TPY和TPX的一些或者全部可以具有由金属氧化物(M1)/金属(M2)/金属氧化物(M3)制成的三层结构。这里，金属(M2)比金属氧化物(M1和M3)相对更薄地形成。当如上所述形成电极单元TPY和TPX时，尽管利用金属的等离子体真空效应向电极单元TPY和TPX插入了金属，它们也能够在可见区域具有高透射率并且能够实现低电阻。
根据第一或第三实施方式中以上描述的表可以看出，各电极单元TPY和TPX具有金属氧化物(M1)/金属(M2)/金属氧化物(M3)结构，与对照例相比，改善了光透射率和薄层电阻。因此，当电极单元TPY和TPX具有以上结构时，当制造触摸屏面板时能够满足电属性、光属性和透射特性。
上述实施方式的优点在于，它们能够提供具有能够减小感测延迟时间的触摸屏功能的显示装置。此外，还存在的优点在于能够提供装配有能够满足电属性、光属性和透射特性的触摸屏功能的显示装置。
尽管已经描述了一些示例性实施方式，应当理解的是，本领域的技术人员可以想出落入本公开的原理范围内的多个其他修改例和实施方式。更具体地说，可以在本公开、附图及所附权利要求书的范围内对本主题组合装置的组成部件和/或布置进行各种变型和修改。除了对组成部件和/或布置的变型和修改之外，替代性使用对本领域技术人员也是明显的。

Claims (18)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
面板，所述面板被配置成包括置于显示区域中的子像素，所述显示区域被限定在第一基板以及与所述第一基板结合并密封的第二基板的一个面中；
触摸屏面板，所述触摸屏面板被置于所述面板上并被配置成包括电极单元；以及
感测单元，所述感测单元被耦接到所述电极单元并被配置成通过所述电极单元感测位置，
其中，所述电极单元中的至少一些电极单元由异种金属的多层形成。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电极单元中的至少一些电极单元具有由金属氧化物/金属/金属氧化物制成的三层结构。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述金属的厚度比所述金属氧化物的厚度薄。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中：
所述金属氧化物包括氧化钨、氧化锰、氧化铈、铟锌氧化物、氧化碲、氧化硒、铟锡氧化物、氧化锡和掺杂了Al2O3的ZnO的任何一种，并且
所述金属包括金Au、银Ag、铝Al和铜Cu中的任何一种。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述触摸屏面板包括：
第三基板，所述第三基板被附着到所述第二基板的另一面，以及
第四基板，所述第四基板与所述第三基板结合在一起，
其中，所述电极单元包括置于所述第四基板的与第三基板相对的一个面中并沿一个方向构图的电极。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述触摸屏面板包括：
第三基板，所述第三基板被附着到所述第二基板的另一面，以及
第四基板，所述第四基板与所述第三基板结合在一起，
其中，所述电极单元包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别置于所述第三基板和所述第四基板的彼此相对的两个面中，且所述第一电极和所述第二电极以彼此交叉的方式分别沿一个方向和另一个方向构图。
7.一种显示装置，该显示装置包括：
面板，所述面板被配置成包括置于显示区域中的子像素，所述显示区域被限定在第一基板以及与所述第一基板结合并密封的第二基板的一个面中，所述子像素覆盖有中间层膜；
电极单元，所述电极单元被配置成包括置于所述中间层膜上的第一电极和置于所述第二基板的一个面上的第二电极，所述子像素和所述第二基板的所述一个面彼此面对；以及
感测单元，所述感测单元被耦接到所述电极单元并被配置成通过所述电极单元感测位置，
其中，所述电极单元中的至少一些电极单元由异种金属的多层形成。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述电极单元中的至少一些电极单元具有由金属氧化物/金属/金属氧化物制成的三层结构。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述金属的厚度比所述金属氧化物的厚度薄。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其中：
所述金属氧化物包括氧化钨、氧化锰、氧化铈、铟锌氧化物、氧化碲、氧化硒、铟锡氧化物、氧化锡和掺杂了Al2O3的ZnO中的任何一种，并且
所述金属包括金Au、银Ag、铝Al和铜Cu中的任何一种。
11.根据权利要求7所述的显示装置，其中：
所述第一电极和所述第二电极中的一个沿着一个方向被分割并构图，以及
所述第一电极和所述第二电极中的另一个公共地形成。
12.一种显示装置，所述显示装置包括：
面板，所述面板被配置成包括置于在第一基板的一个面和第二基板的一个面之间限定的显示区域中的子像素以及置于所述第二基板中的电极单元；以及
感测单元，所述感测单元被耦接到所述电极单元并被配置成通过所述电极单元感测位置，
其中，所述电极单元中的至少一些电极单元由异种金属的多层形成。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述电极单元中的至少一些电极单元具有由金属氧化物/金属/金属氧化物制成的三层结构。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述金属的厚度比所述金属氧化物的厚度薄。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其中：
所述金属氧化物包括氧化钨、氧化锰、氧化铈、铟锌氧化物、氧化碲、氧化硒、铟锡氧化物、氧化锡和掺杂了Al2O3的ZnO中的任何一种，并且
所述金属包括金Au、银Ag、铝Al和铜Cu中的任何一种。
16.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述电极单元包括置于所述第二基板的与所述子像素相对的一个面中的电极，所述电极被沿着一个方向分割并构图。
17.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述电极单元包括置于所述第二基板的另一面中并被沿一个方向分割且构图的电极，所述第二基板的所述另一面是与面向所述子像素的面相背的面。
18.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述电极单元包括置于所述第二基板的另一面中并被分别沿一个方向和另一个方向分割且构图的第一电极和第二电极，其中，所述第二基板的所述另一面是与面向所述子像素的面相背的面，并且绝缘层夹在所述第一电极和所述第二电极之间，使得所述第一电极和所述第二电极彼此交叉。
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