CN101845189B - 具有存储效应的聚乙烯基咔唑/石墨烯复合材料的合成方法 - Google Patents
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 63
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 title claims abstract description 38
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 27
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims abstract description 12
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 title abstract 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000007306 functionalization reaction Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 9
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 8
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 claims description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 7
- DGTNSSLYPYDJGL-UHFFFAOYSA-N phenyl isocyanate Chemical compound O=C=NC1=CC=CC=C1 DGTNSSLYPYDJGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 7
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dimethylhydrazine Chemical compound CNNC DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 claims description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 5
- NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N (2s)-2,6-diaminohexanoic acid;(2s)-2-hydroxybutanedioic acid Chemical group OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O.NCCCC[C@H](N)C(O)=O NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N 0.000 claims description 3
- IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N hydrazine monohydrate Substances O.NN IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021382 natural graphite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 abstract description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 abstract description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 2
- 229920013657 polymer matrix composite Polymers 0.000 description 2
- 239000011160 polymer matrix composite Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021392 nanocarbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
本发明涉及具有存储效应的聚乙烯基咔唑/石墨烯复合材料的合成方法,先制备得到功能化的氧化石墨,再将聚乙烯基咔唑与功能化的氧化石墨在有机溶剂中共混分散,最后采用不同的还原剂还原得到聚乙烯基咔唑/石墨烯复合材料。本发明的具有存储效应的聚乙烯基咔唑/石墨烯复合材料的显著特点是:1)在制备方法上,通过将氧化石墨功能化,使其能与聚乙烯基咔唑均匀分散在有机溶剂中,实验条件简单,容易操作,2)在导电高分子聚乙烯基咔唑中,引入性能优异的石墨烯作为电子受体,使得复合材料的载流子传输性能得到提高,在光电信息材料领域有较好的应用前景和经济效益。
Description
技术领域
本发明涉及具有存储效应的聚乙烯基咔唑/石墨烯复合材料的合成方法。
背景技术
对于聚合物基复合材料的应用,除了作为传统的力学热学增强材料以外,聚合物基复合材料的功能化与器件化也是国际上的前沿研究领域。高新技术的发展离不开高速、高密度的光电材料和器件。传统的无机半导体材料,如硅、锗和砷化镓,在其中仍扮演着重要的角色。但有机聚合物导电材料与发光材料以其易剪裁、易加工(无论是分子尺度或聚集体尺度)等方面的优势与无机材料在光电领域互相竞争,越来越受到大家重视。目前利用新型有机高分子材料制造的发光二极管已用于平板显示器的大规模生产,光伏电池和场效应晶体管的研究也取得显著的成果等。
某些导电聚合物材料在外加电场下可以改变载流子(电子或空穴)的状态,因而能存储信息。如果使用这些导电聚合物材料制作器件,就有可能在器件上写入或读出存储的信息,这些材料就是存储材料。因此它可望用来制作高集成度的电子元件,如超高速开关元件及超高密度存储器等。一般而言,存储效应是与在导电聚合物层活性基团内的电荷存储(包括电荷俘获、电荷分离或电荷传递等)相关。但是由于聚合物自身的特点,电荷传递不是很理想,其较低的载流子迁移率成为制约其发展的主要障碍。
石墨是一种二维纳米材料,具有优良的电子转移能力。本世纪初发现了一类由一层碳原子组成的新型二维纳米碳材料——石墨烯,它是以天然石墨为原料,通过化学方法实现石墨烯的大批量生产,价格便宜。经过功能化后的单层石墨在水或有机溶剂中具有良好的溶解性,有利于其均匀分散及成型加工;而且采用化学还原或焙烧,可以消除氧化石墨的官能团或缺陷,恢复石墨烯的结构与高性能。综合性能优异的二维纳米结构的石墨烯有望在应用在电子、机械、航空航天与医学等领域。
发明内容
本发明所要解决的问题是针对上述现有技术提出一种具有存储效应的聚乙烯基咔唑/石墨烯复合材料的制备方法,基于该复合材料的存储器件具有较低的开启电压、较高的开关电流比和良好的稳定性能,其合成工艺成本低、实验条件温和、操作简单。
本发明为解决上述提出的问题所采用的解决方案为:具有存储效应的聚乙烯基咔唑/石墨烯复合材料的合成方法,其特征在于包括有以下步骤:
1)将天然石墨通过化学氧化方法制得单层或多层氧化石墨;
2)将步骤1)得到的氧化石墨与异氰酸苯酯在N,N-二甲基甲酰胺中反应12-48小时,反应温度为60-90℃,再进行抽滤、洗涤和干燥后,得到功能化的氧化石墨,其中氧化石墨与异氰酸苯酯用量之比为50mg∶1-5mmol;
3)将步骤2)得到的功能化的氧化石墨与聚乙烯基咔唑在有机溶剂中超声0.5-2小时,向其中加入还原剂,在60-100℃反应24-48小时,倒入甲醇中沉淀,过滤,真空烘干得到聚乙烯基咔唑/石墨烯复合材料,其中功能化的氧化石墨与聚乙烯基咔唑用量之比为50mg∶2-10mg,功能化的氧化石墨与还原剂用量之比为50mg∶2-6mg。
按上述方案,所述的还原剂为水合肼、肼或二甲肼。
按上述方案,所述的有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺、氯仿或四氢呋喃。
本发明的反应机理是先制备得到功能化的氧化石墨,再将聚乙烯基咔唑与功能化的氧化石墨在有机溶剂中共混分散,最后采用不同的还原剂还原得到聚乙烯基咔唑/石墨烯复合材料。
本发明的具有存储效应的聚乙烯基咔唑/石墨烯复合材料的显著特点是:
1)在制备方法上,通过将氧化石墨功能化,使其能与聚乙烯基咔唑均匀分散在有机溶剂中,实验条件简单,容易操作,2)在导电高分子聚乙烯基咔唑中,引入性能优异的石墨烯作为电子受体,使得复合材料的载流子传输性能得到提高,在光电信息材料领域有较好的应用前景和经济效益。
基于聚乙烯基咔唑/石墨烯复合材料的存储器件的性能测试实验:取2mg复合材料分散于20ml N,N-二甲基甲酰胺中,旋转涂膜于导电ITO玻璃上。然后在此ITO玻璃上蒸镀金属铝作为存储器件的上电极。测定器件的开启电压和开关电流比。结果表明该器件具有较低的开启电压和较高的开关电流比和良好的稳定性能。
具体实施方式
为了更好地理解本发明,下面结合实施例进一步阐明本发明的内容,但本发明的内容不仅仅局限于下面的实施例。
实施例1:
1)按照文献报道的方法制备氧化石墨(Composites Science and Technology,2009,69,1231);
2)将50mg氧化石墨与2mmol异氰酸苯酯在N,N-二甲基甲酰胺中80℃反应24小时,抽滤、洗涤、干燥后,得功能化的氧化石墨;
3)将步骤2)得到的功能化的氧化石墨50mg与2mg聚乙烯基咔唑在N,N-二甲基甲酰胺中超声1小时,向其中加入3mg水合肼,在80℃反应24小时,倒入甲醇中沉淀,过滤,真空烘干得到聚乙烯基咔唑/石墨烯复合材料。
实施例2:
1)同实施例1中的步骤1;
2)同实施例1中的步骤2;
3)将步骤2)得到的功能化的氧化石墨50mg与8mg聚乙烯基咔唑在氯仿中超声2小时,向其中加入2mg肼,在70℃反应48小时,倒入甲醇中沉淀,过滤,真空烘干得到聚乙烯基咔唑/石墨烯复合材料。
实施例3:
1)同实施例1中的步骤1;
2)将50mg氧化石墨与5mmol异氰酸苯酯在N,N-二甲基甲酰胺中70℃反应36小时,抽滤、洗涤、干燥后,得功能化的氧化石墨;
3)同实施例1中的步骤3。
实施例4:
1)同实施例1中的步骤1;
2)同实施例1中的步骤2;
3)将步骤2)得到的功能化的氧化石墨50mg与10mg聚乙烯基咔唑在N,N-二甲基甲酰胺中超声1小时,向其中加入3mg二甲肼,在90℃反应24小时,倒入甲醇中沉淀,过滤,真空烘干得到聚乙烯基咔唑/石墨烯复合材料。
实施例5:
1)同实施例1中的步骤1;
2)同实施例1中的步骤2;
3)将步骤2)得到的功能化的氧化石墨50mg与6mg聚乙烯基咔唑在N,N-二甲基甲酰胺中超声1.5小时,向其中加入4mg二甲肼,在80℃反应24小时,倒入甲醇中沉淀,过滤,真空烘干得到聚乙烯基咔唑/石墨烯复合材料。
实施例6:
1)同实施例1中的步骤1;
2)将50mg氧化石墨与1mmol异氰酸苯酯在N,N-二甲基甲酰胺中90℃反应48小时,抽滤、洗涤、干燥后,得功能化的氧化石墨;
3)同实施例1中的步骤3。
实施例7:
1)同实施例1中的步骤1;
2)同实施例1中的步骤2;
3)将步骤2)得到的功能化的氧化石墨50mg与4mg聚乙烯基咔唑在四氢呋喃中超声2小时,向其中加入6mg二甲肼,在60℃反应48小时,倒入甲醇中沉淀,过滤,真空烘干得到聚乙烯基咔唑/石墨烯复合材料。
实施例8:
1)同实施例1中的步骤1;
2)同实施例1中的步骤2;
3)将步骤2)得到的功能化的氧化石墨50mg与8mg聚乙烯基咔唑在N,N-二甲基甲酰胺中超声2小时,向其中加入4mg肼,在90℃反应36小时,倒入甲醇中沉淀,过滤,真空烘干得到聚乙烯基咔唑/石墨烯复合材料。
取实施例1制得的具有存储效应的聚乙烯基咔唑/石墨烯复合材料,制备存储器件并进行性能测试实验:取2mg复合材料溶于20ml N,N-二甲基甲酰胺中,旋转涂膜于导电ITO玻璃上,然后在此ITO玻璃上蒸镀金属铝作为存储器件的上电极。测定器件的开启电压为1.2V和开关电流比106。结果表明该器件具有较低的开启电压,较高的开关电流比和良好的稳定性能。
本发明所列举的各原料都能实现本发明,以及各原料的上下限取值、区间值都能实现本发明;在此不一一列举实施例。本发明的工艺参数(如温度、时间等)的上下限取值、区间值都能实现本发明,在此不一一列举实施例。
Claims (2)
1.具有存储效应的聚乙烯基咔唑/石墨烯复合材料的合成方法,其特征在于包括有以下步骤:
1)将天然石墨通过化学氧化方法制得单层或多层氧化石墨;
2)将步骤1)得到的氧化石墨与异氰酸苯酯在N,N-二甲基甲酰胺中反应12-48小时,反应温度为60-90℃,再进行抽滤、洗涤和干燥后,得到功能化的氧化石墨,其中氧化石墨与异氰酸苯酯用量之比为50mg∶1-5mmol;
3)将步骤2)得到的功能化的氧化石墨与聚乙烯基咔唑在有机溶剂中超声0.5-2小时,向其中加入还原剂,所述的还原剂为水合肼、肼或二甲肼,在60-100℃反应24-48小时,倒入甲醇中沉淀,过滤,真空烘干得到聚乙烯基咔唑/石墨烯复合材料,其中功能化的氧化石墨与聚乙烯基咔唑用量之比为50mg∶2-10mg,功能化的氧化石墨与还原剂用量之比为50mg∶2-6mg。
2.按权利要求1所述的具有存储效应的聚乙烯基咔唑/石墨烯复合材料的合成方法,其特征在于所述的有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺、氯仿或四氢呋喃。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010101779005A CN101845189B (zh) | 2010-05-14 | 2010-05-14 | 具有存储效应的聚乙烯基咔唑/石墨烯复合材料的合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010101779005A CN101845189B (zh) | 2010-05-14 | 2010-05-14 | 具有存储效应的聚乙烯基咔唑/石墨烯复合材料的合成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101845189A CN101845189A (zh) | 2010-09-29 |
CN101845189B true CN101845189B (zh) | 2012-01-11 |
Family
ID=42770014
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2010101779005A Active CN101845189B (zh) | 2010-05-14 | 2010-05-14 | 具有存储效应的聚乙烯基咔唑/石墨烯复合材料的合成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101845189B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103035842B (zh) * | 2013-01-04 | 2015-02-04 | 福州大学 | 一种基于石墨烯量子点掺杂的有机阻变存储器及制备方法 |
CN105807451A (zh) * | 2014-12-30 | 2016-07-27 | 北京生美鸿业科技有限公司 | 一种基于石墨烯/有机物复合透明导电薄膜的智能调光膜 |
CN112201753B (zh) * | 2020-12-01 | 2021-03-23 | 江汉大学 | 一种有机电存储器件及其制备方法 |
CN114203918B (zh) * | 2021-12-09 | 2023-09-12 | 西北工业大学 | 一种基于PVK/ZnO异质结构的新型光电忆阻器 |
-
2010
- 2010-05-14 CN CN2010101779005A patent/CN101845189B/zh active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN101845189A (zh) | 2010-09-29 |
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