CN101844442B - 记录元件基板、制造该记录元件基板的方法和液体喷射头 - Google Patents

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Abstract

记录元件基板、制造该记录元件基板的方法和液体喷射头。该记录元件基板包括：基板；设置在基板上的绝缘层；排列在绝缘层上并且产生用于喷出液体的热能的多个加热部；和在加热部的排列方向上均位于相邻的加热部之间的多个热传导构件，热传导构件位于绝缘层的基板侧主面和绝缘层的加热部侧主面之间，并且具有比绝缘层的导热率大的导热率。热传导构件与导热率大于绝缘层的导热率的热传导层接触。

Description

记录元件基板、制造该记录元件基板的方法和液体喷射头
技术领域
本发明涉及一种被构造成使用热能进行记录的记录元件基板、制造该记录元件基板的方法和液体喷射头。
背景技术
作为通过加热安装于其中的多个加热部进行记录的热记录装置，已知升华型记录装置和喷墨型记录装置。在升华型记录装置中，以将墨带上的墨热熔化并转印到记录介质上的方法进行记录，而在喷墨型记录装置中，以使比如墨等液体经受膜沸腾从而喷出墨的方法进行记录。在这些记录装置中，为了扩散加热部中产生的过多的热，采用具有高导热率的基板作为记录元件基板(以下也可被记作“头基板”)。为了高效地进行连续记录，必须在加热部和基板之间设置用来储存一定热量的蓄热层。作为电极绝缘膜的绝缘层也用作蓄热层。
然而，在采用多层布线基板以减小头基板尺寸的情况下，为了确保电极的绝缘性，必须增加层间绝缘层的厚度。在喷墨型记录装置中，如果以这种方式增加了层间绝缘层的厚度，过量的热可能会储存在绝缘层中，在热的影响下，喷射的墨量可能发生变化，从而导致图像品质等的劣化。此外，在加热部上设置保护膜，该保护膜用于保护加热部免受潮湿等。然而，已知如果加热部的表面温度增加过多，热应力将使保护膜劣化。为了扩散加热部的热，在日本特开2005-280179号公报中公开了包含热传导层的结构。
图9示出了日本特开2005-280179号公报中所公开的喷墨头基板。图9所示的头基板包括：用作加热部的加热区27a；设置在加热区27a下方并由SiO2膜构成的第二层间绝缘层26；和设置在第二层间绝缘层26中的热传导层35，热传导层35用于散热。热传导层35由导热率大于第二层间绝缘层26的导热率的材料构成。热传导层35基本平行于加热部且与加热部相对，并且比加热部的周缘大预设距离a。在这样的结构中，加热部的热沿平面方向扩散，结果，可抑制保护膜表面的劣化。
近年来，要求记录装置具有更高的速度、更好的图像品质和更好的耐久性。为了满足这些要求，需要以更高的密度排列记录元件的头基板。记录元件均包括加热部和喷射口，为了高密度地设置记录元件，必须高密度地布置加热部。当使用该头基板进行高速记录时，即使如日本特开2005-280179号公报中所公开的在第二层间绝缘层中设置了热传导层35，加热部中产生的热也不会选择性地向下传递到热传导层35所在的区域，存在不能高效地进行散热的可能性。如果不能高效地进行散热，则高密度排列的加热部中的相邻加热部之间的热干涉可能使整个基板的温度增加，从而导致喷墨定时偏移和其它问题，使得记录图像的品质劣化。
发明内容
本发明提供一种可靠性高的记录元件基板，即使使用高密度排列的加热部进行高速记录时，也能减小相邻加热部之间的热干涉并且能进行稳定记录。
根据本发明的一个方面，提供一种记录元件基板，其包括：基板；绝缘层，其设置在基板上或基板上方；多个加热部，其排列配置在绝缘层上并且产生用于喷出液体的热能；热传导层，其设置在绝缘层的内部，并且具有比绝缘层的导热率大的导热率；和多个热传导构件，其在加热部的排列方向上均位于相邻的加热部之间，热传导构件在绝缘层的排列配置有加热部的表面与热传导层之间贯通绝缘层以与热传导层接触，热传导构件具有比绝缘层的导热率大的导热率。
本发明还提供一种液体喷射头，其包括：如上所述的记录元件基板；和用于喷出液体的喷射口，喷射口被设置成与加热部相对应。
本发明还提供一种记录元件基板，其包括：基板；绝缘层，其设置在基板上或基板上方；多个加热部，其排列配置在绝缘层上并且产生用于喷出液体的热能；和多个热传导构件，其在加热部的排列方向上均位于相邻的加热部之间，热传导构件在绝缘层的正面与背面之间贯通绝缘层，热传导构件具有比绝缘层的导热率大的导热率。
根据本发明的另一方面，提供一种制造记录元件基板的方法，记录元件基板包括基板、设置在基板上或基板上方的绝缘层和排列配置在绝缘层上并且产生用于喷出液体的热能的多个加热部，方法包括：提供在其一个表面上具有绝缘层和热传导层的基板，热传导层由导热率大于绝缘层的导热率的材料构成；在绝缘层中形成多个开口以使热传导层暴露；用导热率大于绝缘层的导热率的材料填充多个开口，以形成与热传导层接触的多个热传导构件；和在绝缘层上相邻的热传导构件之间以如下方式形成加热部：该加热部不与热传导构件接触。
根据本发明，通过在相邻的加热部之间设置导热率大于绝缘层的导热率的热传导构件，可高效地扩散加热部中产生的热。因此，可提供一种可靠性高的记录元件基板，即使使用在记录元件基板上以高密度排列的加热部进行高速记录时，该记录元件基板也能防止相邻加热部之间的热干涉并且能进行稳定记录。
从以下参照附图的示例性实施例的说明，本发明的进一步特征将更加明显。
附图说明
图1是示出根据本发明的实施例的液体喷射头的示意性平面图。
图2是图1所示的液体喷射头沿线II-II截取的示意性剖视图。
图3是图1所示的液体喷射头沿线III-III截取的示意性剖视图。
图4-1A和图4-1B至图4-4A和图4-4B均是示出根据本发明的实施例的记录元件基板的制造步骤的示意性剖视图。
图5-1A和图5-1B至图5-3A和图5-3B均是示出根据本发明的实施例的记录元件基板的制造步骤的示意性剖视图。
图6是根据本发明的实施例的液体喷射头的示意性透视图。
图7A和图7B均是根据第二实施例的记录元件基板的示意性平面图。
图8A和图8B均是根据第三实施例的记录元件基板的示意性平面图。
图9是根据现有技术的喷墨头基板的剖视图。
图10-1是根据第四实施例的记录元件基板的示意性平面图，图10-2和图10-3均是图10-1所示的记录元件基板的示意性剖视图。
具体实施方式
以下将参照附图说明本发明的实施例。
根据本发明的记录元件基板可用于例如图6所示的液体喷射头中。图6所示的液体喷射头1000包括形成喷射口1010和通道的喷射口板14、及具有加热部12和供给口1040的记录元件基板1050。
从供给口1040供给的液体，例如墨，流过由喷射口板14构成的通道并且被给送到各喷射口1010上的加热部12上。当加热部12被加热到约700℃至800℃时，加热部12上的墨经受膜沸腾。膜沸腾所产生的气泡将墨从喷射口1010喷出，从而进行记录。
如图6所示，以预设间距(pitch)布置喷射口1010，并且与喷射口1010对应地布置加热部12。图6示出了喷射口1010的列数为两列的例子。取决于记录元件基板，可布置多列包括这样的喷射口1010和加热部12的记录元件。
图1是示出了液体喷射头的一部分的示意性平面图。记录元件基板包括电极10、热传导层4、电极层4a、热传导构件11和加热部12。电极10与加热部12电连接，当电流流过电极10时，加热部12被加热到约700℃至800℃。利用该热能，使加热部12上的墨经受膜沸腾，并且将例如墨等液体从喷射口喷出。热传导构件11被设置在相邻的加热部12之间。
图2是图1所示的液体喷射头沿线II-II截取的示意性剖视图。如图2所示，在由硅构成的基板1上设置厚度为500至1000nm的由掺硼或磷的SiO2构成的层间膜2。在层间膜2上设置热传导层4和电极层4a。例如，可采用包含Al、Cu、W和Au中的一种或多种的材料作为热传导层4和电极层4a的材料，理想地，可采用Al-Si合金。热传导层4和电极层4a的厚度可以为200至500nm。在热传导层4和电极层4a上设置厚度约1μm的由SiO2构成的绝缘层(insulating layer)5。绝缘层5具有低的导热率，因此也用作在进行连续记录时能储存加热部12的热的蓄热层。在绝缘层5上设置厚度为10-50nm的由TaSiN、WSiN或类似材料构成的加热部12。在加热部12的两端设置与电极层4a相连的电极10。每个电极10都包括：由Ta/TaN层叠膜或类似材料构成的膜8，该膜8用作绝缘层5用粘附膜以及扩散阻挡(diffusion barrier)膜；和例如由Al、Cu和Au中的一种或多种构成的膜9。
在加热部12和电极10上设置厚度为100至500nm的由SiN、SiC或类似材料构成的保护膜13。保护膜13保护加热部12和电极10不受例如墨等液体的腐蚀，并且也用作针对构成电极10的金属的扩散阻挡膜。形成用于喷出液体的喷射口的喷射口板14被设置在保护膜13上。
图3是图1所示的液体喷射头的沿线III-III截取的示意性剖视图，该线III-III沿着记录元件的排列方向。热传导构件11被设置在相邻的加热部12之间，绝缘层5被布置成总是介于彼此相邻的热传导构件11和加热部12之间。
热传导构件11可以均包括如电极10中那样的膜8和膜9，并且热传导构件11和电极10可同时形成。通过以这样的方式同时形成热传导构件11和电极10，可缩短制造所需的时间。此外，如图2和图3所示，可以以如下方式设置热传导构件11和电极10：热传导构件11和电极10填充形成在绝缘层5的布置加热部12的表面中的凹部。热传导构件11的表面和电极10的表面可以是平滑的。因此，即使在形成热传导构件11和电极10之后通过光刻(photolithographic)技术在喷射口板14中形成喷射口1010时，也可防止喷射口1010的形状发生变形。
可采用镶嵌法(damascene process)或类似方法作为在绝缘层5的表面上设置热传导构件11和电极10的方法。镶嵌法是指在绝缘层中形成具有电极形状的槽、将电极用金属嵌入槽中、然后将槽外的多余金属移除以形成电极的方法。
构成热传导构件11的膜9的材料的导热率可以是绝缘层5所用材料的导热率的十倍以上。热传导构件11与热传导层4和基板1相连，其中，热传导层4和基板1的导热率大于绝缘层5的导热率。
通过在排列方向上相邻的加热部12之间设置导热率大于绝缘层的导热率的热传导构件11，可将加热部12中产生的热从绝缘层5传递至热传导构件11，进而传递至热传导层4和基板1。从而，可高效地散去加热部12中所产生的热，并且可防止围绕加热部12的绝缘层5的温度升高。
因此，即使使用具有以高密度排列的加热部12的记录元件基板1050进行高速记录时，相邻的加热部12的热也不会通过绝缘层5传递而引起热干涉。从而可提供能进行稳定记录的可靠性高的记录元件基板。
各热传导构件11的在与排列方向垂直的方向上的宽度可以大于各加热部12的在与排列方向垂直的方向上的宽度。通过将热传导构件11的在与排列方向垂直的方向上的宽度设为较大，可更加高效地吸收放射状地延伸的加热部12的热，从而可防止相邻加热部12的热干涉。
在记录元件的排列密度为600dpi或更大的情况下，由于减小了相邻加热部12之间的距离，根据本发明的记录元件基板的效果非常大。如果各热传导构件11和与该热传导构件11相邻的加热部12之间的距离过小，则绝缘层5不能产生作为蓄热层的效果，在墨经受膜沸腾之前，加热部12的热就逃散至热传导构件11。因此，各热传导构件11可位于与相邻于该热传导构件11的加热部12相距1μm以上的位置。另一方面，如果增大各热传导构件11和与该热传导构件11相邻的加热部12之间的距离，则加热部12的间距增大，因此也增大了记录元件基板的尺寸。结果，不能提供记录装置中的满足更高速度、更好的图像品质和更好的耐久性需求的记录元件。因此，各热传导构件11和与该热传导构件11相邻的加热部12之间的距离可为1至5μm。
第一实施例
将参照图2和图3说明本发明的实施例。如图2所示，在设置有如晶体管等有源元件(active element)(未示出)的Si基板1上设置厚度为500nm的由掺硼或磷的SiO2构成的层间膜2。在层间膜2上设置厚度为400nm的由Al-Si合金构成的热传导层4和电极层4a。在热传导层4和电极层4a上设置厚度为1μm的由SiO2构成的绝缘层5。绝缘层5也用作储存加热部12的热的蓄热层。在绝缘层5上设置厚度为50nm的由TaSiN构成的加热部12。各加热部12的两端与电极10接触。电极10通过设置在绝缘层5中的接触开口与电极层4a接触。
电极10均包括通过电镀形成且由Cu构成的膜9和由Ta/TaN构成的膜8，其中，膜8用作扩散阻挡层。在整个加热部12和电极10上设置厚度为300nm的由Si3N4构成的保护膜13，以防止例如墨等液体的腐蚀。此外，在基板上通过光刻技术形成喷射口板14。
如图3所示，在相邻的加热部12之间设置热传导构件11，如图2所示的电极10中那样，热传导构件11均包括由Cu构成的膜9和由Ta/TaN构成的用作扩散阻挡层的膜8。绝缘层5被布置成总是介于各热传导构件11和与该热传导构件11相邻的加热部12之间。通过采用相同的材料同时形成电极10和热传导构件11，可在不增加制造过程中的步骤数的情况下形成热传导构件11。此外，如图2和图3所示，热传导构件11和电极10可以以从绝缘层5的表面埋入绝缘层5中的方式设置在绝缘层5的基板1侧的主面和绝缘层5的加热部12侧的主面之间，使得热传导构件11和电极10的表面可以是平滑的。结果，即使在形成热传导构件11和电极10之后通过光刻技术在喷射口板14中形成喷射口1010时，也可防止喷射口1010的形状发生变形。
绝缘层5所采用的SiO2的导热率是几个瓦特每米每开尔文(W/mK)，保护膜13所采用的Si3N4的导热率是70W/mK，而膜9所采用的Cu的导热率为约400W/mK。热传导层4的导热率为约230W/mK。
通过在排列方向上相邻的加热部12之间设置导热率大于绝缘层的导热率的热传导构件11，可将加热部12中产生的热从绝缘层5传递至热传导构件11，进而传递至热传导层4和基板1。从而，可高效地散去加热部12中所产生的热，并且可防止围绕加热部12的绝缘层5的温度升高。
因此，即使使用具有以高密度排列的加热部12的记录元件基板1050进行高速记录时，相邻加热部12的热也不会通过绝缘层5传递而引起热干涉。可提供能进行稳定记录的可靠性高的记录元件基板。
在本实施例中，各加热部12的在排列方向上的宽度和各加热部12的在与排列方向垂直的方向上的宽度均为10μm，并且相邻加热部12之间的排列间距为30μm。各热传导构件11的在排列方向上的宽度为10μm，各热传导构件11的在与排列方向垂直的方向上的宽度为30μm。这样，通过使各热传导构件11的在与排列方向垂直的方向上的宽度大于各加热部12的在与排列方向垂直的方向上的宽度，可高效地吸收放射状地延伸的加热部12的热，并且可防止相邻加热部12的热干涉。
进行布置使得各热传导构件11和与该热传导构件11相邻的加热部12之间的最小距离为5μm。如果各热传导构件11和与该热传导构件11相邻的加热部12之间的距离过小，则绝缘层5不能产生作为蓄热层的效果，在墨经受膜沸腾之前，加热部12的热就逃散至热传导构件11。
现在将参照图4-1A和图4-1B至图5-3A和图5-3B说明根据本实施例的记录元件基板的制造方法。图4-1A和图4-1B至图5-3A和图5-3B均是示出记录元件基板的制造步骤的示意性剖视图。在本实施例中，热传导构件11是采用镶嵌法形成的。
在设置有如晶体管等有源元件的Si基板1的一个表面上形成由BPSG即掺硼或磷的SiO2构成的层间膜2。层间膜2经受图案化，并且通过蚀刻形成接触开口3(参见图4-1A和图4-1B)。
接下来，采用Al-Si形成导热率大于绝缘层5的导热率的层，并且使该层经受图案化成为与接触开口3相通的热传导层4和电极层4a的形状。在这一步骤中，通过还形成将位于各加热部12下方的热传导层4，可更高效地散去加热部12的热(参见图4-2A和图4-2B)。
接下来，通过CVD法在热传导层4和电极层4a上形成厚度约1.5μm的由SiO2构成的绝缘层5。由于通过CVD法的膜形成受到该膜之下的层形状的影响，因此，所形成的厚度被设定为大于所需要的厚度。然后，使用CMP法研磨(polishing)进行平滑化处理，从而获得厚度为1μm的绝缘层5(参见图4-3A和图4-3B)。
接下来，局部蚀刻绝缘层5直至热传导层4和电极层4a暴露，从而形成开口6和电极槽7(参见图4-4A和图4-4B)。通过溅射法(sputtering)形成厚度为50nm的由Ta/TaN构成的膜8，使该膜8与基板的包括开口6和电极槽7的整个表面接触，膜8用作针对用于电极10的Cu的阻挡层。膜8防止在后续步骤中所施加的热的影响下Cu扩散进入绝缘层5中，并且还用作电极10和绝缘层5之间的粘附层。在形成膜8之后，通过溅射法在基板的整个表面上形成厚度为50nm的用作电镀用晶种层(seed layer)(未示出)的Cu层。使用晶种层作为电极，通过电镀在基板的整个表面上形成由Cu构成的膜9(参见图5-1A和图5-1B)。设置有由Cu构成的膜9的基板经受CMP法平滑化处理，直至绝缘层5的表面暴露，从而形成电极10和热传导构件11(参见图5-2A和图5-2B)。
接下来，通过溅射法在基板的整个表面上形成厚度为50nm的用于加热部12的TaSiN层，并且使该TaSiN层经受图案化以通过蚀刻处理移除TaSiN层的不必要部分。在该步骤中，在绝缘层5上以加热部12不与热传导构件11接触的方式设置加热部12，使得各热传导构件11位于两个相邻的加热部12之间。此外，通过CVD法在基板的包括加热部12的整个表面上形成厚度为300nm的由Si3N4构成的保护膜13(参见图5-3A和图5-3B)。
如上所述，通过采用镶嵌法，可同时形成电极10和热传导构件11，可缩短制造所需的时间。此外，通过使电极10和热传导构件11经受平滑化处理从而使电极10、热传导构件11和绝缘层5的表面被平滑化，即使当通过光刻技术在喷射口板14中形成喷射口1010时，也可防止喷射口1010的形状发生变形。
第二实施例
图7A和图7B示出了根据本发明的第二实施例的例子。除热传导构件11的形状外，第二实施例的结构和制造方法与第一实施例的相同，因此，将略去重复的描述。如第一实施例所示，通过设置如图1所示的热传导构件11，可防止热干涉。在需要更高速度的情况下，可通过增加加热部12的体积来进行调整。然而，如果各热传导构件11和与该热传导构件11相邻的加热部12之间的距离过小，则绝缘层5不能产生作为蓄热层的效果，在墨经受膜沸腾之前，加热部12的热就逃散至热传导构件11。因此，热传导构件11必须位于与相邻于该热传导构件11的加热部12相距至少1μm的位置。在该情况下，如图7A和图7B所示，通过将各热传导构件11的不位于连接加热部12的中心所得的直线上的部分的宽度设为大于该热传导构件11的位于连接加热部12的中心所得的直线上的部分的宽度，可增加各热传导构件11的体积。通过形成具有该形状的热传导构件11，在保证蓄热所需距离的同时，也能更高效地散去加热部12中产生的过多的热。
因此，即使使用具有以高密度排列的加热部12的记录元件基板1050进行高速记录时，通过如上所述增加各热传导构件11的体积，也可增加能被吸收的热量。因此，可高效地散去相邻加热部12的热。结果，相邻加热部12的热不会通过绝缘层5传递而引起热干涉，并且可提供能进行稳定记录的可靠性高的记录元件基板。
第三实施例
图8A和图8B示出了根据本发明的第三实施例的例子。除热传导构件11的形状外，第三实施例的结构和制造方法与第一实施例的相同，因此，将略去重复的描述。
图8A和图8B是示出了如图6所示以预设间距排列的加热部12的排列(arrangement)的端部的示意性平面图。在记录元件基板1050中，由于加热部12高密度地位于中央区域，所以相比于端部区域，热更容易储存在中央区域。当记录元件基板1050的中央区域和端部区域之间存在温度变化(variation)时，位于中央区域的加热部12上的墨与位于端部区域的加热部12上的墨相比被更快地加热，导致喷射发生变化。尤其在包括多列加热部12的记录元件基板中，该现象导致温度的显著不同。为了减小温度差异，如图8A和图8B所示，可以将设置于排列的中央的热传导构件11的体积设为大于设置于排列的端部的热传导构件11的体积。可根据加热部12的排列密度和连续记录过程中记录元件基板1050的温度，来适当设置各热传导构件11的体积。
如在本实施例中那样，通过增加被设置于排列的中央的热传导构件11的体积，相比于排列的端部处，可更高效地进行散热，从而可减小记录元件基板1050中的温度变化(variation)。结果，当使用该记录元件基板1050进行高速记录时，可减小相邻加热部12之间的热干涉。此外，通过减小记录元件基板1050的平面内的温度变化，可提供进行稳定记录而没有喷射变化的可靠性高的记录元件基板。
第四实施例
在第一至第三实施例中的每一个实施例中公开了如下结构：通过在排列方向上相邻的加热部12之间设置导热率大于绝缘层的导热率的热传导构件11，使加热部12中所产生的热传递至热传导构件11并且通过热传导层4散去。在本实施例中，公开了如下结构：不设置热传导层4，加热部12中所产生的热从热传导构件11直接散至基板1。除该特征以外，其余结构和材料均与第一至第三实施例所公开的相同。
图10-1是示出了根据本实施例的记录元件基板的一部分的示意性平面图。图10-2是沿图10-1的线IV-IV截取的示意性剖面图，图10-3是沿图10-1的线V-V截取的示意性剖面图。每个位于两相邻的加热部之间的热传导构件11穿过绝缘层5和层间膜2地与基板1接触。各电极10穿过绝缘层5，并且与用于给加热部12施加电压的电极层4a相连。
通过采用这样的布置，加热部12中所产生的热可通过热传导构件11从绝缘层5高效地传递至基板1。因此，可防止围绕加热部12的绝缘层5的温度升高。
通过使用蚀刻绝缘层5和层间膜2但不蚀刻用于电极层4a的材料的气体来进行蚀刻，可以同时形成用于热传导构件11的开口6和用于电极10的开口6。通过使用该气体，通过蚀刻形成延伸至电极层4a的表面的用于电极10的开口6，并且通过蚀刻形成延伸至基板1的表面的用于热传导构件11的开口6。具体地，可使用CF4类气体，该气体不蚀刻用于电极层4a的铝，但是可容易地蚀刻用于绝缘层5和层间膜2的SiO2。
尽管通过参考示例性实施例说明了本发明，但是应当理解，本发明不限于所公开的示例性实施例。所附权利要求的范围将符合最宽的解释，以覆盖所有的变型、等同结构和功能。

Claims (14)

1.一种记录元件基板，其包括：
基板；
绝缘层，其设置在所述基板上或所述基板上方；
多个加热部，其排列配置在所述绝缘层上并且产生用于喷出液体的热能；
热传导层，其设置在所述绝缘层的内部，并且具有比所述绝缘层的导热率大的导热率；和
多个热传导构件，其在所述加热部的排列方向上均位于相邻的加热部之间，所述热传导构件在所述绝缘层的排列配置有所述加热部的表面与所述热传导层之间贯通所述绝缘层以与所述热传导层接触，所述热传导构件具有比所述绝缘层的导热率大的导热率。
2.根据权利要求1所述的记录元件基板，其特征在于，关于所述加热部的排列方向，所述绝缘层被设置在所述热传导构件和与该热传导构件相邻的加热部之间。
3.根据权利要求1所述的记录元件基板，其特征在于，所述记录元件基板还包括与所述加热部电连接的电极，所述电极由与所述热传导构件的材料相同的材料构成。
4.根据权利要求3所述的记录元件基板，其特征在于，所述电极包含Al、Cu、W和Au中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的记录元件基板，其特征在于，所述热传导构件包含Al、Cu、W和Au中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的记录元件基板，其特征在于，每个所述热传导构件的在与所述排列方向垂直的方向上的宽度大于每个所述加热部的在与所述排列方向垂直的方向上的宽度。
7.根据权利要求1所述的记录元件基板，其特征在于，在所述热传导构件当中，设置于所述加热部的排列的中央的热传导构件的体积大于设置于所述加热部的排列的端部的热传导构件的体积。
8.根据权利要求1所述的记录元件基板，其特征在于，各所述热传导构件和与该热传导构件相邻的加热部之间的最短距离为1至5μm。
9.一种液体喷射头，其包括：
根据权利要求1所述的记录元件基板；和
用于喷出液体的喷射口，所述喷射口被设置成与所述加热部相对应。
10.一种记录元件基板，其包括：
基板；
绝缘层，其设置在所述基板上或所述基板上方；
多个加热部，其排列配置在所述绝缘层上并且产生用于喷出液体的热能；和
多个热传导构件，其在所述加热部的排列方向上均位于相邻的加热部之间，所述热传导构件在所述绝缘层的正面与背面之间贯通所述绝缘层，所述热传导构件具有比所述绝缘层的导热率大的导热率。
11.一种制造记录元件基板的方法，所述记录元件基板包括基板、设置在所述基板上或所述基板上方的绝缘层和排列配置在所述绝缘层上并且产生用于喷出液体的热能的多个加热部，所述方法包括：
提供在其一个表面上具有绝缘层和热传导层的基板，所述热传导层由导热率大于所述绝缘层的导热率的材料构成；
在所述绝缘层中形成多个开口以使所述热传导层暴露；
用导热率大于所述绝缘层的导热率的材料填充所述多个开口，以形成与所述热传导层接触的多个热传导构件；和
在所述绝缘层上相邻的热传导构件之间以如下方式形成所述加热部：该加热部不与所述热传导构件接触。
12.根据权利要求11所述的制造记录元件基板的方法，其特征在于，所述方法还包括：形成与所述加热部电连接的电极。
13.根据权利要求12所述的制造记录元件基板的方法，其特征在于，同时形成所述电极和所述热传导构件。
14.根据权利要求11所述的制造记录元件基板的方法，其特征在于，采用镶嵌法形成所述热传导构件。
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