CN101840833B - 大功率脉冲磁控管用陶瓷引线 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种大功率脉冲磁控管用陶瓷引线，陶瓷件的上端端口中固设有陶瓷引线环，无氧铜封接环固定穿置在陶瓷引线环的底部，第二扼流圈固定定位于无氧铜封接环的下方，钨杆的上端固定穿设过第二扼流圈且固定穿置在无氧铜封接环的底部中，陶瓷件的下端固连无氧铜连接圈的上端，第一扼流圈固定定位于无氧铜连接圈和陶瓷件内，第一扼流圈的底部固连无氧铜连接圈的内壁，第二扼流圈的底部位于第一扼流圈内，第二扼流圈的下端面低于第一扼流圈的上端面设定距离以防止微波能量的泄露，这样使陶瓷与金属封接结构可用于大功率磁控管上，产品可靠性高、一致性好、抗冲击性能高及耐温性能高，可有效提高产品的整体性能和成品率，降低生产成本。

Description

大功率脉冲磁控管用陶瓷引线
技术领域
本发明涉及一种陶瓷引线，尤其是一种用于大功率脉冲磁控管的陶瓷引线。 
背景技术
现有的大功率脉冲磁控管一般使用的阴极引线为玻璃结构，钨杆4固定定位于玻璃件8内，钨杆4上端固定穿设过玻璃件8的上部，第二扼流圈3固定套设在钨杆上，第一扼流圈2下部固连无氧铜连接圈1的内壁，无氧铜连接圈的上部固定穿设在玻璃件8的下部，由于玻璃与金属封接的技术原因，导致产品的可靠性低、抗冲击性能低、一致性差且耐温性能低，给生产带来了较大的难度，实际的生产成本较高。陶瓷与金属封接结构具有可靠性高、抗冲击性能高、一致性好且耐温性能高的优点，国内外很多专家学者一直想使用陶瓷与金属封接结构作为大功率脉冲磁控管的引线结构，但由于改变结构后会导致产品一系列的微波参数变化，导致输出功率变化而无法满足客户的要求，多年来一直未研制成功。 
发明内容
为了克服上述缺陷，本发明提供了一种大功率脉冲磁控管用陶瓷引线，可靠性高、一致性好、抗冲击性能高及耐温性能高，可有效提高产品的整体性能和成品率，降低生产成本。 
本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案是： 
一种大功率脉冲磁控管用陶瓷引线，包括无氧铜连接圈、第一扼流圈、至少一个钨杆和与钨杆相同数量的第二扼流圈，以装配方向为基准：还包括有陶瓷件和与钨杆相同数量的无氧铜封接环，该陶瓷件的上端端口中固定设有陶瓷引线环，无氧铜封接环固定穿置在陶瓷引线环的底部，所述第二扼流圈固定定位于无氧铜封接环的下方，所述钨杆的上端固定穿过第二扼流圈并最终固定插设于所述无氧铜封接环的底部中，通过无氧铜封接环与陶瓷引线环的连接设置，使原本不可与陶瓷材料连接的钨杆固定定位在了陶瓷件中，且采用无氧铜封接环与陶瓷引线环的陶瓷与金属封接结构来定位连接钨杆和固套于钨杆上的第二扼流圈，有效解决了陶瓷与金属封接结构与磁控管对材料高导电率要求的矛盾，所述陶瓷件的下端与无氧铜连接圈的上端固连，第一扼流圈固定定位于无氧铜连接圈和陶瓷件内，第一扼流圈的底部固连无氧铜连接圈的内壁，第二扼流圈的底部位于第一扼流圈内，第二扼流圈的下端面低于第一扼流圈的上端面设定距离，采用陶瓷件与无氧铜连接圈固连，又第二扼流圈下端面低于第一扼流圈上端面设定距离来防止微波能量的泄露，解决了陶瓷与金属封接问题和微波能量泄露问题间的矛盾，使陶瓷与金属封接结构可用于大功率磁控管上，产品可靠性高、一致性好、抗冲击性能高及耐温性能高，有效提高了产品的整体性能，提高了产品的成品率，降低了生产成本。 
本发明的进一步技术方案是： 
所述陶瓷件下端面上金属化而形成有一层金属封接层，所述无氧铜连接圈的上端焊接固连所述金属封接层。 
所述陶瓷引线环底部与无氧铜封接环相接触的面上金属化而形成有一层金属封接面，所述无氧铜封接环固定穿置焊接在所述金属封接面中。 
本发明的有益效果是：本发明通过无氧铜封接环与陶瓷引线环的连接设置，使原本不可与陶瓷材料连接的钨杆固定定位在了陶瓷件中，且采用无氧铜封接环与陶瓷引线环的陶瓷与金属封接结构来定位连接钨杆和固套于钨杆上的第二扼流圈，有效解决了陶瓷与金属封接结构与磁控管对材料高导电率要求的矛盾；采用陶瓷件与无氧铜连接圈固连，又第二扼流圈下端面低于第一扼流圈上端面设定距离来防止微波能量的泄露，解决了陶瓷与金属封接问题和微波能量泄露问题间的矛盾，使陶瓷与金属封接结构可用于大功率磁控管上，产品可靠性高、一致性好、抗冲击性能高及耐温性能高，有效提高了产品的整体性能，提高了产品的成品率，降低了生产成本。 
附图说明
图1为本发明结构示意图； 
图2为本发明所述原有技术的结构示意图。 
具体实施方式
实施例：一种大功率脉冲磁控管用陶瓷引线，包括无氧铜连接圈1、第一扼流圈2、至少一个钨杆4和与钨杆相同数量的第二扼流圈3，以装配方向为基准：还包括有陶瓷件5和与钨杆相同数量的无氧铜封接环6，该陶瓷件5的上端端口中固定设有陶瓷引线环7，无氧铜封接环6固定穿置在陶瓷引线环7的底部，所述第二扼流圈3固定定位于无氧铜封接环6的下方，所述钨杆4的上端固定穿过第二扼流圈3并最终固定插设于所述无氧铜封接环6的底部中，通过无氧铜封接环6与陶瓷引线环7的连接设置，使原本不可与陶瓷材料连接的钨杆4固定定位在了陶瓷件5中，且采用无氧铜封接环与陶瓷引线环的陶瓷与金属封接结构来定位连接钨杆4和固套于钨杆上的第二扼流圈3，有效解决了陶瓷与金属封接结构与磁控管对材料高导电率要求的矛盾，所述陶瓷件5的下端与无氧铜连接圈1的上端固连，第一扼流圈2固定定位于无氧铜连接圈1和陶瓷件5内，第一扼流圈2的底部固连无氧铜连接圈1的内壁，第二扼流圈3的底部位于第一扼流圈2内，第二扼流圈3的下端面低于第一扼流圈2的上端面设定距离，采用陶瓷件5与无氧铜连接圈1固连，又第二扼流圈3下端面低于第一扼流圈2上端面设定距离来防止微波能量的泄露，解决了陶瓷与金属封接问题和微波能量泄露问题间的矛盾，使陶瓷与金属封接结构可用于大功率磁控管上，产品可靠性高、一致性好、抗冲击性能高及耐温性能高，有效提高了产品的整体性能，提高了产品的成品率，降低了生产成本。
所述陶瓷件5下端面上金属化而形成有一层金属封接层，所述无氧铜连接圈1的上端焊接固连所述金属封接层。 
所述陶瓷引线环7底部与无氧铜封接环6相接触的面上金属化而形成有一层金属封接面，所述无氧铜封接环6固定穿置焊接在所述金属封接面中。 
本例设有两个钨杆。 
具体实施时，根据陶瓷引线的尺寸规格来调整第二扼流圈低于第一扼流圈的设定距离，反复试验采用使微波能量泄露量最小或可彻底防止微波能量泄露的距离。 

Claims (3)

1.一种大功率脉冲磁控管用陶瓷引线，包括无氧铜连接圈(1)、第一扼流圈(2)、至少一个钨杆(4)和与钨杆相同数量的第二扼流圈(3)，其特征在于：以装配方向为基准：还包括有陶瓷件(5)和与钨杆相同数量的无氧铜封接环(6)，该陶瓷件的上端端口中固定设有陶瓷引线环(7)，无氧铜封接环(6)固定穿置在陶瓷引线环(7)的底部，所述第二扼流圈(3)固定定位于无氧铜封接环(6)的下方，所述钨杆(4)的上端固定穿过第二扼流圈(3)并最终固定插设于所述无氧铜封接环(6)的底部中，所述陶瓷件(5)的下端与无氧铜连接圈(1)的上端固连，第一扼流圈(2)固定定位于无氧铜连接圈(1)和陶瓷件(5)内，第一扼流圈(2)的底部固连无氧铜连接圈(1)的内壁，第二扼流圈(3)的底部位于第一扼流圈(2)内，第二扼流圈(3)的下端面低于第一扼流圈(2)的上端面设定距离。
2.根据权利要求1所述的大功率脉冲磁控管用陶瓷引线，其特征在于：所述陶瓷件下端面上形成有一层金属封接层，所述无氧铜连接圈的上端固连所述金属封接层。
3.根据权利要求1所述的大功率脉冲磁控管用陶瓷引线，其特征在于：所述陶瓷引线环底部与无氧铜封接环相接触的面上形成有一层金属封接面，所述无氧铜封接环固定穿置在所述金属封接面中。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN1165392A (zh) * 1996-03-18 1997-11-19 三洋电机株式会社 磁控管
CN1599012A (zh) * 2003-09-19 2005-03-23 松下电器产业株式会社 磁控管阴极组件
CN201374306Y (zh) * 2009-03-16 2009-12-30 昆山国力真空电器有限公司 大功率脉冲磁控管用陶瓷引线

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