CN101789484B - 一种led共晶焊接的方法 - Google Patents
一种led共晶焊接的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101789484B CN101789484B CN 201019063028 CN201019063028A CN101789484B CN 101789484 B CN101789484 B CN 101789484B CN 201019063028 CN201019063028 CN 201019063028 CN 201019063028 A CN201019063028 A CN 201019063028A CN 101789484 B CN101789484 B CN 101789484B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- post
- support
- eutectic
- led
- welding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 title claims abstract description 79
- 238000003466 welding Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 57
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000004568 cement Substances 0.000 claims description 21
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 21
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 3
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract 3
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- -1 resin and additive Chemical compound 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000008429 bread Nutrition 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Images
Abstract
本发明揭示一种LED共晶焊接的方法，将支架的热沉插件放置于一金属夹具上，所述热沉插件为Cu柱；通过等离子体处理Cu柱镀层表面，去除油污、表面氧化层；调节自动共晶焊机器加热温度至设定值，把芯片和Cu柱进行共晶焊接；把金属夹具与支架合模，通过冲床把焊接好的芯片，热沉冲压进低温塑胶支架，完成共晶焊接。本发明相比较银胶固晶或锡膏固晶，封装热阻大大降低，在相同的功率下，其结温低，一方面可以增加发光效率，另外一方面可以增加LED的可靠性。在耐受相同结温的芯片而言，其工作电流显著增加，这将增加单管封装的功率和单位流明的成本。
Description
技术领域
本发明属于LED封装技术领域，涉及一种LED的封装方法，尤其涉及一种功率型LED芯片与支架热沉共晶焊接的方法。
背景技术
LED(Light Emitting Diode)，发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。近年来，LED的光电转换效率得到了显著的提高，LED市场也开始从显示，指示应用开始向照明领域迅猛发展。但是对通用照明而言，由于单颗芯片功率的增加及LED光学结构的特殊性，传热，散热问题一直是产业人员所关注的重要问题。芯片直接固晶在热沉插件上，这样芯片工作产生的热量迅速通过热沉传到外界环境中。为了固定热沉，电极引脚并绝缘，管壳采用塑胶或陶瓷结构。
目前国内封装厂家芯片固晶工艺常常采用银胶固晶的工艺。这种工艺是首先在支架的热沉上点上适量的银胶，然后通过手工或自动的方法将芯片从篮膜上取下，放在银胶上，芯片侧面至少3面包胶，银胶高度一般在芯片高度的1/3-1/5之间。然后进行高温固化，完成固晶操作。这种工艺与小功率生产工艺兼容，工艺技术要求较低，因而为许多中小封装厂所采用。但是通常的银胶由银粉，树脂和添加剂等组成，其热导率一般小于10W/mK，相比金属而言热导率要低1-2个数量级；其耐温性能较差，一般的银胶在温度高于200℃以上，会迅速劣化，表现为热导率，电导率降低，粘接强度下降；银胶在使用上也比较苛刻，其在回温、点胶、固化等方面都必须较严格的控制，否则造成粘接性能下降甚至飞晶和短路的现象。
为此，一些厂家为了降低封装的热阻，采用锡膏固晶的工艺，其基本工艺类似于银胶的封装方式。锡膏封装使得芯片与热沉通过焊锡金属联结，有效地增加了热导率。但是锡膏通常含有助焊剂，其不均匀的混合比例容易造成焊料中孔洞的形成，同时助焊剂常常会污染芯片，需要增加清洗环节。最重要的是一般的焊锡所耐的温度也是200℃左右，超过这个温度，焊锡将变软，熔化，严重影响焊接质量。最近几年，共晶焊工艺得到了广泛的重视，许多大的LED生产厂家在其产品中已经使用。但是对众多中小企业而言，共晶焊接还存在很大的困难。一个原因是市场上使用的支架基本上是针对银胶固晶的工艺所设计的，一般的塑胶管座在260-280℃左右就开始熔化变形，即使使用LPS塑胶，其所耐的最高温度在300℃左右。这样的耐温特性对市场上普遍使用的Au0.2Sn0.8的共晶焊料其温度还是比较低的。这是因为Au0.2Sn0.8焊料的共晶温度为282℃，在一般的共晶焊机器中，设定的加热板的温度要达到310℃左右才能使得共晶层熔化，这是因为支架从热沉底部到焊接的芯片之间存在温度梯度，而且支架升温也需要时间，这样，靠近热沉底部的塑胶因为高温而很容易熔化。而造成支架的坍塌。通过低温共晶点的金属，如SnAgCu合金，虽然能够解决焊接问题，但是因为共晶点温度为230℃，耐高温特性还没有很大的改善。因此针对市场上普通的大功率支架，目前对共晶焊还没有很好的解决方案。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种LED共晶焊接的方法，解决目前低温塑胶功率型LED支架的共晶焊接问题。
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
一种LED共晶焊接的方法，将支架的热沉插件放置于一金属夹具上，所述热沉插件为Cu柱；通过等离子体处理Cu柱镀层表面，去除油污、表面氧化层；调节自动共晶焊机器加热温度至设定值，把芯片和Cu柱进行共晶焊接；把金属夹具与支架合模，通过冲床把焊接好的芯片，热沉冲压进低温塑胶支架，完成共晶焊接。
作为本发明的一种优选方案，所述方法具体包括如下步骤：
步骤A、将金属夹具和Cu柱分别使用有机溶剂、去离子水进行超声清洗；而后烘干；
步骤B、将Cu柱自动或手动装载于金属夹具内，放置于等离子体中进行表面处理，以去除Cu柱的表面氧化层；
步骤C、将装载Cu柱的金属夹具装入自动固晶机的料盒，并放置于自动固晶机上料处；设定自动固晶的各段加热丝的温度；
步骤D、开启保护气体待自动共晶机器温度达到设定值，并稳定后进行对芯片和Cu柱进行共晶焊；
步骤E、把金属夹具通过定位栓与支架连接，然后通过冲床对其冲压，Cu柱柱体大部分进入到支架的塑胶管座内，仅剩下Cu柱的底座留在支架外；
步骤F、移去金属夹具，对LED支架、Cu柱进行进一步冲压，至Cu柱底座也大部分进入塑胶管座，完成Cu柱与支架的合模，同时低温支架的共晶固晶工艺完成。
作为本发明的一种优选方案，步骤A中，将金属夹具和Cu柱分别使用有机溶剂、去离子水进行超声清洗；其中，用丙酮清洗5分钟，用乙醇清洗5分钟，用去离子水清洗5分钟；而后烘干。
作为本发明的一种优选方案，步骤C中，把固晶时Cu柱的温度控制在330-450℃度范围内，固晶时间为50ms-1s范围内，固晶时压力在20-200gf/mm2。
作为本发明的一种优选方案，步骤D中，开启的保护气体为N2或N2/H2。
作为本发明的一种优选方案，所述支架为低温支架，其塑胶耐温在260-280℃；与其配套的Cu柱的镀Ag层厚于普通的Cu柱的Ag层厚度，其厚度在3um-10um；所述金属夹具包括一金属基板，该金属基板的尺寸比2×10单元功率型LED支架大0.5-1cm左右，厚度为1mm-2mm之间。
作为本发明的一种优选方案，所述金属基板上设置若干Cu柱槽，用以放置Cu柱，其尺寸大于Cu柱底座正公差尺寸；Cu柱槽外设置合模、冲压时为塑胶管座预留的槽，其尺寸大于管座的塑胶正公差尺寸；所述金属基板上设置若干与支架合模时的对位栓，其直径小于LED支架的定位孔径，位置与LED支架的定位孔对应；所述金属基板上设置若干夹具的通孔，自动共晶焊设备的操纵杆通过该通孔对夹具进行拖动定位。
作为本发明的一种优选方案，所述方法具体包括如下步骤：
有机溶剂清洗金属夹具和Cu柱；
在金属夹具槽中装填Cu柱；
等离子体清洗金属夹具和Cu柱；
调节自动共晶焊机器，设定温度，时间，压力参数，并开启保护气体；
用自动共晶焊机进行Cu柱和芯片共晶焊接；
对金属夹具和支架合模，一次冲压移去金属夹具；
二次冲压支架，完成共晶焊操作。
一种LED共晶焊接的方法，将支架的热沉插件放置于一金属夹具上；通过等离子体处理热沉插件的镀层表面，去除油污、表面氧化层；调节自动共晶焊机器加热温度至设定值，把芯片和热沉插件进行共晶焊接；把金属夹具与支架合模，通过冲床把焊接好的芯片，热沉冲压进低温塑胶支架，完成共晶焊接。
本发明的有益效果在于：
(1)本发明通过简单的金属夹具将共晶过程转移到金属夹具上进行，从而克服了高的共晶温度对塑胶管壳的影响。
(2)通过一系列的湿法和干法清洗处理Cu柱镀层金属，去除共晶表面的氧化层，粘污，同时改变表面能，使得镀层与共晶焊料更容易粘接。
(3)本工艺还适宜更高温度的共晶焊操作，为新型的更高功率的LED封装提供可行的方案。
(4)本共晶方案适用范围广，对有共晶焊料的芯片及大多数功率型支架或管座都可以进行共晶焊操作。
(5)本发明相比较银胶固晶或锡膏固晶，封装热阻大大降低，在相同的功率下，其结温低，一方面可以增加发光效率，另外一方面可以增加LED的可靠性。在耐受相同结温的芯片而言，其工作电流显著增加，这将增加单管封装的功率和单位流明的成本。
(6)与普通的封装兼容，不需要耐高温的塑胶支架，对各种共晶芯片适应性强。
(7)由于共晶焊接时没有支架的参与，可以进行更高温度的固晶。即可以寻找热导率及热稳定性更高的焊料，而不必考虑支架结构的耐受性。
附图说明
图1为功率型LED共晶焊工艺流程图。
图2A为装填Cu柱及与功率型支架合模的金属夹具的平面图。
图2B为沿图2A中虚线框中的单元中间竖直方向截面图。
图2C为在金属夹具内放置Cu柱的截面图。
图2D为装载Cu柱的金属夹具与功率型LED支架合模的截面图。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的优选实施例。
实施例一
本发明提供一种功率型LED芯片与支架热沉共晶焊接的方法。将支架的热沉插件(可为市售的镀Ag或镀Au的Cu柱)放置于一金属夹具上，通过等离子体处理Cu柱镀层表面，去除油污或表面氧化层。调节自动共晶焊机器加热温度至一个较高值，把芯片和Cu柱进行共晶焊接。接着把金属夹具与支架合模，通过冲床把焊接好的芯片，热沉冲压进低温塑胶支架，完成共晶焊接。
根据本发明的技术方案，支架为市售的低温支架，其塑胶耐温在260-280℃左右。与其配套的Cu柱的镀Ag层厚于普通的Cu柱的Ag层厚度，其厚度在3um-10um(如为3um、5um、10um)，以便耐一定的共晶温度和压力。为了能够在较高温度下共晶焊接，设计金属夹具结构如图2所示。
图2A是夹具的平面图，基板1为铝板或钢板等金属，尺寸比2×10单元功率型LED支架大0.5-1cm左右，厚度为1mm-2mm之间，以保证足够的机械强度并能够迅速的传热。放置Cu柱的槽2a的尺寸比Cu柱底座正公差尺寸略大，Cu柱柱体的位置在2b处。合模、冲压时为塑胶管座预留的槽3的尺寸比管座的塑胶正公差尺寸略大。与支架合模时的对位栓4的直径小于LED支架的定位孔径，位置与LED支架的定位孔对应，栓的数量可以小于支架定位孔的数量。方孔5为夹具的通孔，其作用为自动共晶焊设备的操纵杆可以对夹具进行拖动定位。
图2B-2D分别为图2A中夹具方框内的竖直方向的截面图，加载Cu柱的截面图以及与支架合模前的截面图。图2B中，槽2a相对于槽3的槽深为Cu柱底座的厚度，槽3相对于夹具表面的槽深亦为Cu柱底座的厚度，对位栓4相对于夹具表面的高度为Cu柱柱体的高度。图2C中，Cu柱槽2a中装载了Cu柱5，其中5a为Cu柱底座，5b为柱体。图2D中，带Cu柱5的夹具上方是LED支架，金属框架1’构成了支架的主体框架，2a’，2b’分别为与Cu柱底座、柱体合模时的空间，3’为LED的塑胶壳体，其下方突起将和金属夹具的部位槽3合模，支架的定位孔4’将与金属夹具的定位栓4合模。
请参阅图1，本发明方法的具体步骤如下：
(1)将金属夹具和Cu柱分别使用有机溶剂，去离子水进行超声清洗，具体步骤用丙酮清洗5分钟，用乙醇清洗5分钟，用去离子水清洗5分钟。烘干。
(2)将Cu柱自动或手动装载于金属夹具内，放置于等离子体中进行表面处理，以去除Cu柱的表面氧化层，改进Cu柱镀层金属与芯片共晶焊料的黏附性。
(3)将装载Cu柱的金属夹具装入自动固晶机的料盒，并放置于自动固晶机上料处。设定自动固晶的各段加热丝的温度，把固晶时Cu柱的温度控制在330-450℃度范围内，固晶时间为50ms-1s范围内，固晶时压力在20-200gf/mm2。
(4)开启保护气体N2或N2/H2，待自动共晶机器温度达到设定值，并稳定后进行对芯片和Cu柱进行共晶焊。
(5)把金属夹具通过定位栓与支架连接，然后通过冲床对其冲压，Cu柱柱体大部分进入到支架的塑胶管座内，仅剩下Cu柱的底座留在支架外面。
(6)移去金属夹具，对LED支架，Cu柱进行进一步冲压，至Cu柱底座也大部分进入塑胶管座，完成Cu柱与支架的合模，同时低温支架的共晶固晶工艺完成。
综上所述，本发明的主要优点如下：
(1)本发明通过简单的金属夹具将共晶过程转移到金属夹具上进行，从而克服了高的共晶温度对塑胶管壳的影响。
(2)通过一系列的湿法和干法清洗处理Cu柱镀层金属，去除共晶表面的氧化层，粘污，同时改变表面能，使得镀层与共晶焊料更容易粘接。
(3)本工艺还适宜更高温度的共晶焊操作，为新型的更高功率的LED封装提供可行的方案。
(4)本共晶方案适用范围广，对有共晶焊料的芯片及大多数功率型支架或管座都可以进行共晶焊操作。
(5)其相比较银胶固晶或锡膏固晶，封装热阻大大降低，在相同的功率下，其结温低，一方面可以增加发光效率，另外一方面可以增加LED的可靠性。在耐受相同结温的芯片而言，其工作电流显著增加，这将增加单管封装的功率和单位流明的成本。
(6)与普通的封装兼容，不需要耐高温的塑胶支架，对各种共晶芯片适应性强。
(7)由于共晶焊接时没有支架的参与，可以进行更高温度的固晶。即可以寻找热导率及热稳定性更高的焊料，而不必考虑支架结构的耐受性。
这里本发明的描述和应用是说明性的，并非想将本发明的范围限制在上述实施例中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实施例的替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本发明的精神或本质特征的情况下，本发明可以以其它形式、结构、布置、比例，以及用其它组件、材料和部件来实现。在不脱离本发明范围和精神的情况下，可以对这里所披露的实施例进行其它变形和改变。
Claims (6)
1.一种LED共晶焊接的方法，其特征在于：
将支架的热沉插件放置于一金属夹具上，所述热沉插件为Cu柱；
通过等离子体处理Cu柱镀层表面，去除油污、表面氧化层；
调节自动共晶焊机加热温度至设定值，把芯片和Cu柱进行共晶焊接；
把金属夹具与支架合模，通过冲床把焊接好的芯片和Cu柱冲压进支架的低温塑胶管座中，完成共晶焊接；
所述方法具体包括如下步骤：
步骤A、将金属夹具和Cu柱分别使用有机溶剂和去离子水进行超声清洗；而后烘干；
步骤B、将Cu柱自动或手动装载于金属夹具内，放置于等离子体中进行表面处理，以去除Cu柱的表面氧化层；
步骤C、将装载Cu柱的金属夹具装入自动共晶焊机的料盒，并放置于自动共晶焊机上料处；设定自动共晶焊机的各段加热丝的温度；
步骤D、开启保护气体待自动共晶焊机温度达到设定值，并稳定后对芯片和Cu柱进行共晶焊；
步骤E、把金属夹具通过定位栓与支架连接，然后通过冲床对其冲压，Cu柱柱体大部分进入到支架的塑胶管座内，仅剩下Cu柱的底座留在支架外；
步骤F、移去金属夹具，对LED支架、Cu柱进行进一步冲压，至Cu柱底座也大部分进入塑胶管座，完成Cu柱与支架的合模，同时低温支架的共晶固晶工艺完成。
2.根据权利要求1所述的LED共晶焊接的方法，其特征在于：
步骤A中，将金属夹具和Cu柱分别使用有机溶剂、去离子水进行超声清洗；其中，用丙酮清洗5分钟，用乙醇清洗5分钟，用去离子水清洗5分钟；而后烘干。
3.根据权利要求1所述的LED共晶焊接的方法，其特征在于：
步骤C中，把固晶时Cu柱的温度控制在330-450℃度范围内，固晶时间为50ms-1s范围内，固晶时压力在20-200gf/mm2。
4.根据权利要求1所述的LED共晶焊接的方法，其特征在于：
步骤D中，开启的保护气体为N2或N2/H2。
5.根据权利要求1所述的LED共晶焊接的方法，其特征在于：
所述支架为低温支架，其塑胶耐温在260-280℃；与其配套的Cu柱的镀Ag层厚度在3um-10um；
所述金属夹具包括一金属基板，该金属基板的尺寸比2×10单元功率型LED支架大0.5-1cm，厚度为1mm-2mm之间。
6.根据权利要求5所述的LED共晶焊接的方法，其特征在于：
所述金属基板上设置若干Cu柱槽，用以放置Cu柱，其尺寸大于Cu柱底座正公差尺寸；
Cu柱槽外设置合模、冲压时为塑胶管座预留的槽，其尺寸大于管座的塑胶正公差尺寸；
所述金属基板上设置若干与支架合模时的对位栓，其直径小于LED支架的定位孔径，位置与LED支架的定位孔对应；
所述金属基板上设置若干金属夹具的通孔，自动共晶焊设备的操纵杆通过该通孔对金属夹具进行拖动定位。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201019063028 CN101789484B (zh) | 2010-02-05 | 2010-02-05 | 一种led共晶焊接的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201019063028 CN101789484B (zh) | 2010-02-05 | 2010-02-05 | 一种led共晶焊接的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101789484A CN101789484A (zh) | 2010-07-28 |
| CN101789484B true CN101789484B (zh) | 2013-09-11 |
Family
ID=42532618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201019063028 Expired - Fee Related CN101789484B (zh) | 2010-02-05 | 2010-02-05 | 一种led共晶焊接的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101789484B (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102000893B (zh) * | 2010-10-25 | 2013-02-13 | 惠州志能达光电科技有限公司 | 一种led晶体微焊共晶方法 |
| CN102142371B (zh) * | 2010-12-29 | 2012-06-20 | 常州星海电子有限公司 | 光伏旁路肖特基二极管的制造工艺 |
| CN102163679B (zh) * | 2010-12-31 | 2012-08-08 | 东莞市万丰纳米材料有限公司 | Led封装模块制备装置 |
| CN102522481A (zh) * | 2012-01-05 | 2012-06-27 | 上海共晶电子科技有限公司 | 一种用于共晶焊固晶的led芯片支架 |
| JP2016162985A (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN107316820A (zh) * | 2017-06-22 | 2017-11-03 | 中科迪高微波系统有限公司 | 一种微波芯片共晶焊接的工艺方法 |
| CN109570147B (zh) * | 2017-09-29 | 2021-04-02 | 中国科学院工程热物理研究所 | 一种强化热沉润湿特性及相变换热性能的方法 |
| CN112289695B (zh) * | 2020-09-22 | 2023-03-21 | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 | 一种用于多焊件自动共晶的通用共晶装置及共晶方法 |
| CN114498283A (zh) * | 2022-01-24 | 2022-05-13 | 西安欧益光电科技有限公司 | 一种激光芯片封装方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1571131A (zh) * | 2004-04-22 | 2005-01-26 | 吉林华微电子股份有限公司 | 半导体芯片背面共晶焊粘贴方法 |
| CN1870306A (zh) * | 2005-05-26 | 2006-11-29 | 深圳市龙岗区横岗光台电子厂 | 发光二极管固晶方法及采用该方法的固晶构造 |
| CN1941432A (zh) * | 2005-09-26 | 2007-04-04 | 陈劲豪 | 发光二极管的固晶导电导热封装结构 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN200969356Y (zh) * | 2006-10-09 | 2007-10-31 | 华宏光电子(深圳)有限公司 | 大功率发光二极管 |
-
2010
- 2010-02-05 CN CN 201019063028 patent/CN101789484B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1571131A (zh) * | 2004-04-22 | 2005-01-26 | 吉林华微电子股份有限公司 | 半导体芯片背面共晶焊粘贴方法 |
| CN1870306A (zh) * | 2005-05-26 | 2006-11-29 | 深圳市龙岗区横岗光台电子厂 | 发光二极管固晶方法及采用该方法的固晶构造 |
| CN1941432A (zh) * | 2005-09-26 | 2007-04-04 | 陈劲豪 | 发光二极管的固晶导电导热封装结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101789484A (zh) | 2010-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101789484B (zh) | 一种led共晶焊接的方法 | |
| CN101592327B (zh) | 一种功率型led灯及其封装工艺和回流焊工艺设备 | |
| CN103762298A (zh) | Led晶片组合封装材料及工艺 | |
| WO2019071743A1 (zh) | 采用低温烧结纳米银的双面互连硅基igbt模块的方法 | |
| CN104037316B (zh) | 一种led无机封装支架及其封装方法 | |
| CN110289340B (zh) | 倒装led芯片焊盘的制备方法 | |
| CN102891240B (zh) | 倒装结构的发光二极管及其制备方法 | |
| CN102881806B (zh) | 一种smd led单元及其封装方法 | |
| CN101847685B (zh) | 一种耐高温稳定的碲化铋基热电半导体发电器件及其制备方法 | |
| CN203055978U (zh) | 倒装基板及基于该倒装基板的led封装结构 | |
| CN103022333B (zh) | 一种led芯粒的固晶方法 | |
| CN109530838A (zh) | 一种激光焊接功率半导体芯片的方法 | |
| CN203787456U (zh) | 一种倒装芯片封装结构 | |
| Wang et al. | A reliable double-sided 1200-V/600-A multichip half-bridge Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) module with high power density | |
| CN203775045U (zh) | 一种智能半导体功率模块 | |
| CN202474027U (zh) | 一种复合式led基板 | |
| CN201616432U (zh) | 一种led多晶片集成封装器件 | |
| CN202957296U (zh) | 倒装结构的发光二极管 | |
| CN106449904A (zh) | 一种检测led封装的方法 | |
| CN102255033B (zh) | 一种大功率led封装结构及其封装方法 | |
| CN208078010U (zh) | Led芯片共晶焊接装置 | |
| CN102085589A (zh) | Led芯片与背板的焊接方法 | |
| CN105914268A (zh) | 一种led倒装工艺及倒装结构 | |
| CN103780102A (zh) | 一种智能半导体功率模块 | |
| CN206194730U (zh) | 一种芯片上表面齐平的功率模块 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: YANCHENG BRIGHT NEW LIGHT SOURCE CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: BOLEDA PHOTOELECTRIC CO., LTD., JIANGSU Effective date: 20140213 |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20140213 Address after: 224051 No. 1 hope Avenue, Ting Lake Economic Development Zone, Jiangsu, Yancheng City Patentee after: Yancheng bright new light source Co.,Ltd. Address before: 224051 No. 1 hope Avenue, Ting Lake Economic Development Zone, Jiangsu, Yancheng City Patentee before: Jiangsu Bright Group |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20160720 Address after: 224001 No. 168 Minjiang Road, Yancheng economic and Technological Development Zone, Jiangsu Patentee after: JIANGSU MIYOU PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 224051 No. 1 hope Avenue, Ting Lake Economic Development Zone, Jiangsu, Yancheng City Patentee before: Yancheng bright new light source Co.,Ltd. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130911 Termination date: 20220205 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |