CN101824597B - 一种Li-F共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法 - Google Patents
一种Li-F共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101824597B CN101824597B CN2010101458803A CN201010145880A CN101824597B CN 101824597 B CN101824597 B CN 101824597B CN 2010101458803 A CN2010101458803 A CN 2010101458803A CN 201010145880 A CN201010145880 A CN 201010145880A CN 101824597 B CN101824597 B CN 101824597B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pure
- growth
- type zno
- zno crystal
- growing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明公开的Li-F共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法,采用的是脉冲激光沉积法。靶材是由纯氧化锌、纯氟化锌和纯碳酸锂粉末球磨混合后压制成型,烧结后得到掺ZnF2和Li2O的ZnO陶瓷靶,其中氟化锌的摩尔含量为0.3%,氧化锂的摩尔含量为0.6~0.9%;然后在脉冲激光沉积装置的生长室中,以纯O2为生长气氛,控制O2压强5~20Pa,激光频率为3~5Hz,生长温度为300~500℃,在衬底上生长p型ZnO晶体薄膜。本发明方法可以实现实时掺杂,掺杂浓度通过调节生长温度和靶材中Li和F的摩尔含量来控制。采用本发明方法制备的p型ZnO晶体薄膜具有良好的电学性能,重复性和稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及p型ZnO晶体薄膜的生长方法,尤其是Li-F共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法。
背景技术
ZnO是一种II-Ⅵ族宽禁带半导体,有其独特的优势,在室温下的禁带宽度为3.37eV,自由激子结合能高达60meV,远大于GaN的激子结合能25meV和室温热离化能26meV,因此更容易在室温或更高温度下实现激子增益,是一种很有潜力实现高功率半导体激光器件的材料。但是,ZnO走向光电器件应用的关键是实现稳定可靠且低阻的p型ZnO薄膜。ZnO由于存在诸多本征施主缺陷(如Zni,Vo等)和非故意掺杂的H等杂质,通常表现为n型。这些施主缺陷的存在能对掺入的受主杂质产生强烈的自补偿效应,所以难以实现ZnO的P型掺杂。
国际上报道过的可以作为p型ZnO掺杂的有V族元素N,P,As等和I族元素Li,Na等。理论计算表明,I族元素Li作为受主有着最低的离化能,如LiZn受主能级为90meV。但是单掺Li受主杂质会大大提高系统的Madelung能量,使Li在ZnO中的固溶度低。Yamamoto等人认为采用施主-受主共掺杂方法可以减少ZnO中的单极性效应,降低系统的Madelung能量,增加受主元素的活性。考虑Li有较强的极性效应,可选择F这种较强活性的元素作为共掺杂施主。总能量计算表明(T.Yamamoto and H.Katayama-Yoshida,J.Cryst.Growth.214/215(2000)552-555),Li和F的共掺杂在ZnO中占据最近邻位置并形成Li-F-Li复合体,产生的受(施)主能级位于禁带的底(顶)部,这样的能级位置是合适的。而且,Li-F-Li复合体的场被认为是一种短程的偶极子作用,对ZnO中的载流子不会产生大的散射作用,有利于提高载流子的迁移率。因此深入研究Li-F共掺杂的p型ZnO晶体薄膜具有十分重要的意义。脉冲激光沉积法具有沉积参数易控、易保持薄膜与靶成分一致、能实现实时掺杂且生长的薄膜质量好等优点,但是到目前为止还没有用这种方法进行过Li-F共掺杂的p型ZnO晶体薄膜的生长。
发明内容
本发明的目的是克服目前p型ZnO掺杂所存在的不足,提供Li-F共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法。
本发明的Li-F共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法,采用的是脉冲激光沉积法,其步骤如下:
1)称量纯氧化锌、纯氟化锌和纯碳酸锂粉末,其中氟化锌的摩尔含量为0.15%,碳酸锂的摩尔含量为0.3或0.45%,经球磨混合后压制成型,然后在800~1060℃烧结3小时以上,制得靶材。
2)将清洗后的衬底放入脉冲激光沉积装置的生长室中,靶材与衬底之间的距离为5cm,生长室背底真空度抽至10-4Pa,然后加热衬底,使衬底温度为300~500℃,以纯O2为生长气氛,控制O2压强5~20Pa,激光频率为3~5Hz,进行生长,生长后的薄膜在10~45Pa的氧气气氛保护下冷却至室温。
上述的衬底可以是硅、蓝宝石、玻璃或石英。所说的氧气纯度为99.99%以上。纯氧化锌、纯氟化锌和纯碳酸锂的纯度分别为99.99%。
本发明通过调节掺Li和F的摩尔含量、衬底温度和生长气氛压强,可以制备出不同掺杂浓度的p型ZnO晶体薄膜,生长的时间由所需的厚度决定。
本发明的优点:
1)可以实现实时掺杂,在ZnO晶体薄膜生长过程中同时实现p型掺杂;
2)掺杂浓度可以通过调节生长温度和靶材中Li和F的摩尔含量来控制;
3)制备的p型薄膜具有良好的电学性能,重复性和稳定性。
附图说明
图1是本发明方法采用的脉冲激光沉积装置示意图,图中:1为激光器;2为生长室;3为靶材;4为衬底;
图2是实施例1的p型ZnO晶体薄膜的x射线衍射(XRD)图谱;
图3是实施例1的p型ZnO晶体薄膜得光学透射谱。
具体实施方式
以下结合具体实例进一步说明本发明。
实施例1
1)取纯度分别为99.99%的氧化锌、氟化锌和碳酸锂粉末,Li摩尔含量为0.6%,F摩尔含量为0.3%,将ZnO、ZnF2和Li2CO3的混合粉末倒入玛瑙球杯中,放在球磨机上进行球磨,球磨的时间为24个小时。球磨的目的有两个:首先是为了将ZnO、ZnF2和Li2CO3粉末混合均匀,以保证制备出来的靶材的均匀性;其次,是为了将ZnO、ZnF2和Li2CO3粉末细化,以利于随后混合粉末的成型和烧结。
球磨结束后,将粉末压制成厚度为3mm,直径为50mm的圆片。先在600℃预烧1小时,然后在1060℃烧结3小时,得到靶材。
2)以玻璃为衬底,将衬底表面清洗后放入脉冲激光沉积装置的生长室中,生长室背底真空度抽至10-4Pa,然后加热衬底,使衬底温度为300℃,以掺ZnF2和Li2O的ZnO为靶材,调整衬底和靶材的距离为5cm,以纯O2(纯度99.99%)为生长气氛,控制O2压强5Pa,激光频率为5Hz,激光工作电压为27.1KV下开始沉积生长,生长的时间为45min。生长后在45Pa氧气保护气氛下500℃退火10分钟,之后缓慢冷却,得到Li-F共掺杂p型ZnO晶体薄膜。其x射线衍射(XRD)图谱见图2,光学透射谱见图3。
制得的Li-F共掺杂p型ZnO晶体薄膜在室温下有优异的电学性能:电阻率为71.51Ω·cm,迁移率为0.576cm2V-1s-1,空穴浓度为1.51×1017cm-3。并且放置数月后薄膜的电学性能没有明显变化。
实施例2
1)取纯度分别为99.99%的氧化锌、氟化锌和碳酸锂粉末,Li摩尔含量为0.9%,F摩尔含量为0.3%,将ZnO、ZnF2和Li2CO3的混合粉末倒入玛瑙球杯中,放在球磨机上进行球磨,球磨的时间为24个小时。球磨的目的有两个:首先是为了将ZnO、ZnF2和Li2CO3粉末混合均匀,以保证制备出来的靶材的均匀性;其次,是为了将ZnO、ZnF2和Li2CO3粉末细化,以利于随后混合粉末的成型和烧结。
球磨结束后,将粉末压制成厚度为3mm,直径为50mm的圆片。然后在800℃烧结3小时,得到掺ZnF2和Li2O的ZnO陶瓷靶。
2)以玻璃为衬底,将衬底表面清洗后放入脉冲激光沉积装置的生长室中,生长室背底真空度抽至10-4Pa,然后加热衬底,使衬底温度为500℃,以掺ZnF2和Li2O的ZnO为靶材,调整衬底和靶材的距离为5cm,以纯O2(纯度99.99%)为生长气氛,控制O2压强20Pa,激光频率为3Hz,激光工作电压为27.1KV下开始沉积生长,生长的时间为45min。生长后在10Pa氧气保护气氛下冷却,得到Li-F共掺杂p型ZnO晶体薄膜。
制得的Li-F共掺杂p型ZnO晶体薄膜在室温下有优异的电学性能:电阻率为1053Ω·cm,迁移率为1.07cm2V-1s-1,空穴浓度为5.56×1015cm-3。并且放置数月后薄膜的电学性能没有明显变化。
实施例3
1)取纯度分别为99.99%的氧化锌、氟化锌和碳酸锂粉末,Li摩尔含量为0.6%,F摩尔含量为0.3%,将ZnO、ZnF2和Li2CO3的混合粉末倒入玛瑙球杯中,放在球磨机上进行球磨,球磨的时间为24个小时。球磨的目的有两个:首先是 为了将ZnO、ZnF2和Li2CO3粉末混合均匀,以保证制备出来的靶材的均匀性;其次,是为了将ZnO、ZnF2和Li2CO3粉末细化,以利于随后混合粉末的成型和烧结。
球磨结束后,将粉末压制成厚度为3mm,直径为50mm的圆片。先在600℃预烧1小时,然后在1060℃烧结3小时,得到靶材。
2)以石英为衬底,将衬底表面清洗后放入脉冲激光沉积装置的生长室中,生长室背底真空度抽至10-4Pa,然后加热衬底,使衬底温度为450℃,以掺ZnF2和Li2O的ZnO为靶材,调整衬底和靶材的距离为5cm,以纯O2(纯度99.99%)为生长气氛,控制O2压强15Pa,激光频率为3Hz,激光工作电压为27.1KV下开始沉积生长,生长的时间为50min。生长后在30Pa氧气保护气氛下冷却,得到Li-F共掺杂p型ZnO晶体薄膜。
制得的Li-F共掺杂p型ZnO晶体薄膜在室温下有优异的电学性能:电阻率为595.1Ω·cm,迁移率为0.388cm2V-1s-1,空穴浓度为2.70×1016cm-3。并且放置数月后薄膜的电学性能没有明显变化。
Claims (4)
1.Li-F共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法,其特征是采用脉冲激光沉积法,包括如下步骤:
1)称量纯氧化锌、纯氟化锌和纯碳酸锂粉末,其中氟化锌的摩尔含量为0.15%,碳酸锂的摩尔含量为0.3或0.45%,经球磨混合后压制成型,然后在800~1060℃烧结3小时以上,制得靶材。
2)将清洗后的衬底放入脉冲激光沉积装置的生长室中,靶材与衬底之间的距离为5cm,生长室背底真空度抽至10-4Pa,然后加热衬底,使衬底温度为300~500℃,以纯O2为生长气氛,控制O2压强5~20Pa,激光频率为3~5Hz,进行生长,生长后的薄膜在10~45Pa的氧气气氛保护下冷却至室温。
2.根据权利要求1所述的Li-F共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法,其特征是所说的衬底是硅、蓝宝石、玻璃或石英。
3.根据权利要求1所述的Li-F共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法,其特征是纯O2的纯度为99.99%以上。
4.根据权利要求1所述的Li-F共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法,其特征是纯氧化锌、纯氟化锌和纯碳酸锂的纯度均为99.99%。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010101458803A CN101824597B (zh) | 2010-04-13 | 2010-04-13 | 一种Li-F共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010101458803A CN101824597B (zh) | 2010-04-13 | 2010-04-13 | 一种Li-F共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101824597A CN101824597A (zh) | 2010-09-08 |
CN101824597B true CN101824597B (zh) | 2011-07-20 |
Family
ID=42688759
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2010101458803A Expired - Fee Related CN101824597B (zh) | 2010-04-13 | 2010-04-13 | 一种Li-F共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101824597B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102976392B (zh) * | 2012-12-21 | 2015-01-07 | 苏州大学 | 一种CaF2掺杂的纳米ZnO及其制备方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101603199A (zh) * | 2009-06-11 | 2009-12-16 | 浙江大学 | Li、Na共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8105714B2 (en) * | 2004-10-29 | 2012-01-31 | Medtronic, Inc. | Lithium-ion battery |
-
2010
- 2010-04-13 CN CN2010101458803A patent/CN101824597B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101603199A (zh) * | 2009-06-11 | 2009-12-16 | 浙江大学 | Li、Na共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
K.Kobayashi et al.Shallow Li-acceptor levels in ZnO films codoped with Li and F atoms.《PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS》.2008,第5卷(第9期),第3122-3124页. * |
王华等.p型透明导电材料及器件应用研究进展.《激光与光电子学进展》.2009,第40-47页. * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101824597A (zh) | 2010-09-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100432302C (zh) | Sb掺杂的p型ZnO晶体薄膜的制备方法 | |
CN100582321C (zh) | Na掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法 | |
CN104835869B (zh) | 铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
CN101368288B (zh) | 一种p型ZnO薄膜制造方法 | |
CN106449993B (zh) | 采用钙钛矿作为光吸收层的n型hemt器件及其制备方法 | |
KR101542343B1 (ko) | 박막 태양전지 및 이의 제조방법 | |
CN101603199A (zh) | Li、Na共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法 | |
CN102796988B (zh) | 一种溅射法制备高度取向的CuInS2外延薄膜的方法 | |
CN102212780B (zh) | p型硫化镉薄膜的制备方法 | |
CN101824597B (zh) | 一种Li-F共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法 | |
CN102534767B (zh) | Na掺杂生长p型ZnO单晶薄膜的方法 | |
CN100406620C (zh) | Li掺杂的p-Zn1-xMgxO晶体薄膜及其制备方法 | |
CN102181829B (zh) | K-H共掺制备p型氧化锌薄膜的方法 | |
CN100537855C (zh) | Sb掺杂生长p型Zn1-xMgxO晶体薄膜的方法 | |
CN103060757A (zh) | Li掺杂生长p型透明导电Ni1-xMgxO晶体薄膜的方法 | |
CN102162131A (zh) | Ag掺杂生长p型ZnMgO晶体薄膜的方法 | |
CN106449812B (zh) | 溅射锡靶和硫化铜靶制备铜锡硫薄膜电池的方法 | |
CN107988629A (zh) | 一种低电阻率p型氧化亚铜外延薄膜的制备方法 | |
CN103031597A (zh) | Na-Be共掺生长p-ZnO薄膜的方法 | |
CN103103479B (zh) | 一种硫氮共掺杂制备p型氧化锌薄膜的方法 | |
CN101235483A (zh) | 利用直流反应磁控溅射制备p-ZnMgO薄膜的方法 | |
CN112210755A (zh) | p型透明导电SnO2半导体薄膜及其制备方法和应用 | |
CN114214720B (zh) | 二价金属离子掺杂的β-三氧化二镓晶体生长的助熔剂及基于该类助熔剂的晶体生长方法 | |
CN103066171B (zh) | 一种Zn1-xMgxO基异质结及其制备方法 | |
CN101818324A (zh) | 柔性衬底生长n型ZnMgO:Ga透明导电薄膜的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110720 Termination date: 20190413 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |