CN101808474B - 线路板及其制作工艺 - Google Patents

Abstract

一种线路板的制作工艺。首先，提供一具有一第一表面与至少一第一线路的第一介电层。接着，形成一具有一第二表面的第二介电层于第一介电层上。对第二表面照射一第一激光束，以形成至少一从第二表面延伸至第一线路的盲孔。对第二表面照射一第二激光束，以形成一第二凹刻图案。以喷印的方式形成一第一催化层于第二介电层的部分第二表面上。之后，形成一图案化线路层于第二介电层。图案化线路层包括位于第一催化层上的至少一第二线路、位于第二凹刻图案内的至少一第三线路以及位于盲孔中的一连接线路。第二线路或第三线路由连接线路电性连接至第一线路。第三线路的线宽小于第二线路的线宽。

Description

线路板及其制作工艺

技术领域

本发明是有关于一种线路板(circuit board)及其制作工艺，且特别是有关于一种在同一线路层中具有内埋式线路与非内埋式线路的线路板及其制作工艺。

背景技术

现今的线路板技术已从一般常见的非内埋式线路板发展为内埋式线路板(embedded circuit board)。详细而言，一般常见的非内埋式线路板的特征在于其线路是突出于介电层的表面上，而内埋式线路板的特征在于其线路是内埋于介电层中。目前，线路板的线路结构通常都是通过光刻与蚀刻工艺或激光烧蚀方式分别所形成。有关上述形成线路板的线路结构的方法，请参考图1A至图1E、图2A至图2C以及以下的说明。

图1A至图1E为已知一线路板的线路结构工艺的剖面示意图。请先参考图1A，依照已知的线路板的线路结构工艺，首先，提供一介电层12，其中介电层12具有一表面12a。接着，请参考图1B，于介电层12的表面12a上形成一金属层14。接着，请参考图1C，形成一图案化掩膜16于金属层14上。接着，请同时参考图1C与图1D，以图案化掩膜16为蚀刻掩膜，蚀刻部分暴露于图案化掩膜16的外的金属层14，而形成一一般线路图案14a与一微细线路图案14b。之后，移除图案化掩膜16，以暴露出一般线路图案14a与微细线图案14b。至此，线路板的线路结构10已大致完成。

由于已知的线路板的线路结构10是利用光刻与蚀刻工艺，以同时于一线路层中形成一般线路图案14a与微细线图案14b，其中微细线路图案14b的线路14b’的线宽小于一般线路图案14a的线路14a’的线宽。然而，微细线路图案14b的线路14b’受限于蚀刻的工艺能力，造成已知蚀刻工艺无法稳定地控制蚀刻变异性(蚀刻液对金属层14与介电层12表面残铜的蚀刻程度)，因此已知技术制作出的微细线路图案14b的线路14b’的线宽工艺公差较大，也就是说，蚀刻工艺无法精确地控制微细线路图案14b的线路14b’的线宽。换言之，已知的线路板的线路结构10利用光刻与蚀刻工艺，无法在同一介电层12的表面12a上制作出一般线路图案14a与较精确的微细线路图案14b。

图2A至图2C为已知一内埋式线路板的线路结构的工艺的剖面示意图。请先参考图2A，依照已知的内埋式线路板的线路结构的工艺，首先，提供一介电层22，其中介电层22具有一表面22a。接着，请参考图2B，于介电层22的表面22a照射一激光束L，以形成一第一凹刻图案22b与一第二凹刻图案22c。之后，请参考图2C，形成一一般线路图案24a于第一凹刻图案22b内以及形成一微细线路图案24b于第二凹刻图案22c内。至此，内埋式线路板的线路结构20已大致完成。

已知的线路板的线路结构20是利用激光绕走烧蚀的方式，以同时于一线路层形成一般线路图案24a与微细线图案24b，其中一般线路图案24a的线路24a’的线宽大于微细线路图案24b的线路24b’的线宽，也就是说，第一凹刻图案22b需由激光束L绕走烧蚀较大面积的介电层22来形成一般线路图案24a的线路24a’所需的线宽。然而，激光绕走烧蚀较大面积时，需耗费较多的激光能量与较多的时间，另连续激光绕走烧蚀下，激光输出能量的稳度控制或激光束的景深控制，皆有可能容易造成第一凹刻图案22b的底面有平整度不均的风险。换言之，激光绕走烧蚀的方式不适于制作内埋式线路板的线路结构20的大面积一般线路图案24a，除了需消耗较多的时间外，也有线路品质不稳定的风险。

发明内容

本发明提供一种线路板及其制作工艺，尤其是一种在同一线路层中具有内埋式线路与非内埋式线路的线路板及其制作工艺。

本发明提出一种线路板的制作工艺。首先，提供一第一介电层。第一介电层具有一第一表面与至少一第一线路。接着，形成一第二介电层于第一介电层上。第二介电层具有一第二表面，且第二介电层覆盖第一表面与第一线路。接着，对第二介电层的第二表面照射一第一激光束，以形成至少一从第二介电层的第二表面延伸至第一线路的盲孔。接着，对第二介电层的第二表面照射一第二激光束，以形成一第二凹刻图案，其中第二凹刻图案与盲孔相连接。以喷印的方式形成一第一催化层于第二介电层的部分第二表面上。之后，形成一图案化线路层于第二介电层。图案化线路层包括位于第一催化层上的至少一第二线路、位于第二凹刻图案内的至少一第三线路以及位于盲孔中的一连接线路，其中第二线路或第三线路由连接线路电性连接至第一线路，且第三线路的线宽小于第二线路的线宽。

在本发明的一实施例中，上述的第一介电层还具有一位于第一表面的第一凹刻图案，且第一线路位于第一凹刻图案内。

在本发明的一实施例中，上述的第一线路位于第一介电层的第一表面上。

在本发明的一实施例中，上述的第二介电层的材质包括一高分子聚合物。

在本发明的一实施例中，上述的高分子聚合物是为选自于由环氧树脂、改质的环氧树脂、聚酯(Polyester)、丙烯酸酯、氟素聚合物(Fluoro-polymer)、聚亚苯基氧化物(Polyphenylene Oxide)、聚酰亚胺(Polyimide)、酚醛树脂(Phenolicresin)、聚砜(Polysulfone)、硅素聚合物(Silicone polymer)、BT树脂(Bismaleimide Triazine ModifiedEpoxy(BT Resin))、氰酸聚酯(Cyanate Ester)、聚乙烯(Polyethylene)、聚碳酸酯树脂(polycarbonate，PC)、丙烯-丁二烯-苯乙烯共聚合物(acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer，ABS copolymer)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyl ene terephthalate，PET)树脂、聚对苯二甲酸丁二酯(polybutylene terephthalate，PBT)树脂、液晶高分子(liquidcrystal polymers，LCP)、聚酰胺6(polyamide 6，PA 6)、尼龙(Nylon)、共聚聚甲醛(polyoxymethylene，POM)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide，PPS)及环状烯烃共聚高分子(cyclic olefin copolymer，COC)所组成的群组。

在本发明的一实施例中，上述的以喷印的方式形成第一催化层的步骤之前，还包括于第二介电层的部分第二表面上形成一自组装薄膜层。

在本发明的一实施例中，上述的自组装薄膜层的材质包括具有末端官能基HS-R-SO3-、HS-R-COOH或HS-R-OH的硫醇分子，其中R为含有C、H线性烃类有机分子。

在本发明的一实施例中，上述的第二介电层包括多颗触媒颗粒，而在第二介电层形成盲孔的同时以及在第二介电层的第二表面上形成第二凹刻图案的同时，还包括活化部分的这些触媒颗粒，以形成一活化层。

在本发明的一实施例中，上述的这些触媒颗粒包括多个纳米金属颗粒。

在本发明的一实施例中，上述的这些触媒颗粒的材质包括金属配位化合物。

在本发明的一实施例中，上述的这些金属配位化合物的材质包括金属氧化物、金属氮化物、金属错合物或金属螯合物。

在本发明的一实施例中，上述的这些金属配位化合物的材质为选自于由锌(Zn，Zinc)、铜(Cu，Copper)、银(Ag，Silver)、金(Au，Gold)、镍(Ni，Nickel)、钯(Pd，Palladium)、铂(Pt，Platinum)、铝(Al，Aluminum)、钴(Co，Cobalt)、铑(Rh，Rhodium)、铱(Ir，Iridium)、铁(Fe，Iron)、锰(Mn，Manganese)、铬(Cr，Chromium)、钼(Mo，molybdenum)、钨(W，Wolfram)、钒(V，Vanadium)、钽(Ta，Tantalum)、铟(In，Indium)以及钛(Ti，Titanium)所组成的群组。

在本发明的一实施例中，上述的以喷印形成第一催化层步骤之前，还包括于盲孔的内壁以及第二介电层的部分第二表面上形成一自组装薄膜层。

在本发明的一实施例中，上述的自组装薄膜层的材质包括具有末端官能基HS-R-SO3-、HS-R-COOH或HS-R-OH的硫醇分子，其中R为含有C、H线性烃类有机分子。

在本发明的一实施例中，上述的以喷印的方式形成第一催化层于第二介电层的部分第二表面上的同时，还包括以喷印的方式形成一第二催化层于盲孔的孔璧内，且第二催化层与第一催化层实质上相切或部分重叠。

在本发明的一实施例中，上述的第二介电层包括多颗触媒颗粒，而在第二介电层的第二表面上形成第二凹刻图案的同时，还包括活化部分的这些触媒颗粒，以形成一活化层。

在本发明的一实施例中，上述的第一催化层的材质与第二催化层的材质皆是选自由锌、铜、银、金、镍、钯、铂、铝、钴、铑、铱、铁、锰、铬、钼、钨、钒、钽、铟以及钛所组成的群组。

在本发明的一实施例中，上述的图案化线路层的材质包括铜、银、锡、铝、镍或金。

在本发明的一实施例中，上述的图案化线路层的材料为导电膏。

本发明提出一种线路板，其包括一第一介电层、一第二介电层、一第一催化层以及一图案化线路层。第一介电层具有一第一表面与至少一第一线路。第二介电层配置于第一介电层上且覆盖第一表面与第一线路。第二介电层具有一第二表面、至少一从第二表面延伸至第一线路的盲孔以及一第二凹刻图案，其中第二凹刻图案与盲孔相连接。第一催化层，配置于第二介电层的部分第二表面上。图案化线路层具有至少一第二线路、至少一第三线路以及一连接线路。第二线路配置于第一催化层上。第三线路配置于第二凹刻图案内。连接线路配置于盲孔中。第二线路或第三线路由连接线路电性连接至第一线路，且第三线路的线宽小于第二线路的线宽。

在本发明的一实施例中，上述的第一介电层还具有一配置于第一表面的第一凹刻图案，且第一线路配置于第一凹刻图案内。

在本发明的一实施例中，上述的第一线路配置于第一介电层的第一表面上。

在本发明的一实施例中，上述的第二介电层的材质包括一高分子聚合物。

在本发明的一实施例中，上述的高分子聚合物是为选自于由环氧树脂、改质的环氧树脂、聚酯、丙烯酸酯、氟素聚合物、聚亚苯基氧化物、聚酰亚胺、酚醛树脂、聚砜、硅素聚合物、BT树脂、氰酸聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯树脂、丙烯-丁二烯-苯乙烯共聚合物、聚对苯二甲酸乙二酯树脂、聚对苯二甲酸丁二酯树脂、液晶高分子、聚酰胺6、尼龙、共聚聚甲醛、聚苯硫醚及环状烯烃共聚高分子所组成的群组。

在本发明的一实施例中，上述的线路板还包一自组装薄膜层，其中自组装薄膜层配置于第二介电层的部分第二表面上与第一催化层之间。

在本发明的一实施例中，上述的自组装薄膜层的材质包括具有末端官能基HS-R-SO3-、HS-R-COOH或HS-R-OH的硫醇分子，其中R为含有C、H线性烃类有机分子。

在本发明的一实施例中，上述的第二介电层包括多颗触媒颗粒，线路板还包括一活化层，其中活化层是由这些触媒颗粒经活化后所形成，且活化层配置于第二介电层的第二凹刻图案内与图案化线路层的第三线路之间以及盲孔的内壁与连接线路之间，活化层与第一催化层交界实质上相切或部分重叠。

在本发明的一实施例中，上述的线路板还包一第二催化层与一自组装薄膜层，其中第二催化层配置于盲孔的内壁与图案化线路层的连接线路之间，且第二催化层与第一催化层实质上相切或部分重叠。自组装薄膜层配置于第二介电层的部分第二表面上与第一催化层之间以及盲孔内壁与第二催化层之间。

在本发明的一实施例中，上述的自组装薄膜层的材质包括具有末端官能基HS-R-SO3-、HS-R-COOH或HS-R-OH的硫醇分子，其中R为含有C、H线性烃类有机分子。

在本发明的一实施例中，上述的第一催化层的材质与第二催化层的材质皆是选自由锌、铜、银、金、镍、钯、铂、铝、钴、铑、铱、铁、锰、铬、钼、钨、钒、钽、铟以及钛所组成的群组。

在本发明的一实施例中，上述的图案化线路层的材质包括铜、银、锡、铝、镍或金。

在本发明的一实施例中，上述的图案化线路层的材料为导电膏。

基于上述，本发明先采用激光烧蚀技术于第二介电层上形成第二凹刻图案，接着，采用喷印先形成催化层后，再形成图案化线路层来制作突出于第二介电层的第二线路(例如是一般线路)以及位于第二凹刻图案内的第三线路(例如是微细线路)，以分别形成微细线路与一般线路。

附图说明

为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下，其中：

图1A至图1E为已知一线路板的线路结构工艺的剖面示意图。

图2A至图2C为已知一内埋式线路板的线路结构的工艺的剖面示意图。

图3为本发明的一实施例的一种线路板的剖面示意图。

图4A至图4F是图3的线路板的制作工艺的剖面示意图。

图5为本发明的一实施例的一种线路板的剖面示意图。

图6A至图6F是图5的线路板的制作工艺的剖面示意图。

具体实施方式

图3为本发明的一实施例的一种线路板的剖面示意图。请参考图3，在本实施例中，线路板100包括一第一介电层110、一第二介电层120以及一图案化线路层130。值得一提的是，线路板100的结构可以仅具有单一线路层，或是具有多层线路层。也就是说，线路板100可以是单层线路板(single layer circuit board)、双层线路板(double layer circuitboard)或多层线路板(multi-layer circuit board)。在本实施例中，图3仅以线路板100为一增层线路板进行说明。

详细而言，第一介电层110具有一第一表面112、一第一凹刻图案114与至少一第一线路116(图3中仅示意地绘示两个)。这些第一线路116配置于第一介电层110的第一凹刻图案114内，且这些第一线路116与第一介电层110的第一表面112实质上切齐，换言之，这些第一线路116基本上可算是一种内埋式线路。

在此必须说明的是，在图3所示的实施例中，第一介电层110虽然具有第一凹刻图案114，且这些第一线路116配置于第一介电层110的第一凹刻图案114内，但在其它未绘示的实施例中，第一介电层110亦可不具有第一凹刻图案114，且这些第一线路116是直接位于第一介电层110的第一表面112。换言之，这些位于第一表面112的第一线路116可算是一种一般线路(即非内埋式线路)。因此，图3所示的第一介电层110的结构仅为举例说明，并非限定本发明。

第二介电层120配置于第一介电层110上，且覆盖第一介电层110的第一表面112与这些第一线路116。第二介电层120具有一第二表面122、一第二凹刻图案124以及至少一从第二表面122延伸至这些第一线路116的盲孔126(图3中仅示意地绘示一个)，其中第二凹刻图案124与盲孔126相连接。在本实施例中，第二介电层120的材质包括一高分子聚合物，其中高分子聚合物可以是环氧树脂、改质的环氧树脂、聚酯、丙烯酸酯、氟素聚合物、聚亚苯基氧化物、聚酰亚胺、酚醛树脂、聚砜、硅素聚合物、BT树脂、氰酸聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯树脂、丙烯-丁二烯-苯乙烯共聚合物、聚对苯二甲酸乙二酯树脂、聚对苯二甲酸丁二酯树脂、液晶高分子、聚酰胺6、尼龙、共聚聚甲醛、聚苯硫醚、环状烯烃共聚高分子或这些高分子聚合物的任意组合。更值得一提，在本实施例中，前述的第二介电层120可以包括多颗触媒颗粒128，而这些触媒颗粒128可以包括多个纳米金属颗粒，其中黑色的触媒颗粒128代表已活化的触媒颗粒128，白色的触媒颗粒128则代表未活化的触媒颗粒128。这些触媒颗粒128的材质包括多个金属配位化合物，其中配位化合物是指由中心离子(或原子)和几个配体分子(或离子)以配位键相结合而形成的复杂分子或离子，通常称为配位单元，而凡是含有配位单元的化合物都称作配位化合物，简称配合物，也叫络合物。这些金属配位化合物可以包括是金属氧化物、过渡金属氮化物、金属错合物或金属螯合物，其中这些金属配位化合物的材质为选自于由锌、铜、银、金、镍、钯、铂、铝、钴、铑、铱、铁、锰、铬、钼、钨、钒、钽、钛、铟或这些金属的任意组合。

图案化线路层130具有至少一第二线路132(图3中仅示意地绘示两个)、至少一第三线路134(图3中仅示意地绘示三个)以及一连接线路136，其中图案化线路层130的材质包括铜、银、锡、铝、镍或金，但不以此为限。于其它实施例中，图案化线路层130的材料亦可以是导电膏，其中导电膏包括铜膏、银膏、碳膏、纳米银或导电高分子材料。

详细而言，这些第二线路132配置于第二介电层120的部分第二表面122上，也就是说，这些第二线路132突出于第二介电层120的第二表面122，此为一般常见的非内埋式线路。这些第三线路134配置于第二介电层120的第二凹刻图案124内，且这些第三线路134与第二介电层120的第二表面122实质上切齐，换言之，这些第三线路134基本上可算是一种内埋式线路。连接线路136配置于盲孔126中，且这些第二线路132之一与这些第三线路134之一可由连接线路136电性连接至这些第一线路116之一。当然，在其它未绘示的实施例中，连接线路136亦可以只连接这些第二线路132之一或这些第三线路134之一，也就是说，这些第二线路132或这些第三线路134可由连接线路136电性连接至这些第一线路116。

特别是，在本实施例中，这些第三线路134的线宽分别小于这些第二线路132的线宽，也就是说，这些第二线路132相对于这些第三线路134而言，可视为一般线路，这些第三线路134相对于这些第二线路132而言，可视为微细线路。举例而言，在本实施例中，这些第三线路134的线宽例如小于50微米(μm)，而这些第三线路134的线宽分别小于这些第二线路132的线宽，换言之，这些第二线路132的线宽为50微米(μm)以上。

此外，线路板100还包括一活化层140、一第一催化层152以及一第二催化层154。在本实施例中，活化层140是由这些触媒颗粒128活化后所形成，且此活化层140配置于第二介电层120的第二凹刻图案内124与图案化线路层130的这些第三线路134之间。第一催化层152配置于第二介电层120的部分第二表面122上与图案化线路层130的这些第二线路132之间。第二催化层154配置于盲孔126的内壁与图案化线路层130的连接线路136之间。第一催化层152与第二催化层154实质上相切，且第二催化层154与形成于相连至第二凹刻图案124内的活化层140交界实质上相切。当然，于其它实施例中，第一催化层152与第二催化层154亦可以同时形成，且第二催化层154与形成于相连至第二凹刻图案124内的活化层140交界亦可实质上部分重叠，仍属于本发明可采用的技术方案，不脱离本发明所欲保护的范围。另外，第一催化层152的材质组成与第二催化层154的材质组成皆可以是选自由锌、铜、银、金、镍、钯、铂、铝、钴、铑、铱、铁、锰、铬、钼、钨、钒、钽、铟、钛或这些金属的任意组合。

值的一提的是，在其它实施例中，线路板100还可包括一配置于盲孔126的内壁与第二催化层154之间以及第二介电层120的部分第二表面122与第一催化层152之间的自组装薄膜层，其中自组装薄膜层(Self-Assembly Membrane，SAM)是为一种“多种化合物选择性吸附于一基板表面上，并形成具方向性的且高品质紧密的多层膜”，其分子的自组成主要是水溶液中的低浓度带有特殊官能基(例如氢键)或相对电荷的非離子性高分子或阳離子高分子或阴離子高分子以自发性层狀(layer-to-layer)地化学吸附于物质表面上。此外，自组装薄膜层的材质例如为具有末端官能基HS-R-SO3-、HS-R-COOH或HS-R-OH的硫醇分子，其中R为含有C、H线性烃类有机分子，所以这些选择性吸附的聚高分子会形成一双层(bi-layer)的结构进而形成多层(multiplayer)的自组成结构。

简言之，本实施例的线路板100，在图案化线路层130中具有突出于第二介电层120的第二表面122的这些第二线路132以及内埋于第二介电层120的第二凹刻图案124内的这些第三线路134，且这些第三线路134的线宽分别小于这些第二线路132的线宽。如此，本发明的线路板100于同一线路层中具有内埋式的微细线路与非内埋式的一般线路。

此外，这些第二线路132之一或这些第三线路134之一分别由盲孔126中的连接线路136电性连接至第一介电层110的这些第一线路116之一，换言之，第二介电层120的这些第二线路132或这些第三线路134可分别通过连接线路136与第一介电层110的这些第一线路116电性连接。当然，在其它实施例中，第二线路132或第三线路134亦可以不通过盲孔126中的连接线路136而直接连接第一线路116。因此，图3中所示的第一线路116、第二线路132、第三线路134及连接线路136的连接关系仅为举例说明，本发明并不以此为限。

以上仅介绍本发明的线路板100的结构，并未介绍本发明的线路板100的工艺。对此，以下将以图3中的线路板100的结构作为举例说明，并配合图4A至图4F对本发明的线路板100的制作工艺进行详细的说明。

图4A至图4F是图3的线路板的制作工艺的剖面示意图。请先参考图4A，依照本实施例的线路板100的工艺，首先，提供一第一介电层110。第一介电层110具有一第一表面112、一第一凹刻图案114与至少一第一线路116(图4A中仅示意地绘示两个)，其中这些第一线路116位于第一凹刻图案114内，且这些第一线路116与第一介电层110的第一表面112实质上切齐，换言之，这些第一线路116基本上可算是一种内埋式线路。在此必须说明的是，在其它实施例中，第一介电层110亦可不具有第一凹刻图案114，且这些第一线路116是直接位于第一介电层110的第一表面112。换言之，这些位于第一表面112的第一线路116可算是一种一般线路(即非内埋式线路)。因此，图4A所示的第一介电层110的结构仅为举例说明，并非限定本发明。

接着，请参考图4B，形成一第二介电层120于第一介电层110上，其中第二介电层120覆盖第一表面112与这些第一线路116。详细而言，第二介电层120具有一第二表面122，且第二介电层120包括多颗触媒颗粒128，而这些触媒颗粒128包括多个纳米金属颗粒。这些触媒颗粒128的材质包括金属配位化合物，其中金属配位化合物的材质可以包括金属氧化物、金属氮化物、金属错合物或金属螯合物，且这些金属配位化合物的材质为选自于由锌、铜、银、金、镍、钯、铂、铝、钴、铑、铱、铁、锰、铬、钼、钨、钒、钽、铟以及钛所组成的群组。

进一步而言，这些触媒颗粒128例如是多个金属氧化物颗粒、多个金属氮化物颗粒、多个金属错合物颗粒、多个金属螯合物颗粒或多个金属颗粒，且这些触媒颗粒128的材质可以包括锌、铜、银、金、镍、钯、铂、铝、钴、铑、铱、铁、锰、铬、钼、钨、钒、钽、铟或钛，或是这些金属的任意组合。也就是说，这些触媒颗粒128内的金属原子可以是锌、铜、银、金、镍、钯、铂、铝、钴、铑、铱、铁、锰、铬、钼、钨、钒、钽、铟或钛，且这些触媒颗粒128可以包括这些金属原子的任意结合。举例而言，这些触媒颗粒128例如是氧化铜、钴钼双金属氮化物(Co₂Mo₃N_x)颗粒或钯金属颗粒。

接着，请参考图4C，对第二介电层120的第二表面122照射一第一激光束L1，以形成至少一从第二介电层120的第二表面122延伸至这些第一线路116的盲孔126(图4C中仅示意地绘示一个)，其中盲孔126暴露出位于第一介电层110的第一凹刻图案114内的部分第一线路116，第一激光束L1包括使用红外线激光光源、紫外线激光光源、远红外线激光光源或准分子激光光源。在本实施例中，第一激光束L1例如为二氧化碳激光光源(红外线激光光源)。

接着，请参考图4D，对第二介电层120的第二表面122照射一第二激光束L2，以形成一第二凹刻图案124，其中第二凹刻图案124与盲孔126相连接，第二激光束L2包括使用红外线激光光源、紫外线激光光源、远红外线激光光源或准分子激光光源。特别是，在本实施例中，由于第二激光束L2是使用紫外线激光光源，因此当第二激光束L2烧蚀具有这些触媒颗粒128的第二介电层120时，在第二介电层120的第二表面122上形成第二凹刻图案124的同时，一些触媒颗粒128会活化并裸露于第二凹刻图案124内，而形成一活化层140。图4D中的这些触媒颗粒128会以黑色或白色来表示触媒颗粒128是否被活化。黑色的触媒颗粒128代表已活化的触媒颗粒128(即活化层140)，而白色的触媒颗粒128则代表未活化的触媒颗粒128。

接着，请参考图4E，以喷印的方式形成一第一催化层152于第二介电层120的部分第二表面122上以及形成一第二催化层154于盲孔126的内壁、暴露于第一凹刻图案114内的部分第一线路116，其中第一催化层152与第二催化层154可同时形成，且第二催化层154与形成于相连至第二凹刻图案124内的活化层140交界实质上相切或部分重叠。之后，请参考图4F，于第一催化层152、第二催化层154以及活化层140上形成图案化线路层130，其中形成图案化线路层130的方式例如是无电电镀法或电镀法。

此外，本实施例中所形成的第一催化层152的材质与第二催化层154的材质皆可以包括锌、铜、银、金、镍、钯、铂、铝、钴、铑、铱、铁、锰、铬、钼、钨、钒、钽、铟或钛，或是这些金属的任意组合。另外，在其它未绘示的实施例中，以喷印的方式形成第催化层152与第二催化层154的步骤之前，还包括可以形成一自组装薄膜层于盲孔126的内壁以及第二介电层120的部分第二表面122上，其中自组装薄膜层的材质包括具有末端官能基HS-R-SO3-、HS-R-COOH或HS-R-OH的硫醇分子，其中R为含有C、H线性烃类有机分子。

具体而言，本实施例中所形成的图案化线路层130包括位于部分第二表面122上的这些第二线路132、位于第二凹刻图案124内的这些第三线路134以及位于盲孔126中的连接线路136，其中这些第二线路132之一或这些第三线路134之一分别由连接线路136电性连接至这些第一线路116之一，且这些第三线路134的线宽分别小于这些第二线路132的线宽。举例而言，本实施例的这些第二线路132的线宽例如为50微米(μm)以上，而这些第三线路134的线宽分别小于这些第二线路132的线宽，换言之，这些第三线路134的线宽例如为小于50微米(μm)。另外，由于在本实施例中可直接由无电电镀法于第一催化层152、第二催化层154以及活化层140上形成图案化线路层130，因此可缩短这些第二线路132与第三线路134的工艺时间。至此，线路板100已大致完成。

在此必须说明的是，本发明的线路板100的工艺是先形成盲孔126后，再形成第二凹刻图案124，但不以为限。于其它实施例中，亦可以改变形成盲孔126与第二凹刻图案124的顺序，也就是说，先形成第二凹刻图案124之后，再形成连接第一线路116的盲孔126。之后，其余的步骤皆类似本发明上述实施例的方式。

简言之，本实施例的线路板100是采用激光束以及喷印的方式来制作，线路板100先利用第一激光束L1于第二表面122形成连通这些第一线路116之一的盲孔126，接着利用第二激光束L2于第二表面形成第二凹刻图案114与活化层140，之后，以喷印的方式于第二介电层120的部分第二表面122上形成的第一催化层152以及盲孔126的内壁、暴露于第一凹刻图案114内的部分第一线路116形成第二催化层154，最后，于第一催化层152、第二催化层154与活化层140上形成图案化线路层130。如此，本实施例即构成具有内埋于第二介电层120的这些第三线路134与突出于第二介电层120的这些第二线路132的线路板100。由于本实施例采用不同的工艺技术的优势来形成这些第二线路132与这些第三线路134，因此于制作的过程中，可以有效地缩短工艺时间。

图5为本发明的一实施例的一种线路板的剖面示意图。请参考图5，在本实施例中，线路板200包括一第一介电层210、一第二介电层220以及一图案化线路层230。值得一提的是，线路板200的结构可以仅具有单一线路层，或是具有多层线路层。在本实施例中，图5仅以线路板200为一增层线路板进行说明。

详细而言，第一介电层210具有一第一表面212、一第一凹刻图案214与至少一第一线路216(图5中仅示意地绘示两个)。这些第一线路216配置于第一介电层210的第一凹刻图案214内，且这些第一线路216与第一介电层210的第一表面212实质上切齐，换言之，这些第一线路216基本上可算是一种内埋式线路。

在此必须说明的是，在图5所示的实施例中，第一介电层210虽然具有第一凹刻图案214，且这些第一线路216配置于第一介电层210的第一凹刻图案214内，但在其它未绘示的实施例中，第一介电层210亦可不具有第一凹刻图案214，且这些第一线路216是直接位于第一介电层210的第一表面212。换言之，这些位于第一表面212的第一线路216可算是一种一般线路(即非内埋式线路)。因此，图5所示的第一介电层210的结构仅为举例说明，并非限定本发明。

第二介电层220配置于第一介电层210上，且覆盖第一介电层210的第一表面212与这些第一线路216。第二介电层220具有一第二表面222、一第二凹刻图案224以及至少一从第二表面222延伸至这些第一线路216的盲孔226(图5中仅示意地绘示一个)，其中第二凹刻图案224与盲孔226相连接。在本实施例中，第二介电层220的材质包括一高分子聚合物，且亦可以包括多颗触媒颗粒228，请参考图3的实施例所述的第二介电层120的材质以及关于这些多颗触媒颗粒的说明，在此不另赘述。

图案化线路层230具有至少一第二线路232(图5中仅示意地绘示两个)、至少一第三线路234(图5中仅示意地绘示三个)以及一连接线路236，其中图案化线路层230的材质包括铜、银、锡、铝、镍或金，但不以此为限。于其它实施例中，图案化线路层230的材料亦可以是导电膏，其中导电膏包括铜膏、银膏、碳膏、纳米银或导电高分子材料。

详细而言，这些第二线路232配置于第二介电层220的部分第二表面222上，也就是说，这些第二线路232突出于第二介电层220的第二表面222，此为一般常见的非内埋式线路。这些第三线路234配置于第二介电层220的第二凹刻图案224内，且这些第三线路234与第二介电层220的第二表面222实质上切齐，换言之，这些第三线路234基本上可算是一种内埋式线路。连接线路236配置于盲孔226中，且这些第二线路232之一与这些第三线路234之一可由连接线路236电性连接至这些第一线路216之一。当然，在其它未绘示的实施例中，连接线路236亦可以只连接这些第二线路232之一或这些第三线路234之一，也就是说，这些第二线路232或这些第三线路234可由连接线路236电性连接至这些第一线路216。

特别是，在本实施例中，这些第三线路234的线宽分别小于这些第二线路232的线宽，也就是说，这些第二线路232相对于这些第三线路234而言，可视为一般线路，这些第三线路234相对于这些第二线路232而言，可视为微细线路。举例而言，在本实施例中，这些第三线路234的线宽例如小于50微米(μm)，而这些第三线路234的线宽分别小于这些第二线路232的线宽，换言之，这些第二线路232的线宽为50微米(μm)以上。

此外，线路板200还包括一活化层240、一催化层250。在本实施例中，活化层240是由这些触媒颗粒228活化后所形成，且此活化层240配置于第二介电层220的第二凹刻图案内224与图案化线路层230的这些第三线路234之间以及盲孔226的内壁与图案化线路层230的连接线路236之间。催化层250配置于第二介电层220的部分第二表面222上与图案化线路层230的这些第二线路232之间，且催化层250与活化层240交界实质上相切或部分重叠。另外，催化层250的材质组成可以是选自由锌、铜、银、金、镍、钯、铂、铝、钴、铑、铱、铁、锰、铬、钼、钨、钒、钽、铟、钛或这些金属的任意组合。

值的一提的是，在其它实施例中，线路板200更可包括一配置于第二介电层220的部分第二表面222与第一催化层252之间的自组装薄膜层，请参考图3的实施例所述的自组装薄膜层的说明，在此不另赘述。

简言之，本实施例的线路板200，在图案化线路层230中具有突出于第二介电层220的第二表面222的这些第二线路232以及内埋于第二介电层220的第二凹刻图案224内的这些第三线路234，且这些第三线路234的线宽分别小于这些第二线路232的线宽。如此，本发明的线路板200于同一线路层中具有内埋式的微细线路与非内埋式的一般线路。

此外，这些第二线路232之一或这些第三线路234之一分别由盲孔226中的连接线路236电性连接至第一介电层210的这些第一线路216之一，换言之，第二介电层220的这些第二线路232或这些第三线路234可分别通过连接线路236与第一介电层210的这些第一线路216电性连接。当然，在其它实施例中，第二线路232或第三线路234亦可以不通过盲孔226中的连接线路236而直接连接第一线路216。因此，图5中所示的第一线路216、第二线路232、第三线路234及连接线路236的连接关系仅为举例说明，本发明并不以此为限。

以上仅介绍本发明的线路板200的结构，并未介绍本发明的线路板200的工艺。对此，以下将以图5中的线路板200的结构作为举例说明，并配合图6A至图6F对本发明的线路板200的工艺进行详细的说明。

图6A至图6F是图5的线路板的制作工艺的剖面示意图。请先参考图6A，依照本实施例的线路板200的工艺，首先，提供一第一介电层210。第一介电层210具有一第一表面212、一第一凹刻图案214与至少一第一线路216(图6A中仅示意地绘示两个)，其中这些第一线路216位于第一凹刻图案214内，且这些第一线路216与第一介电层210的第一表面212实质上切齐，换言之，这些第一线路216基本上可算是一种内埋式线路。在此必须说明的是，在其它实施例中，第一介电层210亦可不具有第一凹刻图案214，且这些第一线路216是直接位于第一介电层210的第一表面212。换言之，这些位于第一表面212的第一线路216可算是一种一般线路(即非内埋式线路)。因此，图6A所示的第一介电层210的结构仅为举例说明，并非限定本发明。

接着，请参考图6B，形成一第二介电层220于第一介电层210上，其中第二介电层220覆盖第一表面212与这些第一线路216。详细而言，第二介电层220具有一第二表面222，且第二介电层220包括多颗触媒颗粒228，而这些触媒颗粒228包括多个纳米金属颗粒，请参考上述实施例的图4B的纳米金属颗粒的说明，在此不再赘述。

接着，请参考图6C，对第二介电层220的第二表面222照射一第一激光束L1’，以形成至少一从第二介电层220的第二表面222延伸至这些第一线路216的盲孔226(图6C中仅示意地绘示一个)，其中盲孔226暴露出位于第一介电层210的第一凹刻图案214内的部分第一线路216，第一激光束L1’包括使用红外线激光光源、紫外线激光光源、远红外线激光光源或准分子激光光源。

接着，请参考图6D，对第二介电层220的第二表面222照射一第二激光束L2’，以形成一第二凹刻图案224，其中第二凹刻图案224与盲孔226相连接，第二激光束L2’包括使用红外线激光光源、紫外线激光光源、远红外线激光光源或准分子激光光源。特别是，在本实施例中，由于第一激光束L1’与第二激光束L2’例如皆使用紫外线激光光源，因此当第一激光束L1’与第二激光束L2’烧蚀具有这些触媒颗粒228的第二介电层220时，在第二介电层220形成盲孔226的同时以及在第二介电层220的第二表面222上形成第二凹刻图案224的同时，一些触媒颗粒228会活化并裸露于盲孔226以及第二凹刻图案224内，而形成一活化层240。图6D中的这些触媒颗粒228会以黑色或白色来表示触媒颗粒228是否被活化。黑色的触媒颗粒228代表已活化的触媒颗粒228(即活化层240)，而白色的触媒颗粒228则代表未活化的触媒颗粒228。

接着，请参考图6E，以喷印的方式形成一催化层250于第二介电层220的部分第二表面222上，其中催化层250与形成于相连至盲孔226以及第二凹刻图案224内的活化层240交界实质上相切或部分重叠。之后，请参考图6F，于催化层250与活化层240上形成图案化线路层230，其中形成图案化线路层230的方式例如是无电电镀法或电镀法。

此外，本实施例中所形成的催化层250的材质可以包括锌、铜、银、金、镍、钯、铂、铝、钴、铑、铱、铁、锰、铬、钼、钨、钒、钽、铟或钛，或是这些金属的任意组合。另外，在其它未绘示的实施例中，以喷印的方式形成催化层250的步骤之前，还包括可以形成一自组装薄膜层于第二介电层220的部分第二表面222上，其中自组装薄膜层的材质包括具有末端官能基HS-R-SO3-、HS-R-COOH或HS-R-OH的硫醇分子，其中R为含有C、H线性烃类有机分子。

具体而言，本实施例中所形成的图案化线路层230包括位于部分第二表面222上的这些第二线路232、位于第二凹刻图案224内的这些第三线路234以及位于盲孔226中的连接线路236，其中这些第二线路232之一或这些第三线路234之一分别由连接线路236电性连接至这些第一线路216之一，且这些第三线路234的线宽分别小于这些第二线路232的线宽。举例而言，本实施例的这些第二线路232的线宽例如为50微米(μm)以上，而这些第三线路234的线宽分别小于这些第二线路232的线宽，换言之，这些第三线路234的线宽例如为小于50微米(μm)。另外，由于在本实施例中可直接藉由无电电镀法于第一催化层252、第二催化层254以及活化层240上形成图案化线路层230，因此可缩短这些第二线路232与第三线路234的工艺时间。至此，线路板200已大致完成。

在此必须说明的是，本发明的线路板200的工艺是先形成盲孔226后，再形成第二凹刻图案224，但不以为限。于其它实施例中，亦可以改变形成盲孔226与第二凹刻图案224的顺序，也就是说，先形成第二凹刻图案224之后，再形成连接第一线路216的盲孔226。之后，其余的步骤皆类似本发明上述实施例的方式。

简言之，本实施例的线路板200是采用激光束以及喷印的方式来制作，线路板200先利用第一激光束L1’与第二激光束L2’于第二表面222形成连通这些第一线路216之一的盲孔226、第二凹刻图案214与活化层240。之后，以喷印的方式于第二介电层220的部分第二表面222上形成的催化层250。最后，于催化层250与活化层240上形成图案化线路层230。如此，本实施例即构成具有内埋于第二介电层220的这些第三线路234与突出于第二介电层220的这些第二线路232的线路板200。由于本实施例采用不同的工艺技术的优势来形成这些第二线路232与这些第三线路234，因此于工艺的过程中，可以有效地缩短工艺时间。

综上所述，由于本发明采用激光烧蚀以及喷印技术，以于同一线路层中分别形成突出于第二介电层的第二表面的这些第二线路以及内埋于第二介电层的第二凹刻图案内的这些第三线路，且这些第三线路的线宽分别小于这些第二线路的线宽。如此，本发明的线路板即可于同一图案化线路层中具有内埋式的微细线路与非内埋式的一般线路。

虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求范围所界定的为准。

Claims (19)

1.一种线路板的制作工艺，其特征在于，该线路板的制作工艺包括：

提供一第一介电层，该第一介电层具有一第一表面与至少一第一线路；

形成一第二介电层于该第一介电层上，该第二介电层具有一第二表面，且该第二介电层覆盖该第一表面与该第一线路；

对该第二介电层的该第二表面照射一第一激光束，以形成至少一从该第二介电层的该第二表面延伸至该第一线路的盲孔；

对该第二介电层的该第二表面照射一第二激光束，以形成一第二凹刻图案，其中该第二凹刻图案与该盲孔相连接；

以喷印的方式形成一第一催化层于该第二介电层的部分该第二表面上；以及

形成一图案化线路层于该第二介电层，该图案化线路层包括位于该第一催化层上的至少一第二线路、位于该第二凹刻图案内的至少一第三线路以及位于该盲孔中的一连接线路，其中该第二线路或该第三线路由该连接线路电性连接至该第一线路，且该第三线路的线宽小于该第二线路的线宽。

2.如权利要求1所述的线路板的制作工艺，其特征在于，该第一介电层还具有一位于该第一表面的第一凹刻图案，且该第一线路位于该第一凹刻图案内。

3.如权利要求1所述的线路板的制作工艺，其特征在于，该第一线路位于该第一介电层的该第一表面上。

4.如权利要求1所述的线路板的制作工艺，其特征在于，该第二介电层包括一高分子聚合物。

5.如权利要求1所述的线路板的制作工艺，其特征在于，以喷印的方式形成该第一催化层的步骤之前，还包括于该第二介电层的部分该第二表面上形成一自组装薄膜层。

6.如权利要求5所述的线路板的制作工艺，其特征在于，该第二介电层包括多颗触媒颗粒，而在该第二介电层形成该盲孔的同时以及在该第二介电层的该第二表面上形成该第二凹刻图案的同时，还包括活化部分的所述触媒颗粒，以形成一活化层。

7.如权利要求1所述的线路板的制作工艺，其特征在于，以喷印形成该第一催化层步骤之前，还包括于该盲孔的内壁以及该第二介电层的部分该第二表面上形成一自组装薄膜层。

8.如权利要求7所述的线路板的制作工艺，其特征在于，以喷印的方式形成该第一催化层于该第二介电层的部分该第二表面上的同时，还包括以喷印的方式形成一第二催化层于该盲孔的孔璧内，且该第二催化层与该第一催化层相切或部分重叠。

9.如权利要求7所述的线路板的制作工艺，其特征在于，该第二介电层包括多颗触媒颗粒，而在该第二介电层的该第二表面上形成该第二凹刻图案的同时，还包括活化部分的所述触媒颗粒，以形成一活化层。

10.如权利要求1所述的线路板的制作工艺，其特征在于，该图案化线路层的材质包括铜、银、锡、铝、镍或金。

11.如权利要求1所述的线路板的制作工艺，其特征在于，该图案化线路层的材料为导电膏。

12.一种线路板，其特征在于，该线路板包括：

一第一介电层，具有一第一表面与至少一第一线路；

一第二介电层，配置于该第一介电层上且覆盖该第一表面与该第一线路，该第二介电层具有一第二表面、至少一从该第二表面延伸至该第一线路的盲孔以及一第二凹刻图案，其中该第二凹刻图案与该盲孔相连接；

一第一催化层，配置于该第二介电层的部分该第二表面上；以及

一图案化线路层，具有至少一第二线路、至少一第三线路以及一连接线路，该第二线路配置于该第一催化层上，该第三线路配置于该第二凹刻图案内，该连接线路配置于该盲孔中，其中该第二线路或该第三线路由该连接线路电性连接至该第一线路，且该第三线路的线宽小于该第二线路的线宽。

13.如权利要求12所述的线路板，其特征在于，该第一介电层还具有一配置于该第一表面的第一凹刻图案，且该第一线路配置于该第一凹刻图案内。

14.如权利要求12所述的线路板，其特征在于，该第一线路配置于该第一介电层的该第一表面上。

15.如权利要求12所述的线路板，其特征在于，该线路板还包一自组装薄膜层，其中该自组装薄膜层配置于该第二介电层的部分该第二表面上与该第一催化层之间。

16.如权利要求15所述的线路板，其特征在于，该第二介电层包括多颗触媒颗粒，该线路板还包括一活化层，该活化层是由所述触媒颗粒经活化后所形成，且该活化层配置于该第二介电层的该第二凹刻图案内与该图案化线路层的该第三线路之间以及该盲孔的内壁与该连接线路之间，该活化层与该第一催化层交界相切或部分重叠。

17.如权利要求12所述的线路板，其特征在于，该线路板还包括一第二催化层与一自组装薄膜层，其中该第二催化层配置于该盲孔的内壁与该图案化线路层的该连接线路之间，且该第二催化层与该第一催化层相切或部分重叠，该自组装薄膜层配置于该第二介电层的部分该第二表面上与该第一催化层之间以及该盲孔内壁与该第二催化层之间。

18.如权利要求12所述的线路板，其特征在于，该图案化线路层的材质包括铜、银、锡、铝、镍或金。

19.如权利要求12所述的线路板，其特征在于，该图案化线路层的材料为导电膏。

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