CN101792667A - 一种低张力ito蚀刻液 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种低张力ITO蚀刻液，其特征是它包括以下重量百分比的组份：草酸3.2～3.6、正己酸0.1～0.2、水96.2～96.6。本发明具有表面张力低于70和结晶温度低于5℃的优点。
Description
一、技术领域
本发明涉及一种低张力ITO蚀刻液，尤其涉及一种草酸型低张力ITO蚀刻液。
二、背景技术
草酸型ITO蚀刻液，本品为无色透明液体，显酸性，该产品主要用于TFT-LCD、LED、OLED等行业用作面板制程中的ITO层的蚀刻剂。目前ITO蚀刻液主要由草酸晶体和纯水为组成，该产品主要存在以下几点缺点：①目前国内厂家使用的草酸型ITO蚀刻液液的表面张力在70左右，对ITO层的浸润性不足，导致蚀刻后存在微晶体残留；②在低于5℃时容易结晶，运输时需要使用保温运输，运输成本高；同时客户在使用时容易致使客户端过滤器堵塞，影响客户设备及使用。
三、技术内容
针对上述缺点，本发明的目的在于提供一种表面张力低于70和结晶温度低于5℃的低张力ITO蚀刻液。
本发明的技术内容为，一种低张力ITO蚀刻液，其特征是它包括以下重量百分比的组份
草酸 3.2～3.6
正己酸 0.1～0.2
水 96.2～96.6。
本发明在原有工艺的基础上新加入了添加剂正己酸，添加剂正己酸的作用：加入正己酸后，能有效降低ITO蚀刻液的表面张力，使其能够产生渗透，浸润的作用，提高草酸的蚀刻效果，使其在不影响产品质量的前提下提高产品的蚀刻效果，并使产品能在较低的环境温度下保存，避免了原有技术造成的蚀刻不干净，不能在低温下储存的缺点，本方法能适用于大规模生产。
本发明与现有技术相比所具有的优点是：
1、表面张力低于70，蚀刻效果佳，无微晶体残留。
2、0℃～5℃下不结晶，不影响客户端设备，还可降低运输成本。
四、具体实施方式
下面通过实施例进一步描述本发明，但未限于所举的实施例。
纯度为99.6重量％的草酸晶体，优等品，吴江市黎里东阳助剂厂生产，其指标如表1
| 类别 | 优等品 以％计 |
| 含量 | ≥99.6 |
| 硫酸根 | ≤0.08 |
| 氯化物 | ≤0.002 |
| 重金属 | ≤0.001 |
| 灼烧残渣 | ≤0.08 |
| 铁 | ≤0.001 |
| 外观 | 白色晶体 |
表1
浓度为99重量％的正己酸，优等品，邯郸市科正化工有限公司生产，其指标如表2
| 类别 | 优等品 以％计 |
| 含量 | ≥99 |
| 酸值mgKOH/g | 479-483 |
| 水分 | ≤0.1 |
表2
例1、称取草酸晶体3.4kg，在搅拌下加入装有50kg水的反应釜中，充分搅拌均匀15分钟，加入正己酸0.12kg，加水至100kg，搅拌20分钟后，将制得的混合物经0.5μm的过滤器过滤，以去除混合物中粒径大于0.5μm的有害粒子，即得草酸型低张力ITO蚀刻液，其表面张力低为52，结晶温度为1℃。
例2、称取草酸晶体3.4kg，在搅拌下加入装有50kg水的反应釜中，充分搅拌均匀15分钟，加入正己酸0.15kg，加水至100kg，搅拌20分钟后，将制得的混合物经0.5μm的过滤器过滤，以去除混合物中粒径大于0.5μm的有害粒子，即得草酸型低张力ITO蚀刻液，其表面张力低为51，结晶温度为0℃。
例3、称取草酸晶体3.4kg，在搅拌下加入装有50kg水的反应釜中，充分搅拌均匀15分钟，加入正己酸0.17kg，加水至100kg，搅拌20分钟后，将制得的混合物经0.5μm的过滤器过滤，以去除混合物中粒径大于0.5μm的有害粒子，即得草酸型低张力ITO蚀刻液，其表面张力低为50，结晶温度为-1℃。
例4、称取草酸晶体3.4kg，在搅拌下加入装有50kg水的反应釜中，充分搅拌均匀15分钟，加入正己酸0.2kg，加水至100kg，搅拌20分钟后，将制得的混合物经0.5μm的过滤器过滤，以去除混合物中粒径大于0.5μm的有害粒子，即得草酸型低张力ITO蚀刻液，其表面张力低为49，结晶温度为-2℃。
Claims (1)
1.一种低张力ITO蚀刻液，其特征是它包括以下重量百分比的组份
草酸 3.2～3.6
正己酸 0.1～0.2
水 96.2～96.6。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN102585832A (zh) * | 2011-12-30 | 2012-07-18 | 江阴江化微电子材料股份有限公司 | 一种低张力ito蚀刻液及其制备方法 |
| CN114790392A (zh) * | 2022-04-25 | 2022-07-26 | 苏州博洋化学股份有限公司 | 一种对光刻胶无损伤的草酸系ito蚀刻液 |
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2010
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