CN101750792B - 共平面开关模式液晶显示装置的滤色器基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于共平面开关模式液晶显示装置的滤色器基板及其制造方法，所述滤色器基板包括处于基板第一表面上并且由包括氧化锌(ZnO)和Al2O3、Ga2O3和CaO，或者不含CaO的第一透明导电材料形成的第一后侧电极，该第一后侧电极具有第一厚度；具有格栅形状以及处于格栅形状中的多个开口的黑色矩阵，该黑色矩阵处于基板的与第一表面相对的第二表面上；处于多个开口的滤色器层；以及处于黑色矩阵和滤色器层上的外涂层。

Description

共平面开关模式液晶显示装置的滤色器基板及其制造方法
本申请要求享有2008年12月10日在韩国递交的韩国专利申请No.10-2008-0125211的权益，该申请在此引作参考。
技术领域
本发明涉及共平面开关(IPS)模式液晶显示(LCD)装置，更具体地，涉及具有降低的生产成本且具有改善的亮度特性的滤色器基板，以及阵列基板的制造方法。
背景技术
随着社会真正进入信息时代，引入了具有外型薄、重量轻和低能耗等优异性能的平板显示装置。在这些装置中，LCD装置被广泛地用于笔记本计算机、监视器、TV等等，这是因为它们具有足以显示运动图像的高对比度和特性。
通常，LCD装置包括彼此相对的第一和第二基板，以及设置在第一和第二基板之间的包括液晶分子的液晶层。在第一和第二基板上分别形成第一和第二电极。当向第一和第二电极施加电压以产生电场时，通过电场驱动液晶层，从而可通过控制透光率来显示图像。
图1为现有技术LCD装置的分解透视图。LCD装置1包括第一和第二基板12和22，以及液晶层30。第一和第二基板12和22彼此相对，并且在其两者之间设置液晶层30。
第一基板12包括栅线14，数据线16，薄膜晶体管(TFT)“Tr”和像素电极18。包括这些元件的第一基板12被称作阵列基板10。栅线14与数据线16彼此相交，从而在栅线14与数据线16之间形成一个称作像素区域“P”的区域。在栅线14与数据线16的相交部分形成TFT“Tr”，在像素区域“P”中形成与TFT“Tr”连接的像素电极18。
第二基板22包括黑色矩阵25，滤色器层26和公共电极28。包括这些元件的第二基板22被称作滤色器基板20。黑色矩阵25具有诸如第一基板12上的栅线14和数据线16的格栅形状，以覆盖第一基板12的非显示区。黑色矩阵25阻挡非显示区内的漏光。滤色器层26包括第一、第二和第三子滤色器26a，26b和26c。子滤色器26a，26b和26c中的每一个具有红、绿和蓝色R，G和B其中一种颜色，并且与各像素区域“P”相应。公共电极28形成在黑色矩阵25和滤色器层26上，并覆盖第二基板22的整个表面。
如上所述，LCD装置1包括形成有公共电极28的滤色器基板20，形成有像素电极18的阵列基板10，以及夹在两基板之间的液晶层30。通过公共电极28与像素电极18之间产生的垂直电场来驱动液晶层30。LCD装置1在透射率和孔径比方面具有优势。不过，由于液晶层是通过垂直电场来驱动的，在视角方面存在缺点。
可使用共平面开关(IPS)模式LCD装置来解决上述局限性。图2是现有技术IPS模式LCD装置的剖面图。如图2中所示，IPS模式LCD装置40包括第一和第二基板50和60，以及夹在中间的液晶层70。公共电极55和像素电极58均形成在第一基板50上，从而由公共电极55和像素电极58之间产生的水平电场L来驱动液晶层70。
当向IPS模式LCD装置40施加电压时，公共电极55和像素电极58上面的液晶分子不发生改变。不过，由于水平电场L，公共电极55和像素电极58之间的液晶分子沿水平排列。由于液晶分子通过水平电场L排列，IPS模式LCD装置40具有宽视角的特性。
在第一和第二基板50和60上形成上述元件之后，沿第一和第二基板50和60的边缘形成密封图案(未示出)。然后，将液晶注入第一基板50与第二基板60之间的空间中，将第一与第二基板50和60彼此粘接，从而制造出IPS模式LCD装置40。当在第一和第二基板50和60上形成所述元件时，在处理设备的平台上设置第一和第二基板50和60。在此情形中，在第一和第二基板50和60上产生静电。由于在第一基板50上具有电力线以及由金属材料形成的电极，很容易去除静电。不过，由于对于IPS模式LCD装置来说在第二基板60上没有导电材料元件，静电会对第二基板60造成损坏。在最终产品中也会存在这些问题。由于在被称作滤色器基板的第二基板60上没有导电材料元件，由静电产生的电荷不容易被去除。
为了解决这些问题，通过沉积透明导电材料，如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)，在第二基板60的后表面上形成后侧电极(未示出)之后，对第二基板60进行处理。然而，由于ITO或IZO非常昂贵，增加了制造成本。
此外，在滤色器基板的重新处理(rework process)过程中还存在另一问题。当滤色器层、黑色矩阵或外涂层中产生问题时，需要重新处理。ITO和IZO不受用于去除滤色器层或黑色矩阵的蚀刻剂的影响，而ITO和IZO会受到用于去除外涂层的蚀刻剂的影响。当滤色器层中产生问题时，在去除滤色器层和黑色矩阵之后，对滤色器基板进行处理。不过，当外涂层中产生问题时，在去除外涂层的过程中也部分去除了后侧电极ITO或IZO。因而，需要完全去除后侧电极的处理，从而也会增加生产成本。
发明内容
本发明涉及一种用于IPS模式LCD装置的滤色器基板，以及其制造方法，所述基板基本上克服了因现有技术的限制和缺点所引起的一个或多个问题。
本发明的目的在于提供一种用于IPS模式LCD装置的滤色器基板，所述基板能防止静电所产生的损害。
本发明的目的在于提供一种用于IPS模式LCD装置的滤色器基板的制造工艺，所述工艺能降低制造成本。
在随后的描述中将给出本发明的附加特征和优点，其一部分可由描述显然得出，或者可通过本发明的实施而获悉。通过文字描述和权利要求以及附图中具体给出的结构，可实现和获得本发明的目的和其他优点。
为了实现这些和其他优点并根据本发明的目的，正如此处体现和概括描述的，一种用于共平面开关模式液晶显示装置的滤色器基板，包括处于基板第一表面上且由透明导电材料形成的第一后侧电极，第一后侧电极具有第一厚度，该透明导电材料包括氧化锌(ZnO)、Al2O3、Ga2O3和CaO，并且ZnO的重量％大于Al2O3、Ga2O3和CaO的重量％总和，或者该第一透明导电材料包括ZnO、Al2O3和Ga2O3，并且ZnO的重量％大于Al2O3和Ga2O3的重量％总和；具有格栅形状并且在格栅形状中具有多个开口的黑色矩阵，该黑色矩阵设置在基板的与第一表面相对的第二表面上；处于多个开口中的滤色器层；以及处于黑色矩阵和滤色器层上的外涂层。
在本发明的另一方面，一种用于共平面开关模式液晶显示装置的滤色器基板的制造方法，包括在基板的第一表面上形成由第一透明导电材料形成的第一后侧电极，该第一后侧电极具有第一厚度，该第一透明导电材料包括氧化锌(ZnO)、Al2O3、Ga2O3和CaO，并且ZnO的重量％大于Al2O3、Ga2O3和CaO的重量％总和，或者该第一透明导电材料包括ZnO、Al2O3和Ga2O3，并且ZnO的重量％大于Al2O3和Ga2O3的重量％总和；形成具有格栅形状并且在格栅形状中具有多个开口的黑色矩阵，所述黑色矩阵设置在基板的与第一表面相对的第二表面上；在多个开口中形成滤色器层；以及在黑色矩阵和滤色器层上形成外涂层。
在本发明的另一方面，一种针对用于共平面开关模式液晶显示装置的滤色器基板的重新处理，包括在基板的第一表面上形成由第一透明导电材料形成的第一后侧电极，所述第一后侧电极具有第一厚度，所述第一透明导电材料包括氧化锌(ZnO)、Al2O3、Ga2O3和CaO，并且ZnO的重量％大于Al2O3、Ga2O3和CaO的重量％总和，或者该第一透明导电材料包括ZnO、Al2O3和Ga2O3，并且ZnO的重量％大于Al2O3和Ga2O3的重量％总和；形成具有格栅形状且在格栅形状中具有多个开口的黑色矩阵，所述黑色矩阵设置在基板的与第一表面相对的第二表面上；在多个开口中形成滤色器层；在黑色矩阵和滤色器层上形成外涂层；以及将形成了第一后侧电极、黑色矩阵、滤色器层和外涂层的基板浸入氢氧化钾(KOH)基剥离溶液中，以完全去除第一后侧电极、黑色矩阵、滤色器层和外涂层。
应当理解，前面的概括描述和随后的详细描述都是示例性和解释性的，意在提供对如权利要求所述的本发明的进一步解释。
附图说明
所包括的用于提供本发明进一步理解并且构成说明书一部分的附图，阐述本发明的实施例，与文字描述一起用于解释本发明的原理。
图1为现有技术LCD装置的分解透视图；
图2为现有技术IPS模式LCD装置的剖面图；
图3A到3F为示出了根据本发明的第一实施例，用于IPS模式LCD装置的滤色器基板的制造工艺的剖面图；
图4A到4C为示出了根据本发明的第二实施例，用于IPS模式LCD装置的滤色器基板的制造工艺的剖面图；
图5为阐述了根据本发明的第二实施例，用于形成用于IPS模式LCD装置的滤色器基板的后侧电极的溅射设备的示意图。
具体实施方式
现在将详细描述优选实施例，所述实施例的示例在附图中阐述。
图3A到3F为示出了根据本发明的第一实施例，用于IPS模式LCD装置的滤色器基板的制造工艺的剖面图。
在图3A中，将基板110设置在溅射设备的腔室(未示出)中，并且通过一系列磁控溅射工艺在基板110的第一表面上形成后侧电极113。后侧电极113可具有大约200到大约300埃的厚度。后侧电极113由包括氧化锌(ZnO)为主要成分的透明导电材料形成。ZnO是低价材料。例如，向ZnO中添加氧化铝(Al2O3)、氧化镓(Ga2O3)和氧化钙(CaO)。向ZnO中添加大约1到大约3重量％的Al2O3、大约0.2到大约2重量％的Ga2O3和大约0.01到大约0.05重量％的CaO。也可以不包含CaO。
当用于后侧电极113的透明导电材料包括四种成分时，ZnO、Al2O3、Ga2O3和CaO分别具有大约94.95到98.79重量％、大约1到大约3重量％、大约0.2到大约2重量％和大约0.01到大约0.05重量％。可选地，当用于后侧电极113的透明导电材料包括三种成分时，ZnO、Al2O3和Ga2O3分别具有大约95到大约98.8重量％、大约1到大约3重量％和大约0.2到大约2重量％。
添加二价或三价成分用以改善溅射和导电性质的目标特性。例如，当后侧电极113由厚度为大约200埃的、包括96.99重量％的ZnO、2重量％的Al2O3，1重量％的Ga2O3和0.01重量％的CaO的透明导电材料形成时，后侧电极113对于400nm到700nm波长范围的光具有97.8％的平均透射率，并且具有246.8*10-4Ωcm-1的比电阻(specific resistance)。可选地，当由上述透明导电材料形成厚度为300埃的后侧电极113时，后侧电极113对于400nm到700nm波长范围的光具有96.7％的平均透射率，并且具有34.6*10-4Ωcm-1的比电阻。
另一方面，当由ITO形成厚度为200埃的后侧电极113时，后侧电极113对于400nm到700nm波长范围的光具有96.8％的平均透射率，并且具有3.7*10-4Ωcm-1的比电阻。
将包括ZnO作为主要成分的后侧电极与ITO后侧电极的性质进行比较，当它们具有相同厚度时，透射率改善了大约1.1％。同时，由于ITO后侧电极的比电阻小于本发明的后侧电极的比电阻，本发明中后侧电极的导电性质略有下降。然而，要求用于控制静电的后侧电极具有小于500*10-4Ωcm-1的比电阻。因而，即使本发明中的后侧电极具有比ITO后侧电极更大的比电阻，也不会产生问题。如上所述，本发明的后侧电极的比电阻在控制静电方面是没有问题的，并且透射率具有优势。此外，由于ZnO比ITO或IZO更便宜，本发明的滤色器基板在生产成本方面具有优势。
此外，用于ITO或IZO的溅射工艺需要纯氧气和氩气，而以ZnO作为主要成分的透明导电材料的溅射工艺仅需要氩气。因此，进一步降低了生产成本。
在图3B中，在形成了后侧电极113的基板110的第二表面上形成黑色有机绝缘层(未示出)。后侧电极113和黑色有机绝缘层形成在基板110的相对表面上。黑色有机绝缘层由黑色树脂或具有黑色的环氧树脂形成。黑色有机绝缘层具有感光性。
在黑色有机绝缘层上设置包括透射(transmissive)部分和阻挡(blocking)部分的第一曝光掩模(exposing mask)(未示出)。使用第一曝光掩模对黑色有机绝缘层进行曝光，并显影，形成具有格栅形状且包括第一到第三开口op1、op2和op3的黑色矩阵115。第一到第三开口op1、op2和op3可以彼此交替地排列。
下面，在图3C中，在黑色矩阵115上涂覆红色光阻(red resist)材料，形成红色光阻材料层117。在红色光阻材料层117上设置包括透射部分TA和阻挡部分BA的第二曝光掩模190，并执行曝光工艺。
由于使用负型材料作为彩色光阻(color resist)材料层，例如红色光阻材料层117，第二曝光掩模190的透射部分TA与将要形成红滤色器图案120a(图3D)的区域相应。
接下来，在图3D中，对已曝光的红色光阻材料层117(图3C)进行显影，在第一开口op1中形成红滤色器图案120a。红滤色器图案120a的边缘可以与黑色矩阵115部分地重叠。
然后，在图3E中，通过与红滤色器图案120a相同的制造工艺，在第二和第三开口op2和op3中分别形成绿滤色器图案120b和蓝滤色器图案120c。红、绿和蓝滤色器图案120a、120b和120c在基板110上构成滤色器层120。即，红、绿和蓝滤色器图案120a、120b和120c分别处于具有格栅形状的黑色矩阵115的第一到第三开口op1、op2和op3中。红、绿和蓝滤色器图案120a、120b和120c可以彼此交替地排列。如红滤色器图案120a一样，绿和蓝滤色器图案120b和120c的边缘也可以与黑色矩阵115部分地重叠。红、绿和蓝滤色器图案120a、120b和120c由无机绝缘材料形成。
下面，在图3F中，在滤色器层120和黑色矩阵115上涂覆诸如光压克力(photo-acryl)的无色透明有机绝缘材料，形成外涂层125，从而制成用于根据本发明的IPS模式LCD装置的滤色器基板150。形成外涂层125是为了保护滤色器层120，并且提供平坦的表面。
尽管图中没有示出，可通过涂覆和构图光敏有机绝缘材料，在外涂层125上形成与黑色矩阵115相应的图案化间隔物。当使用球形间隔物时，不需要图案化间隔物。
如果在单元处理中，例如在黑色矩阵115的形成工艺，滤色器层120的形成工艺或者外涂层12的形成工艺中发生问题，则通过重新处理来重复使用(reuse)透明基板110。例如，当在黑色矩阵115的形成工艺、滤色器层120的形成工艺或外涂层125的形成工艺中存在问题时，将滤色器基板150转移到重新处理线，从而通过重新处理去除全部的外涂层125、滤色器层120和黑色矩阵115。即使仅外涂层125的形成工艺存在缺陷，不仅要去除外涂层125，而且也要去除滤色器层120和黑色矩阵115。
在重新处理过程中，由于黑色矩阵115、滤色器层120和外涂层125由有机绝缘材料形成，使用氢氧化钾(KOH)基剥离溶液来去除黑色矩阵115、滤色器层120和外涂层125。当将黑色矩阵115，滤色器层120和外涂层125浸入KOH基剥离溶液中时，ZnO基(ZnO-based)后侧电极113也与KOH基剥离溶液(stripping solution)发生反应，从而后侧电极113也被去除掉。因此，在重新处理之后得到干净的透明基板110。
在实验中，在70摄氏度下将基板浸入13％的KOH基剥离溶液中，对上面形成有黑色矩阵、滤色器层、外涂层和后侧电极的基板进行重新处理。在浸入溶液中1秒钟之后，后侧电极的ZnO基材料部分地残留在透明基板上，随后ZnO基材料被完全去除，可获得干净的透明基板。
另一方面，当后侧电极由ITO形成时，ITO与KOH基剥离溶液缓慢地反应，从而在完全去除其他元素之后，需要非常长的时间才能完全去除ITO后侧电极。此外，由于ITO不与KOH剥离溶液发生反应，在重新处理之后不能使用ITO层作为后侧电极。因此，如果后侧电极由ITO形成，需要在具有包括强酸，例如HCl的剥离溶液的另一重新处理线中进行另一种处理来完全去除ITO后侧电极。
结果，与现有技术相比，可以简化对用于IPS模式LCD装置的滤色器基板的重新处理工艺。此外，由于不需要另一个重新处理线，在生产成本方面存在优势。
图4A到4C为示出了根据本发明的第二实施例用于IPS模式LCD装置的滤色器基板的制造工艺的剖面图。
在图4A中，将基板210设置在包含ITO或IZO靶的溅射设备的腔室(未示出)中，并通过磁控溅射工艺在基板210的第一表面上形成第一后侧电极213a。由ITO或IZO形成的第一后侧电极213a具有大约500埃到大约100埃的厚度。
在图4B中，将形成了第一后侧电极213a的基板210转移到包括以ZnO为主要成分且包含Al2O3、Ga2O3和CaO或者不含CaO的靶体的溅射设备的腔室(未示出)中，并且通过一系列磁控溅射工艺在第一后侧电极213a上形成第二后侧电极213b。第二后侧电极213b可具有大约100埃到大约200埃的厚度。例如，第一和第二后侧电极213a和213b的厚度之和可以为大约200到大约300埃。第一和第二后侧电极213a和213b构成后侧电极213。
向ZnO添加大约1到大约3重量％的Al2O3、大约0.2到大约2重量％的Ga2O3，以及大约0.01到大约0.05重量％的CaO。可以不包含CaO。当用于第二后侧电极213b的透明导电材料包括四种化合物时，ZnO、Al2O3、Ga2O3和CaO分别具有大约94.95到大约98.79重量％、大约1到大约3重量％、大约0.2到大约2重量％、以及大约0.01到大约0.05重量％。可选地，当用于第二后侧电极213b的透明导电材料包括三种化合物时，ZnO、Al2O3和Ga2O3分别具有大约95到大约98.8重量％，大约1到大约3重量％，以及大约0.2到大约2重量％。可以在同一溅射设备中执行用于形成第一和第二后侧电极213a和213b的工艺。
图5为示出了根据本发明的第二实施例，用于形成用于IPS模式LCD装置的滤色器基板的后侧电极的溅射设备的示意图。在图5中，溅射设备270具有用于基板210的反“C”形路径，并且包括第一和第二腔室275和280。处于第一腔室275中的第一靶体283和处于第二腔室280中的第二靶体285包括不同的靶材。可选地，处于第一腔室275中的第一靶体283和处于第二腔室280中的第二靶体285可包括相同的靶材。
当处于第一腔室275中的第一靶体283与处于第二腔室280中的第二靶体285包括不同的靶材时，第一靶体283包括ITO或IZO，第二靶体285包括作为主要成分的ZnO和Al2O3、Ga2O3和CaO，或者不含CaO。基板210相继(sequentially)被传递到第一和第二腔室275和280中，从而在基板210上层叠第一后侧电极213a(图4B)和第二后侧电极213b(图4B)。当在基板210上形成包括第一后侧电极213a(图4B)和第二后侧电极213b(图4B)的后侧电极213(图4B)时，提高了溅射设备270的工作效率。
再次参照图4B，后侧电极213包括处于基板210上的ITO或IZO材料的第一后侧电极213a，和处于第一后侧电极213a上的ZnO基材料的第二后侧电极213b。可选地，后侧电极可包括处于基板上的ZnO基材料的第一后侧电极和ITO或IZO材料的第二后侧电极。
例如，当ZnO基材料的第一电极具有150埃的厚度，ITO材料的第二电极具有50埃的厚度时，后侧电极对于400nm到700nm波长范围的光具有98.9％的平均透射率，并且具有260.0*10-4Ωcm-1的比电阻。可选地，当ZnO基材料的第一电极具有100埃的厚度，并且ITO材料的第二电极具有100埃的厚度时，后侧电极对于400nm到700nm波长范围的光具有97.6％的平均透射率，并且具有15.3*10-4Ωcm-1的比电阻。
如上所述，现有技术的由单个ITO层形成且具有200埃厚度的后侧电极，对于400nm到700nm波长范围的光具有96.8％的平均透射率，并且具有3.7*10-4Ωcm-1的比电阻。与本发明第一实施例类似，第二实施例的后侧电极213具有改善的透射率。不过，第二实施例中后侧电极的导电性略有下降。然而，要求用于控制静电的后侧电极具有小于500*10-4Ωcm-1的比电阻。因此，即使与现有技术的ITO材料的后侧电极相比本发明中的后侧电极具有更大的比电阻，也不会引起什么问题。
然后，在图4C中，通过第一实施例中提到的工艺，在形成有后侧电极213的基板210的第二表面上顺序(sequentially)形成黑色矩阵215，滤色器层220和外涂层225。第二表面与第一表面相对。
在根据第二实施例用于IPS模式LCD装置的滤色器基板250中，第一和第二后侧电极213a和213b其中之一由ITO或IZO形成。然而，第一和第二后侧电极213a和213b中的另一个由ZnO基材料形成，在生产成本方面依然具有优势。
对本领域技术人员来说，在不偏离本发明精神或范围的条件下显然可以对本发明作出多种变型或者改变。因此，在这些变型和改变落入所附权利要求的范围及其等效范围之内的情况下，本发明意在覆盖本发明的变型和改变。

Claims (20)

1.一种用于共平面开关模式液晶显示装置的滤色器基板，包括：
处于基板的第一表面上并且由第一透明导电材料形成的第一后侧电极，其中该第一透明导电材料包括ZnO、Al2O3、Ga2O3和CaO，并且ZnO的重量%大于Al2O3、Ga2O3和CaO的重量%总和，或者该第一透明导电材料包括ZnO、Al2O3和Ga2O3，并且ZnO的重量%大于Al2O3和Ga2O3的重量%总和，该第一后侧电极具有第一厚度；
具有格栅形状的黑色矩阵，该黑色矩阵处于基板的与第一表面相对的第二表面上；
处于格栅形状的多个开口中的滤色器层；以及
处于黑色矩阵和滤色器层上的外涂层。
2.根据权利要求1所述的基板，其中，所述第一厚度具有200到300埃的范围。
3.根据权利要求1所述的基板，其中，所述第一透明导电材料包括94.95到98.79重量%的ZnO、1到3重量%的Al2O3、0.2到2重量%的Ga2O3、以及0.01到0.05重量%的CaO。
4.根据权利要求1所述的基板，其中，所述第一透明导电材料包括95到98.8重量%的ZnO、1到3重量%的Al2O3、以及0.2到2重量%的Ga2O3。
5.根据权利要求1所述的基板，还包括由第二透明导电材料氧化铟锡（ITO）或氧化铟锌（IZO）形成的且具有第二厚度的第二后侧电极，其中，第二后侧电极设置在第一表面与第一后侧电极之间，或者第一后侧电极设置在第一表面与第二后侧电极之间。
6.根据权利要求5所述的基板，其中，第一厚度具有100到250埃的范围，第二厚度具有50到100埃的范围。
7.根据权利要求6所述的基板，其中，第一厚度与第二厚度之和具有200到300埃的范围。
8.根据权利要求5所述的基板，其中，所述第一透明导电材料包括94.95到98.79重量%的ZnO、1到3重量%的Al2O3、0.2到2重量%的Ga2O3，以及0.01到0.05重量%的CaO。
9.根据权利要求5所述的基板，其中，所述第一透明导电材料包括95到98.8重量%的ZnO，1到3重量%的Al2O3，以及0.2到2重量%的Ga2O3。
10.一种用于共平面开关模式液晶显示装置的滤色器基板的制造方法，包括：
在基板的第一表面上形成由第一透明导电材料形成的第一后侧电极，其中该第一透明导电材料包括ZnO、Al2O3、Ga2O3和CaO，并且ZnO的重量%大于Al2O3、Ga2O3和CaO的重量%总和，或者该第一透明导电材料包括ZnO、Al2O3和Ga2O3，并且ZnO的重量%大于Al2O3和Ga2O3的重量%总和，该第一后侧电极具有第一厚度；
形成具有格栅形状的黑色矩阵，该黑色矩阵处于基板的与第一表面相对的第二表面上；
在格栅形状的多个开口中形成滤色器层；以及
在黑色矩阵和滤色器层上形成外涂层。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一厚度具有200到300埃的范围。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一透明导电材料包括94.95到98.79重量%的ZnO、1到3重量%的Al2O3、0.2到2重量%的Ga2O3、以及0.01到0.05重量%的CaO。
13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一透明导电材料包括95到98.8重量%的ZnO，1到3重量%的Al2O3，以及0.2到2重量%的Ga2O3。
14.根据权利要求10所述的方法，还包括形成由第二透明导电材料氧化铟锡（ITO）或氧化铟锌（IZO）形成且具有第二厚度的第二后侧电极，其中，在形成第一后侧电极的步骤之前，执行形成第二后侧电极的步骤，从而在第一表面与第一后侧电极之间设置第二后侧电极，或者在形成第一后侧电极的步骤之后执行形成第二后侧电极的步骤，从而在第一表面与第二后侧电极之间设置第一后侧电极。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一厚度具有100到250埃的范围，第二厚度具有50到100埃的范围。
16.根据权利要求15所述的方法，所述第一厚度与第二厚度之和具有200到300埃的范围。
17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一透明导电材料包括94.95到98.79重量%的ZnO、1到3重量%的Al2O3、0.2到2重量%的Ga2O3、以及0.01到0.05重量%的CaO。
18.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一透明导电材料包括95到98.8重量%的ZnO、1到3重量%的Al2O3、以及0.2到2重量%的Ga2O3。
19.一种用于共平面开关模式液晶显示装置的滤色器基板的重新处理方法，包括：
在基板的第一表面上形成由第一透明导电材料形成的第一后侧电极，其中该第一透明导电材料包括ZnO、Al2O3、Ga2O3和CaO，并且ZnO的重量%大于Al2O3、Ga2O3和CaO的重量%总和，或者该第一透明导电材料包括ZnO、Al2O3和Ga2O3，并且ZnO的重量%大于Al2O3和Ga2O3的重量%总和，该第一后侧电极具有第一厚度；
形成具有格栅形状的黑色矩阵，该黑色矩阵处于基板的与第一表面相对的第二表面上；
在格栅形状的多个开口中形成滤色器层；
在黑色矩阵和滤色器层上形成外涂层；以及
将形成有第一后侧电极、黑色矩阵、滤色器层和外涂层的基板浸入氢氧化钾（KOH）基剥离溶液中，以完全去除第一后侧电极、黑色矩阵、滤色器层和外涂层。
20.根据权利要求19所述的方法，还包括在形成第一后侧电极之前或形成第一后侧电极之后，形成由包括ITO或IZO的第二透明导电材料形成的第二后侧电极。
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