CN101740548A - 半导体器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施例涉及一种半导体器件，并且特别涉及一种可以降低半导体器件内的RC延迟的半导体器件及其制造方法。本发明的实施例提供一种半导体器件，包括：形成于半导体衬底上方的第一层间介电层；形成于第一层间介电层上方的第一金属布线和第二金属布线；形成于第一金属布线和第二金属布线上方的第二层间介电层；以及形成于第一金属布线和第二金属布线之间的相变材料层。本发明通过在所述金属布线之间形成气隙(该气隙取决于金属布线之间的区域中相变材料的相位变化)来降低半导体器件的RC延迟。

Description

半导体器件及其制造方法
技术领域
本发明的实施例涉及一种半导体器件，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。
背景技术
随着半导体技术的发展，不断产生各种类型的问题。随着半导体器件的微型化(microminiaturization)，对半导体器件的电学性质的要求也日益苛刻，因此需要有新的工艺或设计变化。
由于半导体器件的尺寸减小，出现的最显著的问题之一可能是在将外部电信号传输至晶体管时的RC延迟。在半导体器件的制造工艺期间，自然会产生RC延迟特性，例如可以用寄生电阻或者寄生电容作为其实例。在使用氧化物和金属的半导体器件中，通常会不可避免地产生寄生电阻和寄生电容。因此，对于降低寄生电阻和寄生电容的研究正方兴未艾。
例如，作为解决该问题的方法，提出使用铜(Cu)的布线工艺以及使用超低k材料的工艺。然而，由于这些材料也具有寄生电阻和寄生电容，所以它们并不是持久的解决方案。
图1是用来描述半导体器件中的RC延迟的视图。参照图1，在预定的层中形成多个金属布线11、12和13，并且在这些金属布线之间形成作为层间介电层的IMD。
在此情况下，在半导体器件中传输电信号的期间，每个金属布线11、12和13都示出为电阻特性，而IMD示出为电容特性。因此，由于电阻和电容是相关联的，所以存在电信号延迟传输的问题。
发明内容
为克服现有技术的缺陷，本发明的实施例涉及一种半导体器件，并且特别涉及一种可以降低半导体器件内的RC延迟的半导体器件及其制造方法。根据实施例的半导体器件包括：第一层间介电层，形成于半导体衬底上方；第一金属布线和第二金属布线，形成于所述第一层间介电层上方；第二层间介电层，形成于所述第一金属布线和第二金属布线上方；以及相变材料层，形成于所述第一金属布线与第二金属布线之间。
根据本发明实施例的一种用来制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上方形成第一层间介电层；在所述第一层间介电层上方形成多个金属布线；在所述第一层间介电层和所述金属布线上方沉积相变材料；通过平坦化所述相变材料，在所述金属布线之间形成相变材料层；在所述相变材料层和所述金属布线上方形成第二层间介电层；以及执行用来引起所述相变材料层的相位变化的热处理。本发明的实施例被设计成解决上述问题，并且本发明的实施例涉及在金属布线之间形成空气层以降低寄生电容的半导体器件以及其制造方法。
在所述金属布线之间形成相变材料之后，通过执行用于引起所述相变材料的相位变化的热处理，提供了一种在金属布线之间形成预定空气层的半导体器件及其制造方法。
附图说明
图1是用来描述半导体器件中的RC延迟的剖视图。
示例性图2-图6是用来描述根据实施例的制造半导体器件的方法的剖视图。
具体实施方式
示例性图2-图6是用来描述根据实施例的制造半导体器件的方法的剖视图。首先，参照示例性图2，通过执行将杂质注入半导体衬底100的工艺形成第一杂质区(即，源极区)101和第二杂质区(即，漏极区)。在半导体衬底100上方形成栅电极110。
本发明的实施例不局限于图中所示的半导体器件，而可以普遍适用于具有金属布线和层间介电层的半导体器件。可以由各种现有技术来实现在半导体衬底100中形成杂质区101和102的工艺及形成栅电极110的工艺。
同时，可以在半导体衬底100上方形成用于层间隔绝的第一层间介电层120。可以在第一层间介电层120中形成接触孔。可以在接触孔中形成接触栓塞133、134和135。还可以将第一层间介电层120称作金属前介电层(pre-metal dielectric，简写为PMD)，以便与后文描述的第二层间介电层相区分。
接着，可以在第一层间介电层120上方形成与接触栓塞133、134和135电连接的金属布线130、131和132。可以以预定间隔来图案化金属布线130、131和132，以防止金属布线130、131和132互相接触。
参照示例性图3，可以在第一层间介电层120和金属布线130、131和132上方形成相变材料层140。在这里，可以通过用诸如CVD或者PVD等方法形成该相变材料层140。
此外，相变材料层140可以由以下各种材料制成，所述材料例如是将两种元素结合的GaSb、InSb、InSe、Sb2Te3和GeTe，将三种元素结合的GeSbTe、GaSeTe、InSbTe、SnSb2Te4和InSbGe，以及将四种元素结合的AgInSbTe、(GeSn)SbTe、GeSb(SeTe)和Te81Ge15Sb2S2，而相变材料层140应该是由具有其体积(volume)可缩小的性质的材料制成。
此外，如图所示，垂直地位于金属布线130、131和132上方的相变材料层140的高度可以大于形成于第一层间介电层120上方的相变材料层140的高度。
接着，参照示例性图4，可以执行平坦化相变材料层140的工艺。相变材料层140的蚀刻工艺可采用干蚀刻法，例如可以使用Cl2气体或者诸如CxHyFz等氟化物气体，但并不局限于此。因此，如图所示，相变材料层140可以被平坦化，从而使相变材料层140的高度和金属布线130、131和132的高度相同。
接着，参照图5，可以在金属布线130、131和132和相变材料层140上方形成第二层间介电层150。第二层间介电层150还可称作金属层间介电层(interlayer metal dielectric，简写为IMD)，以便与第一层间介电层120相区分。
参照示例性图6，可以执行用来使形成于金属布线130、131和132之间的区域中的相变材料层140的相位变化的热处理工艺。通过该热处理工艺，相变材料层140的体积可以被减小，其结果是，如图所示，可以形成真空或者气隙160。
即，在第一金属布线130和第二金属布线131之间产生预定气隙160。还可以在第二金属布线131和第三金属布线132之间形成另一间隙。
在金属布线之间形成层间介电层的情况下，ε＝4.0。在形成如上面的实施例中所述的气隙的情况下，该值示出为接近大约1.0。
例如，由于电容C可以表示为εε0A/d，则电容C与介电常数成正比，与距离d成反比。即，材料的介电常数越小，尺寸越小，距离越远，则电容值可以被减小，且RC延迟也可以被降低。结果，在ε值减小的实施例中，RC延迟被显著降低。
因此，可以通过形成气隙(该气隙取决于金属布线之间的区域中相变材料的相位变化)来降低半导体器件的RC延迟。
本发明实施例的半导体器件可以适用于范围广泛的半导体器件技术，并且可以由各种各样的半导体材料制造。由于目前大多数市售的半导体器件都是在硅衬底中制造的，并且通常所见的大部分实施例的应用会涉及硅衬底，所以随后的描述对在硅衬底中实现的半导体器件的实施例进行了讨论。不过，在绝缘体上硅(SOI)、锗和其它半导体材料中应用本发明的实施例也会颇有裨益。因此，本发明的实施例并不局限于在硅半导体材料中制造的那些器件，而是还可以包含由本领域普通技术人员能得到的一种或多种半导体材料及技术(诸如使用玻璃衬底上的多晶硅的薄膜晶体管(TFT)等技术)制造的那些器件。
对本领域普通技术人员而言，显然可以在所公开的实施例中进行各种变型和修改。因此，所公开的实施例应该涵盖各种显而易见的变型和修改，只要其落在所附权利要求及其等同物的范围内即可。

Claims (10)

1.一种设备，包括：
第一层间介电层，形成于半导体衬底上方；
第一金属布线和第二金属布线，形成于所述第一层间介电层上方；
第二层间介电层，形成于所述第一金属布线和第二金属布线上方；以及
相变材料层，形成于所述第一金属布线和第二金属布线之间。
2.根据权利要求1所述的设备，其中在所述第一层间介电层和所述第二层间介电层之间形成气隙。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述相变材料层和所述气隙形成于所述第一金属布线和所述第二金属布线之间。
4.根据权利要求2所述的设备，其中所述气隙呈真空状态。
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一金属布线和所述第二金属布线形成有介于所述第一金属布线和所述第二金属布线之间的空隙区。
6.根据权利要求5所述的设备，其中所述空隙区呈真空状态。
7.一种方法，包括以下步骤：
在半导体衬底上方形成第一层间介电层；
在所述第一层间介电层上方形成多个金属布线；
在所述第一层间介电层和所述金属布线上方沉积相变材料；
通过平坦化所述相变材料，在所述金属布线之间形成相变材料层；
在所述相变材料层和所述金属布线上方形成第二层间介电层；以及
执行用来引起所述相变材料层的相位变化的热处理。
8.根据权利要求7所述的方法，其中在通过平坦化所述相变材料而形成所述相变材料层时，所述金属布线的厚度与所述相变材料层的厚度相同。
9.根据权利要求7所述的方法，其中在执行热处理工艺时，所述相变材料层的体积被减小，使得在所述金属布线之间产生预定气隙。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述气隙呈真空状态。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104868053A (zh) * 2015-04-30 2015-08-26 宁波大学 一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te-Se薄膜材料及其制备方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8647439B2 (en) * 2012-04-26 2014-02-11 Applied Materials, Inc. Method of epitaxial germanium tin alloy surface preparation
US11810854B2 (en) * 2019-05-15 2023-11-07 Tokyo Electron Limited Multi-dimensional vertical switching connections for connecting circuit elements
US11069616B2 (en) * 2019-05-16 2021-07-20 Tokyo Electron Limited Horizontal programmable conducting bridges between conductive lines

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0834916A2 (en) * 1996-10-07 1998-04-08 Motorola, Inc. Method for manufacturing a semiconductor structure comprising regions formed with low dielectric constant material
US6211561B1 (en) * 1998-11-16 2001-04-03 Conexant Systems, Inc. Interconnect structure and method employing air gaps between metal lines and between metal layers
US20050230836A1 (en) * 2004-04-20 2005-10-20 Clarke James S Method of forming air gaps in a dielectric material using a sacrificial film and resulting structures
US20060092693A1 (en) * 2004-11-01 2006-05-04 Bomy Chen Phase change memory device employing thermally insulating voids and sloped trench, and a method of making same
US20070126040A1 (en) * 2005-11-21 2007-06-07 Hsiang-Lan Lung Vacuum cell thermal isolation for a phase change memory device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6881668B2 (en) 2003-09-05 2005-04-19 Mosel Vitel, Inc. Control of air gap position in a dielectric layer
JP2008529269A (ja) * 2005-01-25 2008-07-31 エヌエックスピー ビー ヴィ バックエンドプロセスを使用する相変化抵抗体の製造
US20080096344A1 (en) * 2006-10-24 2008-04-24 Macronix International Co., Ltd. Method for Manufacturing a Resistor Random Access Memory with a Self-Aligned Air Gap insulator

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0834916A2 (en) * 1996-10-07 1998-04-08 Motorola, Inc. Method for manufacturing a semiconductor structure comprising regions formed with low dielectric constant material
US6211561B1 (en) * 1998-11-16 2001-04-03 Conexant Systems, Inc. Interconnect structure and method employing air gaps between metal lines and between metal layers
US20050230836A1 (en) * 2004-04-20 2005-10-20 Clarke James S Method of forming air gaps in a dielectric material using a sacrificial film and resulting structures
US20060092693A1 (en) * 2004-11-01 2006-05-04 Bomy Chen Phase change memory device employing thermally insulating voids and sloped trench, and a method of making same
US20070126040A1 (en) * 2005-11-21 2007-06-07 Hsiang-Lan Lung Vacuum cell thermal isolation for a phase change memory device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104868053A (zh) * 2015-04-30 2015-08-26 宁波大学 一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te-Se薄膜材料及其制备方法
CN104868053B (zh) * 2015-04-30 2017-08-25 宁波大学 一种用于相变存储器的Ge‑Sb‑Te‑Se薄膜材料及其制备方法

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Publication number Publication date
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Application publication date: 20100616