CN101707180B - 监控制程变异的系统与方法 - Google Patents

Abstract

一种扩大半导体晶圆光学检查系统的制程监控能力的方法，其比现行的方法能更灵敏地检测晶圆表面上制程变异的微小影响。该方法实质上利用几何区块将检查表面上感测过的像素分组，并使每个区块与同一晶圆的另一晶粒上对应位置的区块相比较，以及与另一晶圆的一晶粒上对应位置区块的存储模型影像相比较。在本发明一实施例中，直接比较像素值，并在缺陷检测程序中将差异进行阈值控制在可接受的低水平内。另一实施例中，根据测得的光强度值来计算每个区块的信号，并与其对应的信号相比较。

Description

监控制程变异的系统与方法

本申请为2003年5月22日递交的专利申请号为038176351的分案申请。 

技术领域

本发明涉及半导体晶圆检查，特别是涉及光学监控集成电路制程变异的系统与方法。 

背景技术

在如硅晶圆的半导体基材上制造集成电路(IC)的制程极为复杂，并由许多步骤组成。每个步骤包含许多制程参数，这些参数受到严密控制以确保获得一致且精确的结果。然而，在制程的任何步骤中存在着可造成非刻意偏差的物理因素。这些物理因素可能来自于基材本身的变异、制造设备中微小的机械上或光学上不精确(如微小的不准直而造成无法聚焦)、灰尘与脏污以及环境变异。在连续晶圆或任一晶圆的各部位或上述两者中，制程中的偏差可能是随着时间变化的函数。当不论是单一种制程偏差或同时出现多种制程偏差过多时，集成电路的一些特征便会出现缺陷。这些缺陷分为两种规格——(a)占据相当面积且较低光学分辨率的表面外观偏差，其通常是由于微小的几何结构偏差(如导体宽度)；和(b)在微小区域中，且能以清晰的光学分辨率观察到的较明显的几何结构扭曲。此处将前者(指(a)规格的缺陷)称为“大缺陷”，而将后者(是指(b)规格的缺陷)称为“小缺陷”或仅仅是“缺陷”。 

由于目前IC的几何结构以0.1-0.2μm为单位，因此，只能使用比可见光更短的波长以几十纳米或更小规格的分辨率来检测发生在整个大面积上被视为大缺陷的微小偏差。另一方面，小缺陷一般是指(及被定义为)需透过光学显微镜才可检测到其大小的缺陷。这些小缺陷可能是由制程中的微小干扰如灰尘粒子所造成，或这些小误差可能是大缺陷的极端表现方式。 

通常会定期检查制程中的晶圆，例如在某些加工步骤之后，以检测缺陷并监控制程。目前仅以设计用来检测小缺陷的特殊装置来光学性地检测整个晶圆 表面。例如由Applied Materials of Santa Clara，CA所出售的Compass检查系统(compass inspection system)便是此类装置中的一种。图1的方框图显示了此装置的主要部分，特别是光学系统，其包含光束源(如激光光源)，数个用来瞄准、对焦与扫描光束的透镜，用来固定并移动已检测晶圆的晶圆固定器、至少一个传感器及用来处理来自每个传感器的信号的处理器。 

分析检测到的缺陷的数目，优选其性质。显然地，在任何区域中或遍布整个晶圆上出现相对大量的缺陷证明在制程中存有一些错误或无法接受的偏差，并需警示操作人员尝试去分辨出造成该偏差的物理因素并做适当修正行动，例如适当地调整制程参数。当缺陷数量庞大时，可能需要放弃某些晶粒，甚至整个晶圆。 

通常以单独的(称为再检查)的操作阶段来仔细检查并分析检测到的缺陷，以由此了解到造成缺陷的制程偏差的性质，或大缺陷存在的状况及其性质，并根据这些来降低制程偏差。此种检测通常需使用比检测缺陷时更高的分辨率且可能包括微度量衡技术来完成。其可使用与检测缺陷时相同的设备，但通常用单独的极高分辨率的装置，如扫描式电子显微镜(SEM)，但却非常昂贵。 

在集成电路制造领域中，借着检测小缺陷并再检查它们来了解那些产生大缺陷的现有技术具有两个主要的问题：第一个并且是最重要的问题在于大缺陷必须相当严重到足以造成出现可检测到的小缺陷；但此种问题会产生在修正制程偏差之前便已造成极大损害的风险；最严重的情况可能是不论大小，检测到的缺陷都已过多而需放弃整个晶圆，进而造成严重的经济损失。第二个问题在于再检查阶段中，需花费许多时间与昂贵的设备来对缺陷进行详细的检测与分析；在识别并修正制程偏差以前所造成的时间延迟会使更多晶圆受到不良影响。虽然可借着高分辨率的检查整个晶圆表面而避免第一个问题，但这样的程序很慢并需要昂贵的设备。 

因此，明确需要一种能在制程中检查整个晶圆表面的方法与设备，其能直接检测出并不必然会造成小缺陷程度的大缺陷，并更快或更灵敏地对制程变异提出警告指示。还需要一种相对比较便宜的制程变异监控设备，并且最好能与传统光学缺陷检测设备共享部分部件。 

发明内容

本发明主要是一种用来扩展半导体晶圆光学检查系统的制程监控能力的方法，其能检测出大缺陷甚至将大缺陷量化，即能以比利用传统光学检查系统来分析小缺陷时更高的灵敏度来检测晶圆表面上由制程变异造成的低分辨率的影响。可选地，此方法也可检测时间性制程变异对连续制造的晶圆的影响。本发明的方法优选同时，和联合上述的光学检查系统的小缺陷检测作业来操作，同时该方法通常包括检查晶圆的整个待测的表面。本发明的方法是设计用来检测比那些会造成大量可检测小缺陷的制程变异更不明显的制程变异。上述内容所提出的所有特征与整个表面检测过程中的特征较目前制程监控方法的作业模式更加优异，从而可检查只在那些曾检测出小缺陷的区域中的制程变异的几何影响。此外，上述检查是在所谓的再检查阶段中执行。再检查阶段与缺陷检测作业是两个不同阶段，再检查阶段需要较高分辨率扫描，甚至可能使用与缺陷检测作业不同的设备。 

在本发明系统的一实施例中，进一步处理缺陷检测作业的部分结果以直接获得整个检查表面上的制程变异指示值。与缺陷检测作业相同的是，本发明方法能有益地运用检查系统中的每个传感器的输出数据，例如这些传感器分别以不同角度面对检查表面与照明光束，并感应暗场或明场以感应更多不同的影响而获得更精确或更可靠的结果。虽然下述实施例并未提及，但本发明方法也可成为对那些已用本发明方法检测并测量过其影响的制程变异进行分类的能力的基础。 

虽然本发明方法与缺陷检测作业联合运作更具经济效益，但也可根据使用者的选择或变化来分开或各自独立运作本发明方法与缺陷检测作业。本发明也公开用来执行本发明方法的设备与系统。 

需明白的是，虽然本公开内容中以检查将制成集成电路晶粒的半导体晶圆来说明本发明，但本发明亦可应用于其它基材(例如携带光子的装置的那些和经历任何其它处理的那些)的表面检查，以及表面变异与制程并不必然相关的检查。也需了解的是，本发明同样能应用除了光学仪器之外的手段(如电子或离子束)及任何能逐点探测或感应基材表面的检查系统来进行表面检查。在上述的任一系统中，每个传感器输出对应于传感器所接收到的能量的强度值作为检查表面的探测束的反映。这些值通称为辐射强度值，但在下文也可与光强度值互换使用(因本发明的较佳实施例是使用光束来进行探测)。 

当应用于晶圆检查系统时，本发明方法主要包括下例逻辑步骤： 

(a)自检查表面上的每个小点(像素)取得一个或多个光强度值并归类至相对应的组别，如检查系统中各传感器的输出；这些光强度值可与小缺陷检测中所使用的数值相同； 

(b)优选地，为每个像素来计算一个或多个衍生数值； 

(c)将该表面分成由几何区块组成的数组，每个区块包含相当数量的连续像素； 

(d)分别对每个区块计算出信号，该信号为一组变异或一个变异数组，作为区块内数个像素的光强度值与衍生数值的函数； 

(e)将每个区块的信号与可能是对照区块的指定对照信号比较，以计算一个或多个制程偏差指示值。 

步骤b中的衍生数值优选为定点散布值(local spread value)，即该参考像素的紧邻区域的强度值的变异扩值，并根据每个组别(即传感器)各自计算这些衍生数值。 

在本发明方法的一实施例中，计算信号的步骤包括针对每个像素及对应每个组别，以光强度值对散布值做图来得到一直方图。在一类型中，为晶圆表面的每一区块提供一标准对照信号，并根据此标准信号来进行步骤e中的比较。在另一类型中，任何区块的比较是将对正在检查的晶圆所计算的信号与对先前检查过的晶圆所计算的对应信号进行比较。又一类型中，可将本发明方法应用于由相同晶粒构成数组的集成电路上，其中可对齐晶粒的数组来定义区块的数组，而使得每个晶粒上具有数个区块；并比较一晶粒上的任何区块与一个或多个其它晶粒上的相同位置的区块的信号。 

在本发明方法的另一实施例中，本发明方法特别可应用于也需检测小缺陷的情况，首先需对应于每个传感器来获取每一个像素的光强度值及可能的定点散布值，并将上述两种数据与另一晶粒上同样位置的像素的两种对应数值进行比较。最好根据指定阈值曲线对由该比较产生的差异进行阈值控制，并记录超出阈值曲线的差异；此指定曲线的阈值值通常远低于其它用于缺陷检测的类似制程的阈值值。最后，针对每个区块来计算上述对应于每个传感器的超出值的总和，该总和形成各制程偏差指示值。 

附图说明

为了让本发明更明显易懂并了解其实施方式，将参考附图叙述较佳实施例以仅做示范说明，附图中： 

图1为用于本发明一实施例中的晶圆监视系统的示意图。 

图2为一晶圆表面示意图，显示了根据本发明的像素、区块与晶粒之间的关系。 

图3为根据本发明一实施例的典型直方图。 

图4为根据现有技术用来检测缺陷及根据本发明的第二种类型用来进行制程偏差测量的像素值的典型正态分布与典型阈值曲线图。 

具体实施方式

本发明方法优选作为附加计算机程序来实施，其可在某些晶圆制程阶段后用来检测缺陷晶圆检查系统中的数字处理器中执行。文中用来展示本发明方法的检查系统实施例是在背景技术段落曾提到，并显示于图1中由应用材料公司(Applied Materials of Santa Clara CA)所出售的Compass检查系统。然而，需了解到本发明方法可通过显而易见的修饰而成为适当程序，以套用于他种检查系统中的各型处理器。其他检查系统包括那些用来检测除了半导体晶圆外的其它表面的检查系统。此外，更需明白本发明方法经修饰后也可实施在专为本发明方法所设计的独立系统以仅供制程变异监控之用。 

在图1的检查系统30中，光源31(以激光为佳)，以及光学系统33将一聚焦光点法向地投射到晶圆36的表面上。借着扫描机构34来移动晶圆36，使得聚焦光点能以平行线的规则光栅方式来扫描该晶圆36的表面。传感器35收集自该表面上以不同方向反射或散射出的光线，并将这些光线转换成对应的电信号；以固定的时间间隔对这些电信号进行取样并数字化，以产生对应的光强度值(因此称作强度值)。将这些强度值传输至处理器32，处理器32通常设定为用来执行信号分析以确定出缺陷，但较佳方式是将处理器设定成能根据本文所公开的方法来执行信号分析。任一取样表面上的光束位置则当成个别的像素。扫描线之间的距离决定了沿着一条轴的邻近像素间的距离，并且取样速率与扫描速度的比值决定沿着垂直轴的邻近像素间的距离。通常，沿着每条轴上的此距离介于0.5和0.2μm之间。优选地，一个传感器收集法向反射光线并 将该传感器作为明场传感器(bright field sensor)，四个传感器分置于四个不同方位且收集与法线成很大角度而反射的光线，这四个传感器则作为暗场传感器，以及一个环状传感器收集与法线成小角度至中等角度而反射的光线，以作为灰场传感器。相同的传感器也可应用在相对应的数字强度值。然而更普遍地，从各个传感器所获得的强度值可归类至相应的不同组别并在后述内容中按此来提及。不同的光强度组别也可能伴随其它影响扫描与感应反射光线的参数，如光谱差。 

在大多数的制程中，半导体晶圆会经过处理以制造出由相同电路图案所构成的规则数组，此数组将成为许多晶粒(即芯片)，如图2所示，其显示晶粒区域22与晶圆20的关系。因此，可通过比较晶圆上每个晶粒22的数值与一个或多个其它晶粒22的数值或与标准晶粒(model die，“金”)的数值来检测出缺陷26。 

更具体地，通常对每个像素与每一强度值组别(分别与六个传感器相关的六个组别)执行下列步骤：相互比较该像素与邻近该像素周围的数个像素(如相邻的像素)的强度值以产生对应的散布值S。并可使用特殊的比较程序来进行如找出最高与最低强度值以及计算这些强度值的绝对差值(absolute difference)。将六个强度值I以及与其对应的六个散布值S与另一晶粒的相同位置上的像素的那些数值相比较。该另一晶粒优选先用激光束扫描过的晶粒，但也可以是该晶圆上的另一个晶粒或标准晶粒。对两个晶粒、每个晶粒六种组别及每组分别具有I值与S值所得到的24个数值的数组应用适当的算法与参数来分析以确定该晶粒是否具有缺陷。总体上讲，上述的算法与参数包括根据I值与S值的范围的已知组合来将该像素定位的电路图案进行分类，以及针对每个图案组别的各数值来定义出偏差阈值，即最大可接受偏差。当两个晶粒之间对应于一个或数个感应值的差值超过其相关的偏差阈值时，则认为该像素可能具有缺陷。将与两个其它晶粒或标准晶粒比较后仍被认为可能具有缺陷的像素确定为有缺陷的。还需注意到的是，传感器的数目以及对应于每一像素的强度值不需如同文中示范系统所叙述的各为6个，其可以是任何数目，甚至是一个。 

根据本发明一实施例，将晶圆表面上由像素所构成的数组以逻辑方式划分成数个连续方形区块。每个区块包含一个通常由500×500个像素所构成的数 组。这些数组依序排列形成一个笛卡尔数组(Cartesian array)。由区块所组成的笛卡尔数组以对准晶粒数组为佳，如此可将所有晶粒相等地划分成数个区块。图2显示了区块与晶粒间的关系，其中可看出每个晶粒22均被相等地划分成数个区块24(此处仅示出了他们中的一些)。若像素相距2μm，那么每个区块24通常将是1×1mm，而每个尺寸为10mm的普通晶粒则含有10×10个区块。 

然后，针对每个区块与每个组别(即传感器)，优选地计算享有任何两个强度值I与S的像素数目的直方图。此直方图称为区块特征直方图(Block Characteristic Histogram，BCH)，可被视为一个二维数组，若假设以8位为一单位来显示每个数值，那么其中一个坐标轴会显示256个I值，另一坐标轴则显示256个S值。需注意在BCH中，数值的一般分布状况取决于在位于该特定区块下方的电路图种类，以及I值的种类。举例来说，在对应于暗场传感器的BCH中，对于表征为均一图案的记忆电路区域来说，其强度值与散布值以中等强度为主，而裸晶圆(无电路图案)的强度值与散布值则大多为低强度。而对于明场传感器来说，记忆电路区域和典型直方图则如图3所示，为了清楚并简洁的目的，在图3中仅分别显示16个I值与S值。可以理解，直方图中的两个变量不一定是I与S，也可以是由光强度所衍生出来的其它数值。 

由BCH所构成的群组(此较佳实施例为六个BCH)是一种称为区块信号的特别种类。本发明也可针对每个区块从该区块的BCH或直接从该区块的强度值及任何衍生变量值(如散布值)来计算出其它种类的信号。对于该区块的每个组别来说，任何一组这些数值(如I值或S值或两者)的平均值即是上述信号的一种简单实施例。另一种信号计算的方法是将所有对应的散布值均低于某一阈值的强度值(通常是无电路图区域)求平均值。一种不论直接从每个区块的强度值或各BCH来产生区块信号的函数关系的实施例是强度值与散布值之间的关联性。其它种类的区块信号可包括如该区块的数个BCH之间的函数关系。 

根据上述方法，将对晶圆表面上的每个区块产生信号。需注意的是，对于有些种类的信号，其用来计算该信号的参数可能为了配合区块下方的图案(即各种电路图)的不同而随着区块改变。再者，将每个在同一时间内的区块视为一个当前区块(current block)，其信号则视为当前信号，这些当前信号会与 对照信号相比较，而使得该区块产生一组制程变异指示值(该组制程变异指示值中可能包含一个或多个制程变异指示值)。最好以一个或多个能定义出可接受的偏差范围的参数来控制任何此种比较；同样的这些参数较佳是以作为该区块下方的电路图案的函数来确定。将所有这些对照参数，以及上述用来计算整个晶圆面积或任一晶粒的信号信息的参数收集完全后，会形成该晶圆或该晶粒的参数图(parameter map)；对于制程受到监控的每一种晶粒均会订出如同以上内容所叙述的参数图。 

本发明较佳实施例依照不同的对照信号来源可构筑出数种类型。第一种用来执行绝对制程变异检测的类型是需先为晶圆整个表面或单一晶粒的面积(假设晶圆上每个独立晶粒的图案相同)定义出标准信号表。并且最好根据每种晶粒种类(即电路图案)或每个产品批次来产生上述的信号表，以及例如根据一个或多个经过上述扫描及信号运算程序确认为无缺陷的样品来产生信号表。检查过程中，每个区块的信号会与标准信号表中的相应的信号相比较。第二种用来执行晶圆制程期间的变异检测的类型是在检查过程中，使每个区块的信号与先前已检查晶圆(并且最好是与前一片晶圆)的对应位置区块的信号相比较。第三类型是用来执行晶粒制程变异检查，且适用于晶圆上相同晶粒的图案的情况。除了在检查过程中，每个区块的信号需与一个或多个其它晶粒(最好为邻近晶粒)上对应位置区块的信号相比较之外，第三类型与第二类型相似。此第三类型可广泛应用于任何一种表面上具有重复的相同的指定图案距离的待测表面。 

如上述所讨论的内容，每个比较程序均由参数图(该参数图通常根据区块而有所不同)中的对照参数来控制。例如，当每一组别的一个信号只有一个数据时，适用的比较程序可以是简单地计算出当前信号与对照信号之间的绝对差值，并判断这些计算出来的绝对差值是否超出参数图中对应的阈值。若差值超过超出该对应的阈值，那么便可对当前区块指定一个适当的制程变异指示值。 

当信号是由I值与S值所构成的BCH时，适用的比较程序的另一实施例则可如下列步骤：针对每个组别，利用相减后取绝对值的方式来计算当前BCH图中与对照BCH中每一对I值与S值的绝对差值，再将所得结果加以平均来得到平均绝对差值。随后从所有组别中找出最大平均差值与参数图中对应的阈值相比较，以产生制程变异指示值。将上述后项示范方法加以变化的话，便可 针对每个组别及每个区块的参数图来定义一组偏差阈值作为I值与S值的函数；随后计算出当前BCH与对照BCH中每个差值，并使这些差值与其对应的偏差阈值相比较，同时任何超过偏差阈值的差值会产生一个偏差尾数(deviation flag)；任何组别的区块的BCH存在的偏差尾数，或可能该尾数的数量均暗示发生任何制程变异，也可能显示出制程变异的严重程度。 

需注意若该系统用于缺陷检测时，本发明方法中的像素光强度值，甚至是散布值所代表的意义与现行的检测方法中所使用的光强度值或散布值相同。由于本发明的缺陷检测程序与制程变异监控方法可使用相同的系统设备中，因此本发明十分经济。此外，本发明方法可同时进行缺陷检测与制程变异监控两种程序，而十分省时。再者，本发明方法亦可套用于如上述内容中所叙述过的单机系统中。 

设计用来与缺陷检测系统共同运作的本发明另一实施例如下：以类似应用于缺陷检测中的方法来比较每个感应到的像素强度值(甚至包括散布值)与另一晶粒(或称对照晶粒)上的对应像素的数值，不过，在此场合中的偏差阈值设定需合理地低于缺陷检测程序中的偏差阈值。因此，大多数的像素将具有大幅偏离对照值的强度值及散布值。这些像素会被标示成非正常像素。随后如同第一较佳实施例，将晶圆表面上的每一个晶粒逻辑性地划分数个区块。计算每个区块中的非正常像素数目，并且程序会将这些具有高数目的非正常像素的区块当作制程变异来报告。再对每个组别(如传感器)来进行该程序。整个过程会以对照直方图来显示，其简化的实例示意性地示出于图4，图中的两坐标轴分别显示第一晶粒与第二晶粒的强度。为了合并两个区块中的像素强度值，需记录进行合并的区块中每个像素的数据。理想状况下，每个记录点应落在主对角线附近的区域内。但由于制程中具有干扰与变异，因此实际上两个晶粒中会有许多像素的强度值不相等。图4绘出了显示每对数据的分布情形的正常等高线45。最内圈的等高线例如，包含了所有被感测像素中的90％。并根据其与等高线45的一些选定关系来绘制两对大体与主对角线平行的阈值线。这些阈值线会将直方图划分成五个区域。远离对角线的第一对阈值线41用来区分出有缺陷的像素43，而离对角线较近的第二对阈值线42则用来区分出不正常的像素44。需注意阈值线41就是现有技术的检查系统(如前面叙述过的Compass系统)所使用的区分缺陷的阈值线并且可能可选地也被用于本发明的系统；而阈值线42以及其用来区分出不正常像素的应用则为本发明的新特征。不论在何种情况下，所有数值在阈值线42以外(也包括那些可能在阈值线41以外)的像素最好归类于不正常像素。

也可个别针对不同传感器或结合所有传感器的方式来设计出可分辨不正常像素数目的公式，也因此需得到更多有关监控制程变异的数据。所有数据将会作为用来求得像素的不正常指示值之间的关系。此实施例的另一种类型是从标准晶粒中获取对照值，并可存储这些对照数值；更普遍地，这些对照数值可能作为一个适当的对照数组，此对照数组是衍生自对照晶粒或是标准晶粒。 

当在制程变异监控系统(可能是晶圆检查系统的一部分)中应用本发明的任何方法时，依照上述内容所叙述的方法所取得每个区块的偏差能以图形形式呈现在制程操作者眼前，以帮助该操作者降低其人为的制程变异。或者，所获得的数据能自动提供至一个分析系统来将这些数据转化成可能的制程变异输出数据，或以其它方式来处理这些数据。或是激活一个再检查程序(例如高分辨率的观测程序)来对呈报出来的区块，特别是具有高偏差分数的区块进行检测。需注意到这些需再次检查的位置多半是指那些现行方法检测为具有缺陷的以外的地方，虽然部分的这些位置可能大致相同。如同本文中所叙述的实施例，本发明用于制程监控所产生出的结果的应用方式不属于本发明范围，而是显示其用途。 

需明白，文中所公开的本发明的各种变化，包括各种其它类型与功能，以及应用至其它表面、图案及制程是可能的，它们均不脱离本发明范围，因此本发明的保护范围应当以权利要求书所界定的为准。 

还需了解到根据本发明的系统可以是经适当程序化的计算机或数字处理器。同样地，可根据本发明来设计能被计算机读取的计算机软件(程序)以执行本发明方法。还可根据本发明来设计仪器可读式内存，其包含由仪器驱动的指令所构成的软件以执行本发明方法。 

Claims (12)

1.一种半导体晶圆检查方法，包括：

照明晶圆以接收多个晶粒的多个光强度值；

测量每一个像素与邻近该像素周围的数个像素的光强度值，其中该每一个像素和邻近该像素周围的数个像素与多个晶粒中的每个晶粒相关；以及

基于所测量的光强度值，将每个晶粒的光强度值与一个或多个其它晶粒或标准晶粒的光强度值相比较。

2.权利要求1的方法，其中以激光照明晶圆。

3.权利要求1的方法，其中以激光照明晶圆，该激光由光学系统聚焦于晶圆上以便将聚焦光点法向地投射到晶圆表面上。

4.权利要求3的方法，其中通过扫描机构移动晶圆，使得聚焦光点以平行线的规则光栅来扫描。

5.权利要求1的方法，其中由传感器收集自晶圆反射和散射到多个方向的光并且将该光转换成对应的电信号，对该电信号取样并数字化，以产生光强度值。

6.权利要求1的方法，其中对于所述每一个像素，确定明场强度值、一个或多个暗场强度值、以及灰场强度值。

7.权利要求6的方法，其中对于所述每一个像素，以及对于每一强度值组别，将所述每一个像素与邻近该像素周围的数个像素的组的强度相互比较以产生对应的散布值，该每一强度值组别为明场强度、暗场强度，以及灰场强度。

8.权利要求7的方法，其中将所述每一个像素与邻近该像素周围的数个像素的组的强度相互比较以找出最高和最低强度值并且确定它们之间的绝对差值。

9.权利要求7的方法，其中将该强度值以及该对应的散布值与另一晶粒的对应像素的强度值以及对应的散布值进行晶粒-晶粒比较。

10.权利要求9的方法，其中分析由该强度值以及该对应的散布值的晶粒-晶粒比较得到的数值数组以确定对象像素是否是有缺陷的。

11.权利要求10的方法，其中通过根据该强度值以及该对应的散布值的范围的已知组合，分类对象像素所定位的电路图案，以及为每个图案组别的多个数值限定最大可接受偏差来分析得到的数组，以便当一个或数个感应值之间的晶粒-晶粒差值超过可应用的偏差阈值时，将对象像素确定为有缺陷的。

12.一种用于明场检查的方法，包括：

明场照明晶圆以接收多个晶粒的多个光强度值；

测量每一个像素与邻近该像素周围的数个像素的光强度值，其中该每一个像素和邻近该像素周围的数个像素与多个晶粒中的每个晶粒相关；和

根据所测量的光强度值，将每个晶粒的光强度值与一个或多个其它晶粒或标准晶粒的光强度值相比较。