CN101706258A - 电阻式光点位置传感器 - Google Patents

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Abstract

本发明是电阻式光点位置传感器，是在条状陶瓷基片上均匀涂覆并烧结有硫化镉光敏材料层，光敏材料层的上面通过真空磁控飞溅工艺制有两条线性电阻电阻片，电阻片纵向左右分布，中间留有一均匀的透光缝隙，硫化镉光敏材料采用低电阻率，电阻片采用高电阻率，电阻率之比大于100倍以上，每条电阻片的端头设有引脚，两个引脚位于同一端，传感器的表面涂有透明环氧树脂保护层。激光光点照射到两条电阻片之间的缝隙时，照射处的硫化镉光敏材料导通，将两条电阻片在该处连通，根据光点的位置上下不同，输出相应的电阻值，从而反应出光点的位置信息。

Description

电阻式光点位置传感器
技术领域
本发明涉及传感器，特别是用于测量激光位置的传感器。
背景技术
位移测量仪器，一般采用电容式传感器、涡流传感器、差动变压器、霍尔传感器，以及激光位移传感器。除激光位移传感器外，其它传感器都需要在被测物体上加装一些部件，这样就增加了其质量，对其机械运动造成影响，因而不适用于微小质量的物体的微小位移或形变测量。而激光位移传感器不需要在被测物体上加装部件，也不会在被测物体上加力，因而比较适合应用。
但现有的激光位移传感器采用CCD作为光点位置传感器，激光光点在CCD上成像，通过扫描感知光点的位置。采用CCD芯片加扫描电路成本高，由于电路精密，易受到电磁干扰。
发明内容
本发明目的在于提供一种结构简单、低成本的高精度光点位置传感器，以方便使用。
本发明的方案是：电阻式光点位置传感器，其特征是：在条状陶瓷基片上均匀涂覆并烧结有硫化镉光敏材料层，光敏材料层的上面通过真空磁控飞溅工艺制有两条线性电阻电阻片，电阻片纵向左右分布，中间留有一均匀的透光缝隙，硫化镉光敏材料采用低电阻率，电阻片采用高电阻率，电阻率之比大于100倍以上，每条电阻片的端头设有引脚，两个引脚位于同一端，传感器的表面涂有透明环氧树脂保护层。
本发明的优点是：激光光点照射到两条电阻片之间的缝隙时，照射处的硫化镉光敏材料导通，将两条电阻片在该处连通，根据光点的位置上下不同，导通处的位置发生相应变化，从而输出不同的电阻值，反应出光点的位置信息。本发明线性好、精确度高，具有简单可靠的优点。
附图说明
下面根据附图结合实施例对本发明作进一步说明。
附图是本发明的结构示意图。
图中标记说明：1引脚压接头，2电阻片，3光敏材料层，4陶瓷基片，5引脚。
具体实施方式
参见附图，实施例的结构是：在条状陶瓷基片4有硫化镉光敏材料层3，光敏材料层3的上面有两条电阻片2，电阻片2纵向左右分布，中间留有一均匀的透光缝隙，每条电阻片的端头设有引脚5，两个引脚5位于同一端，传感器的表面涂有透明环氧树脂保护层。
光敏材料层均匀涂覆在陶瓷基片上并烧结而成，厚度以及制造工艺与现有的光敏电阻相同.
电阻片通过真空磁控飞溅工艺制成，工艺和现有的电位器中的电阻片相同。电阻片为线性电阻。
硫化镉光敏材料采用低电阻率，电阻片采用高电阻率，电阻率之比大于100倍以上，以消除因光照强度不同时硫化镉光敏材料本身的电阻影响。比如实施例的传感器在导通点的电阻为10Ω，而电阻片的电阻为10KΩ/mm。这样，假如光照点到引脚处构成的有效电阻为100KΩ，则总电阻为100.010KΩ，当光照强度受到其它因素影响变弱，导通点的电阻为12Ω时总电阻为100.012KΩ，基本没有影响。
由于硫化镉光敏材料、电阻片的材料为均匀的微小粉末，因而具有较高的分辨率，经实验，实施例的传感器可以鉴别直径2mm激光点位移0.01mm。

Claims (1)

1.电阻式光点位置传感器，其特征是：在条状陶瓷基片(4)上均匀涂覆并烧结有硫化镉光敏材料层(3)，光敏材料层(3)的上面通过真空磁控飞溅工艺制有两条线性电阻电阻片(2)，电阻片(2)纵向左右分布，中间留有一均匀的透光缝隙，硫化镉光敏材料采用低电阻率，电阻片采用高电阻率，电阻率之比大于100倍以上，每条电阻片的端头设有引脚(5)，两个引脚位于同一端，传感器的表面涂有透明环氧树脂保护层。
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20100512