CN101691909A - Led封装模块及其制备方法 - Google Patents

Led封装模块及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101691909A
CN101691909A CN200910108734A CN200910108734A CN101691909A CN 101691909 A CN101691909 A CN 101691909A CN 200910108734 A CN200910108734 A CN 200910108734A CN 200910108734 A CN200910108734 A CN 200910108734A CN 101691909 A CN101691909 A CN 101691909A
Authority
CN
China
Prior art keywords
line
heat conductive
wiring side
led package
insulating glue
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN200910108734A
Other languages
English (en)
Inventor
李金明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DONGGUAN WANFENG NANO MATERIAL Co Ltd
Original Assignee
DONGGUAN WANFENG NANO MATERIAL Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by DONGGUAN WANFENG NANO MATERIAL Co Ltd filed Critical DONGGUAN WANFENG NANO MATERIAL Co Ltd
Priority to CN200910108734A priority Critical patent/CN101691909A/zh
Publication of CN101691909A publication Critical patent/CN101691909A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明涉及LED封装模块,包括基板,该基板具有固晶面和布线面,其特征在于:所述布线面具有线路部分,所述线路部分构成所述基板上的电路,所述线路部分设置于所述布线面的表层;所述线路部分具有层状结构,由内向外,所述线路部分包括导热绝缘胶层、导电镀层。本发明提供一种导电层与基板结合牢固的、工作可靠的LED封装模块,本发明提供一种该LED封装模块的制备方法。

Description

LED封装模块及其制备方法
技术领域
本发明涉及照明用LED封装。
背景技术
与传统照明装置相比,LED路灯不仅具有色度好、免维护、寿命长的特点,更重要的是比传统路灯更节能。
中国发明专利文献CN101101103、CN101101102、CN101101107分别公开了一种LED路灯,其散热性能已经达到实用级。上述三种LED路灯代表了市面上LED照明技术的主流,包括遂道灯、室内照明灯,其核心技术与上述专利文献公开的内容十分近似。上述技术均通过一个具有印刷电路的铝基板,在铝基板上设置多个单只LED灯泡,然后在铝基板的背部紧贴一散热体,散热体的反面设置散热翅,上述技术还采用了二次光学透镜或反光杯进行二次光学处理,以控制光斑。
然而,上述现有技术仍有不足,制约了LED照明技术的推广应用。上述现有技术采用单个封装的LED灯泡,将单个LED灯泡焊接于表面具有印刷电路的铝基板,组成发光模块。现有铝基板,其结构是在铝板上涂布一层绝缘材料再贴合铜片构成,这种结构的铜片电路与铝基板的结合力较小,随着温度的变化,印刷电路与铝基板本体的热膨胀系数差也会产生变化,所有此种技术在应用中,经常会产生印刷电路与铝基板本体起层,基至断线;同样的原理,也会导致LED灯泡开焊。
发明内容
本发明的主要目的在于克服上述现有技术的不足,而提供一种导电层与基板结合牢固的、工作可靠的LED封装模块,本发明的目的还在于提供一种该LED封装模块的制备方法。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
LED封装模块,包括基板,该基板具有固晶面和布线面,其特征在于:所述布线面具有线路部分,所述线路部分构成所述基板上的电路,所述线路部分设置于所述布线面的表层;所述线路部分具有层状结构,由内向外,所述线路部分包括导热绝缘胶层、导电镀层。
LED封装模块,其特征在于:所述固晶面与所述布线面平行设置,所述固晶面之高度底于所述布线面,所述固晶面与所述布线面之间设有反射过度面。
LED封装模块,其特征在于:所述基板还包括一层反射膜,所述反射膜设置于所述固晶面表面、所述布线面最内层、及所述反射过度面表面;所述反射膜的膜系结构为Ni-Ag-Ni;所述Ni-Ag-Ni结构各层的厚度分别为8nm、15nm、8nm。
LED封装模块,其特征在于:所述导热绝缘胶层的材料为环氧树脂与α-Al2O3的混合物,所述导热绝缘胶层的厚度为0.02mm-0.06mm。
LED封装模块,其特征在于:所述导热绝缘胶层的材料为聚酰亚胺与α-Al2O3的混合物,所述导热绝缘胶层的厚度为0.02mm-0.06mm。
LED封装模块,其特征在于:所述导电镀层是0.002mm-0.018mm厚度的纳米电沉积Cu。
LED封装模块,其特征在于:所述导电镀层还包括一设置在所述纳米电沉积Cu底部的真空镀底层,所述真空镀底层为5nm-10nm的电沉积Ni。
LED封装模块,其特征在于:所述固晶面与所述布线面平行设置,所述固晶面之高度底于所述布线面,所述固晶面与所述布线面之间设有反射过度面;所述基板还包括一层反射膜,所述反射膜设置于所述固晶面表面、所述布线面最内层、及所述反射过度面表面;所述反射膜的膜系结构为Ni-Ag-Ni;所述Ni-Ag-Ni结构各层的厚度分别为8nm、15nm、8nm;所述导热绝缘胶层的材料为聚酰亚胺与α-Al2O3的混合物,所述导热绝缘胶层的厚度为0.02mm-0.06mm;所述导电镀层是0.002mm-0.018mm厚度的纳米电沉积Cu;所述导电镀层还包括一设置在所述纳米电沉积层底部的真空镀底层,所述真空镀底层为5nm-10nm的电沉积Ni。
本发明的目的还可以通过以下技术方案实现:
LED封装模块的制备方法,该LED封装模块包括基板,基板具有布线面,布线面包括线路部分;该方法包括线路部分制作工序,其特征在于,所述线路部分制作工序包括以下步骤:(1)丝印导热绝缘胶层,(2)烘干,(3)贴保护膜,(4)真空镀底,(5)纳米电沉积Cu,其中,第(1)步所述的导热绝缘胶层的厚度为0.02mm-0.06mm,所述导热绝缘胶层的材料为环氧树脂与α-Al2O3的混合物,或聚酰亚胺与α-Al2O3的混合物;第(2)步所述的烘干为热风烘干,当所述导热绝缘胶层的材料采用环氧树脂与α-Al2O3的混合物时,该烘干步骤采用的温度为180℃-200℃;当所述导热绝缘胶层的材料采用聚酰亚胺与α-Al2O3的混合物时,该烘干步骤采用的温度为180℃-400℃;第(3)步所述的保护膜,是PVC膜加橡胶粘结,或PET膜加硅胶粘结,或PP膜加亚克力胶粘结;所述保护膜可以保留在半成品上,作为保护镀层用,被保护部位需要设置其它材料时,再除去保护层即可;第(4)步所述的真空镀底,是以真空溅射或真空蒸镀方式沉积5nm-10nm的Ni;第(5)步所述的纳米电沉积Cu,是以真空溅射或真空蒸镀金方式沉积0.002mm-0.018mm的Cu。
本发明的LED封装模块,所述布线面具有线路部分,所述线路部分构成所述基板上的电路,所述线路部分设置于所述布线面的表层;所述线路部分具有层状结构,由内向外,所述线路部分包括导热绝缘胶层、导电镀层;本发明的电路层是通过电镀方式设置的,因此可以作到很薄,与所述基板本体的结合力好。与现有技术相比,具有结合牢固的、工作可靠的特点。本发明的另一个技术方案是该LED封装模块的制备方法,故合为一案申请。基于前述的理由,采用该方法制备的LED封装模块,同样具有结合牢固的、工作可靠的特点。
附图说明
图1是本发明第一个实施例之电路部分示意图。
图2是本发明第一个实施例的示意图。
图3是本发明第一个实施例中LED封装模块制备之固晶工序的流程图。
图4是本发明第一个实施例中LED封装模块制备之导电镀层设置工序的流程图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步详述。参考图1、图2,本发明第一个实施例是一种LED封装模块,包括基板101和LED芯片110;该基板101为AlSi合金材料,其中,Al的含量为30%-95%,Si的含量为5%-70%;所述基板101具有固晶面1011和布线面1012,所述固晶面1011与所述布线面1012平行设置,所述固晶面1011之高度底于所述布线面1012,所述固晶面1011与所述布线面1012之间设有反射过度面1013;所述固晶面1011、所述布线面1012、所述反射过度面1013表面均设置一层反射膜102,所述反射膜102的膜系结构为Ni-Ag-Ni;所述Ni-Ag-Ni结构各层的厚度分别为2nm-10nm、5nm-30nm、2nm-10nm;所述布线面1012具有线路部分,所述线路部分构成所述基板101上的电路,所述线路部分设置于所述布线面1012的表层,再次参考图1,即所述反射膜102的外侧;所述线路部分具有层状结构,由内向外,所述线路部分包括导热绝缘胶层103、导电镀层104;所述LED芯片110设置于所述固晶面1011,所述固晶面1011与所述LED芯片110之间还具有一热沉层109,所述热沉层109的材料为AuSn合金,其中Au含量为4%-9%,Sn的含量为91%-96%,所述热沉层的厚度为0.005mm-0.02mm;在本实施例中,所述AuSn合金中Au含量为5%,Sn的含量为95%,所述热沉层的厚度为0.008mm。下面简要说明一下固晶方法,参考图3,固晶工序包括以下步骤:(1)设置热沉层,(2)放置LED芯片,(3)焊接,(4)冷却,其中,第(1)步所述的设置热沉层采用真空溅射的方式;第(2)步所述的放置LED芯片是将LED芯片置于热沉层上;第(3)步所述的焊接,是指将第(2)步制成的半成品过焊接炉,焊接炉的温度为250℃-300℃;第(4)步所述的冷却是指常温风冷却。该LED封装模块还包括扩散增光层111,所述扩散增光层111填充于所述固晶面1011与所述反射过度面1013界定而成的空间内,所述扩散增光层111位于所述热沉层109之上并将所述LED芯片110包覆于其中,所述扩散增光层111之顶面高于所述LED芯片110之顶面;所述扩散增光层111是透明硅胶与玻璃微珠的混合物;所述布线面1012还具有绝缘部分,所述线路部分构成所述基板101上的电路,所述线路部分与所述绝缘部分构成所述布线面1012的表层;该LED封装模块还包括换能层108,所述换能层108设置于所述布线面1012并覆盖于所述线路部分和绝缘部分之外;所述换能层108是导热绝缘胶与纳米TiO2和纳米SnO2的混合物,本实施例中,纳米TiO2和纳米SnO2是等比例配比的,当然作为本实施例的一种变换方案,也可以采用现有技术中公开的其它比例。本实施例中,所述基板101之SiAl合金中Al的含量为85%,Si的含量为15%。再次参考图2,本实施例中,所述布线面1012设置于所述基板101的顶面,所述返射过度面1013有二个,二个反射过度面1013分别设置在所述固晶面1011的二侧,所述固晶面1011与所述二个反射过度面1013组成一长条状的沟槽;所述沟槽开口大底部小;二个反射过度面1013均为平面,对称地设置于所述固晶面1011的二侧,二个反射过度面1013的夹角为75°-105°,本实施例中,二个反射面1013的夹角为90°。本实施例中,所述Ni-Ag-Ni结构各层的厚度分别为8nm、15nm、8nm;所述反射膜是通过真空溅射或真空蒸镀方式镀设的,即先镀一层Ni,再镀一层Ag,最后再镀一层Ni。本实施例中,所述导热绝缘胶层103的材料为环氧树脂与α-Al2O3的混合物,当然,作为一种替代方案,也可以采用聚酰亚胺与α-Al2O3的混合物,所述导热绝缘胶层103的厚度为0.02mm-0.06mm,本实施例中是0.03mm。所述导电镀层104是0.002mm-0.018mm厚度的纳米电沉积Cu,本实施例中纳米电沉积Cu的层厚度为0.005mm;所述导电镀层104还包括一设置在所述纳米电沉积Cu底部的真空镀底层,所述真空镀底层为5nm-10nm的电沉积Ni,本实施例中,真空镀底的厚度是6nm,因真空镀底层的厚度很薄,图2中未示出。在本实施例中,还公开一种LED封装模块的制备方法,方法包括线路部分制作工序,参考图4,所述线路部分制作工序包括以下步骤:(1)丝印导热绝缘胶层,(2)烘干,(3)贴保护膜,(4)真空镀底,(5)纳米电沉积Cu,其中,第(1)步所述的导热绝缘胶层的厚度为0.03mm,所述导热绝缘胶层的材料为环氧树脂与α-Al2O3的混合物;第(2)步所述的烘干为热风烘干,该烘干步骤采用的温度为180℃-200℃;第(3)步所述的保护膜,是PET膜加硅胶粘结;第(4)步所述的真空镀底,是以真空溅射方式沉积6nm的Ni;第(5)步所述的纳米电沉积Cu,是以真空溅射或真空蒸镀金方式沉积0.005mm厚度的Cu;所述保护膜可以保留在半成品上,在设置所述换能层时再除去即可。当然,作为本实施例的一种替代方案,可以用AgSn合金代替AuSn合金,且该AgSn的组份可以是:Ag的含量为1%-25%,Sn的含量为75%-99%,优选组份是:Ag的含量为20%,Sn的含量为80%,AgSn合金虽然能实现固晶和导热要求,但其贵金属使用的比例及焊接效果均不如AuSn理想,不过Ag比Au要经济得多,易于产业化推广。实施例中,所述LED芯片110表面还设置荧光层。本实施例中,该模块还包括表面封胶层107,所述表面封胶层107的材料为透明硅胶与荧光粉的混合物,所述表面封胶层107设置于所述扩散增光层111的外侧,因为设置了扩散增光层111,客观上也起到另外一个作用,那就是减小了表面封胶层107的厚度,从而节约了荧光粉的使用量。

Claims (9)

1.一种LED封装模块,包括基板,该基板具有固晶面和布线面,其特征在于:所述布线面具有线路部分,所述线路部分构成所述基板上的电路,所述线路部分设置于所述布线面的表层;所述线路部分具有层状结构,由内向外,所述线路部分包括导热绝缘胶层、导电镀层。
2.根据权利要求1所述的LED封装模块,其特征在于:所述固晶面与所述布线面平行设置,所述固晶面之高度底于所述布线面,所述固晶面与所述布线面之间设有反射过度面。
3.根据权利要求2所述的LED封装模块,其特征在于:所述基板还包括一层反射膜,所述反射膜设置于所述固晶面表面、所述布线面最内层、及所述反射过度面表面;所述反射膜的膜系结构为Ni-Ag-Ni;所述Ni-Ag-Ni结构各层的厚度分别为8nm、15nm、8nm。
4.根据权利要求1所述的LED封装模块,其特征在于:所述导热绝缘胶层的材料为环氧树脂与α-Al2O3的混合物,所述导热绝缘胶层的厚度为0.02mm-0.06mm。
5.根据权利要求1所述的LED封装模块,其特征在于:所述导热绝缘胶层的材料为聚酰亚胺与α-Al2O3的混合物,所述导热绝缘胶层的厚度为0.02mm-0.06mm。
6.根据权利要求1所述的LED封装模块,其特征在于:所述导电镀层是0.002mm-0.018mm厚度的纳米电沉积Cu。
7.根据权利要求1所述的LED封装模块,其特征在于:所述导电镀层还包括一设置在所述纳米电沉积Cu底部的真空镀底层,所述真空镀底层为5nm-10nm的电沉积Ni。
8.根据权利要求1所述的LED封装模块,其特征在于:所述固晶面与所述布线面平行设置,所述固晶面之高度底于所述布线面,所述固晶面与所述布线面之间设有反射过度面;所述基板还包括一层反射膜,所述反射膜设置于所述固晶面表面、所述布线面最内层、及所述反射过度面表面;所述反射膜的膜系结构为Ni-Ag-Ni;所述Ni-Ag-Ni结构各层的厚度分别为8nm、15nm、8nm;所述导热绝缘胶层的材料为聚酰亚胺与α-Al2O3的混合物,所述导热绝缘胶层的厚度为0.02mm-0.06mm;所述导电镀层是0.002mm-0.018mm厚度的纳米电沉积Cu;所述导电镀层还包括一设置在所述纳米电沉积层底部的真空镀底层,所述真空镀底层为5nm-10nm的电沉积Ni。
9.一种LED封装模块的制备方法,该LED封装模块包括基板,基板具有布线面,布线面包括线路部分;该方法包括线路部分制作工序,其特征在于,所述线路部分制作工序包括以下步骤:
(1)丝印导热绝缘胶层,
(2)烘干,
(3)贴保护膜,
(4)真空镀底,
(5)纳米电沉积Cu,
其中,
第(1)步所述的导热绝缘胶层的厚度为0.02mm-0.06mm,所述导热绝缘胶层的材料为环氧树脂与α-Al2O3的混合物,或聚酰亚胺与α-Al2O3的混合物;
第(2)步所述的烘干为热风烘干,当所述导热绝缘胶层的材料采用环氧树脂与α-Al2O3的混合物时,该烘干步骤采用的温度为180℃-200℃;当所述导热绝缘胶层的材料采用聚酰亚胺与α-Al2O3的混合物时,该烘干步骤采用的温度为180℃-400℃;
第(3)步所述的保护膜,是PVC膜加橡胶粘结,或PET膜加硅胶粘结,或PP膜加亚克力胶粘结;
第(4)步所述的真空镀底,是以真空溅射或真空蒸镀方式沉积5nm-10nm的Ni;
第(5)步所述的纳米电沉积Cu,是以真空溅射或真空蒸镀金方式沉积0.002mm-0.018mm的Cu。
CN200910108734A 2009-07-10 2009-07-10 Led封装模块及其制备方法 Pending CN101691909A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200910108734A CN101691909A (zh) 2009-07-10 2009-07-10 Led封装模块及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200910108734A CN101691909A (zh) 2009-07-10 2009-07-10 Led封装模块及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101691909A true CN101691909A (zh) 2010-04-07

Family

ID=42080618

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200910108734A Pending CN101691909A (zh) 2009-07-10 2009-07-10 Led封装模块及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101691909A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104497785A (zh) * 2014-11-25 2015-04-08 浙江大学自贡创新中心 用于led基板的纳米改性树脂复合涂料的制备方法
CN104497784A (zh) * 2014-11-25 2015-04-08 浙江大学自贡创新中心 用于led基板的疏水纳米改性树脂复合涂料的制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104497785A (zh) * 2014-11-25 2015-04-08 浙江大学自贡创新中心 用于led基板的纳米改性树脂复合涂料的制备方法
CN104497784A (zh) * 2014-11-25 2015-04-08 浙江大学自贡创新中心 用于led基板的疏水纳米改性树脂复合涂料的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101684900B (zh) Led封装模块
CN201599643U (zh) 多颗粒反射折射led路灯
WO2010066128A1 (zh) Led小功率发光芯片的封装模块
CN100375300C (zh) 大功率发光二极管
CN110223972A (zh) 一种具有反射镜结构的倒装cob光源及其制备方法
CN103746064A (zh) 一种提高光源光效的镜面铝基板及其制造方法
CN101691909A (zh) Led封装模块及其制备方法
CN203707188U (zh) 一种提高光源光效的镜面铝基板
CN2517112Y (zh) 大功率发光二极管
CN208077971U (zh) Led光源
CN206349386U (zh) 一种具有稳定性和折射率的led灯珠结构
CN101691910B (zh) Led封装模块及其制备方法
CN206349387U (zh) 基于陶瓷金属基板的led灯珠结构
CN201918423U (zh) Led导散热机构
CN101684899B (zh) Led封装模块
CN101691907A (zh) Led封装模块
CN101691911A (zh) Led封装模块
CN101691908A (zh) Led封装模块
CN207938646U (zh) Cob高密度led倒装光源
CN208240726U (zh) 一种具有透明胶层的led发光光源
CN209592079U (zh) 一种可与散热器焊接的镜面铝cob线路支架
CN203215377U (zh) 一种多发光体的led筒灯结构
CN203231156U (zh) 一种线型led光源
CN202327688U (zh) 一种用于导热管的led照明结构
CN201925758U (zh) 一种led灯

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20100407