CN101688919A - 光或放射线检测器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的放射线检测器，将模压结构、第一部件以及第二部件分别构成为使得用于保护变换层和电压施加电极的模压结构的电阻，大于在其模压结构的(光或放射线的)入射面侧层积形成的由面状的导电性缓冲材料构成的第一部件的电阻，并且使上述的第一部件的电阻，大于在第一部件的入射面侧层积形成的由面状的导电性部件构成的第二部件的电阻，因此可以抑制由静电而引起噪声。

Description

光或放射线检测器及其制造方法
技术领域
【0001】
本发明涉及一种用于医疗领域、工业领域以及原子能领域等的光或放射线检测器及其制造方法。
背景技术
【0002】
采用例子说明X射线检测器。X射线检测器具备X射线感应型的X射线变换层，因X射线的入射而X射线变换层变换成电荷信息，并通过读出该变换的电荷信息来检测X射线。由X射线变换层从X射线变换的电荷非常微小，因此必须对该电荷进行放大。这样微小的电荷，不仅由X射线发生，由静电的变化也可能发生。所以，在对于放大器前级的数据线等信号线上由静电发生电位变化的情况下，将静电变化部分误认为信号，将静电变化部分一并放大就会发生噪声。抑制由静电产生噪声的技术是将使静电影响变小的虚线(dummy line)配设在薄膜晶体管(TFT)本体上从而抑制由静电产生噪声(例如参照专利文献1)。
【0003】
但是，对于由X射线变换层将入射的放射线直接变换成电荷信息的直接变换型X射线检测器，虽然X射线变换层会由X射线的入射而产生电荷，但是此时必须对X射线变换层施加高电压(例如数百V～数十kV左右)的偏置电压。由于施加高电压，必须防止放电，一般采取的对策是用被称为“模压结构”的绝缘体进行覆盖等。一般结构是在X射线变换层或电压施加电极的周围设置框，并在其上安装玻璃等绝缘体后，在X射线变换层或电压施加电极与玻璃之间的空间注入绝缘性树脂并封装。通过这种结构可以用绝缘性树脂覆盖X射线变换层或电压施加电极予以保护。
【0004】
但是，在由模压结构那样的绝缘体覆盖的电压施加电极的施加面上，虽然不再担心会放电，但是在模压结构的入射面(即施加面的对面)上却发生了放电。那么如上述由放大器将静电的变化部分也一并放大，并产生了噪声。在模压结构的情况下，还有一种抑制由静电产生噪声的技术(例如参照专利文献2)是利用模压结构取代玻璃而采用接地的导电性部件来除去静电。
【0005】
另外，还有在在曝光计(phototimer)和X射线检测器之间配设接地的导电性部件，由导电性部件来遮挡从曝光计来的辐射噪声，由接地来疏导辐射噪声的技术(例如参照专利文献3)。
专利文献1：特开2003-46075号公报(第2～11页，图1)
专利文献2：特开2004-268271号公报(第1～9页，图1)
专利文献1：特开2005-241334号公报(第1～6页，图1、3)
【0006】
但是，仅仅采用上述的专利文献2的对策的问题是并不能完全解除发生的静电。特别是，由于施加高电压的电压施加电极的施加面持续带电，与集电机一样吸附灰尘，并以该灰尘为基点，进一步产生静电噪声。
【0007】
本发明鉴于这样的事情，目的是提供一种可以抑制由静电产生噪声的光或放射线检测器及其制造方法。
发明内容
【0008】
本发明，为了达成这样的目的，采取以下的构成。
即，本发明的光或放射线检测器，检测光或放射线，该光或放射线检测器具备：变换层，其利用光或放射线的入射，将上述光或放射线的信息变换成电荷信息；电压施加电极，其向该变换层施加偏置电压；模压结构，其用于保护该变换层和电压施加电极；和读出基板，其读出上述电荷信息，该光或放射线检测器还具备：由面状的导电性缓冲材料构成的第一部件，其层积形成在上述模压结构的上述入射面侧；和由面状的导电性部件构成的第二部件，其层积形成在该第一部件的上述入射面侧，该光或放射线检测器将模压结构、第一部件以及第二部件分别构成为使上述模压结构的电阻大于上述第一部件的电阻，并且使上述第一部件的电阻大于上述第二部件的电阻。
【0009】
根据本发明的光或放射线检测器，将模压结构、第一部件以及第二部件分别构成为使得用于保护变换层和电压施加电极的模压结构的电阻，大于在该模压结构的(光或放射线的)入射面侧层积形成的由面状的导电性缓冲材料构成的第一部件的电阻，并且使上述第一部件的电阻，大于在上述第一部件的入射面侧层积形成的由面状的导电性部件构成的第二部件的电阻。利用静电从高电阻流向低电阻的特性，将模压结构中发生的静电释放到第一部件，再释放到第二部件，从而可以除去模压结构中发生的静电。而且，由于各个部件构成为面状，可以平缓地释放静电。而且，在位于模压结构和第二部件之间的第一部件为缓冲材料，因此可以提高密闭性。另外，当以带等的薄膜来构成第一部件时，不但会使读出信号量产生若干降低，还会由于电力线的集中而增加放电的危险性，对此由于第一部件为缓冲材料，因而不会降低读出信号量，也不会产生电力线的集中，也没有放电的危险性。其结果可以抑制由静电引起噪声。
【0010】
在上述的光或放射线检测器中，最好，上述模压结构的电阻在1MΩ以上且100MΩ以下的范围内，上述第一部件的电阻在0.5KΩ以上且10MΩ以下的范围内，上述第二部件的电阻在0.1KΩ以上且1MΩ以下的范围内。一旦各电阻小于各自范围，就可能发生静电移动量变大，并且会产生剧烈的变化。相反，如果各电阻大于各个范围，即使带有静电也很难完全除去静电，成为长期带电状态，相反会导致电位上升。也就是，发生与在模压结构上带静电同样的现象，结果也不会抑制由静电产生的噪声的影响。对此，如果各个电阻在该范围内，由于可以适当地抑制静电的移动速度并消除静电，因而静电的变化变小并抑制噪声的发生。
【0011】
在所述的光或放射线检测器中，最好，将上述第二部件接地。由这样的构成，可以通过接地的部分将释放到第二部件的静电释放，并可以抑制静电以外的噪声。
【0012】
上述光或放射线检测器，对于适用直接变换型的放射线检测器是有用的。即，变换层是将上述放射线信息直接变换成电荷信息的放射线感应型，检测器是具备该放射线感应型半导体层的直接变换型的放射线检测器。在直接型放射线检测器的情况下，由于在电压施加电极上施加高电压(例如数百V～数十kV左右)的偏置电压，因而高电压的偏置电压施加在变换层上，因此，虽然在模压结构上容易发生静电，但是根据本发明可除去在模压结构上发生的静电，从而抑制由静电引起噪声。
【0013】
而且，本发明还是一种制造检测光或放射线的光或放射线检测器的制造方法，上述检测器具备：
变换层，其利用光或放射线的入射，将上述光或放射线的信息变换成电荷信息；
电压施加电极，其向该变换层施加偏置电压；
模压结构，其用于保护该变换层和电压施加电极；和
读出基板，其读出上述电荷信息，上述方法包括：在上述模压结构的上述入射面侧层积形成由面状的导电性缓冲材料构成的第一部件的工序；在该第一部件的上述入射面侧层积形成由面状的导电性部件构成的第二部件的工序，将模压结构、第一部件以及第二部件分别构成为使上述模压结构的电阻大于上述第一部件的电阻，并且使上述第一部件的电阻大于上述第二部件的电阻。
【0014】
根据本发明的光或放射线检测器的制造方法，具备：在用于保护变换层和电压施加电极的模压结构的(光或放射线的)入射面侧，层积形成由面状的导电性缓冲材料构成的第一部件的工序；在该第一部件的入射面侧，层积形成由面状的导电性部件构成的第二部件的工序。而且，将模压结构、第一部件以及第二部件分别构成使模压结构的电阻大于上述第一部件的电阻，并且使第一部件的电阻大于上述第二部件的电阻，因此可以抑制由静电引起的噪声。
【0015】
在上述的光或放射线检测器的制造方法中，最好，将作为涂敷对象的涂敷物微粒化后喷雾涂敷到模压结构的入射面，由此将模压结构构成为使上述模压结构的电阻大于第一部件的电阻。由于将作为涂敷对象的涂敷物微粒化后喷雾涂敷到模压结构的入射面，因而作为检测对象的光或放射线几乎不会被模压结构所遮挡而入射。更为理想的是，反复进行将上述涂敷物微粒化后喷雾涂敷的工序，由于反复进行将上述涂敷物微粒化后喷雾涂敷的工序，可以以规定的厚度、以具有规定值的电阻来构成模压结构。
【0016】
(发明效果)
根据本发明的光或放射线检测器及其制造方法，将模压结构、第一部件以及第二部件分别构成为使得用于保护变换层和电压施加电极的模压结构的电阻，大于在该模压结构的(光或放射线的)入射面侧层积形成的由面状的导电性缓冲材料构成的第一部件的电阻，并且使上述第一部件的电阻，大于在第一部件的入射面侧层积形成的由面状的导电性材料构成的第二部件的电阻，因而可以抑制由静电而引起噪声。
附图说明
【0017】
图1是实施例的放射线检测器的概要剖面图。
图2是以等效电路表示图1的电路图。
图3平面表示的电路图。
图4是用于与图1进行比较的以往的放射线检测器的概要剖面图。
【0018】
图中：
30-放射线检测器，31-半导体厚膜，32-电压施加电极，36-绝缘基板，44-模压结构，44a-防带电涂膜，45-导电性海绵，46-导电性碳层
具体实施方式
【0019】
以下，参照附图对本发明的实施例进行说明。图1是实施例的放射线检测器的概要剖面图。图2是以等效电路表示图1的电路图，图3平面表示的电路图。在本实施例中采用直接变换型的放射线检测器为例进行说明。
【0020】
本实施例的放射线检测器30，如图1、图2所示，例如具备：通过X射线等的放射线的入射而生成载流子的放射线感应型的半导体厚膜31；设置在半导体厚膜31的表面上的电压施加电极32；设置在位于半导体厚膜31的放射线入射侧相反侧背面的载流子收集电极33；储存向载流子收集电极33的收集载流子的电荷积蓄用的电容器Ca；用于取出积蓄在电容器Ca上的电荷的通常时OFF(阻断)的电荷取出用开关元件的薄膜晶体管(TFT)Tr。在本实施例中，半导体厚膜31是由放射线入射而生成的载流子的放射线感应型物质来形成的，但是也可以由光的入射来形成载流子的光感应型物质。半导体厚膜31相当于本发明的变换层，而电压施加电极32，相当于本发明的电压施加电极。
【0021】
另外，放射线检测器30具备：连接在薄膜晶体管Tr的源极上的数据线34；以及连接在薄膜晶体管Tr的栅极上的栅极线35，并且放射线检测器30在绝缘基板36上层积形成：电压施加电极32、半导体厚膜31、载流子收集电极33、电容器Ca、薄膜晶体管Tr、数据线34、以及栅极线35。绝缘基板36，例如由玻璃基板形成。
【0022】
如图2、图3所示，在每个以纵·横式二维矩阵状排列形成的多个(例如1024×1024个)载流子收集电极33上，分别连接上述的各个电容器Ca以及薄膜晶体管Tr，将这些载流子收集电极33、电容器Ca、以及薄膜晶体管Tr作为各检测元件DU而彼此分离形成。而且，电压施加电极32，作为全检测元件DU的公共电极跨越整个面地形成。而且，上述的数据线34，如图3所示，在横(X)方向上并排多根的同时，上述的栅极线35，如图3所示，在纵(Y)方向上并排多根，并将各个数据线34以及栅极线35连接到各检测元件DU上。而且，数据线34通过电荷-电压变换群(放大器)37连接到多路转接器38上，而栅极线35连接到栅极驱动器39上。另外，检测元件DU的排列个数不止是上述的1024×1024个，可以根据实施方式变更排列个数来使用。所以，检测元件DU也可以只有1个。
【0023】
检测元件DU以二维矩阵的形状排列在绝缘基板36上图案形成。图案形成有检测元件DU的绝缘基板36也被称为“有源矩阵基板”。图案形成有该检测元件DU的绝缘基板36，相当于本发明的读出基板。
【0024】
另外，在由弹性体形成的柔性基板(图示略)上，从绝缘基板36一侧顺序地搭载电荷-电压变换群(放大器)37、多路转接器38。该柔性基板，与绝缘基板36上作为微小电荷信号线而形成的数据线34(参照图1)进行电连接。
【0025】
当制作以这些半导体厚膜31或绝缘基板36等形成的放射线检测器30时，在绝缘基板36的表面，利用由各种真空蒸镀法的薄膜形成技术或由光刻法的图案技术，对数据线34以及栅极线35进行布置，并顺序地层积形成薄膜晶体管Tr、电容器Ca、载流子收集电极33、半导体厚膜31、电压施加电极32等。另外，对于形成半导体厚膜31的半导体，可以如列示那样的非结晶(amorphous)型半导体或多结晶型半导体等，根据用途或耐压等进行适当选择。而且，对于形成半导体厚膜31的物质，如列示硒(Se)等那样，并无特定限制。在本实施例中由于是直接变换型的放射线检测器，因此以非结晶型硒来形成半导体厚膜31。
【0026】
如图1所示，在由这些半导体厚膜31或绝缘基板36等形成的放射线检测器30的周围例如立设由玻璃形成的绝缘性的框41，并在其上面例如装载由玻璃形成的绝缘性的板42。在半导体厚膜31和电压施加电极32与绝缘性的板42的空间中注入绝缘性树脂43并进行模压封装。由这些绝缘性框41、板42、树脂43来构成模压44结构。通过这个模压结构44由绝缘树脂43对半导体厚膜31或电压施加电极32进行覆盖保护。模压结构44，相当于本发明的模压结构。
【0027】
接着，参照附图1对本实施例的特征部分进行说明，同时参照用于与以往的产品进行比较的图4进行说明。图4是用于与图1进行比较的以往的放射线检测器的概要剖面图。而且，在图4中，将图1的放射线检测器30的符号作为130，将图1的半导体厚膜31的符号作为131，将图1的电压施加电极32的符号作为132，将图1的数据线34的符号作为134，将图1的绝缘基板36的符号作为136，将图1的框41的符号作为141，将图1的板42的符号作为142，将图1的树脂43的符号作为143，将图1的模压结构44的符号作为144。另外，图4是上述专利文献2的放射线检测器的改良物。
【0028】
在本实施例中，与以往的不同点，如图1所示，在于具备导电性海绵45、导电性碳层46，由于在入射一侧而电阻变小。以往，如图4所示，在模压结构144的板142的入射面侧，层积形成导电性的低电位接地150。为了使在数据线134之中微小电荷信号线的部分静电的影响更小，在微小电荷信号线的部分设置低电位接地150，并使其低电位接地150接地。由于配置了这个低电位接地150，如上所述，可以除去模压结构150上带电的静电e。但是在图4的情况下，不能完全消除所发生的静电e。
【0029】
另一方面，在本实施例中，如图1所示，在模压结构44的板42的入射面侧，层积形成面状的导电性海绵45，在这个导电性海绵45的入射面侧，层积形成面状的导电性碳层46。这个导电性海绵45具备缓冲材料的功能。模压结构44的电阻比导电性海绵45的电阻要大，而且导电性海绵45的电阻比导电性碳层46的电阻更大地，分别构成模压结构44、导电性海绵45以及导电性碳层46。作为导电性海绵45，例如使用聚乙烯泡沫。导电性海绵45，相当于本发明的第一部件，而导电性碳层46，相当于本发明的第二部件。
【0030】
具体地，模压结构44的电阻在1MΩ以上且100MΩ以下的范围内，导电性海绵45在0.5KΩ以上且10MΩ以下的范围内，导电性碳层46的电阻在0.1KΩ以上且1MΩ以下的范围内为最好。
【0031】
特别是，在模压结构44的板42的入射面，将作为涂敷对象的防带电涂布剂微粒子化以后进行喷涂。作为微粒子化的防带电涂布剂，例如有型号“FC-172精密ESDcoat”(精密化学日本株式会社)，含有氧化锌、锑氧化物、硅树脂、异丙醇、1-丁醇、碳酸气体。由碳酸气体将其高压化后进行喷涂(spray)在模压结构44的板42的入射面上涂敷而形成防带电涂膜44a。防带电涂膜44a，相当于本发明的涂敷物。
【0032】
最好，反复进行将作为涂敷物的防带电涂布剂微粒化后进行喷涂的工序。当将上述型号“FC-172精密ESDcoat”作为基底而涂敷在丙烯酸板上时，由喷涂一次可形成约1微米厚的防带电涂膜。而且，当将上述型号“FC-172精密ESDcord”作为基底而涂敷在丙烯酸板上时，由喷涂一次表面电阻率可达5×107Ω/□，由喷涂二次表面电阻率可达2×107Ω/□。所以，考虑到作为基底材料(本实施例的情况为由玻璃形成的板42)的电阻、面积、厚度，防带电涂布剂的表面电阻等，为了将模压结构44的电阻控制在上述的1MΩ以上且100MΩ以下的范围内，来决定涂敷工序的次数(即反复涂敷的次数)即可。另外，在用代表型号“FC-172精密ESDcord”的防带电涂布剂用喷涂反复多次涂敷时，最好等(上一次)干燥以后再涂敷。
【0033】
在本实施例中，采用了将铜(Cu)带等电阻率低的带与导电性碳层46接触并使这个带接的构成。
【0034】
接着，对放射线检测器30的作用进行说明。在电压施加电极32上施加高电压例如数百V～数十KV左右的偏置电压VA的状态下，入射作为检测对象的放射线。
【0035】
由放射线的入射而生成载流子，将该载流子作为电荷信息积蓄在积蓄电荷用的电容器Ca中。通过栅极驱动器39的信号取出用的扫描信号，来选择栅极线35，进而选择并指定连接于被选择的栅极线35上的检测元件DU。在该指定的检测元件DU的电容器Ca上积蓄的电荷，通过由被选择的栅极线35的信号而转换为ON状态的薄膜晶体管Tr，而被读出到数据线34上。
【0036】
而且，各检测元件DU的地址指定，是基于数据线34以及栅极线35的信号取出用的扫描信号来进行的。一旦将信号取出用的扫描信号送入多路转接器38以及栅极驱动器39，就由栅极驱动器39根据纵(Y)方向的扫描信号来选择各检测元件DU。然后，通过由横(X)方向的扫描信号切换多路转接器38，通过数据线34，将被选择的检测元件DU的电容器Ca上积蓄的电荷，顺序经过电压-电压变换群(放大器)37以及多路转换器38送出到外部。
【0037】
通过上述的动作，例如当采用本实施例的放射线检测器30来检测X射线透视摄影装置的透视X射线像的情况下，通过数据线34在图像处理部(图示略)将电荷信息变换成图像信息，并作为X射线透视图像而输出。
【0038】
根据具备上述构成的本实施例的放射线检测器30，分别构成模压结构44、导电性海绵45以及导电性碳层46，使得用于保护半导体厚膜31和电压施加电极32的模压结构44的电阻，大于在该模压结构44的板42的入射面侧层积形成的由面状的导电性缓冲材料构成的导电性海绵45的电阻，并且使上述导电性海绵45的电阻，大于在导电性海绵45的入射面侧层积形成的由面状的导电性部件构成的导电性碳层46的电阻。
【0039】
利用静电从高电阻流向低电阻这一点，将模压结构44上发生的静电释放到导电性海绵45，进而再释放到导电性碳层46，从而可以消除模压结构44上发生的静电。而且，由于各个部件(模压结构44的板42、导电性海绵45以及导电性碳层46)构成为面状，因而可以舒缓地释放静电。而且，由于在模压结构44和导电性碳层46之间的导电性海绵45是缓冲材料，因而可以提高密闭性。另外，当取代导电性海绵45而使用金属带，也就是铝(Al)或铜(Cu)形成的厚度数百微米左右的粘接性带等情况下，由于衰减了入射的X射线量，因此不但减少若干读出信号，而且会产生电力线的集中而增加放电的危险性。与此相反，由于导电性海绵45为缓冲材料，因此，读出的信号量不会减少，不会产生电力线的集中，也就没有放电的危险。其结果，可以抑制由静电而引起的噪声。
【0040】
在本实施例中，最好，模压结构44的电阻在1MΩ以上且100MΩ以下的范围，导电性海绵45的电阻在0.5KΩ以上且10MΩ以下的范围，导电性碳层46的电阻在0.1KΩ以上且1MΩ以下的范围。各自的电阻一旦小于这个范围，静电的移动量变大，并担心其变化会很剧烈。相反，如果各自的电阻大于这个的范围，即使带了静电也很难完全清除静电，变成经常带电的状态，反倒担心引起电位上升。也就是，发生与在模压结构44上带电的同样的现象，结果还是不能抑制由静电引起的噪声的影响。对此，只要各自的电阻在上述的范围之内，就可以适度地抑制静电的移动速度并消除静电，就可以使静电的变化变小并抑制噪声的发生。
【0041】
在本实施例中，最好，构成为使导电性碳层46接地。由于这样构成，通过接地部分，可以释放流到导电性碳层46上的静电，也可以抑制静电以外的电的噪声，可获得一定效果。
【0042】
如本实施例，适用直接变换型的放射线检测器30是有用的。即，半导体厚膜31，是直接地将放射线信息变换成电荷(载流子)的放射线感应型，检测器，是具备该放射线感应型的半导体厚膜31的直接变换型的放射线检测器30。当是直接型放射线检测器30时，由于在电压施加电极32上施加高电压(例如数百V～数十kV左右)的偏置电压，并将高电压的偏置电压施加在半导体厚膜31上，因此虽然在模压结构44上容易产生静电，但是根据本发明，可除去在模压结构44上发生的静电，并抑制由静电引起噪声。
【0043】
在本实施例中，最好，将作为涂敷对象的防带电涂布剂进行微粒化以喷雾方式喷涂在模压结构44的板42的入射面上，由此构成模压结构44使得模压结构44的电阻大于导电性海绵45的电阻。将作为涂敷对象的防带电涂布剂进行微粒化以喷雾方式喷涂在模压结构44的板42的入射面上，由此可以由模压结构44几乎无遮挡地入射作为检测对象的放射线。更佳的做法，是反复进行将防带电涂布剂微粒化而喷雾涂敷的工序。通过反复进行将喷涂物微粒化后喷雾涂敷的工序，可以以规定的厚度、具有规定值的电阻来构成模压结构44。
【0044】
另外，对于导电性海绵45，由聚乙烯泡沫形成，因此几乎不遮挡放射线。而且，在导电性海绵45的入射面侧层积而形成了导电性碳层46，因此同样地几乎不遮挡放射线。
【0045】
本发明，并不限于上述的实施方式，可以如下所示地实施变形。
【0046】
(1)在上述的实施例中，本发明适用于由半导体厚膜31(变换层)将入射的放射线直接变换成电荷信息的直接变换型放射线检测装置，但是，只要具备在变换层上施加偏置电压的电压施加电极的结构，由闪烁器将入射的放射线变换成光，通过由光感应型物质形成的半导体层将这个光变换成电荷信息的间接变换型放射线检测器也可以适用于本发明。而且，通过由光感应型物质形成的半导体层将入射的光变换成电荷信息的光检测器也适用于本发明。在间接变换型的放射线检测器的情况下，由闪烁器以及光感应型物质形成的半导体层相当于本发明的变换层。
【0047】
(2)在上述的实施例中，采用检测X射线的情况为例进行的说明，本发明也可以适用于检测用于核医学装置等的γ射线的装置。
【0048】
(3)在上述实施例中，作为本发明的第一部件，采用导电性海绵45为例进行说明，但如例子所示那样，只要是由面状的导电性缓冲材料构成的部件，比如凝胶状的物质或者在弹性体上添加导电性填料，则对第一部件没有特别的限定。
【0049】
(4)在上述实施例中，作为本发明的第二部件采用导电性碳层为例进行说明，但只要是面状的导电性部件、比如碳层以外的金属，则对第二部件没有特别的限制。
【0050】
(5)在上述实施例中，将第二部件(实施例中是导电性碳层46)接地，但并不一定要接地，也可将第二部件设为低电位。
【0051】
(6)在上述实施例中，将作为涂敷对象的涂敷物微粒化进行喷雾涂敷到模压结构的入射面上，但是只要做到模压结构的电阻比第一部件(实施例中为导电性海绵45)的电阻大，例如也可以将模压结构的板42(参照图1)自身一体形成。

Claims (7)

1.一种光或放射线检测器，检测光或放射线，该光或放射线检测器具备：
变换层，其利用光或放射线的入射，将上述光或放射线的信息变换成电荷信息；
电压施加电极，其向该变换层施加偏置电压；
模压结构，其用于保护该变换层和电压施加电极；和
读出基板，其读出上述电荷信息，
该光或放射线检测器还具备：
由面状的导电性缓冲材料构成的第一部件，其层积形成在上述模压结构的上述入射面侧；和
由面状的导电性部件构成的第二部件，其层积形成在该第一部件的上述入射面侧，
该光或放射线检测器将模压结构、第一部件以及第二部件分别构成为使上述模压结构的电阻大于上述第一部件的电阻，并且使上述第一部件的电阻大于上述第二部件的电阻。
2.如权利要求1所述的光或放射线检测器，其特征在于，
上述模压结构的电阻在1MΩ以上且100MΩ以下的范围内，上述第一部件的电阻在0.5KΩ以上且10MΩ以下的范围内，上述第二部件的电阻在0.1KΩ以上且1MΩ以下的范围内。
3.如权利要求1或2所述的光或放射线检测器，其特征在于，
将上述第二部件接地。
4.如权利要求1～3中任一项所述的光或放射线检测器，其特征在于，
上述变换层是将上述放射线的信息直接变换成电荷信息的放射线感应型，上述检测器是具备该放射线感应型半导体层的直接变换型的放射线检测器。
5.一种光或放射线检测器的制造方法，该制造方法是制造光或放射线检测器的方法，该光或放射线检测器检测光或放射线，
上述检测器具备：
变换层，其利用光或放射线的入射，将上述光或放射线的信息变换成电荷信息；
电压施加电极，其向该变换层施加偏置电压；
模压结构，其用于保护该变换层和电压施加电极；和
读出基板，其读出上述电荷信息，
上述制造方法包括：
在上述模压结构的上述入射面侧层积形成由面状的导电性缓冲材料构成的第一部件的工序；和
在该第一部件的上述入射面侧层积形成由面状的导电性部件构成的第二部件的工序，
在上述制造方法中将模压结构、第一部件以及第二部件分别构成为使上述模压结构的电阻大于上述第一部件的电阻，并且使上述第一部件的电阻大于上述第二部件的电阻。
6.如权利要求5所述的光或放射线检测器的制造方法，其特征在于，
将涂敷对象的涂敷物微粒化后喷雾涂敷到上述模压结构的上述入射面，由此将模压结构构成为使上述模压结构的电阻大于上述第一部件的电阻。
7.如权利要求6所述的光或放射线检测器的制造方法，其特征在于，
反复进行将上述涂敷物微粒化后喷雾涂敷的工序，由此将模压结构构成为使上述模压结构的电阻大于上述第一部件的电阻。
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