CN101685840B - 增加导电及散热面积的发光二极管封装结构及其制作方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 68
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 48
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical group [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 30
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 29
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 29
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 19
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 claims description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 claims description 5
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010974 bronze Substances 0.000 claims description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 claims description 4
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 11
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- HBVFXTAPOLSOPB-UHFFFAOYSA-N nickel vanadium Chemical compound [V].[Ni] HBVFXTAPOLSOPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
一种增加导电及散热面积的发光二极管封装结构及其制作方法，其中该封装结构包括：发光单元，具有一发光本体、两个分别成形于发光本体上的正、负极导电层、及一成形于正、负极导电层之间的第一绝缘层；第一导电单元，具有一成形于正极导电层上的第一正极导电层及一成形于负极导电层上的第一负极导电层；第二导电单元，具有一成形于第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于第一负极导电层上的第二负极导电结构；绝缘单元，具有一成形在第一绝缘层上并且位于第二正、负极导电结构之间的第二绝缘层。本发明能提供较大的导电面积及散热面积，该荧光层配合该发光区域所产生的光束来提供白色光源，在制作时可大大降低制作时间及成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装结构及其制作方法，尤其涉及一种增加导电及散热面积的发光二极管封装结构及其制作方法。
背景技术
请参阅图1所示，其为公知发光二极管封装结构的结构示意图。由上述图中可知，公知发光二极管封装结构包括：一发光本体1，两个分别设置于该发光本体1上的正极导电层P及负极导电层N、一设置于该发光本体1的底部的反射层2、及一用于包覆该发光本体1的透明封装胶体3。
另外，该发光二极管封装结构设置于一电路板P上，并且通过两条导电w以分别将该正极导电层P及该负极导电层N电性连接于该电路板。此外，该发光本体1产生的一部分光束直接产生向上投射的效果，并且该发光本体1所产生的另一部分光束L通过该反射层2的反射以产生向上投射的效果。
然而，上述公知发光二极管封装结构具有下列的缺点存在；
1、上述该正极导电层P及该负极导电层N只裸露出一部分的面积，因此该正极导电层P及该负极导电层N无法提供较大的导电面积(无法提供较大的电源功率)及散热面积(无法提供较佳的散热效率)。
2、由于该透明封装胶体3将该发光本体1包覆住，所以该发光本体1所产生的热因受到该透明封装胶体3的阻碍而无法进行散热，因此公知发光二极管封装结构的散热效果非常不好。
3、该反射层2、该透明封装胶体3、及上述两条导电w均为公知发光二极管封装结构在制作时必要的结构特征，因此公知发光二极管封装结构在制作时不仅较费时，也产生较高的制作成本。
因此，由上可知，上述公知的发光二极管封装结构，在实际使用上，显然具有不便与缺点存在。
于是，本发明人有感上述缺点的可改善，且依据多年来从事此方面的相关经验，悉心观察且研究，并配合学理的运用，而提出一种设计合理且有效改善上述缺点的本发明。
发明内容
本发明所要解决的技术问题，在于提供一种增加导电及散热面积的发光二极管封装结构及其制作方法。本发明通过大面积的一第二正极导电结构及一第二负极导电结构的使用，以提供较大的导电面积(能提供较大的电源功率)及散热面积(能提供较佳的散热效率)。
为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种增加导电及散热面积的发光二极管封装结构，其包括：一发光单元、一第一导电单元、一第二导电单元及一绝缘单元。其中，该发光单元具有一发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层、一成形于该发光本体上的负极导电层、一成形于该正极导电层及该负极导电层之间的第一绝缘层、及一成形于该发光本体内的发光区域，其中该正极导电层的上表面具有一正极导电区域，该负极导电层的上表面具有一负极导电区域，该第一绝缘层覆盖于该正极导电层的一部分正极导电区域上及该负极导电层的一部分负极导电区域上。该第一导电单元具有一成形于该正极导电层上的第一正极导电层及一成形于该负极导电层上的第一负极导电层，其中该第一正极导电层与该第一负极导电层彼此绝缘，且该第一正极导电层成形于其余的正极导电区域上及一部分第一绝缘层上，该第一负极导电层成形于其余的负极导电区域及一部分第一绝缘层上。该第二导电单元具有一成形于该第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于该第一负极导电层上的第二负极导电结构。该绝缘单元具有一成形在该第一绝缘层上并且位于该第二正极导电结构及该第二负极导电结构之间的第二绝缘层。
另外，本发明增加导电及散热面积的发光二极管封装结构更进一步包括：一成形于该发光单元底部的荧光层或一成形于该发光单元底部及周围的荧光层。
为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种增加导电及散热面积的发光二极管封装结构的制作方法，其包括下列步骤：首先，提供一具有多个发光单元的晶片，其中每一个发光单元具有一发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层、一成形于该发光本体上的负极导电层、一成形于该正极导电层及该负极导电层之间的第一绝缘层、及一成形于该发光本体内的发光区域，其中该正极导电层的上表面具有一正极导电区域，该负极导电层的上表面具有一负极导电区域，该第一绝缘层覆盖于该正极导电层的一部分正极导电区域上及该负极导电层的一部分负极导电区域上；接着，分别成形多个第一导电单元于多个所述发光单元上，其中每一个第一导电单元具有一成形于相对应的该正极导电层上的第一正极导电层及一成形于该相对应负极导电层上的第一负极导电层，其中该第一正极导电层与该第一负极导电层彼此绝缘，且该第一正极导电层成形于其余的正极导电区域上及一部分第一绝缘层上，该第一负极导电层成形于其余的负极导电区域及一部分第一绝缘层上；然后，分别成形多个第二绝缘层于多个所述第一绝缘层上；接下来，分别成形多个第二导电单元于多个所述第一导电单元上，其中每一个第二导电单元具有一成形于相对应的该第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于该相对应第一负极导电层上的第二负极导电结构，并且每一个第二绝缘层成形于该第二正极导电结构及该第二负极导电结构之间。
另外，上述分别成形所述多个第二导电单元于所述多个第一导电单元上的步骤后，本发明更进一步包括下列两种不同的实施例：
第一种实施例：首先，将该晶片翻转，并置于一耐热的高分子基板上；接着，成形一荧光层于每一个发光单元的底端；最后，进行切割过程，以将该晶片切割成多个发光二极管封装结构。
第二种实施例：首先，将该晶片翻转，并置于一耐热的高分子基板上；接着，进行第一次切割过程，以将该晶片切割成多个形成于所述多个发光单元之间的凹槽；然后，填充荧光材料于所述多个凹槽内；接下来，固化该荧光材料，以形成一荧光层于每一个发光单元的底端及周围；最后，进行第二次切割过程，以将该晶片切割成多个发光二极管封装结构。
因此，本发明增加导电及散热面积的发光二极管封装结构及其制作方法的特点在于：
1、因为第二导电单元具有一成形于该相对应第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于该相对应第一负极导电层上的第二负极导电结构，并且每一个第二绝缘层成形于该第二正极导电结构及该第二负极导电结构之间，所以该第二正极导电结构及该第二负极导电结构能提供较大的面积以提供导电及散热。借此，本发明所制作的晶片级发光二极管封装结构能提供较大的导电面积(能提供较大的电源功率)及散热面积(能提供较佳的散热效率)。
2、以上述第一实施例而言，该荧光层可成形于该发光单元的氧化铝基板的底部，以配合该发光区域所产生的光束来提供白色光源。以上述第二实施例而言，该荧光层成形于该发光单元的底部及周围，以配合该发光区域所产生的光束来提供白色光源。
3、本发明不需使用像上述公知一样的导线、反射层及封装胶体，因此本发明增加导电及散热面积的发光二极管封装结构在制作时可大大降低制作时间及成本。
为了能更进一步了解本发明为达成预定目的所采取的技术、手段及功效，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，相信本发明的目的、特征与特点，当可由此得一深入且具体的了解，然而所附附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为公知发光二极管封装结构的结构示意图；
图2为本发明增加导电及散热面积的发光二极管封装结构的制作方法的第一实施例的流程图；
图2A到图2K分别为本发明增加导电及散热面积的发光二极管封装结构的制作方法的第一实施例的制作流程示意图；
图2L为本发明第一实施例的增加导电及散热面积的发光二极管封装结构通过锡膏的方式电性连接于一电路板上；
图3为本发明增加导电及散热面积的发光二极管封装结构的制作方法的第二实施例的部分流程图；
图3A到图3C分别为本发明增加导电及散热面积的发光二极管封装结构的制作方法的第二实施例的部分制作流程示意图；以及
图3D为本发明第二实施例的增加导电及散热面积的发光二极管封装结构通过锡膏的方式电性连接于一电路板上。
其中，附图标记说明如下：
[公知]
1 发光本体
P 正极导电层
N 负极导电层
2 反射层
3 透明封装胶体
w 导电
L 光束
[第一实施例]
W 晶片 Za 发光二极管封装结构
1a 发光单元 10a 发光本体
Aa 发光区域
100a 氧化铝基板
101a 氮化镓负电极层
102a 氮化镓正电极层
11a 第一绝缘层
Pa 正极导电层
P1a 正极导电区域
Na 负极导电层
N1a 负极导电区域
Ma 第一导电层 M a′第一导电层
Ra 光致抗蚀剂 R1a 盲孔
Ra′ 光致抗蚀剂
2a 第一导电单元 2Pa 第一正极导电层
2Na 第一负极导电层
Sa 绝缘材料层
3a 第二绝缘层
4a 第二导电单元 4Pa 第二正极导电结构
4Na 第二负极导电结构
Cu 铜层
Ni 镍层
Au/Sn 金层或锡层
5a 荧光层
5a′ 荧光层
S 高分子基板
P 电路板
Ba 锡球
Ba′ 锡膏
La 光束
[第二实施例]
W 晶片 Zb 发光二极管封装结构
1b 发光单元
Ab 发光区域
C 槽
5b 荧光层
5b′ 荧光层
S 高分子基板
P 电路板
Bb 锡球
Bb′ 锡膏
Lb 光束
具体实施方式
请参阅图2、及图2A到图2K所示，其中图2为本发明增加导电及散热面积的发光二极管封装结构的制作方法的第一实施例的流程图；图2A到图2K分别为本发明增加导电及散热面积的发光二极管封装结构的制作方法的第一实施例的制作流程示意图。由上述所述多个图中可知，本发明第一实施例提供一种增加导电及散热面积的发光二极管封装结构的制作方法，其包括下列步骤：
步骤S100为：请配合图2及图2A所示，提供一具有多个发光单元1a的晶片W(附图中只显示出该晶片W上的其中一个发光单元1a)，其中每一个发光单元1a具有一发光本体10a、一成形于该发光本体10a上的正极导电层Pa(例如P型半导体材料层)、一成形于该发光本体10a上的负极导电层Na(例如N型半导体材料层)、一成形于该正极导电层Pa及该负极导电层Na之间的第一绝缘层11a、及一成形于该发光本体10a内的发光区域Aa，其中该第一绝缘层11a可为一高分子材料层(polymer layer)或一陶瓷材料层(ceramic layer)。
此外，该发光本体10a具有一氧化铝基板100a、一成形于该氧化铝基板100a上的氮化镓负电极层101a、及一成形于该氮化镓负电极层101a上的氮化镓正电极层102a，此外该正极导电层Pa成形于该氮化镓正电极层102a上，该负极导电层Na成形于该氮化镓负电极层101a上，另外该第一绝缘层11a成形于该氮化镓负电极层101a上并且位于该正极导电层Pa、该负极导电层Na及该氮化镓正电极层102a之间。另外，该正极导电层Pa的上表面具有一正极导电区域P1a，该负极导电层Na的上表面具有一负极导电区域N1a，并且该第一绝缘层11a覆盖于该正极导电层Pa的一部分正极导电区域P1a上及覆盖于该负极导电层Na的一部分负极导电区域N1a上。
步骤S102为：请配合图2及图2B所示，成形一第一导电层Ma于每一个发光单元1a的该正极导电层Pa、该负极导电层Na及该第一绝缘层11a上，其中该第一导电层Ma为一层通过无电镀的方式(例如：物理蒸镀、化学蒸镀或溅镀等方法)以成形于每一个发光单元1a的该正极导电层Pa、该负极导电层Na及该第一绝缘层11a上的导电金属层。
步骤S104为：请配合图2及图2C所示，成形一光致抗蚀剂Ra于该第一导电层Ma上。
步骤S106为：请配合图2及图2D所示，移除一部分的光致抗蚀剂R a以形成多个盲孔R1a，其中每一个盲孔R1a用以暴露出位于每一个发光单元1a的第一绝缘层11a上的部分第一导电层Ma，其中上述一部分的光致抗蚀剂Ra通过曝光与显影相互配搭的方式来移除，以形成一被移除后的光致抗蚀剂Ra′。
步骤S108为：请配合图2及图2E所示，移除位于所述多个盲孔R1a内的部分第一导电层Ma，其中上述部分第一导电层Ma通过蚀刻的方式来移除，以形成一被移除后的第一导电层Ma′。
步骤S110为：请配合图2及图2F所示，移除图2E中其余的光致抗蚀剂Ra′，以形成位于每一个发光单元1a上的一第一正极导电层2Pa及一第一负极导电层2Na。此外，该第一正极导电层2Pa及该第一负极导电层2Na可由任何导电金属所制成，例如：钛钨(TiW)合金或镍钒(NiV)合金等。
换言之，由上述步骤S102到步骤S110可知，于步骤S100之后，则分别成形多个第一导电单元2a(第一导电层Ma′)于所述多个发光单元1a上，其中每一个第一导电单元2a(第一导电层Ma′)具有一成形于该相对应正极导电层Pa上的第一正极导电层2Pa及一成形于该相对应负极导电层Na上的第一负极导电层2Na。此外，该第一正极导电层2Pa与该第一负极导电层2Na彼此绝缘，并且该第一正极导电层2Pa成形于其余的正极导电区域P1a上及一部分第一绝缘层11a上，该第一负极导电层2Na成形于其余的负极导电区域N1a及一部分第一绝缘层11a上。
步骤S112为：请配合图2及图2G所示，成形一绝缘材料层Sa于每一个发光单元1a的一部分第一绝缘层11a上及位于每一个发光单元1a上端的第一正极导电层2Pa及第一负极导电层2Na上。
步骤S114为：请配合图2及图2H所示，移除上述位于所述多个第一正极导电层2Pa及所述多个第一负极导电层2Na上端的部分绝缘材料层Sa，以分别成形多个第二绝缘层3a于所述多个第一绝缘层11a上，其中该第二绝缘层3a可为一高分子材料层(polymer layer)或一陶瓷材料层(ceramic layer)。
步骤S116为：请配合图2及图2I所示，分别成形多个第二导电单元4a于所述多个第一导电单元2a上，其中每一个第二导电单元4a具有一成形于该相对应第一正极导电层2Pa上的第二正极导电结构4Pa及一成形于该相对应第一负极导电层2Na上的第二负极导电结构4Na，并且每一个第二绝缘层3a成形于该第二正极导电结构4Pa及该第二负极导电结构4Na之间，此外每一个第二绝缘层3a与该第二正极导电结构4Pa及该第二负极导电结构4Na分别分离一预定距离。另外，以第一实施例而言，该第二正极导电结构4Pa由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成，并且该第二负极导电结构4Na由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成，其中上述至少三层导电金属层为一铜层Cu、一镍层Ni及一金层或锡层Au/Sn，该镍层Ni成形于该铜层Cu上，并且该金层或锡层Au/Sn成形于该镍层Ni上。
另外，依据不同的设计设求，该第二正极导电结构4Pa亦可由至少两层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成，并且该第二负极导电结构4Na亦可由至少两层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成，其中上述至少两层导电金属层为一镍层Ni及一金层或锡层Au/Sn，并且该金层或锡层Au/Sn成形于该镍层Ni上。换言之，只要是由两层以上的导电金属层相互堆叠的第二正极导电结构4Pa及由两层以上的导电金属层相互堆叠的第二负极导电结构4Na，均为本发明所保护的范畴。
步骤S118为：请配合图2及图2J所示，将该晶片W翻转，并置于一耐热的高分子基板S上。
步骤S120为：请配合图2及图2J所示，成形一荧光层5a于每一个发光单元1a的底端。换言之，通过将该晶片W翻转的方式，以将该荧光层5a成形于该氧化铝基板100a的底面。此外，上述的荧光层5a可依据不同的使用需求，而选择为：由一硅胶(silicon)与一荧光粉(fluorescent powder)所混合形成的荧光胶体(fluorescent resin)、或由一环氧树脂(epoxy)与一荧光粉(fluorescent powder)所混合形成的荧光胶体(fluorescent resin)。
步骤S122为：请配合图2及图2K所示，沿着图2J的X—X线以进行切割过程，以将该晶片W切割成多个覆盖有荧光层5a′的发光二极管封装结构Za，并且通过至少两个锡球Ba以将每一个发光二极管封装结构Za电性连接于一电路板P上，其中每一个发光二极管封装结构Za从该发光区域Aa产生通过该荧光层5a′的光束La，以进行照明的需求。此外，有一部分从该发光区域Aa所产生的光束(图未示)投向下方，并且所述多个投向下方的光束受到该正极导电层Pa及该负极导电层Na的反射而产生向上投光效果。
借此，由上述图2K可知，本发明第一实施例提供一种增加导电及散热面积的发光二极管封装结构，其包括：一发光单元1a、一第一导电单元2a、一第二导电单元4a、一绝缘单元(一第二绝缘层3a)及一荧光层5a′。
其中，该发光单元1a具有一发光本体10a、一成形于该发光本体10a上的正极导电层Pa、一成形于该发光本体10a上的负极导电层Na、一成形于该正极导电层Pa及该负极导电层Na之间的第一绝缘层11a、及一成形于该发光本体10a内的发光区域Aa。该发光本体10a具有一氧化铝基板100a、一成形于该氧化铝基板100a上的氮化镓负电极层101a、及一成形于该氮化镓负电极层101a上的氮化镓正电极层102a，此外该正极导电层Pa成形于该氮化镓正电极层102a上，该负极导电层Na成形于该氮化镓负电极层101a上，另外该第一绝缘层11a成形于该氮化镓负电极层101a上并且位于该正极导电层Pa、该负极导电层Na及该氮化镓正电极层102a之间。另外，该正极导电层Pa的上表面具有一正极导电区域P1a，该负极导电层Na的上表面具有一负极导电区域N1a，并且该第一绝缘层11a覆盖于该正极导电层Pa的一部分正极导电区域P1a上及该负极导电层Na的一部分负极导电区域N1a上。
此外，该第一导电单元2a具有一成形于该相对应正极导电层Pa上的第一正极导电层2Pa及一成形于该相对应负极导电层Na上的第一负极导电层2Na。此外，该第一正极导电层2Pa与该第一负极导电层2Na彼此绝缘，并且该第一正极导电层2Pa成形于其余的正极导电区域P1a上及一部分第一绝缘层11a上，该第一负极导电层2Na成形于其余的负极导电区域N1a及一部分第一绝缘层11a上。
另外，第二导电单元4a具有一成形于该相对应第一正极导电层2Pa上的第二正极导电结构4Pa及一成形于该相对应第一负极导电层2Na上的第二负极导电结构4Na，并且每一个第二绝缘层3a成形于该第二正极导电结构4Pa及该第二负极导电结构4Na之间，此外每一个第二绝缘层3a与该第二正极导电结构4Pa及该第二负极导电结构4Na分别分离一预定距离。另外，以第一实施例而言，该第二正极导电结构4Pa由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成，并且该第二负极导电结构4Na由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成，其中上述至少三层导电金属层为一铜层Cu、一镍层Ni及一金层Au或锡层Sn，该镍层Ni成形于该铜层Cu上，并且该金层Au或锡层Sn成形于该镍层Ni上。
另外，该第二绝缘层3a成形在该第一绝缘层11a上并且位于该第二正极导电结构4Pa及该第二负极导电结构4Na之间。此外，该荧光层5a′成形于该发光单元1a的氧化铝基板100a的底部，以配合该发光区域Aa所产生的光束La来提供白色光源。
请参阅图2L所示，其为本发明第一实施例的增加导电及散热面积的发光二极管封装结构通过锡膏的方式电性连接于一电路板上。由上述图中可知，通过至少两层锡膏Ba′的涂布以将每一个发光二极管封装结构Za电性连接于一电路板P上。
请参阅图3、及图3A到图3C所示，其中图3为本发明增加导电及散热面积的发光二极管封装结构的制作方法的第二实施例的部分流程图；图3A到图3C分别为本发明增加导电及散热面积的发光二极管封装结构的制作方法的第二实施例的部分制作流程示意图。由上述图中可知，本发明第二实施例与第一实施例最大的差别在于：在第二实施例中，于「将该晶片W翻转，并置于一耐热的高分子基板S上」的步骤后，更进一步包括：
步骤S200为：请配合图3及图3A所示，进行第一次切割过程，以将该晶片W切割成多个形成于多个发光单元1b之间的凹槽C。
步骤S202为：请配合图3及图3B所示，填充荧光材料(图未示)于所述多个凹槽C内。此外，上述的荧光材料可依据不同的使用需求，而选择为：由一硅胶(silicon)与一荧光粉(fluorescent powder)所混合形成的荧光胶体(fluorescent resin)、或由一环氧树脂(epoxy)与一荧光粉(fluorescent powder)所混合形成的荧光胶体(fluorescent resin)。
步骤S204为：请配合图3及图3B所示，固化该荧光材料，以形成一荧光层5b于每一个发光单元1b的底端及周围。
步骤S206为：请配合图3及图3C所示，沿着图3B的Y—Y线以进行第二次切割过程，以将该晶片W切割成多个覆盖有荧光层5b′的发光二极管封装结构Zb，并且通过至少两个锡球Bb以将每一个发光二极管封装结构Zb电性连接于一电路板P上，其中每一个发光二极管封装结构Zb从该发光区域Ab产生通过该荧光层5b′的光束Lb，以进行照明的需求。
借此，由上述图3C可知，本发明第二实施例提供一种增加导电及散热面积的发光二极管封装结构，并且本发明第二实施例与第一实施例最大的差别在于：该荧光层5b′成形于该发光单元1b的底部及周围，以配合该发光区域Ab所产生的光束Lb来提供白色光源。
请参阅图3D所示，其为本发明第二实施例的增加导电及散热面积的发光二极管封装结构通过锡膏的方式电性连接于一电路板上。由上述图中可知，通过至少两层锡膏Bb′的涂布以将每一个发光二极管封装结构Zb电性连接于一电路板P上。
综上所述，本发明增加导电及散热面积的发光二极管封装结构及其制作方法的特点在于：
1、以第一实施例而言，因为第二导电单元4a具有一成形于该相对应第一正极导电层2Pa上的第二正极导电结构4Pa及一成形于该相对应第一负极导电层2Na上的第二负极导电结构4Na，并且每一个第二绝缘层3a成形于该第二正极导电结构4Pa及该第二负极导电结构4Na之间，所以该第二正极导电结构4Pa及该第二负极导电结构4Na能提供较大的面积以提供导电及散热。借此，本发明所制作的晶片级发光二极管封装结构能提供较大的导电面积(能提供较大的电源功率)及散热面积(能提供较佳的散热效率)。
2、以第一实施例而言，该荧光层5a′可成形于该发光单元1a的氧化铝基板100a的底部，以配合该发光区域Aa所产生的光束La来提供白色光源。以第二实施例而言，该荧光层5b′成形于该发光单元1b的底部及周围，以配合该发光区域Ab所产生的光束Lb来提供白色光源。
3、本发明不需使用像上述公知一样的导线、反射层及封装胶体，因此本发明增加导电及散热面积的发光二极管封装结构在制作时可大大降低制作时间及成本。
以上所述，仅为本发明最佳之一的具体实施例的详细说明与附图，然而本发明的特征并不局限于此，并非用以限制本发明，本发明的所有范围应以所述的权利要求的范围为准，凡符合本发明权利要求的精神与其类似变化的实施例，均应包含于本发明的范畴中，任何本领域普通技术人员在本发明的领域内，可轻易想到的变化或修改均可涵盖在本发明的专利范围内。
Claims (16)
1.一种增加导电及散热面积的发光二极管封装结构，其特征在于，包括：
一发光单元，其具有一发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层、一成形于该发光本体上的负极导电层、一成形于该正极导电层及该负极导电层之间的第一绝缘层、及一成形于该发光本体内的发光区域，其中该正极导电层的上表面具有一正极导电区域，该负极导电层的上表面具有一负极导电区域，该第一绝缘层覆盖于该正极导电层的一部分正极导电区域上及该负极导电层的一部分负极导电区域上；
一第一导电单元，其具有一成形于该正极导电层上的第一正极导电层及一成形于该负极导电层上的第一负极导电层，其中该第一正极导电层与该第一负极导电层彼此绝缘，且该第一正极导电层成形于其余的正极导电区域上及一部分第一绝缘层上，该第一负极导电层成形于其余的负极导电区域及一部分第一绝缘层上；
一第二导电单元，其具有一成形于该第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于该第一负极导电层上的第二负极导电结构；以及
一绝缘单元，其具有一成形在该第一绝缘层上并且位于该第二正极导电结构及该第二负极导电结构之间的第二绝缘层。
2.如权利要求1所述的增加导电及散热面积的发光二极管封装结构，其特征在于：该发光本体具有一氧化铝基板、一成形于该氧化铝基板上的氮化镓负电极层、及一成形于该氮化镓负电极层上的氮化镓正电极层，此外该正极导电层成形于该氮化镓正电极层上，该负极导电层成形于该氮化镓负电极层上，另外该第一绝缘层成形于该氮化镓负电极层上并且位于该正极导电层、该负极导电层及该氮化镓正电极层之间。
3.如权利要求1所述的增加导电及散热面积的发光二极管封装结构，其特征在于：该第一绝缘层及该第二绝缘层为一高分子材料层或一陶瓷材料层。
4.如权利要求1所述的增加导电及散热面积的发光二极管封装结构，其特征在于：该第二正极导电结构由至少两层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成，并且该第二负极导电结构由至少两层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成；其中上述至少两层导电金属层为一镍层及一金层或锡层，并且该金层或锡层成形于该镍层上。
5.如权利要求1所述的增加导电及散热面积的发光二极管封装结构，其特征在于：该第二正极导电结构由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成，并且该第二负极导电结构由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成；其中上述至少三层导电金属层为一铜层、一镍层及一金层或锡层，该镍层成形于该铜层上，并且该金层或锡层成形于该镍层上。
6.如权利要求1所述的增加导电及散热面积的发光二极管封装结构，其特征在于，更进一步包括：一成形于该发光单元底部的荧光层或一成形于该发光单元底部及周围的荧光层。
7.一种增加导电及散热面积的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供一具有多个发光单元的晶片，其中每一个发光单元具有一发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层、一成形于该发光本体上的负极导电层、一成形于该正极导电层及该负极导电层之间的第一绝缘层、及一成形于该发光本体内的发光区域，其中该正极导电层的上表面具有一正极导电区域，该负极导电层的上表面具有一负极导电区域，该第一绝缘层覆盖于该正极导电层的一部分正极导电区域上及该负极导电层的一部分负极导电区域上；
分别成形多个第一导电单元于多个所述发光单元上，其中每一个第一导电单元具有一成形于相对应的该正极导电层上的第一正极导电层及一成形于相对应的该负极导电层上的第一负极导电层，其中该第一正极导电层与该第一负极导电层彼此绝缘，且该第一正极导电层成形于其余的正极导电区域上及一部分第一绝缘层上，该第一负极导电层成形于其余的负极导电区域及一部分第一绝缘层上；
分别成形多个第二绝缘层于多个所述第一绝缘层上；以及
分别成形多个第二导电单元于多个所述第一导电单元上，其中每一个第二导电单元具有一成形于相对应的该第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于相对应的该第一负极导电层上的第二负极导电结构，并且每一个第二绝缘层成形于该第二正极导电结构及该第二负极导电结构之间。
8.如权利要求7所述的增加导电及散热面积的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：该发光本体具有一氧化铝基板、一成形于该氧化铝基板上的氮化镓负电极层、及一成形于该氮化镓负电极层上的氮化镓正电极层，此外该正极导电层成形于该氮化镓正电极层上，该负极导电层成形于该氮化镓负电极层上，另外该第一绝缘层成形于该氮化镓负电极层上并且位于该正极导电层、该负极导电层及该氮化镓正电极层之间。
9.如权利要求7所述的增加导电及散热面积的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：该第一绝缘层及该第二绝缘层为一高分子材料层或一陶瓷材料层。
10.如权利要求7所述的增加导电及散热面积的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：该第二正极导电结构由至少两层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成，并且该第二负极导电结构由至少两层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成；其中上述至少两层导电金属层为一镍层及一金层或锡层，并且该金层或锡层成形于该镍层上。
11.如权利要求7所述的增加导电及散热面积的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：该第二正极导电结构由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成，并且该第二负极导电结构由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成；其中上述至少三层导电金属层为一铜层、一镍层及一金层或锡层，该镍层成形于该铜层上，并且该金层或锡层成形于该镍层上。
12.如权利要求7所述的增加导电及散热面积的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，上述分别成形多个所述第一导电单元于多个所述发光单元上的步骤中，更进一步包括：
成形一第一导电层于每一个发光单元的该正极导电层、该负极导电层及该第一绝缘层上；
成形一光致抗蚀剂于该第一导电层上；
移除一部分的光致抗蚀剂以形成多个盲孔，其中每一个盲孔用以暴露出位于每一个发光单元的第一绝缘层上的部分第一导电层；
移除位于多个所述盲孔内的部分第一导电层；以及
移除其余的光致抗蚀剂，以形成上述每一个发光单元的该第一正极导电层及该第一负极导电层。
13.如权利要求12所述的增加导电及散热面积的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：通过蒸镀或溅镀的无电镀的方式以成形该第一导电层，通过曝光与显影相互配搭的方式以移除上述一部分的光致抗蚀剂，并且通过蚀刻的方式以移除上述位于多个所述盲孔内的部分第一导电层。
14.如权利要求7所述的增加导电及散热面积的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：上述分别成形多个所述第二绝缘层于多个所述第一绝缘层上的步骤中，更进一步包括：
成形一绝缘材料层于每一个发光单元的一部分第一绝缘层上及位于每一个发光单元上端的第一正极导电层及第一负极导电层上；以及
移除上述位于多个所述第一正极导电层及多个所述第一负极导电层上端的部分绝缘材料层，以形成分别成形于多个所述第一绝缘层上的多个所述第二绝缘层。
15.如权利要求7所述的增加导电及散热面积的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，上述分别成形多个所述第二导电单元于多个所述第一导电单元上的步骤后，更进一步包括：
将该晶片翻转，并置于一耐热的高分子基板上；
成形一荧光层于每一个发光单元的底端；以及
进行切割过程，以将该晶片切割成多个发光二极管封装结构。
16.如权利要求7所述的增加导电及散热面积的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，上述分别成形多个所述第二导电单元于多个所述第一导电单元上的步骤后，更进一步包括：
将该晶片翻转，并置于一耐热的高分子基板上；
进行第一次切割过程，以将该晶片切割成多个形成于多个所述发光单元之的间的凹槽；
填充荧光材料于多个所述凹槽内；
固化该荧光材料，以形成一荧光层于每一个发光单元的底端及周围；以及
进行第二次切割过程，以将该晶片切割成多个发光二极管封装结构。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN2008101610979A CN101685840B (zh) | 2008-09-26 | 2008-09-26 | 增加导电及散热面积的发光二极管封装结构及其制作方法 |
Publications (2)
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN2008101610979A Active CN101685840B (zh) | 2008-09-26 | 2008-09-26 | 增加导电及散热面积的发光二极管封装结构及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN101685840B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1399352A (zh) * | 2001-07-23 | 2003-02-26 | 连勇科技股份有限公司 | 可表面粘着并具有覆晶封装结构的发光半导体装置 |
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| CN1866555A (zh) * | 2005-05-19 | 2006-11-22 | 沈育浓 | 发光二极管芯片封装体及其封装方法 |
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