CN201285001Y - 用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构 - Google Patents
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Abstract
一种用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构，该封装结构包括：发光单元、第一导电单元、第二导电单元及绝缘单元。发光单元具有一发光本体、两个分别成形于发光本体上的正、负极导电层、及一成形于正、负极导电层之间的第一绝缘层。第一导电单元具有一成形于正极导电层上的第一正极导电层及一成形于负极导电层上的第一负极导电层。第二导电单元具有一成形于第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于第一负极导电层上的第二负极导电结构。绝缘单元具有一成形在第一绝缘层上并且位于第二正、负极导电结构之间的第二绝缘层。本实用新型能够提供较大的导电面积及散热面积。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种发光二极管封装结构，尤其涉及一种用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构。
背景技术
请参阅图1所示，其为公知发光二极管封装结构的结构示意图。由上述图中可知，公知发光二极管封装结构包括：一发光本体1，两个分别设置于该发光本体1上的正极导电层P及负极导电层N、一设置于该发光本体1的底部的反射层2、及一用于包覆该发光本体1的透明封装胶体3。
再者，该发光二极管封装结构设置于一电路板P上，并且通过两条导线w以分别将该正极导电层P及该负极导电层N电性连接于该电路板。此外，该发光本体1产生的一部分光束直接产生向上投射的效果，并且该发光本体1所产生的另一部分光束L通过该反射层2的反射以产生向上投射的效果。
然而，上述公知发光二极管封装结构具有下列缺点存在：
1、上述该正极导电层P及该负极导电层N只裸露出一部分的面积，因此该正极导电层P及该负极导电层N无法提供较大的导电面积(无法提供较大的电源功率)及散热面积(无法提供较佳的散热效率)。
2、由于该透明封装胶体3将该发光本体1包覆住，所以该发光本体1所产生的热因受到该透明封装胶体3的阻碍而无法进行散热，因此公知发光二极管封装结构的散热效果非常不好。
3、该反射层2、该透明封装胶体3、及上述两条导线w皆为公知发光二极管封装结构在制作时必要的结构特征，因此公知发光二极管封装结构在制作时不仅较费时，也产生较高的制作成本。
是以，由上可知，上述公知的发光二极管封装结构，在实际使用上，显然具有不便与技术缺陷存在。
因此，本发明人有感于上述技术缺陷的可改善，且依据多年来从事此方面的相关经验，悉心观察且研究，并配合学理的运用，而提出一种设计合理且有效改善上述技术缺陷的本实用新型。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题，在于提供一种用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构。本实用新型通过大面积的一第二正极导电结构及一第二负极导电结构的使用，以提供较大的导电面积(能提供较大的电源功率)及散热面积(能提供较佳的散热效率)。
为了解决上述技术问题，根据本实用新型的其中一种方案，提供一种用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构，其包括：一发光单元、一第一导电单元、一第二导电单元及一绝缘单元。其中，该发光单元具有一发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层、一成形于该发光本体上的负极导电层、一成形于该正极导电层及该负极导电层之间的第一绝缘层、及一成形于该发光本体内的发光区域。该第一导电单元具有一成形于该正极导电层上的第一正极导电层及一成形于该负极导电层上的第一负极导电层。该第二导电单元具有一成形于该第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于该第一负极导电层上的第二负极导电结构。该绝缘单元具有一成形在该第一绝缘层上并且位于该第二正极导电结构及该第二负极导电结构之间的第二绝缘层。
再者，本实用新型用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构还进一步包括：一成形于该发光单元底部的荧光层或一成形于该发光单元底部及周围的荧光层。
因此，本实用新型用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构的特点在于：
1、因为第二导电单元具有一成形于该相对应第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于该相对应第一负极导电层上的第二负极导电结构，并且每一个第二绝缘层成形于该第二正极导电结构及该第二负极导电结构之间，所以该第二正极导电结构及该第二负极导电结构能提供较大的面积以提供导电及散热。借此，本实用新型所制作的晶片级发光二极管封装结构能提供较大的导电面积(能提供较大的电源功率)及散热面积(能提供较佳的散热效率)。
2、以上述第一实施例而言，该荧光层可成形于该发光单元的氧化铝基板的底部，以配合该发光区域所产生的光束来提供白色光源。以上述第二实施例而言，该荧光层成形于该发光单元的底部及周围，以配合该发光区域所产生的光束来提供白色光源。
3、本实用新型不需要使用像上述公知一样的导线、反射层及封装胶体，因此本实用新型用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构在制作时可大大降低制作时间及成本。
为了能更进一步了解本实用新型为达成预定目的所采取的技术、手段及功效，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，相信本实用新型的目的、特征与特点，当可由此得一深入且具体的了解，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本实用新型加以限制。
附图说明
图1为公知发光二极管封装结构的结构示意图；
图2A至图2K分别为本实用新型用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构的制作方法的第一实施例的制作流程示意图；
图2L为本发明第一实施例的用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构通过锡膏的方式电性连接于一电路板上；
图3A至图3C分别为本实用新型用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构的制作方法的第二实施例的部分制作流程示意图；以及
图3D为本发明第二实施例的用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构通过锡膏的方式电性连接于一电路板上。
其中，附图标记说明如下：
[公知]
1 发光本体
P 正极导电层
N 负极导电层
2 反射层
3 透明封装胶体
w 导线
L 光束
[第一实施例]
W 晶片 Za 发光二极管封装结构
1a 发光单元 10a 发光本体
Aa 发光区域
100a 氧化铝基板
101a 氮化镓负电极层
102a 氮化镓正电极层
11a 第一绝缘层
Pa 正极导电层
P1a 正极导电区域
Na 负极导电层
N1a 负极导电区域
Ma 第一导电层 Ma′ 第一导电层
Ra 光致抗蚀剂 R1a 盲孔
Ra′ 光致抗蚀剂
2a 第一导电单元 2Pa 第一正极导电层
2Na 第一负极导电层
Sa 绝缘材料层
3a 第二绝缘层
4a 第二导电单元 4Pa 第二正极导电结构
4Na 第二负极导电结构
Cu 铜层
Ni 镍层
Au/Sn 金层或锡层
5a 荧光层
5a′ 荧光层
S 高分子基板
P 电路板
Ba 锡球
Ba′ 锡膏
La 光束
[第二实施例]
W 晶片 Zb 发光二极管封装结构
1b 发光单元
Ab 发光区域
C 凹槽
5b 荧光层
5b′ 荧光层
S 高分子基板
P 电路板
Bb 锡球
Bb′ 锡膏
Lb 光束
具体实施方式
请参阅图2A至图2K所示，本实用新型第一实施例提供一种用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其包括下列步骤：
步骤S100为：请配合图2A所示，提供一具有多个发光单元1a的晶片W(图式中只显示出该晶片W上的其中一个发光单元1a)，其中每一个发光单元1a具有一发光本体10a、一成形于该发光本体10a上的正极导电层Pa(例如P型半导体材料层)、一成形于该发光本体10a上的负极导电层Na(例如N型半导体材料层)、一成形于该正极导电层Pa及该负极导电层Na之间的第一绝缘层11a、及一成形于该发光本体10a内的发光区域Aa，其中该第一绝缘层11a可为一高分子材料层(polymer layer)或一陶瓷材料层(ceramic layer)。
此外，该发光本体10a具有一氧化铝基板100a、一成形于该氧化铝基板100a上的氮化镓负电极层101a、及一成形于该氮化镓负电极层101a上的氮化镓正电极层102a，此外该正极导电层Pa成形于该氮化镓正电极层102a上，该负极导电层Na成形于该氮化镓负电极层101a上，另外该第一绝缘层11a成形于该氮化镓负电极层101a上并且位于该正极导电层Pa、该负极导电层Na及该氮化镓正电极层102a之间。另外，该正极导电层Pa的上表面具有一正极导电区域P1a，该负极导电层Na的上表面具有一负极导电区域N1a，并且该第一绝缘层11a覆盖于该正极导电层Pa的一部分正极导电区域P1a上及覆盖于该负极导电层Na的一部分负极导电区域N1a上。
步骤S102为：请配合图2B所示，成形一第一导电层Ma于每一个发光单元1a的该正极导电层Pa、该负极导电层Na及该第一绝缘层11a上，其中该第一导电层Ma为一层通过无电镀的方式(例如：物理蒸镀、化学蒸镀或溅镀等方法)以成形于每一个发光单元1a的该正极导电层Pa、该负极导电层Na及该第一绝缘层11a上的导电金属层。
步骤S104为：请配合图2C所示，成形一光致抗蚀剂Ra于该第一导电层Ma上。
步骤S106为：请配合图2D所示，移除一部分的光致抗蚀剂Ra以形成多个盲孔R1a，其中每一个盲孔R1a用以暴露出位于每一个发光单元1a的第一绝缘层11a上的部分第一导电层Ma，其中上述一部分的光致抗蚀剂Ra通过曝光与显影相互配搭的方式来移除，以形成一被移除后的光致抗蚀剂Ra′。
步骤S108为：请配合图2E所示，移除位于所述多个盲孔R1a内的部分第一导电层Ma，其中上述部分第一导电层Ma通过蚀刻的方式来移除，以形成一被移除后的第一导电层Ma′。
步骤S110为：请配合图2F所示，移除图2E中其余的光致抗蚀剂Ra′，以形成位于每一个发光单元1a上的一第一正极导电层2Pa及一第一负极导电层2Na。此外，该第一正极导电层2Pa及该第一负极导电层2Na可由任何导电金属所制成，例如：钛钨(TiW)合金或镍钒(NiV)合金等。
换言之，由上述步骤S102至步骤S110可知，于步骤S100之后，则分别成形多个第一导电单元2a(第一导电层Ma′)于所述多个发光单元1a上，其中每一个第一导电单元2a(第一导电层Ma′)具有一成形于该相对应正极导电层Pa上的第一正极导电层2Pa及一成形于该相对应负极导电层Na上的第一负极导电层2Na。此外，该第一正极导电层2Pa与该第一负极导电层2Na彼此绝缘，并且该第一正极导电层2Pa成形于其余的正极导电区域P1a上及一部分第一绝缘层11a上，该第一负极导电层2Na成形于其余的负极导电区域N1a及一部分第一绝缘层11a上。
步骤S112为：请配合图2G所示，成形一绝缘材料层Sa于每一个发光单元1a的一部分第一绝缘层11a上及位于每一个发光单元1a上端的第一正极导电层2Pa及第一负极导电层2Na上。
步骤S114为：请配合图2H所示，移除上述位于所述多个第一正极导电层2Pa及所述多个第一负极导电层2Na上端的部分绝缘材料层Sa，以分别成形多个第二绝缘层3a于所述多个第一绝缘层11a上，其中该第二绝缘层3a可为一高分子材料层(polymer layer)或一陶瓷材料层(ceramiclayer)。
步骤S116为：请配合图2I所示，分别成形多个第二导电单元4a于所述多个第一导电单元2a上，其中每一个第二导电单元4a具有一成形于该相对应第一正极导电层2Pa上的第二正极导电结构4Pa及一成形于该相对应第一负极导电层2Na上的第二负极导电结构4Na，并且每一个第二绝缘层3a成形于该第二正极导电结构4Pa及该第二负极导电结构4Na之间，此外每一个第二绝缘层3a与该第二正极导电结构4Pa及该第二负极导电结构4Na分别分离一预定距离。另外，以第一实施例而言，该第二正极导电结构4Pa由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成，并且该第二负极导电结构4Na由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成，其中上述至少三层导电金属层为一铜层Cu、一镍层Ni及一金层或锡层Au/Sn，该镍层Ni成形于该铜层Cu上，并且该金层或锡层Au/Sn成形于该镍层Ni上。
另外，依据不同的设计设求，该第二正极导电结构4Pa也可由至少两层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成，并且该第二负极导电结构4Na也可由至少两层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成，其中上述至少两层导电金属层为一镍层Ni及一金层或锡层Au/Sn，并且该金层或锡层Au/Sn成形于该镍层Ni上。换言之，只要是由两层以上的导电金属层相互堆叠的第二正极导电结构4Pa及由两层以上的导电金属层相互堆叠的第二负极导电结构4Na，皆为本实用新型所保护的范畴。
步骤S118为：请配合图2J所示，将该晶片W翻转，并置于一耐热的高分子基板S上。
步骤S120为：请配合图2J所示，成形一荧光层5a于每一个发光单元1a的底端。换言之，通过将该晶片W翻转的方式，以将该荧光层5a成形于该氧化铝基板100a的底面。此外，上述的荧光层5a可依据不同的使用需求，而选择为：由一硅胶(silicon)与一荧光粉(fluorescent powder)所混合形成的荧光胶体(fluorescent resin)、或由一环氧树脂(epoxy)与一荧光粉(fluorescent powder)所混合形成的荧光胶体(fluorescent resin)。
步骤S122为：请配合图2K所示，沿着图2J的X—X线以进行切割过程，以将该晶片W切割成多个覆盖有荧光层5a′的发光二极管封装结构Za，并且通过至少两个锡球Ba以将每一个发光二极管封装结构Za电性连接于一电路板P上，其中每一个发光二极管封装结构Za从该发光区域Aa产生通过该荧光层5a′的光束La，以进行照明的需求。此外，有一部分从该发光区域Aa所产生的光束(图未示)投向下方，并且所述多个投向下方的光束受到该正极导电层Pa及该负极导电层Na的反射而产生向上投光效果。
借此，由上述图2K可知，本实用新型第一实施例提供一种用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构，其包括：一发光单元1a、一第一导电单元2a、一第二导电单元4a、一绝缘单元(一第二绝缘层3a)及一荧光层5a′。
其中，该发光单元1a具有一发光本体10a、一成形于该发光本体10a上的正极导电层Pa、一成形于该发光本体10a上的负极导电层Na、一成形于该正极导电层Pa及该负极导电层Na之间的第一绝缘层11a、及一成形于该发光本体10a内的发光区域Aa。该发光本体10a具有一氧化铝基板100a、一成形于该氧化铝基板100a上的氮化镓负电极层101a、及一成形于该氮化镓负电极层101a上的氮化镓正电极层102a，此外该正极导电层Pa成形于该氮化镓正电极层102a上，该负极导电层Na成形于该氮化镓负电极层101a上，另外该第一绝缘层11a成形于该氮化镓负电极层101a上并且位于该正极导电层Pa、该负极导电层Na及该氮化镓正电极层102a之间。另外，该正极导电层Pa的上表面具有一正极导电区域P1a，该负极导电层Na的上表面具有一负极导电区域N1a，并且该第一绝缘层11a覆盖于该正极导电层Pa的一部分正极导电区域P1a上及该负极导电层Na的一部分负极导电区域N1a上。
此外，该第一导电单元2a具有一成形于该相对应正极导电层Pa上的第一正极导电层2Pa及一成形于该相对应负极导电层Na上的第一负极导电层2Na。此外，该第一正极导电层2Pa与该第一负极导电层2Na彼此绝缘，并且该第一正极导电层2Pa成形于其余的正极导电区域P1a上及一部分第一绝缘层11a上，该第一负极导电层2Na成形于其余的负极导电区域N1a及一部分第一绝缘层11a上。
另外，第二导电单元4a具有一成形于该相对应第一正极导电层2Pa上的第二正极导电结构4Pa及一成形于该相对应第一负极导电层2Na上的第二负极导电结构4Na，并且每一个第二绝缘层3a成形于该第二正极导电结构4Pa及该第二负极导电结构4Na之间，此外每一个第二绝缘层3a与该第二正极导电结构4Pa及该第二负极导电结构4Na分别分离一预定距离。另外，以第一实施例而言，该第二正极导电结构4Pa由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成，并且该第二负极导电结构4Na由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成，其中上述至少三层导电金属层为一铜层Cu、一镍层Ni及一金层Au或锡层Sn，该镍层Ni成形于该铜层Cu上，并且该金层Au或锡层Sn成形于该镍层Ni上。
再者，该第二绝缘层3a成形在该第一绝缘层11a上并且位于该第二正极导电结构4Pa及该第二负极导电结构4Na之间。此外，该荧光层5a′成形于该发光单元1a的氧化铝基板100a的底部，以配合该发光区域Aa所产生的光束La来提供白色光源。
请参阅图2L所示，其为本发明第一实施例的用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构通过锡膏的方式电性连接于一电路板上。由上述图中可知，通过至少两层锡膏Ba′的涂布以将每一个发光二极管封装结构Za电性连接于一电路板P上。
请参阅图3A至图3C所示，本实用新型第二实施例与第一实施例最大的差别在于：在第二实施例中，于“将该晶片W翻转，并置于一耐热的高分子基板S上”的步骤后，还进一步包括：
步骤S200为：请配合图3A所示，进行第一次切割过程，以将该晶片W切割成多个形成于多个发光单元1b之间的凹槽C。
步骤S202为：请配合图3B所示，填充荧光材料(图未示)于所述多个凹槽C内。此外，上述的荧光材料可依据不同的使用需求，而选择为：由一硅胶(silicon)与一荧光粉(fluorescent powder)所混合形成的荧光胶体(fluorescent resin)、或由一环氧树脂(epoxy)与一荧光粉(fluorescent powder)所混合形成的荧光胶体(fluorescentresin)。
步骤S204为：请配合图3B所示，固化该荧光材料，以形成一荧光层5b于每一个发光单元1b的底端及周围。
步骤S206为：请配合图3C所示，沿着图3B的Y—Y线以进行第二次切割过程，以将该晶片W切割成多个覆盖有荧光层5b′的发光二极管封装结构Zb，并且通过至少两个锡球Bb以将每一个发光二极管封装结构Zb电性连接于一电路板P上，其中每一个发光二极管封装结构Zb从该发光区域Ab产生通过该荧光层5b′的光束Lb，以进行照明的需求。
借此，由上述图3C可知，本实用新型第二实施例提供一种用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构，并且本实用新型第二实施例与第一实施例最大的差别在于：该荧光层5b′成形于该发光单元1b的底部及周围，以配合该发光区域Ab所产生的光束Lb来提供白色光源。
请参阅图3D所示，其为本发明第二实施例的用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构通过锡膏的方式电性连接于一电路板上。由上述图中可知，通过至少两层锡膏Bb′的涂布以将每一个发光二极管封装结构Zb电性连接于一电路板P上。
综上所述，本实用新型用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构的特点在于：
1、以第一实施例而言，因为第二导电单元4a具有一成形于该相对应第一正极导电层2Pa上的第二正极导电结构4Pa及一成形于该相对应第一负极导电层2Na上的第二负极导电结构4Na，并且每一个第二绝缘层3a成形于该第二正极导电结构4Pa及该第二负极导电结构4Na之间，所以该第二正极导电结构4Pa及该第二负极导电结构4Na能提供较大的面积以提供导电及散热。借此，本实用新型所制作的晶片级发光二极管封装结构能提供较大的导电面积(能提供较大的电源功率)及散热面积(能提供较佳的散热效率)。
2、以第一实施例而言，该荧光层5a′可成形于该发光单元1a的氧化铝基板100a的底部，以配合该发光区域Aa所产生的光束La来提供白色光源。以第二实施例而言，该荧光层5b′成形于该发光单元1b的底部及周围，以配合该发光区域Ab所产生的光束Lb来提供白色光源。
3、本实用新型不需使用像上述公知一样的导线、反射层及封装胶体，因此本实用新型用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构在制作时可大大降低制作时间及成本。
以上所述，仅为本实用新型最佳的一个具体实施例的详细说明与附图，但是本实用新型的特征并不局限于此，并非用以限制本实用新型，本实用新型的所有范围应以下述的权利要求书为准，凡合于本实用新型权利要求书的精神与其类似变化的实施例，皆应包含于本实用新型的范畴中，任何本领域普通技术人员在本实用新型的领域内，可轻易思及的变化或修饰皆可涵盖在以下本实用新型的权利要求书的范围内。
Claims (9)
1、一种用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于，包括：
一发光单元，其具有一正极导电层、一负极导电层、及一成形于该正极导电层及该负极导电层之间的第一绝缘层；
一第一导电单元，其具有一成形于该正极导电层上的第一正极导电层及一成形于该负极导电层上的第一负极导电层；
一第二导电单元，其具有一成形于该第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于该第一负极导电层上的第二负极导电结构；以及
一绝缘单元，其具有一成形于该第一绝缘层上并且位于该第二正极导电结构及该第二负极导电结构之间的第二绝缘层。
2、如权利要求1所述的用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于：该正极导电层的上表面具有一正极导电区域，该负极导电层的上表面具有一负极导电区域，并且该第一绝缘层覆盖于该正极导电层的一部分正极导电区域上及该负极导电层的一部分负极导电区域上。
3、如权利要求2所述的用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于：该第一正极导电层与该第一负极导电层彼此绝缘，并且该第一正极导电层成形于其余的正极导电区域上及一部分第一绝缘层上，该第一负极导电层成形于其余的负极导电区域及一部分第一绝缘层上。
4、如权利要求1所述的用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于：该第一绝缘层及该第二绝缘层为一高分子材料层或一陶瓷材料层。
5、如权利要求1所述的用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于：该第二正极导电结构由至少两层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成，并且该第二负极导电结构由至少两层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成；其中上述至少两层导电金属层为一镍层及一金层或锡层，并且该金层或锡层成形于该镍层上。
6、如权利要求1所述的用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于：该第二正极导电结构由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成，并且该第二负极导电结构由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成；其中上述至少三层导电金属层为一铜层、一镍层及一金层或锡层，该镍层成形于该铜层上，并且该金层或锡层成形于该镍层上。
7、如权利要求1所述的用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于，还进一步包括：一成形于该发光单元底部的荧光层或一成形于该发光单元底部及周围的荧光层。
8、如权利要求1所述的用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于：该发光单元具有一发光本体及一成形于该发光本体内的发光区域，并且该正极导电层及该负极导电层皆成形于该发光本体上。
9、如权利要求8所述的用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于：该发光本体具有一氧化铝基板、一成形于该氧化铝基板上的氮化镓负电极层、及一成形于该氮化镓负电极层上的氮化镓正电极层，此外该正极导电层成形于该氮化镓正电极层上，该负极导电层成形于该氮化镓负电极层上，另外该第一绝缘层成形于该氮化镓负电极层上并且位于该正极导电层、该负极导电层及该氮化镓正电极层之间。
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|---|---|---|---|---|
| CN102024883B (zh) * | 2009-09-10 | 2012-07-25 | 陈一璋 | 发光二极管散热基板的制作方法 |
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