CN102136539A - 晶片级发光二极管封装结构及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
一种晶片级发光二极管封装结构及其制作方法，该封装结构包括：一发光单元、一反射单元、一第一导电单元及一第二导电单元。发光单元具有一基板本体、一设置在基板本体上的发光本体、一成形于发光本体上的正、负极导电层、及一成形于发光本体内的发光区域。反射单元具有一成形于正、负极导电层之间并且成形于基板本体上以包围发光本体外侧的反射层。第一导电单元具有一成形于正极导电层上的第一正极导电层及一成形于负极导电层上的第一负极导电层。第二导电单元具有一成形于第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于第一负极导电层上的第二负极导电结构。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装结构及其制作方法，尤指一种晶片级发光二极管封装结构及其制作方法。
背景技术
电灯的发明可以说是彻底地改变了全人类的生活方式，倘若我们的生活没有电灯，夜晚或天气状况不佳的时候，一切的工作都将要停摆；倘若受限于照明，极有可能使房屋建筑方式或人类生活方式都彻底改变，全人类都将因此而无法进步，继续停留在较落后的年代。
因此，今日市面上所使用的照明设备，例如：日光灯、钨丝灯、甚至到现在较广为大众所接受的省电灯泡，皆已普遍应用于日常生活当中。然而，此类电灯大多具有光衰减快、高耗电量、容易产生高热、寿命短、易碎或不易回收等缺点。因此，为了解决上述的问题，发光二极管因应而生。
请参阅图1所示，其为现有发光二极管封装结构的结构示意图。由上述图中可知，现有发光二极管封装结构包括：一发光本体11a、两个分别设置于该发光本体11a上的正极导电层Pa及负极导电层Na、三层依序堆栈在该发光本体11a上且邻近该正极导电层Pa的ITO层、SiO2层及Ti/Al/Ti/Au层(反射层)、一形成于该正极导电层Pa及该负极导电层Na之间且包围该正极导电层Pa与该负极导电层Na的外侧边的光致抗蚀剂层2a、及两个分别设置在该正极导电层Pa及该负极导电层Na上端的导电层3a。然而，现有的发光二极管封装结构的散热效果不佳。
因此，本发明人有感上述可改善的缺陷的，且依据多年来从事此方面的相关经验，悉心观察且研究的，并配合学理的运用，而提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本发明。
发明内容
本发明所要解决的技术问题，在于提供一种晶片级发光二极管封装结构及其制作方法，其能够有效的增加发光效率及散热效果。
为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种晶片级发光二极管封装结构，其包括：一发光单元、一反射单元、一第一导电单元及一第二导电单元。其中，该发光单元具有一基板本体、一设置在该基板本体上的发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层、一成形于该发光本体上的负极导电层、及一成形于该发光本体内的发光区域。该反射单元具有一成形于该正极导电层及该负极导电层之间并且成形于该基板本体上以包围该发光本体外侧的反射层。该第一导电单元具有一成形于该正极导电层上的第一正极导电层及一成形于该负极导电层上的第一负极导电层。该第二导电单元具有一成形于该第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于该第一负极导电层上的第二负极导电结构。
为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其包括下列步骤：首先，提供一具有多个发光单元的晶片，其中每一个发光单元具有一基板本体、一设置在该基板本体上的发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层、一成形于该发光本体上的负极导电层、及一成形于该发光本体内的发光区域；接着，切除该发光本体的一部分，以露出该基板本体上表面的外围区域；然后，成形一反射层，其位于该正极导电层及该负极导电层之间并且位于该基板本体的外围区域上以包围该发光本体的外侧并露出该正极导电层及该负极导电层；接下来，于所述多个发光单元上分别成形多个第一导电单元，其中每一个第一导电单元具有一成形于每一个正极导电层上的第一正极导电层及一成形于每一个负极导电层上的第一负极导电层；最后，于所述多个第一导电单元上分别成形多个第二导电单元，其中每一个第二导电单元具有一成形于每一个第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于每一个第一负极导电层上的第二负极导电结构。
因此，本发明的有益效果在于：本发明可省略现有光致抗蚀剂层的使用，而直接以一通过等离子体而成形的分布式布拉格反射层(Distributed BraggReflector，DBR)来作为一用于反射光源的反射单元，因此本发明不但可以通过该分布式布拉格反射层(DBR)的使用来增加发光效率(加强光源被该反射单元反射的机率)，并且本发明亦可因为省略现有光致抗蚀剂层的使用而减少导热路径，进而增加散热效果。
为了能更进一步了解本发明为达成预定目的所采取的技术、手段及功效，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，相信本发明的目的、特征与特点，当可由此得一深入且具体的了解，然而附图仅提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为现有发光二极管封装结构的结构示意图；
图2为本发明晶片级发光二极管封装结构的制作方法的第一实施例的流程图；
图2A至图2J分别为本发明晶片级发光二极管封装结构的制作方法的第一实施例的制作流程示意图；
图3为本发明晶片级发光二极管封装结构的制作方法的第二实施例的部分流程图；以及
图3A至图3C分别为本发明晶片级发光二极管封装结构的制作方法的第二实施例的部分制作流程示意图。
其中，附图标记说明如下：
发光本体 11a
正极导电层 Pa
负极导电层 Na
光致抗蚀剂层 2a
导电层 3a
晶片 W 发光二极管封装结构Z
发光单元 1 基板本体 10
氧化铝基板 100
发光本体 11
氮化镓负电极层 110
氮化镓正电极层 111
正极导电层 P
正极导电区域 P1
负极导电层 N
负极导电区域 N1
发光区域 A
反射材料 R
反射单元 2 反射层 20
第一导电层 M1
第一导电单元 3 第一正极导电层 3P
第一负极导电层 3N
第二导电结构 M2
第二导电单元 4 第二正极导电结构 4P
第二负极导电结构 4N
荧光层 5
高分子基板 S
电路板 C
锡球 B
光束 L
具体实施方式
请参阅图2、及图2A至图2J所示，本发明第一实施例提供一种晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其包括下列步骤：
步骤S100为：请配合图2及图2A所示，提供一具有多个发光单元1的晶片W(图式中只显示出该晶片W上的其中一个发光单元1)，其中每一个发光单元1具有一基板本体10、一设置在该基板本体10上的发光本体11、一成形于该发光本体11上的正极导电层P(例如P型半导体材料层)、一成形于该发光本体11上的负极导电层N(例如N型半导体材料层)、及一成形于该发光本体11内的发光区域A。
此外，该基板本体10为一氧化铝基板100，并且该发光本体11具有一成形于该氧化铝基板100上的氮化镓负电极层110及一成形于该氮化镓负电极层110上的氮化镓正电极层111。此外，该正极导电层P成形于该氮化镓正电极层111上，该负极导电层N成形于该氮化镓负电极层110上，并且该正极导电层P的上表面具有一正极导电区域P1，该负极导电层N的上表面具有一负极导电区域N1。另外，该发光区域A(光源被激发出来的地方)形成于该氮化镓负电极层110与该氮化镓正电极层111之间。
步骤S102为：请配合图2及图2B所示，切除该发光本体11的一部分，以露出该基板本体10上表面的外围区域H。换言之，如图2B所示，当该氮化镓负电极层110的一部分与该氮化镓正电极层111的一部分被移除后，该氧化铝基板100上表面的外围区域H被外露出来。
步骤S104为：请配合图2、及图2C至图2D所示，成形一反射层20(例如该反射层20可由反射材料R经过蚀刻而成，如同图2C至图2D的过程所示)，其位于该正极导电层P及该负极导电层N之间并且位于该基板本体10的外围区域H上，以包围该发光本体11的外侧并露出该正极导电层P及该负极导电层N。依据不同的设计需求，该反射层20可使用任何的绝缘反射材料，例如：该反射层20可为一通过等离子体而成形的分布式布拉格反射层(Distributed Bragg Reflector，DBR)。换言之，该反射层20的一部分成形于该氮化镓负电极层110的部分上表面上及该氮化镓正电极层111的部分上表面上并且位于该正极导电层P与该负极导电层N之间。另外，依据不同的设计需求，该反射层20的一部分可覆盖于该正极导电层P的一部分正极导电区域P1上及该负极导电层N的一部分负极导电区域N1上。
步骤S106为：请配合图2及图2E所示，于每一个发光单元1的该正极导电层P、该负极导电层N及该反射层20上成形一第一导电层M1，其中该第一导电层M1为一层通过无电镀的方式(例如：物理蒸镀、化学蒸镀或溅镀等方法)以成形于每一个发光单元1的该正极导电层P、该负极导电层N及该反射层20上的导电金属层。
步骤S 108为：请配合图2及图2F所示，移除部分的第一导电层M1(例如通过蚀刻的方式以移除上述部分的第一导电层M1)，以于所述多个发光单元1上分别成形多个第一导电单元3，其中每一个第一导电单元3具有一成形于每一个正极导电层P上的第一正极导电层3P及一成形于每一个负极导电层N上的第一负极导电层3N。换言之，该第一正极导电层3P与该第一负极导电层3N彼此绝缘，并且该第一正极导电层3P成形于其余的正极导电区域P1上及一部分反射层20上，该第一负极导电层3N成形于其余的负极导电区域N1及一部分反射层20上。
步骤S110为：请配合图2及G图2G所示，于每一个发光单元1的一部分反射层20上及位于每一个发光单元1上端的第一正极导电层3P及第一负极导电层3N上成形一第二导电结构M2，其中该第二导电结构M2可通过无电镀的方式(例如：物理蒸镀、化学蒸镀或溅镀等方法)以成形于每一个发光单元1的一部分反射层20上及位于每一个发光单元1上端的第一正极导电层3P及第一负极导电层3N上。
步骤S112为：请配合图2及图2H所示，移除部分的第二导电结构M2(例如通过蚀刻的方式以移除上述部分的第二导电结构M2)，以于所述多个第一导电单元3上分别成形多个第二导电单元4，其中每一个第二导电单元4具有一成形于每一个第一正极导电层3P上的第二正极导电结构4P及一成形于每一个第一负极导电层3N上的第二负极导电结构4N。
以第一实施例而言，该第二正极导电结构4P由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆栈所组成，并且该第二负极导电结构4N由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆栈所组成，其中上述至少三层导电金属层为一铜层Cu、一镍层Ni及一金层或锡层Au/Sn，该镍层Ni成形于该铜层Cu上，并且该金层或锡层Au/Sn成形于该镍层Ni上。
另外，依据不同的设计设求，该第二正极导电结构4P亦可由至少两层导电金属层通过电镀的方式相互堆栈所组成，并且该第二负极导电结构4N亦可由至少两层导电金属层通过电镀的方式相互堆栈所组成，其中上述至少两层导电金属层为一镍层Ni及一金层或锡层Au/Sn，并且该金层或锡层Au/Sn成形于该镍层Ni上。换言之，只要是由两层以上的导电金属层相互堆栈的第二正极导电结构4P及由两层以上的导电金属层相互堆栈的第二负极导电结构4N，皆为本发明所保护的范畴。
步骤S114为：请配合图2及图2I所示，将该晶片W翻转，并置于一耐热的高分子基板S上。
步骤S116为：请配合图2及图2I所示，于每一个发光单元1的底端成形一荧光层5。换言之，通过将该晶片W翻转的方式，以将该荧光层5成形于该氧化铝基板100的底面。此外，上述的荧光层5可依据不同的使用需求，而选择为：由硅胶与荧光粉所混合形成的荧光胶体、或由环氧树脂与荧光粉所混合形成的荧光胶体。
步骤S118为：请配合图2及图2J所示，延着图2I的X-X线以进行切割过程，以将该晶片W切割成多个覆盖有荧光层5的发光二极管封装结构Z，并且通过至少两个锡球B(或锡膏)以将每一个发光二极管封装结构Z电性连接于一电路板C上，其中每一个发光二极管封装结构Z从该发光区域A产生通过该荧光层5的光束L，以进行照明的需求。此外，有一部分从该发光区域A所产生的光束L投向下方，并且所述多个投向下方的光束受到该正极导电层P、该负极导电层N及该反射层20的反射而产生向上投光效果。
以此，由上述图2J可知，本发明第一实施例提供一种晶片级发光二极管封装结构Z，其包括：一发光单元1、一反射单元2、一第一导电单元3、一第二导电单元4及一荧光层5。再者，本发明第一实施例的晶片级发光二极管封装结构Z通过至少两层锡球B(或锡膏)以电性连接于一电路板C上。
其中，该发光单元1具有一基板本体10、一设置在该基板本体10上的发光本体11、一成形于该发光本体11上的正极导电层P、一成形于该发光本体11上的负极导电层N、及一成形于该发光本体11内的发光区域A。另外，该基板本体10为一氧化铝基板100，并且该发光本体11具有一成形于该氧化铝基板100上的氮化镓负电极层110及一成形于该氮化镓负电极层110上的氮化镓正电极层111。此外，该正极导电层P成形于该氮化镓正电极层111上，该负极导电层N成形于该氮化镓负电极层110上，并且该正极导电层P的上表面具有一正极导电区域P1，该负极导电层N的上表面具有一负极导电区域N1。
再者，该反射单元2具有一成形于该正极导电层P及该负极导电层N之间并且成形于该基板本体10上以包围该发光本体11外侧的反射层20。依据不同的设计需求，该反射层20可使用任何的绝缘反射材料，例如：该反射层20可为一通过等离子体而成形的分布式布拉格反射层(Distributed BraggReflector，DBR)。换言之，该反射层20的一部分成形于该氮化镓负电极层110的部分上表面上及该氮化镓正电极层111的部分上表面上并且位于该正极导电层P与该负极导电层N之间。另外，依据不同的设计需求，该反射层20的一部分覆盖于该正极导电层P的一部分正极导电区域P1上及该负极导电层N的一部分负极导电区域N1上。
此外，该第一导电单元3具有一成形于该正极导电层P上的第一正极导电层3P及一成形于该负极导电层N上的第一负极导电层3N。另外，该第一正极导电层3P与该第一负极导电层3N彼此绝缘，并且该第一正极导电层3P成形于其余的正极导电区域P1上及一部分反射层20上，该第一负极导电层3N成形于其余的负极导电区域N1及一部分反射层20上。
另外，该第二导电单元4具有一成形于该第一正极导电层3P上的第二正极导电结构4P及一成形于该第一负极导电层3N上的第二负极导电结构4N。以第一实施例而言，该第二正极导电结构4P由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆栈所组成，并且该第二负极导电结构4N由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆栈所组成，其中上述至少三层导电金属层为一铜层Cu、一镍层Ni及一金层或锡层Au/Sn，该镍层Ni成形于该铜层Cu上，并且该金层或锡层Au/Sn成形于该镍层Ni上。
另外，依据不同的设计设求，该第二正极导电结构4P亦可由至少两层导电金属层通过电镀的方式相互堆栈所组成，并且该第二负极导电结构4N亦可由至少两层导电金属层通过电镀的方式相互堆栈所组成，其中上述至少两层导电金属层为一镍层Ni及一金层或锡层Au/Sn，并且该金层或锡层Au/Sn成形于该镍层Ni上。换言之，只要是由两层以上的导电金属层相互堆栈的第二正极导电结构4P及由两层以上的导电金属层相互堆栈的第二负极导电结构4N，皆为本发明所保护的范畴。
此外，该荧光层5成形于该发光单元1的底部。换言之，该荧光层5成形于该发光单元1的氧化铝基板100的底部，以配合该发光区域A所产生的光束L来提供白色光源。
请参阅图3、及图3A至图3C所示，本发明第二实施例与第一实施例最大的差别在于：在第二实施例中，在“将该晶片W翻转，并置于一耐热的高分子基板S上”之步骤后，还包括：
步骤S200为：请配合图3及图3A所示，切割该晶片W，以使得该晶片W的上表面形成多个位于所述多个发光单元1之间的凹槽G。
步骤S202为：请配合图3及图3B所示，于所述多个凹槽G内及所述多个发光单元1的上表面成形荧光材料(图未示)。此外，上述的荧光材料可依据不同的使用需求，而选择为：由硅胶与荧光粉所混合形成的荧光胶体、或由环氧树脂与荧光粉所混合形成的荧光胶体。
步骤S204为：请配合图3及图3B所示，固化该荧光材料，以于每一个发光单元1的底端及周围形成一荧光层5。
步骤S206为：请配合图3及图3B所示，延着图3B的Y-Y线以切割位于所述多个凹槽G内的荧光层5及位于所述多个凹槽G下方的晶片W，以将该晶片W切割成多个发光二极管封装结构Z。
步骤S208为：请配合图3及图3C所示，通过至少两个锡球B(或锡膏)以将每一个发光二极管封装结构Z电性连接于一电路板C上，其中每一个发光二极管封装结构Z从该发光区域A产生通过该荧光层5的光束L，以进行照明的需求。
以此，由上述图3C可知，本发明第二实施例与第一实施例最大的差别在于：该荧光层5成形于该发光单元1的底部及周围，以配合该发光区域A所产生的光束L来提供白色光源。
综上所述，本发明晶片级发光二极管封装结构及其制作方法的特点在于：
1、本发明可省略现有光致抗蚀剂层的使用，而直接以一通过等离子体而成形的分布式布拉格反射层(Distributed Bragg Reflector，DBR)来作为一用于反射光源的反射单元2，因此本发明不但可以通过该分布式布拉格反射层(DBR)的使用来增加发光效率(加强光源被该反射单元反射的机率)，并且本发明亦可因为省略现有光致抗蚀剂层的使用而减少导热路径，进而增加散热效果。
2、以第一实施例而言，该荧光层5可成形于该发光单元1的氧化铝基板100的底部，以配合该发光区域A所产生的光束L来提供白色光源。以第二实施例而言，该荧光层5成形于该发光单元1的底部及周围，以配合该发光区域A所产生的光束L来提供白色光源。
3、本发明的反射单元2的反射层20包围该发光单元1的发光本体11的外侧，以用于有效地保护该发光单元1的外围区域。
然而，以上所述，仅为本发明最佳的一的具体实施例的详细说明与图式，惟本发明的特征并不局限于此，并非用以限制本发明，本发明的所有范围应以下述的申请专利范围为准，凡合于本发明申请专利范围的精神与其类似变化的实施例，皆应包含于本发明的范畴中，任何熟悉该项技艺者在本发明的领域内，可轻易思及的变化或修饰皆可涵盖在以下本申请的专利范围。
Claims (20)
1.一种晶片级发光二极管封装结构，其特征在于，包括：
一发光单元，其具有一基板本体、一设置在该基板本体上的发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层、一成形于该发光本体上的负极导电层、及一成形于该发光本体内的发光区域；
一反射单元，其具有一成形于该正极导电层及该负极导电层之间并且成形于该基板本体上以包围该发光本体外侧的反射层；
一第一导电单元，其具有一成形于该正极导电层上的第一正极导电层及一成形于该负极导电层上的第一负极导电层；以及
一第二导电单元，其具有一成形于该第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于该第一负极导电层上的第二负极导电结构。
2.如权利要求1所述的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于：该基板本体为一氧化铝基板，并且该发光本体具有一成形于该氧化铝基板上的氮化镓负电极层及一成形于该氮化镓负电极层上的氮化镓正电极层，此外该正极导电层成形于该氮化镓正电极层上，该负极导电层成形于该氮化镓负电极层上，另外该反射层的一部分成形于该氮化镓负电极层的部分上表面上及该氮化镓正电极层的部分上表面上并且位于该正极导电层与该负极导电层之间。
3.如权利要求1所述的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于：该正极导电层的上表面具有一正极导电区域，该负极导电层的上表面具有一负极导电区域，并且该反射层的一部分覆盖于该正极导电层的一部分正极导电区域上及该负极导电层的一部分负极导电区域上。
4.如权利要求3所述的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于：该第一正极导电层与该第一负极导电层彼此绝缘，并且该第一正极导电层成形于其余的正极导电区域上及一部分反射层上，该第一负极导电层成形于其余的负极导电区域及一部分反射层上。
5.如权利要求1所述的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于：该反射层为一通过等离子体而成形的分布式布拉格反射层。
6.如权利要求1所述的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于：该第二正极导电结构由至少两层导电金属层通过电镀的方式相互堆栈所组成，并且该第二负极导电结构由至少两层导电金属层通过电镀的方式相互堆栈所组成；其中上述至少两层导电金属层为一镍层及一金层或锡层，并且该金层或锡层成形于该镍层上。
7.如权利要求1所述的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于：该第二正极导电结构由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆栈所组成，并且该第二负极导电结构由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆栈所组成；其中上述至少三层导电金属层为一铜层、一镍层及一金层或锡层，该镍层成形于该铜层上，并且该金层或锡层成形于该镍层上。
8.如权利要求1所述的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于，该封装结构还包括：一成形于该发光单元底部的荧光层或一成形于该发光单元底部及周围的荧光层。
9.一种晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供一具有多个发光单元的晶片，其中每一个发光单元具有一基板本体、一设置在该基板本体上的发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层、一成形于该发光本体上的负极导电层、及一成形于该发光本体内的发光区域；
切除该发光本体的一部分，以露出该基板本体上表面的外围区域；
成形一反射层，其位于该正极导电层及该负极导电层之间并且位于该基板本体的外围区域上以包围该发光本体的外侧并露出该正极导电层及该负极导电层；
于所述多个发光单元上分别成形多个第一导电单元，其中每一个第一导电单元具有一成形于每一个正极导电层上的第一正极导电层及一成形于每一个负极导电层上的第一负极导电层；以及
于所述多个第一导电单元上分别成形多个第二导电单元，其中每一个第二导电单元具有一成形于每一个第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于每一个第一负极导电层上的第二负极导电结构。
10.如权利要求9所述的晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：该基板本体为一氧化铝基板，并且该发光本体具有一成形于该氧化铝基板上的氮化镓负电极层及一成形于该氮化镓负电极层上的氮化镓正电极层，此外该正极导电层成形于该氮化镓正电极层上，该负极导电层成形于该氮化镓负电极层上，另外该反射层的一部分成形于该氮化镓负电极层的部分上表面上及该氮化镓正电极层的部分上表面上并且位于该正极导电层与该负极导电层之间。
11.如权利要求9所述的晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：该正极导电层的上表面具有一正极导电区域，该负极导电层的上表面具有一负极导电区域，并且该反射层的一部分覆盖于该正极导电层的一部分正极导电区域上及该负极导电层的一部分负极导电区域上。
12.如权利要求11所述的晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：该第一正极导电层与该第一负极导电层彼此绝缘，并且该第一正极导电层成形于其余的正极导电区域上及一部分反射层上，该第一负极导电层成形于其余的负极导电区域及一部分反射层上。
13.如权利要求9所述的晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：该反射层为一通过等离子体而成形的分布式布拉格反射层。
14.如权利要求9所述的晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：该第二正极导电结构由至少两层导电金属层通过电镀的方式相互堆栈所组成，并且该第二负极导电结构由至少两层导电金属层通过电镀的方式相互堆栈所组成；其中上述至少两层导电金属层为一镍层及一金层或锡层，并且该金层或锡层成形于该镍层上。
15.如权利要求9所述的晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：该第二正极导电结构由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆栈所组成，并且该第二负极导电结构由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆栈所组成；其中上述至少三层导电金属层为一铜层、一镍层及一金层或锡层，该镍层成形于该铜层上，并且该金层或锡层成形于该镍层上。
16.如权利要求9所述的晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：上述分别成形所述多个第一导电单元于所述多个发光单元上的步骤中，还包括：
于每一个发光单元的该正极导电层、该负极导电层及该反射层上成形一第一导电层；以及
移除部分的第一导电层，以形成每一个第一导电单元的第一正极导电层及第一负极导电层。
17.如权利要求16所述的晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：通过蒸镀或溅镀的无电镀的方式以成形该第一导电层，并且通过蚀刻的方式以移除上述部分的第一导电层。
18.如权利要求9所述的晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：上述分别成形所述多个第二绝缘层于所述多个反射层上的步骤中，还包括：
于每一个发光单元的一部分反射层上及位于每一个发光单元上端的第一正极导电层及第一负极导电层上成形一第二导电结构；以及
移除部分的第二导电结构，以形成每一个第二导电单元的第二正极导电结构及第二负极导电结构。
19.如权利要求9所述的晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：上述分别成形所述多个第二导电单元于所述多个第一导电单元上的步骤后，还包括：
将该晶片翻转，并置于一耐热的高分子基板上；
于每一个发光单元的底端成形一荧光层；以及
进行切割过程，以将该晶片切割成多个发光二极管封装结构。
20.如权利要求9所述的晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：上述分别成形所述多个第二导电单元于所述多个第一导电单元上的步骤后，还包括：
将该晶片翻转，并置于一耐热的高分子基板上；
切割该晶片，以使得该晶片的上表面形成多个位于所述多个发光单元之间的凹槽；
于所述多个凹槽内及所述多个发光单元的上表面成形荧光材料；
固化该荧光材料，以于每一个发光单元的底端及周围形成一荧光层；以及
切割位于所述多个凹槽内的荧光层及位于所述多个凹槽下方的晶片，以将该晶片切割成多个发光二极管封装结构。
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