CN101666972B - 光罩及检测其污染的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明是有关于一种光罩及检测其污染的方法。该光罩包含透明基材、掩模图案与检查结构。掩模图案形成于透明基材的第一区，其中掩模图案包含一个或多个开口，以及一个或多个特征。上述的开口用以允许光辐射通过，而特征的材质为第一材料。检查结构形成于透明基材上与第一区相异的第二区，且检查结构的材质为第二材料，其中第二材料与第一材料相异。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体制造技术，特别是涉及一种光罩及检测光罩污染的方法。
背景技术
光罩常使用于半导体制造中的光微影技术上。光罩通常是由非常平坦的石英片或是玻璃片所构成的，并且在光罩的其中一面覆上铬膜，以作为吸收层。吸收层可包含形成于二位元光罩(Binary Mask，BIM)或相偏移光罩(Phase Shift Mask，PSM)的图案，其中图案将在光微影制造工艺中转移至半导体晶片上。然而，光罩污染是一直存在发生的问题，在操作波长等于或小于248纳米长的光微影制造工艺中，高解析度光罩特别容易受到污染。其中一种光罩污染称作为雾状污染。雾状污染是一种沉淀物或杂质，其沉淀物是由清洗光罩过程后所残留的化学物质所形成，而杂质是由无尘室或设备环境交叉接触所产生。例如，在清洗光罩过程中，若使用含有硫酸盐及铵的溶液，则当光罩曝光在短波长的紫外光(Ultraviolet Light)，如波长为193纳米长或248纳米长，污染将会变得相当明显。
目前已经有几种方法使用于检测上述光罩污染、其他类型的污染或光罩上的沉淀物。虽然这些方法已经符合预期的效果，但这些方法目前仍然无法全面性地解决问题。例如，一方法是使用光学检测设备扫描整个光罩表面，藉此检测光罩上的污染或沉淀物。光学检测设备的原理基础可为使用各种光束(例如：激光束或电子束)的光学扫描技术。然而，拥有和操作光学检测设备的费用是相当昂贵，并且扫描整个光罩表面亦是相当费时。因此，每日所能检测的光罩为数有限，而且检测光罩的频率也受限于光学检测设备。
由此可见，上述现有的光罩及检测其污染的方法在产品结构、制造方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品及方法又没有适切的结构及方法能够解决上述问题，因此，目前所需要的是提升检测光罩污染的方法及设备，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的光罩及检测其污染的方法，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
发明内容
本发明的目的在于，克服现有的光罩存在的缺陷，而提供一种新的光罩，所要解决的技术问题是使其具有检查结构，以便让使用者检测光罩的污染状态，非常适于实用。
本发明的另一目的在于，克服现有的检测光罩污染的方法，而提供一种新的检测光罩污染的方法，所要解决的技术问题是藉由检测位于不同于图案所在的区域的检查结构所受到的污染状况，以便让使用者检测光罩的污染状态，非常适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种光罩，其包含：一透明基材；一掩模图案，形成于该透明基材的一第一区，且该掩模图案包含：一个或多个开口，用以允许光辐射通过；及一个或多个特征，上述的特征的材质为一第一材料；以及一检查结构，形成于该透明基材上与该第一区相异的一第二区，且该检查结构的材质为一第二材料，其中该第二材料与该第一材料相异。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的光罩，其中该第二材料包含亲水性材料、多孔碳材料、银、二氧化钛或上述材料的组合。
前述的光罩，其中该第一材料为铬或金属硅化物。
前述的光罩，其中该检查结构是配置来检测该光罩的污染状态。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种检测光罩污染状态的方法，该方法包含：提供一光罩，其中该光罩包含：一透明基材；一掩模图案，形成于该透明基材的一第一区，且该掩模图案包含：一个或多个开口，用以允许光辐射通过；及多个特征，该些特征的材质为一第一材料；以及一检查结构，形成于该透明基材上与该第一区相异的一第二区，且该检查结构的材质为一第二材料，其中该第二材料与该第一材料相异；检测该检查结构，以确定是否有沉淀物接近或接触该检查结构；以及当沉淀物接近或接触该检查结构时，清洗该光罩。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的方法，其中该第二材料为亲水性材料、多孔碳材料、银、二氧化钛或上述材料的组合。
前述的方法，其中该第一材料为铬或金属硅化物。
前述的方法，其中检测该检查结构的步骤不包含检测该掩模图案。
本发明的目的及解决其技术问题另外再采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种光罩，其包含：一透明基材；一吸收层，形成于该透明基材上，且该吸收层包含一图案，用以转移至一半导体晶片上；以及一参考结构，形成于该透明基材上，其中该参考结构的材质与该吸收层的材质相异，使得该参考结构能够检测该光罩的污染状态。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的光罩，其中该参考结构的材质为亲水性材料、多孔碳材料、银、二氧化钛或上述材料的组合。
前述的光罩，其中该吸收层的材质为铬或金属硅化物。
前述的光罩，其中该参考结构位于该吸收层的该图案的所在区域之外。
前述的光罩，其更包含：一框架，耦合于该透明基材；以及一薄膜，耦合于该框架，其中该框架与该薄膜将包围出一区域，该吸收层与该参考结构位于该区域内。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，本发明的主要技术内容如下：
为达到上述目的，根据本发明一实施方式，一种光罩包含透明基材、掩模图案与检查结构。掩模图案形成于透明基材的第一区，其中掩模图案包含一个或多个开口，以及一个或多个特征。上述的开口用以允许光辐射通过，而特征的材质为第一材料。检查结构形成于透明基材上与第一区相异的第二区，且检查结构的材质为第二材料，其中第二材料与第一材料相异。
另外，为达到上述目的，本发明还提供了一种检测光罩污染状态的方法。根据本发明另一实施方式，检测光罩污染状态的方法包含下列步骤：
(1)提供如上述实施方式所定义的光罩。
(2)检测光罩的检查结构，以确定是否有沉淀物接近或接触检查结构。
(3)当沉淀物接近或接触检查结构时，清洗光罩。
再者，为达到上述目的，本发明再提供了一种光罩，其具有参考结构，以便让使用者检测光罩污染状态。根据本发明再一实施方式，一种光罩包含透明基材、吸收层与参考结构。吸收层形成于透明基材上，且该吸收层具有欲转移至半导体晶片上的图案。参考结构形成于透明基材上，其中参考结构的材质与吸收层的材质相异，使得能通过参考结构以检测光罩污染状态。
借由上述技术方案，本发明光罩及检测其污染的方法至少具有下列优点及有益效果：藉由检测光罩上位于不同于图案所在的区域的检查结构所受到的污染状况，以便让使用者检测光罩的污染状态。
综上所述，本发明是有关于一种光罩及检测其污染的方法。该光罩包含透明基材、掩模图案与检查结构。掩模图案形成于透明基材的第一区，其中掩模图案包含一个或多个开口，以及一个或多个特征。上述的开口用以允许光辐射通过，而特征的材质为第一材料。检查结构形成于透明基材上与第一区相异的第二区，且检查结构的材质为第二材料，其中第二材料与第一材料相异。本发明在技术上有显著的进步，并具有明显的积极效果，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1是绘示光罩薄膜系统的横断面的示意图。
图2a-图2c是绘示雾状污染正形成于光罩的横断面的示意图。
图3是绘示光罩薄膜系统的横断面示意图。
图4是绘示检测光罩污染状态的方法的流程图。
100：光罩薄膜系统 102：光罩基材
104：掩模图案 106：特征
108：开口 110：辐射光束
112：薄膜 114：薄膜框架
200：光罩 220：硫酸根离子(SO4 2-)
230：铵离子(NH4 +) 240：沉淀物
250：去离子水 300：光罩薄膜系统
310：检查结构 320：区域
400：检测光罩污染状态的方法 410：步骤
420：步骤 430：步骤
440：步骤 450：步骤
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的光罩及检测其污染的方法其具体实施方式、结构、方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。在不同的范例中，可能重复引用相同的参考数字和/或字母。而重复引用相同的参考数字和/或字母，是为了达到简化和清晰的目的，并非阐明下列所将讨论到的不同实施方式和/或配置之间关系。
图1是绘示光罩薄膜系统100的横断面的示意图。该光罩薄膜系统100包含光罩。光罩具有光罩基材(即底材，以下均称为基材)102与掩模图案104，而且掩模图案104形成于光罩基材102上。上述的光罩可使用于半导体晶片制造工艺(即制程，以下均称为制造工艺)中。光罩基材102为透明基材，例如：熔化硅砂(Si02)、熔凝石英、玻璃、氟化钙(CaF2)或其他相对较无缺陷的合适材质。
掩模图案104包含一个或多个特征(或吸收体)106，以及一个或多个开口108。特征106的材质可为铬(Cr)。在其他实施方式中，特征106的材质亦可为金属硅化物，例如硅化钼(MoSi)、硅化钽(TaSi2)、金属氮化物、氧化铁、无机材料、其他材料如钼(Mo)、五氧化二铌(Nb2O5)、钛(Ti)、钽(Ta)、氮化铬(CrN)、三氧化钼(MoO3)、氮化钼(MoN)、三氧化二铬(Cr2O3)、氮化钛(TiN)、氮化锆(ZrN)、二氧化钛(TiO2)、氮化钽(TaN)、五氧化二钽(Ta2O5)、二氧化硅(SiO2)、氮化铌(NbN)、四氮化三硅(Si3N4)、掺杂氮的氧化铝(Al2O3N)、掺杂R的氧化铝(Al2O3R)、或上述的材质组合。
在另一个实施方式中，掩模图案104亦可包含相移特征，该相移特征可形成于光罩基材102上，和/或藉由蚀刻技术使相移特征至少部分形成于光罩基材102中。掩模图案104可为二位元强度光罩(Binary IntensityMask)或二位元光罩(Binary Mask)，其中二位元强度光罩包含铬区及透明石英区。在另一实施方式中，掩模图案104可为交替式相移式光罩(Alternating Phase Shift Mask，AltPSM)，而交替式相移式光罩是交替使用铬区与透明石英区，其中透明石英区具有180度相位差。在另一实施方式中，掩模图案104也可为衰减相移式光罩(Attenuating Phase ShiftMask，AttPSM)，而衰减相移式光罩是使用衰减特征，其中衰减特征相对于透明基材具有一个相位差。另外，掩模图案104也可为无铬相移式图案。在另一实施方式中，掩模图案104可包含二位元特征与各种相移特征的结合。此外，掩模图案104可包含各种光学近程校正(Optical ProximityCorrection，OPC)特征，其中光学近程校正的特征是设计来修正光学近程所造成的影响。使掩模图案104形成于光罩基材102上的方法，则可为化学气相淀积法(Chemical Vapor Deposition，CVD)、物理气相沉积(PhysicalVapor Deposition，PVD)、原子层沉淀(Atomic Layer Deposition，ALD)、电镀和/或其他合适的制造工艺方法。
特征106的设计是使辐射光束110(或辐射能量)衰减和/或增加一个相位差，而开口108的设计是使辐射光束穿透并且使半导体晶片进行光微影制造工艺的曝光程序，其中特征106和开口108皆形成于掩模图案104。辐射光束110可为紫外光和/或紫外光所延伸的辐射光束(例如：深紫外光(Deep Ultraviolet Light，DUV)、极紫外光(Extreme Ultraviolet Light，EUV))、或可为其他合适的辐射能量(例如：由氟氩(ArF)激元激光或氪氟(KrF)激元激光所产生的辐射光束，其波长分别为193纳米长或248纳米长)。
光罩薄膜系统100可更包含薄膜112。薄膜112可包含能够让辐射光束110穿透的膜状物。薄膜112是由薄膜框架114所固定，其中薄膜框架114的材料为具有机械强度材料，如铝，而薄膜框架114的形状和尺寸是设计来稳固薄膜112。
使光罩保持干净并且不受到污染是非常重要，然而污染物可能是由无尘室的环境、光罩处理/储存、光罩制作、光罩的吹气处理、薄膜框架的残留、薄膜胶、或其他半导体制造过程中所产生。当光罩上有上述任何一种污染，则皆可能使经由曝光后转移至半导体晶片的图案产生缺陷。雾状污染为上述光罩污染的一种类型。雾状污染可以是沉淀物或杂质，其中沉淀物是光罩清洗后所残留的化学物质所形成，而杂质是由无尘室或设备环境交叉接触所产生。这里需注意到的是，以上所讨论的雾状污染仅是范例，其他可能存在于光罩上的污染都可能对于图案化过程中产生不良影响。
图2a-图2c是绘示光罩200的横断面，其中雾状污染形成于光罩200。图2a是绘示光罩200的清洗过程。如图所示，若所使用的清洗剂的主要组成物为化学物质，例如硫酸盐和铵，则残余离子如硫酸根离子(SO4 2-)220和铵离子(NH4 +)230可能会结合起来，且在光罩200上形成沉淀物240，如(NH4)2SO4。如图2b所绘示，制造者可使用去离子水清洗或其他合适清洗方式清洗光罩200。若使用去离子水250清洗光罩200，则(NH4)2SO4将溶解，并形成硫酸根离子(SO4 2-)220和铵离子(NH4 +)230。在清洗过程中，去离子水250的温度维持在室温，并且清洗光罩200的时间约为10分钟或任何其他合适的时间范围。如图2c所绘示，在清洗之后，制造者可对光罩200进行干燥程序，此时制造者可使用惰性气体或无反应气体，如氮、氧或氩。即便如此，在光罩200进行完干燥过程后，硫酸根离子(S04 2-)220却可能依旧存留于光罩200上。
由上述的范例中，可观察到硫酸盐和铵沉淀物为导致晶体成长和雾状污染形成的主要因素。此外，当光罩200不断使用于光显影图案化制造工艺中，光源的辐射能量亦加速这些缺陷的成长。例如，倘若使用波长为193纳米长或248纳米长的辐射光源，则缺陷将继续成长和/或堆积在光罩200周遭附近，进而使缺陷沉淀于光罩上。因此，这些缺陷将造成光罩在使用上的限制，并且这些缺陷亦可能成长大到导致使显影至半导体晶片的图案产生缺陷，从而降低晶片产量。
目前已有几种方法使用在检测上述和其他类型的污染或沉淀物。例如，可利用光学检测设备来扫描光罩的整个表面，包含掩模图案，以检测在光罩上的污染或沉淀物。光学检测设备的原理基础为使用多种不同光束(例如：激光束或电子光束)的光学扫描技术。但是，拥有和操作光学检测设备的费用是相当昂贵，而且扫描整个光罩表面亦是相当费时。因此，每日所能检测的光罩为数有限，并且检测光罩的频率亦受限于光学检测设备。就另一个检测范例而言，在图案化过程中，使用晶片检测设备以检测显影或投影在半导体晶片的图案。换言之，利用检测控制晶片以确定是否有产生任何污染或沉淀于光罩上，其中控制晶片是由光罩在光微影制造工艺中的图案化程序所产生。但是，拥有和操作晶圆检测设备的费用是相当昂贵，亦需要使用控制晶片，并且由于产生于光罩上的污染及沉淀物已经影像至半导体晶片上，所以将无法及早检测出光罩上的污染。因此，有必要建立一种检测方法，得以即时检测光罩的污染状况，来解决上述所讨论的问题及其他相关光罩污染成因。
图3绘示光罩薄膜系统300的横断面，其中光罩薄膜系统300是根据本揭露的各种样态条件。除了多增加检查结构310用于检测光罩薄膜系统300的污染状态以外，光罩薄膜系统300其余相似于图1的光罩薄膜系统100。在图1及图3中，相似特征的编号皆相同，以方便分析。该光罩薄膜系统300包含光罩，其中光罩具有光罩基材102及掩模图案104。掩模图案104形成于光罩基材102。光罩基材102可为透明基材，例如：熔化硅砂(Si02)、熔凝石英、玻璃、氟化钙(CaF2)或其他相对较无缺陷的合适材质。
掩模图案104可包含一个或多个特征(或吸收体)106以及一个或多个开口108。上述的特征106是由铬(Cr)所组成。在其他实施方式中，特征106的材质可为金属硅化物，例如：硅化钼或硅化钽。然而，特征106是设计使辐射光束110(或辐射能量)衰减和/或增加一个相位差，及开口108是设计使辐射光束穿透并且使半导体晶片进行光微影制造工艺的曝光程序，其中特征106及开口108皆形成于掩模图案104上。辐射光束110可包含紫外光和/或紫外光延伸的辐射光束(例如：深紫外光(Deep UltravioletLight，DUV)、极紫外光(Extreme Ultraviolet Light，EUV))、或其他合适的辐射能量(例如：由氟氩(ArF)激元激光或氪氟(KrF)激元激光所产生的辐射光束，其中波长分别为193纳米长及248纳米长)。上述的掩模图案104则将转移或投影至半导体晶片上以形成集成电路，其中掩模图案104形成于区域320中。
光罩薄膜统300可更包含检查结构310，其中检查结构310形成于具有框架的光罩基材102上。检查结构310则形成于区域320范围之外，因此在光微影过程中，检查结构310的影像将不会投影至半导体晶片的集成电路区内。检查结构310的形状可为，如正方形、长方形、L形、T形、椭圆形、圆形或其他合适的形状，至于检查结构310的大小则端视每个光罩的设计规格而定。此外，同理可知，虽然上述范例仅配置一个结构检查，两个或两个以上的检查结构亦可分别配置于光罩基材102不同区域上。检查结构310的材质与掩模图案104的材质相异，其中，在光微影过程中，检查结构310的材质更能吸引污染或沉淀物(例如：易沉淀材料)。这也就是说，相对于光罩上其他特征材质而言，检查结构310的材质更容易形成污染或沉淀物。在另一实施方式中，检查结构310的材质可包含二氧化钛。在另一实施方式中，检查结构310的材质可包含亲水性材料。在另一实施方式中，检查结构310的材质可包含多孔碳材料。此外，检查结构310的材质亦可为上述所讨论的材质组合。
形成检查结构310的方法可取决于检查结构的材质，例如，使用物理气相沉积或其他沉积技术以形成材质为银或二氧化钛的薄膜，以及使用图案化制造工艺(例如：光微影技术和蚀刻)以形成检查结构310。在另一实施方式中，亦可藉由光罩写入技术以形成检查结构310，例如，使用离子束写入制造工艺以形成材质为多孔碳材料的检查结构。上述的检查结构310是作为检测光罩污染状态的参考，如下将作讨论。
图4是绘示检测光罩污染状态的方法400的流程图。方法400中，步骤410的光罩相似于图3所绘示的光罩，其中光罩包含掩模图案及检查结构。当方法400进行至步骤420时，则利用检查结构来检测光罩上的污染或沉淀物。检测光罩可以是光罩的例行检查步骤之一、亦可以是在使用光罩在半导体制造工艺之前或是在光罩进行光微影制造工艺之后。检测光罩过程中，则可使用光学显微镜系统或其他合适的光学成像系统，以确定是否有任何污染接近或接触检查结构。此外，特别需要注意到的是，由于方法400中仅需要检测光罩上的检查结构，而非整个光罩表片或晶片，因此方法400中所使用光学显微镜系统的成本小于上述讨论中所使用光学检测设备和晶片检测设备的成本。上述的检查结构310可作为检测光罩污染状况的参考，也就是说，检查结构是用来判断光罩是否遭受污染。另外，可通过检测检查结构310以确定光罩的污染状况，而不再需要检测整个光罩表面。其中光罩表面包含掩模图案，而检查结构形成于光罩基材的特定区域。因此，在检测光罩上所花费的时间将大幅减少，并且使每日受检测的光罩数量将有所提升及检测光罩的频率亦将有所增加。
方法400进行至步骤430，而步骤430是用以确定是否有任何污染或沉淀物接近或接触检查结构，其中检查结构如步骤420中的讨论。若确定没有污染或沉淀物接近或接触检查结构(例如：光罩为无污染的状态)，则方法400将继续进行至步骤440，而步骤440是使用光罩于半导体制造(例如：光微影制造工艺)中，以图案化半导体晶片。若确定有污染或沉淀物接近或接触结构(例如：光罩为受污染的状态)，则方法400继续进行至步骤450，而步骤450为清洗受污染的光罩，以清除污染或沉淀物。清洗过程中包含使用化学清洗剂。化学清洗剂可以为硫酸(H2SO4)和过氧化氢(H2O2)的混合液(通常被称为硫酸过氧化氢混合(Sulfurice Peroxide Mixture，SPM))，常用于清除光罩上的有机颗粒或特有氧化物。在此清洗过程中，硫酸过氧化氢混合液的温度维持在约90℃，并且清洗光罩的时间约为10分钟。接着，光罩即可进行冲洗。在冲洗过程中则包含使用热去离子水(DeionizedWater，DIW)冲洗和/或冷去离子水冲洗。在热去离子水冲洗过程中，所使用去离子水的温度维持在约60℃并将光罩冲洗一段时间，例如：10分钟；在冷去离子水冲洗过程中，所使用去离子水的温度维持在室温并将光罩冲洗一段时间，例如：10分钟。此处所需要理解的是，上述所揭露的温度和冲洗时间皆仅为范例，亦可使用其他合适的温度及冲洗时间。
光罩亦可使用其他化学清洗剂来进行清洗。化学清洗剂可以为氢氧化铵(NH4OH)和过氧化氢(H2O2)的混合液(通常被称为标准清洗-1(StandardClean 1，SC-1)或二氧化铵混合物(Ammonium Peroxide Mixture，APM))，常用于去除光罩上的无机颗粒。SC-1的温度则可维持在室温以及清洗光罩的时间可约为10分钟。另外，在SC-1的清洗过程中，可以选择搭配使用超高频声波。经过步骤450的清洗后，重新检测检查结构，如上述步骤420的讨论，以确定光罩的污染状况。此外，所需要了解到的是，上述所讨论的清洗步骤仅为范例，而其他清洗技术可包含在此处所揭露的部分或全部的步骤。
因此，本揭露提供了一种光罩包含透明基材、掩模图案与检查结构。掩模图案形成于透明基材的第一区，其中掩模图案包含一个或多个开口，以及一个或多个特征。上述的开口用以允许光辐射通过，而特征的材质为第一材料。检查结构形成于透明基材上与第一区相异的第二区，且检查结构的材质为第二材料，其中第二材料与第一材料相异。在一些实施方式中，第二材质可包含亲水性材料。在其他一些实施方式中，第二材质可包含多孔碳材料。在其他实施方式中，第二材质可包含二氧化钛。在另一些实施方式中，第二材质可包含银。在其他实施方式中，第一材质可包含铬和金属硅化物。在一些其他实施方式中，检查结构是配置来确定光罩的污染状况。
本揭露还提供了一种方法，以检测光罩的污染状况。而此种方法提供一种光罩包含透明基材、掩模图案与检查结构。掩模图案形成于透明基材的第一区，其中掩模图案包含一个或多个开口，以及一个或多个特征。上述的开口用以允许光辐射通过，而特征的材质为第一材料。检查结构形成于透明基材上与第一区相异的第二区，且检查结构的材质为第二材料，其中第二材料与第一材料相异。检测上述的检查结构，以确定是否有沉淀物接近或接触检查结构。当沉淀物接近或接触检查结构时，则进行清洗光罩。在一些实施方式中，第二次材质可为亲水性材料、多孔碳材料、银、二氧化钛或上述的材质组合。
在其他实施方式中，第一材质可为铬或金属硅化物。在其他一些实施方式中，检查结构的检测步骤不包含检测掩模图案，其中掩模图案位于第一区。在另一些实施方式中，检查结构的检测步骤是利用光学显微镜来进行。在其他实施方式中，当没有沉淀物接近或接触检查结构时，则方法400将使用光罩在实施光微影制造工艺中，以转移化半导体晶片。在其他一些实施方式中，方法400在清洗受污染的光罩之后，将重新检测检查结构。
此外，本揭露提供一种光罩包含透明基材、吸收层及参考结构，使得参考结构能够检测光罩的污染状态，其中吸收层和参考结构皆形成于透明基材。参考结构的材质与吸收层的材质相异，并且吸收层具有欲转移到半导体晶片的图案。在一些实施方式中，参考结构的材质可为亲水性材料、多孔碳材料、银、二氧化钛或上述的材质组合。在其他实施方式中，吸收层的材质可为铬或金属硅化物。在其他一些实施方式中，透明基材可为熔化硅砂，熔凝石英，玻璃或氟化钙。在另一些实施方式中，参考结构是位于吸收层的图案区域外。在其他实施方式中，光罩还包含框架及薄膜，其中框架耦合于透明基材，薄膜耦合于该框架，而吸收层与参考结构则位于框架与薄膜所包围出一区域内。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (11)
1.一种光罩，其特征在于其包含：
一透明基材；
一掩模图案，形成于该透明基材的一第一区，且该掩模图案包含：
一个或多个开口，用以允许光辐射通过；及
一个或多个特征，上述的特征的材质为一第一材料；以及
一检查结构，形成于该透明基材上与该第一区相异的一第二区，且该检查结构的材质为一第二材料，其中该第二材料与该第一材料相异，该第二材料为亲水性，且该检查结构可被一光学显微镜或光学成像系统检查，而检测该光罩的污染状态。
2.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于其中该第二材料包含多孔碳材料、银、二氧化钛或上述材料的组合。
3.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于其中该第一材料为铬或金属硅化物。
4.一种检测光罩污染状态的方法，其特征在于该方法包含：
提供一光罩，其中该光罩包含：
一透明基材；
一掩模图案，形成于该透明基材的一第一区，且该掩模图案包含：
一个或多个开口，用以允许光辐射通过；及
多个特征，该些特征的材质为一第一材料；以及
一检查结构，形成于该透明基材上与该第一区相异的一第二区，且该检查结构的材质为一第二材料，其中该第二材料与该第一材料相异，该第二材料为亲水性；
藉由一光学显微镜或光学成像系统检测该检查结构，以确定是否有沉淀物接近或接触该检查结构；以及
当沉淀物接近或接触该检查结构时，清洗该光罩。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于其中该第二材料为多孔碳材料、银、二氧化钛或上述材料的组合。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于其中该第一材料为铬或金属硅化物。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于其中检测该检查结构的步骤不包含检测该掩模图案。
8.一种光罩，其特征在于其包含：
一透明基材；
一吸收层，形成于该透明基材上，且该吸收层包含一图案，用以转移至一半导体晶片上；以及
一参考结构，形成于该透明基材上，该参考结构位于该吸收层的该图案的所在区域之外，其中该参考结构的材质与该吸收层的材质相异，且该参考结构的材质为亲水性，该参考结构能够被一光学显微镜或光学成像系统检查，而检测该光罩的污染状态。
9.根据权利要求8所述的光罩，其特征在于其中该参考结构的材质为多孔碳材料、银、二氧化钛或上述材料的组合。
10.根据权利要求8所述的光罩，其特征在于其中该吸收层的材质为铬或金属硅化物。
11.根据权利要求8所述的光罩，其特征在于其更包含：
一框架，耦合于该透明基材；以及
一薄膜，耦合于该框架，其中该框架与该薄膜将包围出一区域，该吸收层与该参考结构位于该区域内。
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