CN101655395B - 温度测量系统及其测量方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种温度测量系统及其测量方法。所述方法包括以下步骤：通过给第一晶体管提供第一电流并给第二晶体管提供第二电流，以检测所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的第一输出电压差ΔV₁；通过给所述第一晶体管所述提供第二电流并给所述第二晶体管提供所述第一电流，以检测所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的第二输出电压差ΔV₂；通过计算所述第一输出电压差ΔV₁和所述第二输出电压差ΔV₂的平均，以取得平均值V_avg；和通过将所述平均值V_avg与预设值M相乘，以确定所述温度T。

Description

温度测量系统及其测量方法

技术领域

本发明涉及温度测量系统及其测量方法，具体涉及用于测量装置(诸如笔记本电脑或投影机等装置)的集成电路温度的温度测量系统。

背景技术

集成电路装置，诸如处理器、微控制器、专用集成电路(ASIC)、可编程逻辑器件(PLD)、可编程逻辑阵列(PLA)、复杂可编程逻辑器件(CPLD)、及现场可编程门阵列(FPGA)，可包含数种形式的离散电路元件，包含晶体管、电阻器、电容器等其他类似的元件或电路结构。装置设计者和制造者持续不断企图提高集成电路装置的速度及效能，同时缩小晶粒或封装的尺寸并维持其装置的可靠度。然而，在数以百计、千计、或万计近距离相邻的晶体管及其他离散元件共同摆放在超微米的范围内并同时以高速运作的情况下，将不可避免地造成装置出现大量放热及过热的情形。

高温易造成集成电路元件的损坏，且在温度超过一定程度下运行的集成电路易显现出装置在设计上或制造上的缺陷。因此，产生很多用以测量及监控集成电路温度的系统、装置、及技术。

当测量到集成电路的温度时，常使用半导体界面来实现。通过控制电流和通过界面的电流强度，将可测出界面的电压变化。通过两个界面的两个不同强度的电流所产生的电压变化可由温度传感器测量以计算其温度。为了实现上述目的，大多使用寄生垂直PNP硅基晶体管，然而，NPN晶体管或二极管也可作为取代。

以下为典型的晶体管方程式，用以确定基极发射极电压变化(ΔV_BE)：

$V_{\mathrm{BE}}^{\mathrm{\Δ}}=\mathrm{\η}\frac{\mathrm{kT}}{q}\ln \left[\frac{I_{C2}}{I_{C1}}\right]$

其中η为非理想常数，大体上约等于1.00左右，k为著名的波兹曼常数，q为电荷值，T为绝对温度值，而I_C1和I_C2分别为集电极的电流，用以测量第一基极发射极电压和第二基极发射极电压。

使用上述方程式概念的温度传感器主要有两种基本型式：“二极管模式”传感器和“晶体管模式”传感器。二极管模式传感器是以集电极电流的比值相当等同于已知发射极电流(I_E)的比值为假设来运作。因此，对于二极管模式传感器，上述晶体管方程式(或简称为“二极管”方程式)近似于：

${\mathrm{\ΔV}}_{\mathrm{BE}}=\mathrm{\η}\frac{\mathrm{kT}}{q}\ln \left[\frac{I_{E2}}{I_{E1}}\right];$

其中 $\frac{I_{C1}}{I_{C2}}=\frac{I_{E1}}{I_{E2}}$

二极管模式和晶体管模式传感器在测量界面电压时，都存在着一个问题，由于往返于界面的测量途径中串联的电阻易造成测量误差，使得永远无法实际测量到界面的实际电压。

图1为电路图范例，其显示具有上述问题的温度测量电路。在图1中，温度传感器提供电流给PNP晶体管的发射极，然后，接收来自所述晶体管基极的输入电流。在晶体管基极发射极界面便产生基极发射极电压。然而，由于测量途径中串联的电阻，温度传感器实际上所测量到的电压会与晶体管基极发射极界面的电压略有不同。其中串联于温度传感器与PNP晶体管发射极之间的电阻R_E和串联于PNP晶体管基极与温度传感器之间的电阻R_B，都为造成测量误差的影响因素之一。

过去，尤其在集成电路生产技术以0.09微米或更大为标准时，由于在计算上并不需要太过精准，因此，这种测量误差是可以被温度传感器所忽略。然而，对于小尺寸电路生产技术而言，如此的误差的影响性变得更大且必须正视及解决。一个解决的典型方法为加上一个偏移-不论是电阻偏移、温度偏移、或软件偏移，都可帮助补偿测量时所造成的误差。在某些情况下，确定偏移的大小可简单地通过将电路的电阻值乘上通过电路的电流值。在其他情况下，确定偏移的大小可通过将电路的电阻值乘上实际的电流值。但不论哪一种情况，偏移只有在测量误差不受温度影响下才能发挥功效。过去，测量误差只会跟温度有很小的关联。然而，随着集成电路尺寸渐小，约65纳米左右，测量误差受温度的影响就越大。因此，仅仅靠偏移来解决这些电阻所造成的测量误差，并无法在各种温度下得到精准的温度测量，也因此温度系统的整体准确性将遭受影响。此外，有部分误差甚至是无法注意到或辨别出来，这也是个待解决的问题。

如美国专利号7,333,038所述，目前已有一些众所皆知的技术可以即时消除这些串联电阻所造成的影响。但是，这些技术仅适用于感测界面为实际的二极管或晶体管，其具有二极管的特征，也就是说，高且固定的电流增益。然而，对于小元件产品，温度感测晶体管一般不会如同简单的二极管一样操作，使得这些可以消除串联电阻所造成的影响的技术无用武之地。

对于集成电路中的信号处理链，偏移造成的因素有很多。供应电压及温度漂移效应的变化、制造过程中流程参数的变化、及电子元件在差动信号路径贡献之间的配对问题，都有可能产生偏移。

再者，为了利用上述方程式来测量集成电路温度，每当要测量集成电路温度，可提供不同的电流给同一个二极管，或提供同一个电流给不同的二极管。虽然众所周知通过使用比较放大器，有很多种方法可以测量两个二极管在不同电流强度下的两个电压并进行相减及放大，但这些方法却会因为装置不协调而造成误差。

先前使用比较元件的温度传感器，都容易遭受到装置不协调所造成的误差。举例来说，假若使用电流强度比16来产生两个二极管电压，则所产生的电压差会仅有26mV*ln(16)或约72mV。由于典型的偏移约为10到20mV，故72mV是使用比较放大器所很难处理得到的值。之后，放大器的偏移会对系统产生依部分而定的误差并无法挽回地降低测量的精准度。因此，倘若想减少放大器的偏移，将可能会牺牲复杂性、晶粒空间、及功率。

不连续时间开关电容放大器将可通过取样和消除取样之间的偏移并放大二极管的电压来克服偏移问题。这种方法以被证实可以适用于高精准度传感器，不过却取而代之更复杂的结构。

因此，需要一种可以消除误差并在不用考虑到放大器偏移的情况下测量温度的温度测量系统及其温度测量方法。

发明内容

由于现有技术受到上述问题的限制，因此，本发明的主要目的是提供一种可以克服上述问题的温度测量系统及其测量方法。

本发明的主要目的是提供一种用于测量集成电路温度T的方法，包括以下步骤：通过给第一晶体管提供第一电流并给第二晶体管提供第二电流，以检测所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的第一输出电压差(ΔV₁)；通过提供给所述第一晶体管提供所述第二电流并给所述第二晶体管提供所述第一电流，以检测所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的第二输出电压差(ΔV₂)；通过计算所述第一输出电压差ΔV₁和所述第二输出电压差ΔV₂的平均，以取得平均值(V_avg)；及通过将所述平均值V_avg与预设值M相乘，以确定所述温度T。

根据本发明思想，所述预设值M通过以下方程式来计算：

$M=T_{\mathrm{ref}}\÷\left(\frac{{\mathrm{\ΔV}}_{\mathrm{ref}1}+{\mathrm{\ΔV}}_{\mathrm{ref}2}}{2}\right)$

其中：

T_ref为以绝对温度°K表示的参考温度；

ΔV_ref1为在参考温度T_ref时的第一电压差；及

ΔV_ref2为在参考温度T_ref时的第二电压差。

根据本发明思想，所述第一晶体管和所述第二晶体管为双极界面晶体管。

根据本发明思想，所述第一晶体管和所述第二晶体管为PNP双极界面晶体管。

根据本发明思想，所述第一晶体管和所述第二晶体管为NPN双极界面晶体管。

根据本发明思想，所述第一电流和所述第二电流具有不同值。

根据本发明思想，所述第一输出电压差ΔV₁和第二输出电压差ΔV₂通过比较数字转换器来检测。

本发明的另一目的是提供一种用于测量集成电路的温度T的温度测量系统，包括：第一晶体管，耦合于所述集成电路，当第一电流通过时，具有第一输出电压，且当第二电流通过时，具有第二输出电压；第二晶体管，耦合于所述集成电路，当所述第一电流通过时，具有第三输出电压，且当所述第二电流通过时，具有第四输出电压；比较器，用于计算所述第一输出电压和所述第四输出电压之间的第一电压差(ΔV₁)，并计算所述第二输出电压和所述第三输出电压之间的第二电压差(ΔV₂)；及处理器，通过计算所述第一电压差ΔV₁和第二电压差ΔV₂的平均来取得平均值(V_avg)，并通过将所述平均值V_avg与预设值M相乘来确定所述集成电路的温度T。

根据本发明构想，所述预设值M通过以下方程式来计算：

$M=T_{\mathrm{ref}}\÷\left(\frac{{\mathrm{\ΔV}}_{\mathrm{ref}1}+{\mathrm{\ΔV}}_{\mathrm{ref}2}}{2}\right)$

其中：

T_ref为以绝对温度°K表示的参考温度；

ΔV_ref1为在参考温度T_ref时的第一电压差；及

ΔV_ref2为在参考温度T_ref时的第二电压差。

根据本发明思想，所述温度测量系统进一步包括比较数字转换器，用来将所述第一输出电压、所述第二输出电压、所述第三输出电压、所述第四输出电压转变为数字化的电压值。

根据本发明思想，所述处理器进行所述数字化电压值对温度值的映射。

根据本发明思想，所述温度测量系统进一步包括电源，耦合于所述第一晶体管和所述第二晶体管，用来提供所述第一电流和所述第二电流。

根据本发明思想，所述第一电流和所述第二电流具有不同值。

根据本发明思想，所述第一晶体管和所述第二晶体管为双极界面晶体管。

根据本发明思想，所述第一晶体管和所述第二晶体管为PNP双极界面晶体管。

根据本发明思想，所述第一晶体管和所述第二晶体管为NPN双极界面晶体管。

根据本发明思想，所述第一输出电压和所述第二输出电压具有不同值、所述第三输出电压和所述第四输出电压具有不同值、所述第一输出电压和所述第四输出电压具有不同值、且所述第二输出电压和所述第三输出电压具有不同值。

附图说明

第1图显示了根据公知技术的温度测量电路；

第2图为根据本发明的温度测量系统的框图；及

第3图为根据本发明的温度测量方法的流程图。

【主要组件符号说明】

210集成电路

220温度测量系统

221电源

222比较器

223处理器

S301～S309步骤

具体实施方式

体现本发明特征与优点的一些典型实施例将在后面的说明中详细叙述。应理解的是本发明能够在不同的方式上具有各种的变化，其皆不脱离本发明的范围，且其中的说明及图示在本质上应当起说明的作用，而非用来限制本发明。

请参照图2。图2为根据本发明的温度测量系统220的框图。温度测量系统220耦合于集成电路210，所述集成电路210具有待测温度T。温度测量系统220具有两个晶体管作为感测元件：第一晶体管Q₁和第二晶体管Q₂。在此实施例中，第一晶体管Q₁和第二晶体管Q₂都是寄生垂直PNP硅基双极界面晶体管。虽然如此，也可以使用其他例如NPN晶体管或二极管等的感测元件作为替代。温度测量系统220可以与集成电路210集成在同一个晶片上或自成一独立单元。

温度测量系统220也包含电源221、比较器222、处理器223。电源221分别给第一晶体管Q₁和第二晶体管Q₂提供第一电流I1和第二电流I2。比较器222负责测量其电压，其中电压大小会跟通过的电流呈对数关系。当第一电流I₁通过第一晶体管Q₁，第一晶体管Q₁会产生第一输出电压V₁给比较器222。当第二电流I₂通过第一晶体管Q₁，第一晶体管Q₁会产生第二输出电压V₂给比较器222。当第一电流I₁通过第二晶体管Q₂，第二晶体管Q₂会产生第三输出电压V₃给比较器222。当第二电流I₂通过第二晶体管Q₂，第二晶体管Q₂会产生第四输出电压V₄给比较器222。

一旦比较器222收到来自第一晶体管Q₁和第二晶体管Q₂的电压时，比较器222会计算第一晶体管Q₁和第二晶体管Q₂之间的输出电压差，并将结果传送给处理器223作后续处理。

如上所述，当测量到集成电路的温度时，常使用半导体界面来实现。通过控制电流和通过界面的电流强度，将可测出界面的电压变化。通过两个界面的两个不同强度的电流所产生的电压变化可由温度传感器测量以计算其温度。以下为典型的晶体管方程式，用以确定基极发射极电压变化(ΔV_BE)：

$V_{\mathrm{BE}}^{\mathrm{\Δ}}=\mathrm{\η}\frac{\mathrm{kT}}{q}\ln \left[\frac{I_{C2}}{I_{C1}}\right]$

其中η为非理想常数，大体上约等于1.00左右，k为著名的波兹曼常数，q为电荷值，T为绝对温度值，而I_C1和I_C2分别为集电极的电流，用于测量第一基极发射极电压和第二基极发射极电压。

本发明的温度测量系统是基于上述方程式。而上述方程式可简化为如下：

${\mathrm{\ΔV}}_{\mathrm{BE}}=V_T\ln \left[\frac{I_{C2}}{I_{C1}}\right];$

其中 $V_T=\mathrm{\η}\frac{\mathrm{kT}}{q}$

请参见图3。图3为根据本发明的温度测量方法的流程图。在此所提出的解决方案为提供通过第一晶体管Q₁的第一电流I₁，如步骤S301所示。接下来，在步骤S302，提供通过第二晶体管Q₂的第二电流I₂，其中I₁≠I₂。如上所述，当第一电流I₁通过第一晶体管Q₁时，会产生第一输出电压V₁，而当第二电流I₂通过第二晶体管Q₂时，会产生第四输出电压V₄。

然后，在步骤S303，比较器222会检测来自第一晶体管Q₁的第一输出电压V₁和来自第二晶体管Q₂的第四输出电压V₄，并计算出第一输出电压V₁和第四输出电压V₄之间的第一电压差(ΔV_1-4)。

接着，在步骤S304，使第二电流I₂通过第一晶体管Q₁。之后，在步骤S305，使第一电流I₁通过第二晶体管Q₂。如上所述，当第二电流I2通过第一晶体管Q₁时，会产生第二输出电压V₂和当第一电流I₁通过第二晶体管Q₂时，会产生第三输出电压V₃。

接下来，在步骤S306，比较器222会检测来自第一晶体管Q1的第二输出电压V₂和来自第二晶体管Q₂的第三输出电压V₃，并计算出第二输出电压V₂和第三输出电压V₃之间的第二电压差(ΔV_2-3)。

在此实施例中，第一电流I₁的电流值为第二电流I₂的电流值的八倍。因此，依据上述方程式，ΔV_1-4＝V_T*ln(8I₂/I₁)且ΔV_2-3＝V_T*ln(8I₁/I₂)。

如上所述，比较器222会将第一电压差ΔV_1-4(例如，当25°K时，ΔV_1-4为102.47mV且偏移值为0.001mV)和第二电压差ΔV_2-3(例如，当25°K时，ΔV_2-3为-102.45mV且偏移值为0.001mV)计算得到的结果传送给处理器223。假若温度测量系统220存在着偏移，则处理器223所接收到的结果ΔV_1-4’和ΔV_2-3’包含偏移值(其电压值为V_OFFSET)如下：

|ΔV_1-4’|＝|ΔV_1-4|+V_OFFSET；      (1)

|ΔV_2-3’|＝|ΔV_2-3|+V_OFFSET        (2)

第一电流I₁的电流值为第二电流I₂的电流值的八倍，第一输出电压V₁和第三输出电压V₃的电压值会大于第二输出电压V₂和第四输出电压V₄的电压值，也因此，ΔV_1-4为一正值而ΔV_2-3为一负值。因此，上述方程式(1)和(2)可重写如下：

ΔV_1-4’＝ΔV_1-4+V_OFFSET；          (3)

-ΔV_2-3’＝-ΔV_2-3+V_OFFSET              (4)

将方程式(3)减掉方程式(4)会将偏移值抵消掉并得到以下的方程式：

ΔV_1-4’+ΔV_2-3’＝ΔV_1-4+ΔV_2-3        (5)

方程式(5)可推导如下：

$V_{\mathrm{avg}}=\frac{{{\mathrm{\ΔV}}_{1-4}}^{\′}+{{\mathrm{\ΔV}}_{2-3}}^{\′}}{2}=\frac{{\mathrm{\ΔV}}_{1-4}+{\mathrm{\ΔV}}_{2-3}}{2}$

$=\frac{V_T\ln \left(\frac{{8I}_2}{I_1}\right)+V_T\ln \left(\frac{{8I}_1}{I_2}\right)}{2}=\frac{V_T\ln (\frac{{8I}_2}{I_1}\×\frac{{8I}_1}{I_2})}{2}$

$=\frac{{2V}_T\ln 8}{2}=V_T\ln 8=\mathrm{\η}\frac{\mathrm{kT}}{q}\ln 8=\left(\mathrm{\η}\frac{k}{q}\ln 8\right)\×T---\left(6\right)$

因此，第一电压差ΔV_1-4和第二电压差ΔV_2-3的平均值(V_avg)会等于处理器223所计算得到的平均值，意思也就是，偏移可在平均时予以抵消。

依据方程式(6)，第一电压差ΔV_1-4和第二电压差ΔV_2-3的平均值V_avg会等于常数乘以温度T。

因此，在步骤S307，计算第一电压差(ΔV_ref1)和第二电压差(ΔV_ref2)在参考温度T_ref时的平均值(V_avg-ref)。一旦平均值V_avg-ref在参考温度T_ref为已知，则可推得：

$\underset{.}{..}{V}_{\mathrm{avg}-T}=\left(\mathrm{\η}\frac{k}{q}\ln 8\right)\×T;V_{\mathrm{avg}-\mathrm{ref}}=\left(\mathrm{\η}\frac{k}{q}\ln 8\right)\×T_{\mathrm{ref}};\frac{V_{\mathrm{avg}-T}}{V_{\mathrm{avg}-\mathrm{ref}}}=\frac{T}{T_{\mathrm{ref}}}$

$\stackrel{.}{..}T=T_{\mathrm{ref}}\×\left(\frac{V_{\mathrm{avg}-T}}{V_{\mathrm{avg}-\mathrm{ref}}}\right)=V_{\mathrm{avg}-T}\×\left(\frac{T_{\mathrm{ref}}}{V_{\mathrm{avg}-\mathrm{ref}}}\right)=V_{\mathrm{avg}-T}\×M---\left(7\right)$

其中：

T为待测温度；

T_ref为参考温度；

V_avg-T为第一电压差ΔV₁和第二电压差ΔV₂在温度T时的平均值；

V_avg-ref为第一电压差ΔV_ref1和第二电压差ΔV_ref2在参考温度T_ref时的平均值；及

M等于参考温度T_ref除以平均值V_avg-ref。

因此，在步骤S308，M是通过将参考温度T_ref除以平均值V_avg-ref计算而得(例如，在绝对温度25°K下，V_avg-25°K为102.46mV)。M(例如，0.3436mV/°K)可被设定为温度测量系统220的预设值。在步骤S309，温度T是通过平均值V_avg-T与预设值M相乘计算而得。由此，温度T可以在不管温度测量系统220所存在的任何偏移下，很容易地通过测量两个不同晶体管之间在两个不同电流通过时的电压差而计算出来。

本实施例的比较器222为比较数字转换器，用来将第一输出电压V₁、第二输出电压V₂、第三输出电压V₃、第四输出电压V₄转换成数字化电压值。因此，处理器223接收到的电压值实际为数字化的电压值。

而且，由于第一电流I1和第二电流I2具有不同值，输出电压V₁≠V₂、V₃≠V₄、V₁≠V₄、V₂≠V₃。

有了预设值M，温度T与平均值V_avg-T呈线性关系，也因此，处理器223可以进行数字化电压值对温度值的映射。

纵使本发明已由上述的实施例详细叙述，而在不脱离附加的权利要求的范围和精神的情况下可以由本领域的熟练技术人员做出各种修改、替换和变化。

Claims (17)

1.一种用于测量集成电路温度T的方法，包括以下步骤：

通过给第一晶体管提供第一电流并给第二晶体管提供第二电流，以检测所述第一晶体管与所述第二晶体管之间的第一输出电压差ΔV₁；

通过给所述第一晶体管提供所述第二电流并给所述第二晶体管提供所述第一电流，以检测所述第一晶体管及所述第二晶体管之间的第二输出电压差ΔV₂；

通过计算所述第一输出电压差ΔV₁和所述第二输出电压差ΔV₂的平均，以取得平均值V_avg；以及

通过将所述平均值V_avg与预设值M相乘，以确定所述温度T。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述预设值M通过以下方程式来计算：

$M=T_{\mathrm{ref}}\÷\left(\frac{\mathrm{\Δ}{V}_{\mathrm{ref}1}+\mathrm{\Δ}{V}_{\mathrm{ref}2}}{2}\right)$

其中：

T_ref为以绝对温度K表示的参考温度；

ΔV_ref1为在参考温度T_ref时的第一输出电压差；及

ΔV_ref2为在参考温度T_ref时的第二输出电压差。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管为双极界面晶体管。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管为PNP双极界面晶体管。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管为NPN双极界面晶体管。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电流和所述第二电流具有不同值。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一输出电压差ΔV₁和第二输出电压差ΔV₂通过比较数字转换器来检测。

8.一种用于测量集成电路的温度T的温度测量系统，包括：

第一晶体管，耦合于所述集成电路，当第一电流通过时，具有第一输出电压，且当第二电流通过时，具有第二输出电压；

第二晶体管，耦合于所述集成电路，当所述第一电流通过时，具有第三输出电压，且当所述第二电流通过时，具有第四输出电压；

比较器，用于计算所述第一输出电压与所述第四输出电压之间的第一电压差ΔV₁，并计算所述第二输出电压与所述第三输出电压之间的第二电压差ΔV₂；及

处理器，通过计算所述第一电压差ΔV₁和第二电压差ΔV₂的平均来取得平均值V_avg，并通过将所述平均值V_avg与预设值M相乘来确定所述集成电路的温度T。

9.根据权利要求8所述的温度测量系统，其中所述预设值M通过以下方程式来计算：

$M=T_{\mathrm{ref}}\÷\left(\frac{\mathrm{\Δ}{V}_{\mathrm{ref}1}+\mathrm{\Δ}{V}_{\mathrm{ref}2}}{2}\right)$

其中：

T_ref为以绝对温度K表示的参考温度；

ΔV_ref1为在参考温度T_ref时的第一电压差；及

ΔV_ref2为在参考温度T_ref时的第二电压差。

10.根据权利要求8所述的温度测量系统，进一步包括比较数字转换器，用来将所述第一输出电压、所述第二输出电压、所述第三输出电压、所述第四输出电压转变为数字化的电压值。

11.根据权利要求10所述的温度测量系统，其中所述处理器进行所述数字化电压值对温度值的映射。

12.根据权利要求8所述的温度测量系统，进一步包括电源，耦合于所述第一晶体管和所述第二晶体管，用来提供所述第一电流和所述第二电流。

13.根据权利要求12所述的温度测量系统，其中所述第一电流和所述第二电流具有不同值。

14.根据权利要求8所述的温度测量系统，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管为双极界面晶体管。

15.根据权利要求14所述的温度测量系统，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管为PNP双极界面晶体管。

16.根据权利要求14所述的温度测量系统，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管为NPN双极界面晶体管。

17.根据权利要求8所述的温度测量系统，其中所述第一输出电压和所述第二输出电压具有不同值、所述第三输出电压和所述第四输出电压具有不同值、所述第一输出电压和所述第四输出电压具有不同值、且所述第二输出电压和所述第三输出电压具有不同值。

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