CN107436199B - 温度传感器电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种温度传感器电路，包括：感温电路、模数转换电路和数字电路，感温电路与模数转换电路连接，模数转换电路还与数字电路连接；感温电路包括第一PNP管和第二PNP管，感温电路用于测量第一电压差信号并输出第一电压信号，第一电压信号与第一电压差信号成线性关系，第一电压差信号为第一PNP管和第二PNP管的电压差，第一电压差信号随着温度的变化而线性变化；模数转换电路用于量化第一电压信号并输出至数字电路，数字电路用于计算温度值。本发明弥补了现有的温度传感器电路精度不高的不足，通过测量出偏置在不同电流下的PNP管的电压差信号，计算出实际的温度值，具有精度高的优点。

Description

温度传感器电路

技术领域

本发明涉及一种温度传感器电路，属于电子技术领域。

背景技术

传统的温度传感器用铂电阻或水银等作为感温材料，连续变化的温度值需用独立于感温材料的模拟/数字转换器(ADC)电路转换为数字码提供给芯片做温度计量值，用独立的感温材料不易于集成到芯片中。集成在芯片上的CMOS温度传感器用CMOS工艺中的寄生PNP三极管作为感温元件，利用寄生PNP三极管的V_BE(基极与集电极之间的电压)随温度线性下降的特性可以得到与温度变化相关的电压值，然后通过ADC(模拟/数字转换器)量化V_BE电压得到温度的数字读出值。由于CMOS集成电路中寄生PNP三极管电参数的离散性很大，V_BE随温度变化不是严格意义的线性关系，因此无法得到高精度温度读出值。

发明内容

本发明要解决的技术问题是如何克服现有技术中利用寄生PNP三极管的V_BE随温度线性下降的特性检测温度所导致的精度低的缺陷，提供一种能够准确检测温度的温度传感器电路。

本发明是通过以下技术方案解决上述技术问题的：

本发明提供一种温度传感器电路，其特点是，包括：感温电路、模数转换电路和数字电路，所述感温电路与所述模数转换电路连接，所述模数转换电路还与所述数字电路连接；

所述感温电路包括至少一第一PNP管和至少一第二PNP管，所述感温电路用于测量第一电压差信号并输出第一电压信号，所述第一电压信号与所述第一电压差信号成线性关系，所述第一电压差信号为所述第一PNP管和所述第二PNP管的电压差，所述第一电压差信号随着温度的变化而线性变化；

所述模数转换电路用于量化所述第一电压信号并将量化后的第一电压信号输出至所述数字电路，所述数字电路用于利用量化后的第一电压信号计算温度值。

较佳地，所述感温电路还包括：第三PNP管、第一差分放大器、第二差分放大器、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、两个第一电阻、第二电阻、两个第三电阻和两个第四电阻；

所述第一差分放大器的第一输入端分别与所述第一PNP管的发射极和所述第一MOS管的漏极连接，所述第一差分放大器的第二输入端分别与一个第一电阻的第一端和所述第二MOS管的漏极连接，所述第一差分放大器的输出端分别与所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极连接；

所述第一PNP管的基极和集电极、所述第二PNP管的基极和集电极以及所述第三PNP管的基极和集电极接地，所述第二PNP管的发射极与所述一个第一电阻的第二端连接，所述第三PNP管的发射极通过所述第二电阻与另一个第一电阻的第一端连接，所述另一个第一电阻的第二端与第三MOS管的漏极连接；

所述第一MOS管的源极、所述第二MOS管的源极以及第三MOS管的源极分别接地，所述第二MOS管的衬底与所述第三MOS管的栅极连接；

所述第二差分放大器的第一输入端通过一个第三电阻与所述第三MOS管的漏极连接，还通过一个第四电阻接地，所述第二差分放大器的第二输入端通过另一个第三电阻接入所述另一个第一电阻与所述第二电阻之间，还通过另一个第四电阻与所述第二差分放大器的输出端连接；

所述第二差分放大器的输出端输出所述第一电压信号。

较佳地，所述第一差分放大器的第一输入端为所述第一差分放大器的反相输入端，所述第一差分放大器的第二输入端为所述第一差分放大器的正相输入端；

所述第二差分放大器的第一输入端为所述第二差分放大器的正相输入端，所述第二差分放大器的第二输入端为所述第二差分放大器的反相输入端。

较佳地，所述第一MOS管、所述第二MOS管和所述第三MOS管均为P沟道耗尽型绝缘栅型场效应管。

较佳地，所述第一PNP管和所述第二PNP管均为寄生PNP管。

较佳地，所述模数转换电路包括：数字模拟转换器、比较器、锁存器和寄存器；

所述数字模拟转换器用于接收所述第一电压信号，所述数字模拟转换器还与所述比较器的第一输入端连接，所述比较器的第二输入端输入第二电压信号，所述比较器的输出端与所述锁存器连接，所述锁存器还与所述寄存器连接，所述寄存器输出数字转换值，所述锁存器还将所述比较器的输出端输出的比较结果反馈至所述数字模拟转换器，所述数字转换值为量化后的第一电压信号。

较佳地，所述数字模拟转换器采用电容电阻混合结构。

较佳地，所述数字模拟转换器的高位采用电容阵列，低位采用电阻阵列。

较佳地，高P位电容阵列包括2^P个电容，该些电容分为P+1个电容子列，第1个电容子列包括一个电容，第x个电容子列由2^x-2个电容并联而成，P为正整数，x为整数且2≤x≤P+1；

所述高P位电容阵列还包括P+1个第一单刀双掷开关、第一开关和第二单刀双掷开关；

所述2^P个电容的第一端均与所述比较器的第一输入端连接，所述2^P个电容的第一端还均通过所述第一开关输入第二电压信号；

每个第一单刀双掷开关分别对应一个电容子列，且每个第一单刀双掷开关的不动端分别与对应的电容子列中每个电容的第二端连接，对应于第一个电容子列的第一单刀双掷开关的动端与低位电阻阵列连接或与所述第二单刀双掷开关的不动端连接，对应于第x个电容子列的第一单刀双掷开关的动端接入基准电压信号或与所述第二单刀双掷开关的不动端连接；

所述第二单刀双掷开关的动端接入所述第一电压信号或接地。

较佳地，低Q位电阻阵列包括Q-1个第五电阻和Q+1个第六电阻，所述第六电阻的阻值为所述第五电阻的阻值的2倍，Q为正整数；

所述低Q位电阻阵列还包括Q个第三单刀双掷开关；

该些第五电阻串联成电阻串，所述电阻串的第一端与高位电容阵列连接或悬空，所述电阻串的第一端还与一个第六电阻的第一端连接，所述电阻串的第二端分别与两个第六电阻的第一端连接，所述电阻串中相邻的两个第五电阻之间还接入一个第六电阻的第一端；

每个第三单刀双掷开关分别对应一个第六电阻，且每个第三单刀双掷开关的不动端分别与对应的第六电阻的第二端连接，每个第三单刀双掷开关的动端分别接入基准电压信号或接地。

在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。

本发明的积极进步效果在于：本发明使用CMOS集成电路工艺中PNP管作为感温元器件，测量出偏置在不同电流下的第一PNP管和第二PNP管的第一电压差信号，利用第一电压差信号与温度线性相关的特性，计算出实际的温度值，具有精度高的优点。本发明不局限于CMOS工艺或使用寄生PNP三极管。本发明主要应用在需要测量温度的场合，由于传感器电路内置在芯片中，芯片的环境温度与芯片内温度存在温差，实际应用中会将此差值减掉。本发明的应用场合很广泛，例如家电、电动车等等需要实时监控温度的应用领域。

附图说明

图1为本发明实施例的温度传感器电路的结构示意图。

图2为本发明实施例的温度传感器电路的感温电路的电路图。

图3为本发明实施例的温度传感器电路的模数转换电路的结构示意图。

图4为本发明实施例的温度传感器电路的模数转换电路的数字模拟转换器的电路图。

图5为时钟节拍。

图6为ΔV_BE与温度的变化关系图。

图7是第一颗抽样芯片的测试结果曲线图。

图8是第二颗抽样芯片的测试结果曲线图。

图9是第三颗抽样芯片的测试结果曲线图。

图10是第四颗抽样芯片的测试结果曲线图。

具体实施方式

下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。

实施例

一种温度传感器电路，如图1所示，包括：感温电路1、模数转换电路2和数字电路3，所述感温电路1与所述模数转换电路2连接，所述模数转换电路2还与所述数字电路3连接。

所述感温电路1包括至少一第一PNP管和至少一第二PNP管。所述感温电路1用于测量第一电压差信号并输出第一电压信号，所述第一电压信号与所述第一电压差信号成线性关系，所述第一电压差信号为所述第一PNP管和所述第二PNP管的电压差，所述第一电压差信号随着温度的变化而线性变化。本实施例中将第一电压差信号记为ΔV_BE，第一电压信号记为V_SENSOR。

所述模数转换电路2用于量化所述第一电压信号V_SENSOR并将量化后的第一电压信号V_SENSOR输出至所述数字电路3。

所述数字电路3用于利用量化后的第一电压信号V_SENSOR计算温度值。其中，量化后的第一电压信号V_SENSOR记为V，本实施例中计算温度值的公式为T＝A*V-B，其中A和B的值通过实验测得，能够对温度值进行修正。所述数字电路3可以采用具有计算功能的电路或芯片实现。

下面以所述第一PNP管为第一寄生PNP管及所述第二PNP管为第二寄生PNP管为例，具体说明本实施例中感温电路1的结构：

如图2所示，所述感温电路包括1个第一寄生PNP管Q1和n个第二寄生PNP管Q2，所述第一寄生PNP管Q1和所述第二寄生PNP管Q2的数量可根据实际情况设定。所述感温电路还包括：第三PNP管Q3、第一差分放大器OPAMP1、第二差分放大器OPAMP2、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、两个第一电阻R1、第二电阻R2、两个第三电阻R3和两个第四电阻R4。其中，所述第一MOS管M1、所述第二MOS管M2和所述第三MOS管M3均为P沟道耗尽型绝缘栅型场效应管。

所述第一差分放大器OPAMP1的第一输入端(反相输入端)分别与所述第一寄生PNP管Q1的发射极和所述第一MOS管M1的漏极连接，所述第一差分放大器OPAMP1的第二输入端(正相输入端)分别与一个第一电阻R1的第一端(即图2中靠上的一端)和所述第二MOS管M2的漏极连接，所述第一差分放大器OPAMP1的输出端分别与所述第一MOS管M1的栅极和所述第二MOS管M2的栅极连接；

所述第一寄生PNP管Q1的基极和集电极、所述第二寄生PNP管Q2的基极和集电极以及所述第三PNP管Q3的基极和集电极接地，所述第二寄生PNP管Q2的发射极与所述一个第一电阻R1的第二端(即图2中的靠下的一端)连接，所述第三PNP管Q3的发射极通过所述第二电阻R2与另一个第一电阻R1的第一端(即图2中靠下的一端)连接，所述另一个第一电阻R1的第二端(即图2中靠上的一端)与第三MOS管M3的漏极连接；

所述第一MOS管M1的源极、所述第二MOS管M2的源极以及第三MOS管M3的源极分别接地，所述第二MOS管M2的衬底与所述第三MOS管M3的栅极连接；

所述第二差分放大器OPAMP2的第一输入端(正相输入端)通过一个第三电阻R3与所述第三MOS管M3的漏极连接，还通过一个第四电阻R4接地，所述第二差分放大器OPAMP2的第二输入端(反相输入端)通过另一个第三电阻R3接入所述另一个第一电阻R1与所述第二电阻R2之间，还通过另一个第四电阻R4与所述第二差分放大器OPAMP2的输出端连接；

所述第二差分放大器OPAMP2的输出端输出所述第一电压信号V_SENSOR。

所述感温电路的原理是：bandgap(带隙基准)电压V_BG不随着温度变化，利用ΔV_BE随温度变化线性增大的特点，通过第二差分放大器OPAMP2后得到V_SENSOR，R4/R3的比值可以调整V_SENSOR随温度变化的变化率。

公式推导如下：

其中，V_BE3为第三PNP管Q3的发射极与基极之间的电压；

N等于第二寄生PNP管Q2与第一寄生PNP管Q1的数量之比，因为第一寄生PNP管Q1的数量为一个，所以N等于第二寄生PNP管Q2的数量n；

k为常数，T为温度，Q为电荷电量。

下面具体说明本实施例中模数转换电路2的结构：

模数转换电路2优选SAR ADC(逐次逼近寄存器型的模拟数字转换器)。如图3所示，所述模数转换电路包括：数字模拟转换器21、比较器22、锁存器23和寄存器24。

所述数字模拟转换器21用于接收所述第一电压信号V_SENSOR，作为V_in，所述数字模拟转换器21还与所述比较器22的第一输入端连接，所述比较器22的第二输入端输入第二电压信号，记为V_CM，所述比较器22的输出端与所述锁存器23连接，所述锁存器23还与所述寄存器24连接，所述寄存器24输出数字转换值，所述锁存器23还将所述比较器22的输出端输出的比较结果反馈至所述数字模拟转换器21，所述数字转换值为量化后的第一电压信号V_SENSOR。通常V_CM＝V_DD/2，V_DD为电源电压。

具体地，如图4所示，所述数字模拟转换器21采用电容电阻混合结构。所述数字模拟转换器21的高位采用电容阵列，低位采用R-2R电阻阵列。

高P位电容阵列包括2^P个电容，该些电容分为P+1个电容子列，第一个电容子列包括一个电容，第x个电容子列由2^x-2个电容并联而成，P为正整数，x为整数且2≤x≤P+1；所述高P位电容阵列还包括P+1个第一单刀双掷开关、第一开关K1和第二单刀双掷开关K2。

所述2^P个电容的第一端(图中靠上的一端)均与所述比较器22的第一输入端(正相输入端)连接，所述2^P个电容的第一端还均通过所述第一开关K1输入第二电压信号V_CM。

每个第一单刀双掷开关分别对应一个电容子列，且每个第一单刀双掷开关的不动端分别与对应的电容子列中每个电容的第二端(图中靠下的一端)连接，对应于第一个电容子列的第一单刀双掷开关的动端与低位电阻阵列连接或与所述第二单刀双掷开关K2的不动端连接，对应于第x个电容子列的第一单刀双掷开关的动端接入基准电压信号V_ref或与所述第二单刀双掷开关K2的不动端连接；所述第二单刀双掷开关K2的动端接入V_in或接地。

低Q位电阻阵列包括Q-1个第五电阻R5和Q+1个第六电阻R6，所述第六电阻R6的阻值为所述第五电阻R5的阻值的2倍，Q为正整数；所述低Q位电阻阵列还包括Q个第三单刀双掷开关。

该些第五电阻R5串联成电阻串，所述电阻串的第一端A与高位电容阵列连接或悬空，所述电阻串的第一端A还与一个第六电阻R6的第一端(图中靠上的一端)连接，所述电阻串的第二端B分别与两个第六电阻R6的第一端连接，所述电阻串中相邻的两个第五电阻R5之间还接入一个第六电阻R6的第一端。

每个第三单刀双掷开关分别对应一个第六电阻R6，且每个第三单刀双掷开关的不动端分别与对应的第六电阻R6的第二端连接，每个第三单刀双掷开关的动端分别接入基准电压信号V_ref或接地。

具体到图4示出的数字模拟转换器，高6位电容阵列包括64个电容、7个第一单刀双掷开关S1-S6和K3、1个第一开关K1和1个第二单刀双掷开关K2，该些电容分为7个电容子列，从左往右数，第1个电容子列包括一个电容，第2个电容子列包括一个电容，第3个电容子列由2个电容并联而成，第4个电容子列由4个电容并联而成，第5个电容子列由8个电容并联而成，第6个电容子列由16个电容并联而成，第7个电容子列由32个电容并联而成，图中电容旁边的数字表示电容的数量，总共64个电容。64个电容的第一端(即图4中靠上的一端)均与所述比较器22的第一输入端(即正相输入端)连接，每个电容的第一端还均通过所述第一开关K1输入第二电压信号V_CM。从左往右数，第一单刀双掷开关K3对应第1个电容子列，第一单刀双掷开关K3的动端与低位电阻阵列连接或与所述第二单刀双掷开关K2的不动端连接；第一单刀双掷开关S6对应第2个电容子列，第一单刀双掷开关S5对应第3个电容子列，……，第一单刀双掷开关S1分别对应第7个电容子列，第一单刀双掷开关S1-S6的动端接入基准电压信号V_ref或与所述第二单刀双掷开关K2的不动端连接。

低6位电阻阵列包括5个第五电阻R5、7个第六电阻R6和6个第三单刀双掷开关S3。5个第五电阻R5串联成的电阻串的第一端A与高6位电容阵列的第一单刀双掷开关K3的动端连接或悬空，还与从左往右数第7个第六电阻R6的第一端(即靠上的一端)连接，电阻串的第二端B分别与从左往右数第1个和第2个第六电阻R6的第一端(即靠上的一端)连接，剩余的4个第六电阻R6的第一端(即靠上的一端)分别连接于从左往右数第1个和第2个第五电阻R5之间，第2个和第3个第五电阻R5之间，第3个和第4个第五电阻R5之间，第4个和第5个第五电阻R5之间。从左往右数，第三单刀双掷开关S12对应第2个第六电阻R6，第三单刀双掷开关S12的不动端与第2个第六电阻R6的第二端(靠下的一端)连接，第三单刀双掷开关S11对应第3个第六电阻R6，第三单刀双掷开关S11的不动端与第3个第六电阻R6的第二端(靠下的一端)连接，……，第三单刀双掷开关S7对应第7个第六电阻R6，第三单刀双掷开关S7的不动端与第7个第六电阻R6的第二端(靠下的一端)连接，并且6个第三单刀双掷开关S7-S12的动端分别接入基准电压信号V_ref或接地。

所述模数转换电路的原理是：

图3说明：数字模拟转换器(DAC)的输出电压与比较器负输入V_CM比较，比较结果存储在锁存器(LATCH)中，LATCH输出控制DAC的开关阵列，data ready信号将latch中的值锁存到寄存器作为一次ADC转换的输出值。

图4-5说明：sample控制采样开关(包括K1、K2和K3)，PHI1～PHI12分别控制第一单刀双掷开关S1-S6和第三单刀双掷开关S7-S12，dataready是锁存信号，out_data是SAR ADC输出转换值。sample时所有电容连接到V_in和V_CM之间采样输入信号，sample结束后所有电容的下极板都连接到0电位。紧接着PHI1控制第一单刀双掷开关S1连接到V_ref电平，LATCH记录比较器输出，如果比较器输出是1则第一单刀双掷开关S1保持连接到V_ref，如果比较器输出是0则S1连接到0电位。第一单刀双掷开关S2-S5及第三单刀双掷开关S7-S12重复上述步骤，当第三单刀双掷开关S12结束比较并且LATCH结果后在同步信号dataready的上升沿将LATCH中的值存储到寄存器中作为ADC转换值，单次转换结束。

此结构的具有线性单调，版图面积小，容易实现，精度高等优点。

图6示出了ΔV_BE与温度的变化关系。本实施例的温度传感器电路利用ΔV_BE随温度线性增大的特点，通过放大ΔV_BE得到V_SENSOR经过采样量化得到V，利用公式T＝A*V-B计算温度值，其中A和B的优选取值为A＝89，B＝89，电压V的变化范围是0.5V～2.5V，温度范围-45℃～135℃。

R3和R4用于调节V_SENSOR随温度变化的斜率，V_SENSOR最大值选取为2.5V，第二差分放大器OPAMP2的错配导致的offset(补偿)会影响V_SENSOR直线的截距，但不会影响斜率，因此本实施例的温度传感器电路可以用常温单点校准sensor(传感器)，精度可以控制在±3℃。

图7-10是四颗抽样芯片的测试结果，横坐标是温度值(单位℃)，纵坐标是温度传感器的读出值与标准温度测试仪的误差(单位℃)，可见在-45℃～150℃范围内精度达到±3℃。

虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这些仅是举例说明，本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种温度传感器电路，其特征在于，包括：感温电路、模数转换电路和数字电路，所述感温电路与所述模数转换电路连接，所述模数转换电路还与所述数字电路连接；

所述感温电路包括至少一第一PNP管和至少一第二PNP管，所述感温电路用于测量第一电压差信号并输出第一电压信号，所述第一电压信号与所述第一电压差信号成线性关系，所述第一电压差信号为所述第一PNP管和所述第二PNP管的电压差，所述第一电压差信号随着温度的变化而线性变化；

所述模数转换电路用于量化所述第一电压信号并将量化后的第一电压信号输出至所述数字电路，所述数字电路用于利用量化后的第一电压信号计算温度值；

所述感温电路还包括：第三PNP管、第一差分放大器、第二差分放大器、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、两个第一电阻、第二电阻、两个第三电阻和两个第四电阻；

所述第一差分放大器的第一输入端分别与所述第一PNP管的发射极和所述第一MOS管的漏极连接，所述第一差分放大器的第二输入端分别与一个第一电阻的第一端和所述第二MOS管的漏极连接，所述第一差分放大器的输出端分别与所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极连接；

所述第一PNP管的基极和集电极、所述第二PNP管的基极和集电极以及所述第三PNP管的基极和集电极接地，所述第二PNP管的发射极与所述一个第一电阻的第二端连接，所述第三PNP管的发射极通过所述第二电阻与另一个第一电阻的第一端连接，所述另一个第一电阻的第二端与第三MOS管的漏极连接；

所述第一MOS管的源极、所述第二MOS管的源极以及第三MOS管的源极分别接地，所述第二MOS管的衬底与所述第三MOS管的栅极连接；

所述第二差分放大器的第一输入端通过一个第三电阻与所述第三MOS管的漏极连接，还通过一个第四电阻接地，所述第二差分放大器的第二输入端通过另一个第三电阻接入所述另一个第一电阻与所述第二电阻之间，还通过另一个第四电阻与所述第二差分放大器的输出端连接；

所述第二差分放大器的输出端输出所述第一电压信号；

所述第二PNP管与所述第一PNP管的数量之比为N；

所述第一电压差信号与所述N相关。

2.如权利要求1所述的温度传感器电路，其特征在于，所述第一差分放大器的第一输入端为所述第一差分放大器的反相输入端，所述第一差分放大器的第二输入端为所述第一差分放大器的正相输入端；

所述第二差分放大器的第一输入端为所述第二差分放大器的正相输入端，所述第二差分放大器的第二输入端为所述第二差分放大器的反相输入端。

3.如权利要求1所述的温度传感器电路，其特征在于，所述第一MOS管、所述第二MOS管和所述第三MOS管均为P沟道耗尽型绝缘栅型场效应管。

4.如权利要求1所述的温度传感器电路，其特征在于，所述第一PNP管和所述第二PNP管均为寄生PNP管。

5.如权利要求1所述的温度传感器电路，其特征在于，所述模数转换电路包括：数字模拟转换器、比较器、锁存器和寄存器；

所述数字模拟转换器用于接收所述第一电压信号，所述数字模拟转换器还与所述比较器的第一输入端连接，所述比较器的第二输入端输入第二电压信号，所述比较器的输出端与所述锁存器连接，所述锁存器还与所述寄存器连接，所述寄存器输出数字转换值，所述锁存器还将所述比较器的输出端输出的比较结果反馈至所述数字模拟转换器，所述数字转换值为量化后的第一电压信号。

6.如权利要求5所述的温度传感器电路，其特征在于，所述数字模拟转换器采用电容电阻混合结构。

7.如权利要求6所述的温度传感器电路，其特征在于，所述数字模拟转换器的高位采用电容阵列，低位采用电阻阵列。

8.如权利要求7所述的温度传感器电路，其特征在于，高P位电容阵列包括2^P个电容，该些电容分为P+1个电容子列，第1个电容子列包括一个电容，第x个电容子列由2^x-2个电容并联而成，P为正整数，x为整数且2≤x≤P+1；

所述高P位电容阵列还包括P+1个第一单刀双掷开关、第一开关和第二单刀双掷开关；

所述2^P个电容的第一端均与所述比较器的第一输入端连接，所述2^P个电容的第一端还均通过所述第一开关输入第二电压信号；

每个第一单刀双掷开关分别对应一个电容子列，且每个第一单刀双掷开关的不动端分别与对应的电容子列中每个电容的第二端连接，对应于第一个电容子列的第一单刀双掷开关的动端与低位电阻阵列连接或与所述第二单刀双掷开关的不动端连接，对应于第x个电容子列的第一单刀双掷开关的动端接入基准电压信号或与所述第二单刀双掷开关的不动端连接；

所述第二单刀双掷开关的动端接入所述第一电压信号或接地。

9.如权利要求7所述的温度传感器电路，其特征在于，低Q位电阻阵列包括Q-1个第五电阻和Q+1个第六电阻，所述第六电阻的阻值为所述第五电阻的阻值的2倍，Q为正整数；

所述低Q位电阻阵列还包括Q个第三单刀双掷开关；

该些第五电阻串联成电阻串，所述电阻串的第一端与高位电容阵列连接或悬空，所述电阻串的第一端还与一个第六电阻的第一端连接，所述电阻串的第二端分别与两个第六电阻的第一端连接，所述电阻串中相邻的两个第五电阻之间还接入一个第六电阻的第一端；

每个第三单刀双掷开关分别对应一个第六电阻，且每个第三单刀双掷开关的不动端分别与对应的第六电阻的第二端连接，每个第三单刀双掷开关的动端分别接入基准电压信号或接地。

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