CN101626640A - 线热源的制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种线热源的制备方法,其具体包括以下步骤:提供一线状基底;形成一反射层于线状基底的表面;制备一碳纳米管结构;将该碳纳米管结构设置于所述反射层的表面作为加热层;间隔形成两个电极于该线状基底两端,该两个电极与该碳纳米管结构形成电连接;以及形成一绝缘保护层于所述碳纳米管结构的外表面,形成一线热源。
Description
技术领域
本发明涉及一种线热源的制备方法,尤其涉及一种基于碳纳米管的线热源的制备方法。
背景技术
请参见图1,现有技术提供一种线热源10,其包括一中空圆柱状支架102;一加热层104设置于该支架102表面,一绝缘保护层106设置于该加热层104表面;两个电极110分别设置于支架102两端,且与加热层104电连接;两个夹紧件108分别将两个电极110与加热层104卡固在支架102两端。其中,加热层104通常采用一碳纤维纸通过缠绕或包裹的方式形成。
所述碳纤维纸的制备方法包括以下步骤:把合成纤维或纤维素纤维切成3~6毫米的短纤维;按比例称重沥青基碳纤维和纸基材,并倒入打浆池中,再加入水,使纸浆浓度为0.5~0.8%,进行打浆,使碳纤维和纸基材全部溶散开,打浆一般为2~4小时,温度控制在25~40℃;在纸浆中加入0.2~2%的松香,加入2~6%的聚乙烯醇,并充分搅拌,均匀混合;采用现有的造纸工艺进行抄纸,并烘干收卷。
然而,现有技术制备线热源的方法具有以下不足:第一,加热层采用碳纤维纸,碳纤维纸的制备工艺复杂,且需要现有的造纸工艺使用的纸基材,成本较高。第二,采用造纸工艺制备的碳纤维纸厚度较大,所以采用该方法无法制备微型线热源。
有鉴于此,确有必要提供一种工艺简单,成本低廉,且可以用于制备微型线热源的线热源的制备方法。
发明内容
一种线热源的制备方法,其具体包括以下步骤:提供一线状基底;制备一碳纳米管结构;将该碳纳米管结构设置于所述线状基底的表面作为加热层;以及间隔形成两个电极于该线状基底两端,该两个电极与该碳纳米管结构形成电连接。
一种线热源的制备方法,其具体包括以下步骤:提供一线状基底;制备一碳纳米管结构;间隔形成两个电极于该碳纳米管结构的表面,且该两个电极与该碳纳米管结构形成电连接;将该碳纳米管结构设置于所述线状基底的表面。
与现有技术相比较,本技术方案实施例所提供的线热源的制备方法工艺简单,成本低廉,可以用于制备微型线热源,且该方法制备的线热源具有以下优点:第一,碳纳米管的直径较小,使得碳纳米管层具有较小的厚度,可以制备微型线热源,应用于微型器件的加热。第二,碳纳米管比碳纤维具有更小的密度,所以,采用碳纳米管层的线热源具有更轻的重量,使用方便。第三,所述的碳纳米管层具有较低的电阻,且碳纳米管的电热转换效率高,热阻率低,所以该线热源具有升温迅速、热滞后小、热交换速度快的特点。
附图说明
图1为现有技术的线热源的结构示意图。
图2为本技术方案实施例制备的线热源的结构示意图。
图3为图2的线热源沿线III-III的剖面示意图。
图4为本技术方案实施例的线热源的制备方法流程图。
图5为本技术方案实施例的碳纳米管有序膜的扫描电镜照片。
图6为本技术方案实施例的束状结构的碳纳米管长线的扫描电镜照片。
图7为本技术方案实施例的绞线结构的碳纳米管长线的扫描电镜照片。
图8为本技术方案实施例的碳纳米管沿同一方向择优取向排列的碳纳米管碾压膜的扫描电镜照片。
图9为本技术方案实施例碳纳米管沿不同方向择优取向排列的碳纳米管碾压膜的扫描电镜照片。
图10为本技术方案实施例的碳纳米管絮状结构的照片。
图11为本技术方案实施例的碳纳米管絮化膜的照片。
图12为本技术方案实施例的碳纳米管絮化膜的扫描电镜照片。
具体实施方式
以下将结合附图详细说明本技术方案提供的线热源的制备方法。
请参见图2及图3,本技术方案实施例提供一种线热源20,其包括一线状基底202;一反射层210设置于该线状基底202的表面;一碳纳米管结构204设置于所述反射层210表面;两个电极206间隔设置于该一碳纳米管结构204的表面,且与该一碳纳米管结构204形成电连接;以及一绝缘保护层208设置于该一碳纳米管结构204的外表面。所述线热源20的长度不限,直径为0.1微米~1.5厘米。本实施例的线热源20的直径优选为1.1毫米~1.1厘米。
请参阅图4,本技术方案第一实施例提供一种线热源20的制备方法,其主要包括以下步骤:
步骤一,提供一线状基底202。
所述线状基底202用于支撑碳纳米管结构204,其材料可为硬性材料,如:陶瓷、玻璃、树脂、石英等,亦可以选择柔性材料,如:塑料或柔性纤维等,用以使该线热源20在使用时根据需要弯折成任意形状。所述线状基底202的长度、直径以及形状不限,可依据实际需要进行选择。可以理解,所述线状基底202的材料并不限于上述列举的材料,只要具有一定耐热性能的绝缘材料即可。所述线状基底202的长度、直径以及形状不限,可依据实际需要进行选择。本实施例优选的线状基底202为一陶瓷杆,其直径为1毫米~1厘米。
步骤二,形成一反射层210于线状基底202的表面。
于线状基底202的表面形成一反射层210可以通过涂覆或镀膜的方法实现。所述反射层210的材料为一白色绝缘材料,如:金属氧化物、金属盐或陶瓷等。本实施例中,反射层210材料优选为三氧化二铝,其厚度为100微米~0.5毫米。该反射层210用来反射碳纳米管结构204所发的热量,使其有效的散发到外界空间去。可以理解,本实施例提供的线热源20中反射层210为一可选结构,所以该步骤二也为一可选步骤。
步骤三,制备一碳纳米管结构204。
所述碳纳米管结构204包括多个均匀分布的碳纳米管。该碳纳米管结构204中的碳纳米管有序排列或无序排列。具体的,所述的碳纳米管结构204包括碳纳米管有序膜、碳纳米管长线结构、碳纳米管碾压膜或碳纳米管絮化膜等。
根据碳纳米管结构204的不同,所述碳纳米管结构204的制备方法包括:直接拉膜法、碾压法、絮化法等。下面将对上述几种碳纳米管结构204的制备方法进行分别叙述。
(一)采用碳纳米管有序膜的碳纳米管结构204的制备方法,包括以下步骤:
首先,提供一碳纳米管阵列形成于一基底,该阵列为超顺排的碳纳米管阵列。
该碳纳米管阵列的制备方法采用化学气相沉积法,其具体步骤包括:(a)提供一平整基底,该基底可选用P型或N型硅基底,或选用形成有氧化层的硅基底,本技术方案实施例优选为采用4英寸的硅基底;(b)在基底表面均匀形成一催化剂层,该催化剂层材料可选用铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)或其任意组合的合金之一;(c)将上述形成有催化剂层的基底在700℃~900℃的空气中退火约30分钟~90分钟;(d)将处理过的基底置于反应炉中,在保护气体环境下加热到500℃~740℃,然后通入碳源气体反应约5分钟~30分钟,生长得到碳纳米管阵列。该碳纳米管阵列为多个彼此平行且垂直于基底生长的碳纳米管形成的纯碳纳米管阵列。通过上述控制生长条件,该定向排列的碳纳米管阵列中基本不含有杂质,如无定型碳或残留的催化剂金属颗粒等。
本技术方案实施例提供的碳纳米管阵列为单壁碳纳米管阵列、双壁碳纳米管阵列及多壁碳纳米管阵列中的一种。所述碳纳米管的直径为1~50纳米,长度大于50微米。本实施例中,碳纳米管的长度优选为100~900微米。
本技术方案实施例中碳源气可选用乙炔、乙烯、甲烷等化学性质较活泼的碳氢化合物,本技术方案实施例优选的碳源气为乙炔;保护气体为氮气或惰性气体,本技术方案实施例优选的保护气体为氩气。
可以理解,本技术方案实施例提供的碳纳米管阵列不限于上述制备方法,也可为石墨电极恒流电弧放电沉积法、激光蒸发沉积法等。
其次,采用一拉伸工具从碳纳米管阵列中拉取碳纳米管获得至少一碳纳米管有序膜。
该碳纳米管薄膜的制备过程具体包括以下步骤:该碳纳米管薄膜是从超顺排碳纳米管阵列中直接拉取获得,其制备方法具体包括以下步骤:(a)采用一拉伸工具选取该超顺排碳纳米管阵列中的部分碳纳米管,本实施例优选为采用具有一定宽度的胶带接触碳纳米管阵列以选定一定宽度的多部分碳纳米管;(b)以一定的速度沿基本垂直于超顺排碳纳米管阵列生长方向拉伸该部分碳纳米管,形成一连续的碳纳米管有序膜。
请参见图5,在上述拉伸过程中,在拉力作用下超顺排碳纳米管阵列中的部分碳纳米管沿拉伸方向逐渐脱离基底的同时,由于范德华力作用,该超顺排碳纳米管阵列中的其它碳纳米管首尾相连地连续地被拉出,从而形成一碳纳米管有序膜。该碳纳米管有序膜包括多个碳纳米管首尾相连且沿拉伸方向定向排列。该碳纳米管有序膜的宽度与超顺排碳纳米管阵列的尺寸(直径/宽度)有关,该碳纳米管有序膜的厚度与超顺排碳纳米管阵列的高度有关。
最后,利用上述碳纳米管有序膜制备碳纳米管结构204。
该碳纳米管有序膜可以作为一碳纳米管结构204使用。
进一步,还可以将至少两个碳纳米管有序膜平行无间隙或/和重叠铺设得到一碳纳米管结构204。该多层碳纳米管结构204中,碳纳米管有序膜的层数不限,且相邻两层碳纳米管有序膜之间具有一交叉角度α,0≤α≤90度,具体可依据实际需求制备。
本实施例中,进一步包括用有机溶剂处理碳纳米管结构204的步骤,该有机溶剂为挥发性有机溶剂,可选用乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷和氯仿中一种或者几种的混合,本实施例中的有机溶剂采用乙醇。该使用有机溶剂处理的步骤可通过试管将有机溶剂滴落在碳纳米管结构204表面浸润整个碳纳米管结构204,或者,也可将上述碳纳米管结构204浸入盛有有机溶剂的容器中浸润。所述的碳纳米管结构204经有机溶剂浸润处理后,在挥发性有机溶剂的表面张力的作用下,碳纳米管有序膜中平行的碳纳米管片断会部分聚集成碳纳米管束。因此,该碳纳米管结构204表面体积比小,无粘性,且具有良好的机械强度及韧性。
(二)采用碳纳米管长线结构的碳纳米管结构204的制备方法,方法包括以下步骤:
首先,制备至少一碳纳米管长线。
所述碳纳米管长线结构包括至少一个碳纳米管长线,所述的碳纳米管长线包括多个碳纳米管首尾相连且沿该碳纳米管长线轴向/长度方向择优取向排列。具体地,该碳纳米管长线中碳纳米管沿该碳纳米管长线轴向/长度方向平行排列或呈螺旋状排列。该碳纳米管长线中碳纳米管通过范德华力紧密结合。请参见图6,该碳纳米管长线中碳纳米管沿该碳纳米管长线轴向/长度方向平行排列。请参见图7,该碳纳米管长线中碳纳米管沿该碳纳米管长线轴向/长度方向呈螺旋状排列。
所述碳纳米管长线的制备方法为:从上述超顺排的碳纳米管阵列中选取宽度较窄的碳纳米管片断,采用一拉伸工具从碳纳米管阵列中直接拉取碳纳米管,再经过有机溶剂处理后获得。
所述碳纳米管长线的制备方法进一步包括:采用一机械外力将上述碳纳米管长线或者上述的碳纳米管有序膜扭转形成一碳纳米管长线。
其次,采用该碳纳米管长线制备一碳纳米管长线结构。
将多个碳纳米管长线平行且紧密设置,得到一束状碳纳米管长线结构。进一步,采用一机械外力将该束状碳纳米管长线结构拧成绞线状碳纳米管长线结构。
(三)采用碳纳米管碾压膜的碳纳米管结构204的制备方法,包括以下步骤:
首先,提供一碳纳米管阵列形成于一基底,该阵列为定向排列的碳纳米管阵列。
所述碳纳米管阵列优选为一超顺排的碳纳米管阵列。所述碳纳米管阵列与上述碳纳米管阵列的制备方法相同。
其次,采用一施压装置,挤压上述碳纳米管阵列获得一碳纳米管碾压膜,其具体过程为:
该施压装置施加一定的压力于上述碳纳米管阵列上。在施压的过程中,碳纳米管阵列在压力的作用下会与生长的基底分离,从而形成由多个碳纳米管组成的具有自支撑结构的碳纳米管碾压膜,且所述的多个碳纳米管基本上与碳纳米管碾压膜的表面平行。
本技术方案实施例中,施压装置为一压头,压头表面光滑,压头的形状及挤压方向决定制备的碳纳米管碾压膜中碳纳米管的排列方式。具体地,当采用平面压头沿垂直于上述碳纳米管阵列生长的基底的方向挤压时,可获得碳纳米管为各向同性排列的碳纳米管碾压膜;当采用滚轴状压头沿某一固定方向碾压时,可获得碳纳米管沿该固定方向取向排列的碳纳米管碾压膜;当采用滚轴状压头沿不同方向碾压时,可获得碳纳米管沿不同方向取向排列的碳纳米管碾压膜。
可以理解,当采用上述不同方式挤压上述的碳纳米管阵列时,碳纳米管会在压力的作用下倾倒,并与相邻的碳纳米管通过范德华力相互吸引、连接形成由多个碳纳米管组成的具有自支撑结构的碳纳米管碾压膜。所述的多个碳纳米管与该碳纳米管碾压膜的表面成一夹角α,其中,α大于等于零度且小于等于15度(0≤α≤15°)。依据碾压得方式不同,该碳纳米管碾压膜中的碳纳米管可以沿一固定方向择优取向排列,请参阅图8;或沿不同方向择优取向排列,请参阅图9。另外,在压力的作用下,碳纳米管阵列会与生长的基底分离,从而使得该碳纳米管碾压膜容易与基底脱离。
本技术领域技术人员应明白,上述碳纳米管阵列的倾倒程度(倾角)与压力的大小有关,压力越大,倾角越大。制备的碳纳米管碾压膜的厚度取决于碳纳米管阵列的高度以及压力大小。碳纳米管阵列的高度越大而施加的压力越小,则制备的碳纳米管碾压膜的厚度越大;反之,碳纳米管阵列的高度越小而施加的压力越大,则制备的碳纳米管碾压膜的厚度越小。该碳纳米管碾压膜的宽度与碳纳米管阵列所生长的基底的尺寸有关,该碳纳米管碾压膜的长度不限,可根据实际需求制得。本技术方案实施例中获得的碳纳米管碾压膜,该碳纳米管碾压膜的厚度为1微米~2毫米。
上述碳纳米管碾压膜中包括多个沿同一方向或择优取向排列的碳纳米管,所述碳纳米管之间通过范德华力相互吸,因此该碳纳米管碾压膜具有很好的韧性。该碳纳米管碾压膜中,碳纳米管均匀分布,规则排列。
可以理解,该碳纳米管碾压膜的具有一定的厚度,且通过碳纳米管阵列的高度以及压力大小可以控制其厚度。所以该碳纳米管碾压膜可以直接作为一碳纳米管结构204使用。
(四)采用碳纳米管絮化膜的碳纳米管结构204的制备方法,包括以下步骤:
首先,提供一碳纳米管原料。
所述碳纳米管原料可以为通过化学气相沉积法、石墨电极恒流电弧放电沉积法或激光蒸发沉积法等各种方法制备的碳纳米管。
本实施例中,采用刀片或其他工具将上述定向排列的碳纳米管阵列从基底刮落,获得一碳纳米管原料。优选地,所述的碳纳米管原料中,碳纳米管的长度大于100微米。
其次,将上述碳纳米管原料添加到一溶剂中并进行絮化处理获得一碳纳米管絮状结构,将上述碳纳米管絮状结构从溶剂中分离,并对该碳纳米管絮状结构定型处理以获得一碳纳米管薄膜。
本技术方案实施例中,溶剂可选用水、易挥发的有机溶剂等。絮化处理可通过采用超声波分散处理或高强度搅拌等方法。优选地,本技术方案实施例采用超声波分散10分钟~30分钟。由于碳纳米管具有极大的比表面积,相互缠绕的碳纳米管之间具有较大的范德华力。上述絮化处理并不会将该碳纳米管原料中的碳纳米管完全分散在溶剂中,碳纳米管之间通过范德华力相互吸引、缠绕,形成网络状结构。
本技术方案实施例中,所述的分离碳纳米管絮状结构的方法具体包括以下步骤:将上述含有碳纳米管絮状结构的溶剂倒入一放有滤纸的漏斗中;静置干燥一段时间从而获得一分离的碳纳米管絮状结构,图10为该碳纳米管絮状结构的照片。
本技术方案实施例中,所述的碳纳米管絮状结构的定型处理过程具体包括以下步骤:将上述碳纳米管絮状结构置于一容器中;将该碳纳米管絮状结构按照预定形状摊开;施加一定压力于摊开的碳纳米管絮状结构;以及,将该碳纳米管絮状结构中残留的溶剂烘干或等溶剂自然挥发后获得一碳纳米管絮化膜,图11为该碳纳米管絮化膜的照片。
可以理解,本技术方案实施例可通过控制该碳纳米管絮状结构摊开的面积来控制该碳纳米管絮化膜的厚度和面密度。碳纳米管絮状结构摊开的面积越大,则该碳纳米管絮化膜的厚度和面密度就越小。本技术方案实施例中获得的碳纳米管絮化膜,该碳纳米管絮化膜的厚度为1微米-2毫米。
另外,上述分离与定型处理碳纳米管絮状结构的步骤也可直接通过抽滤的方式实现,具体包括以下步骤:提供一微孔滤膜及一抽气漏斗;将上述含有碳纳米管絮状结构的溶剂经过该微孔滤膜倒入该抽气漏斗中;抽滤并干燥后获得一碳纳米管絮化膜。该微孔滤膜为一表面光滑、孔径为0.22微米的滤膜。由于抽滤方式本身将提供一较大的气压作用于该碳纳米管絮状结构,该碳纳米管絮状结构经过抽滤会直接形成一均匀的碳纳米管絮化膜。且,由于微孔滤膜表面光滑,该碳纳米管絮化膜容易剥离。
请参见图12,上述碳纳米管絮化膜中包括相互缠绕的碳纳米管,所述碳纳米管之间通过范德华力相互吸引、缠绕,形成网络状结构,因此该碳纳米管絮化膜具有很好的韧性。该碳纳米管絮化膜中,碳纳米管为各向同性,均匀分布,无规则排列。
可以理解,该碳纳米管絮化膜的具有一定的厚度,且通过控制该碳纳米管絮状结构摊开的面积以及压力大小可以控制其厚度。所以该碳纳米管絮化膜可以直接作为一碳纳米管结构204使用。
步骤四,将该碳纳米管结构204设置于所述反射层210的表面作为加热层。
将上述碳纳米管结构204设置于所述反射层210表面的方法为:由于碳纳米管结构204具有粘性,所以可以将一碳纳米管结构204直接缠绕或包裹于所述反射层210表面,并通过其粘性固定于反射层210表面。或者,也可以通过粘结剂将一碳纳米管结构204固定于所述反射层210表面。。所述粘结剂为硅胶。可以理解,如果制备的线热源20不包括反射层210,可以将碳纳米管结构204直接设置于线状基底202的表面。
可以理解,所述碳纳米管结构204的设置方式与该碳纳米管结构204的具体结构有关。当碳纳米管结构204包括碳纳米管有序膜或包括碳纳米管碾压膜,且碳纳米管碾压膜中碳纳米管沿同一方向或不同方向择优取向排列时,需保证该碳纳米管结构204中的部分碳纳米管由线状基底202的一端向另一端排列。当碳纳米管结构204包括絮化膜或包括碳纳米管碾压膜,且碳纳米管碾压膜中碳纳米管各向同性时,所述碳纳米管结构204的设置方式不限。当碳纳米管结构204包括碳纳米管长线时,可以将单个碳纳米管长线缠绕于线状基底202的表面或将多个碳纳米管长线平行或交叉设置于线状基底202的表面。可以理解,当将多个碳纳米管长线平行设置于线状基底202的表面时,碳纳米管长线需沿线状基底202的长度方向设置。本实施例中,优选地,碳纳米管结构204采用重叠且交叉设置的100层碳纳米管有序膜,相邻两层碳纳米管有序膜之间交叉的角度为90度。该碳纳米管结构204中碳纳米管有序膜的长度为5厘米,碳纳米管有序膜的宽度为3厘米,碳纳米管有序膜的厚度为50微米。利用碳纳米管结构204本身的粘性,将该碳纳米管结构204包裹于所述反射层210的表面。
碳纳米管具有良好的导电性能以及热稳定性,作为一理想的黑体结构,且具有比较高的热辐射效率。所以该碳纳米管结构204可以作为线热源20的加热层。
步骤五,间隔形成两个电极206于该线状基底202的两端,该两个电极206与该碳纳米管结构204形成电连接。
所述的两个电极206的设置方式与碳纳米管结构204有关,需保证碳纳米管结构204中的部分碳纳米管沿着其中一个电极206向另一个电极206方向延伸。
所述的两个电极206可以设置在碳纳米管结构204的同一表面上或不同表面上,且两个电极206环绕设置于碳纳米管结构204的表面。其中,两个电极206之间相隔设置,以使碳纳米管结构204应用于线热源20时接入一定的阻值避免短路现象产生。碳纳米管结构204本身有很好的粘附性与导电性,故电极206可以与碳纳米管结构204之间形成很好的电接触。
所述电极206为导电薄膜、金属片或者金属引线。该导电薄膜的材料可以为金属、合金、铟锡氧化物(ITO)、锑锡氧化物(ATO)、导电银胶、导电聚合物等。该导电薄膜可以通过物理气相沉积法,化学气相沉积法或其它方法形成于碳纳米管结构204表面。该金属片可以为铜片或铝片等。该金属片或者金属引线可以通过导电粘结剂固定于碳纳米管结构204表面。
所述电极206还可以为一金属性碳纳米管层。该碳纳米管层设置于碳纳米管结构204的表面。该碳纳米管层可通过其自身的粘性或导电粘结剂固定于碳纳米管结构204的表面。该碳纳米管层包括定向排列且均匀分布的金属性碳纳米管。具体地,该碳纳米管层包括至少一有纳米管序碳膜或至少一碳纳米管长线。
本实施例中,优选地,将两个碳纳米管有序膜分别设置于沿线状基底202长度方向的两端作为电极206。该两个碳纳米管有序膜环绕于加热层204的内表面,并通过导电粘结剂与碳纳米管结构204之间形成电接触。所述导电粘结剂优选为银胶。由于本实施例中的碳纳米管结构204与加热层204均采用碳纳米管有序膜,可以降低碳纳米管结构204与电极206之间的欧姆接触电阻,从而提高线热源20对电能的利用率。
可以理解,本实施例中,还可以先在碳纳米管结构204的表面形成两个平行且间隔设置的电极206,且该电极206与碳纳米管结构204电连接。然后,将该形成有电极206的碳纳米管结构204设置于上述反射层210的表面,得到一线热源20。如果制备的线热源20不包括反射层210,可以将碳纳米管结构204直接设置于线状基底202的表面。
步骤六,形成一绝缘保护层208于所述碳纳米管结构204的外表面,并将电极206覆盖,形成一线热源20。
所述绝缘保护层208的材料为一绝缘材料,如:橡胶、树脂等。所述绝缘保护层208厚度不限,可以根据实际情况选择。本实施例中,该绝缘保护层208的材料采用橡胶,其厚度为0.5~2毫米。该绝缘保护层208可通过涂敷或包裹的方法形成于碳纳米管结构204的表面。所述绝缘保护层208用来防止该线热源20在使用时与外界形成电接触,同时还可以防止碳纳米管结构204中的碳纳米管吸附外界杂质。可以理解,本实施例提供的线热源20中绝缘保护层208为一可选结构,所以该步骤六也为一可选步骤。
与现有技术相比较,本技术方案实施例所提供的线热源的制备方法工艺简单,成本低廉,可以用于制备微型线热源,且该方法制备的线热源具有以下优点:第一,碳纳米管的直径较小,使得碳纳米管层具有较小的厚度,可以制备微型线热源,应用于微型器件的加热。第二,碳纳米管比碳纤维具有更小的密度,所以,采用碳纳米管层的线热源具有更轻的重量,使用方便。第三,所述的碳纳米管层具有较低的电阻,且碳纳米管的电热转换效率高,热阻率低,所以该线热源具有升温迅速、热滞后小、热交换速度快的特点。
另外,本领域技术人员还可在本发明精神内做其他变化,当然,这些依据本发明精神所做的变化,都应包含在本发明所要求保护的范围之内。
Claims (18)
1.一种线热源的制备方法,其具体包括以下步骤:
提供一线状基底;
制备一碳纳米管结构;
将该碳纳米管结构设置于所述线状基底的表面作为加热层;以及
间隔形成两个电极于该线状基底两端,该两个电极与该碳纳米管结构形成电连接。
2.如权利要求1所述的线热源的制备方法,其特征在于,所述将碳纳米管结构设置于所述线状基底表面的方法为:将碳纳米管结构缠绕或包裹于所述线状基底表面。
3.如权利要求2所述的线热源的制备方法,其特征在于,所述将碳纳米管结构设置于所述线状基底表面的方法为:通过碳纳米管结构自身的粘性或粘结剂将该碳纳米管结构固定于所述线状基底表面。
4.如权利要求1所述的线热源的制备方法,其特征在于,所述电极为导电膜,该导电膜通过物理气相沉积法或化学气相沉积法形成于该碳纳米管结构表面。
5.如权利要求1所述的线热源的制备方法,其特征在于,所述电极为金属片或金属引线,并通过导电粘结剂将该电极固定于碳纳米管结构表面。
6.如权利要求1所述的线热源的制备方法,其特征在于,在将碳纳米管结构设置于所述线状基底表面之前,进一步包括形成一反射层于线状基底表面的步骤,形成反射层的方法包括涂覆或镀膜。
7.如权利要求6所述的线热源的制备方法,其特征在于,所述反射层的材料为金属氧化物、金属盐或陶瓷。
8.如权利要求1所述的线热源的制备方法,其特征在于,在间隔形成两个电极于该线状基底两端之后,进一步包括涂敷或包裹一绝缘保护层于所述碳纳米管结构的外表面的步骤。
9.如权利要求8所述的线热源的制备方法,其特征在于,所述绝缘保护层材料为橡胶或树脂。
10.如权利要求1所述的线热源的制备方法,其特征在于,所述的碳纳米管结构包括至少一个碳纳米管有序膜,所述碳纳米管有序膜的制备方法具体包括以下步骤:提供一碳纳米管阵列形成于一基底;从上述碳纳米管阵列中选定一定宽度的部分碳纳米管;以及以一定速度沿基本垂直于碳纳米管阵列生长方向拉伸该部分碳纳米管,形成至少一碳纳米管有序膜。
11.如权利要求10所述的线热源的制备方法,其特征在于,所述制备一碳纳米管结构的方法进一步将至少两个碳纳米管有序膜平行无间隙或/和重叠铺设得到一碳纳米管结构。
12.如权利要求1所述的线热源的制备方法,其特征在于,所述的碳纳米管结构包括至少一个碳纳米管长线,且碳纳米管长线包括多个碳纳米管沿碳纳米管长线的轴向/长度方向择优取向排列。
13.如权利要求12所述的线热源的制备方法,其特征在于,所述碳纳米管长线的制备方法包括以下步骤:提供一碳纳米管阵列形成于一基底;从上述碳纳米管阵列中选取宽度较窄的碳纳米管片断,以及采用一拉伸工具从碳纳米管阵列中直接拉取碳纳米管;经过有机溶剂处理后获得碳纳米管长线。
14.如权利要求12所述的线热源的制备方法,其特征在于,所述碳纳米管长线的制备方法包括以下步骤:提供一碳纳米管阵列形成于一基底;从上述碳纳米管阵列中选定一定宽度的多个碳纳米管片断;以一定速度沿基本垂直于碳纳米管阵列生长方向拉伸该多个碳纳米管片断,以形成至少一碳纳米管有序膜;以及采用一机械外力将该碳纳米管有序膜扭转形成碳纳米管长线。
15.如权利要求1所述的线热源的制备方法,其特征在于,所述的碳纳米管结构包括碳纳米管碾压膜,所述的碳纳米管碾压膜的制备方法包括以下步骤:提供一碳纳米管阵列形成于一基底;以及采用一施压装置,挤压上述碳纳米管阵列获得一碳纳米管碾压膜。
16.如权利要求1所述的线热源的制备方法,其特征在于,所述的碳纳米管结构包括碳纳米管絮化膜,所述碳纳米管絮化膜的制备方法包括以下步骤:提供一碳纳米管原料,该碳纳米管原料中的碳纳米管长度大于50微米;将上述碳纳米管原料添加到一溶剂中并进行絮化处理获得一碳纳米管絮状结构;以及将上述碳纳米管絮状结构从溶剂中分离,并对该碳纳米管絮状结构定型处理以获得一碳纳米管薄膜。
17.如权利要求16所述的线热源的制备方法,其特征在于,所述所述的碳纳米管絮状结构的定型处理过程具体包括以下步骤:将上述碳纳米管絮状结构置于一容器中;将该碳纳米管絮状结构按照预定形状摊开;施加一定压力于摊开的碳纳米管絮状结构;以及,将该碳纳米管絮状结构中残留的溶剂烘干或等溶剂自然挥发后获得一碳纳米管絮化膜。
18.如权利要求17所述的线热源的制备方法,其特征在于,所述分离与定型处理碳纳米管絮状结构的步骤也可直接通过抽滤的方式实现,具体包括以下步骤:提供一微孔滤膜及一抽气漏斗;将上述含有碳纳米管絮状结构的溶剂经过该微孔滤膜倒入该抽气漏斗中;抽滤并干燥后获得一碳纳米管絮化膜。
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