CN101601973A - 一种沸石单层薄膜及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明一种沸石单层薄膜及其制备方法，涉及以无机材料为特征的半透膜，它是一种发光c－轴取向L型沸石单层薄膜，由载体、发光分子连接体和沸石组成，将易于跟沸石晶体和载体形成共价健的发光分子连接体，与L型沸石和载体设计定向合成，实现了c－轴取向，并实现稀土有机配合物客体分子在单层薄膜中的超分子组装，由此制得了一种发光c－轴取向L型沸石的单层薄膜。该产品可以将染料分子填充在L型沸石晶体的管道中制成可以进行光化学转换和贮存太阳能的系统，用于制备光电池、高立体分辨率电子屏幕。
Description
技术领域
本发明的技术方案涉及以无机材料为特征的半透膜，具体地说是一种沸石单层薄膜及其制备方法。
背景技术
沸石分子筛薄膜在膜分离、膜催化、化学传感器与微电子器件等领域有广泛的应用前景(徐如人，庞文琴等，分子筛与多孔材料化学科学出版社，2004，北京；Davis，M.E.，Nature，2002，417，813-821)。利用自组装的思想，通过载体表面与沸石分子筛晶体之间的相互作用(包括共价键、离子键和氢键)诱导、控制沸石分子筛晶体的自组装，从而制备结构有序的沸石分子筛薄膜是近年来科学家们关注的一个热点。自从Bein等首次将A型沸石通过共价健作用连接到Au表面(Yan，Y.；Bein，T.，J.Am.Chem.Soc.，1995，117(40)，9990-9994.)，此方法得到迅速的发展。Yoon(Yoon，K.B.，Acc Chem.Res.，2007，40(1)，29-40.)、Calzaferri(Ruiz，A.Z.；Li，H.R.Calzaferri，G.，Angew.Chem.Int.Ed.，2006，45(32)，5282)、Tsapatsis(Lai，Z.；Bonillia，G.；Diaz，I.；Nery，J.G.；Sujaoti，K.；Amat，A.M.；Kokkoli，E.；Tetrasaki，O.；Thompson，R.W.；Tsapatsis，M.；Vlachos，D.G.，Science，2003，300，456.)和李焕荣课题组(H.R.Li，Y.G.Wang，W.J.Zhang，B.Y.Liu，G.Calzaferri，Chem.Commun.2007，2853-2854.)均在这方面做出了很好的工作。
尽管目前在具有特定取向的沸石单层薄膜的构筑方面取得了一些突破性的结果，但研究重点多放在MFI和A沸石分子筛膜的制备及其在分离方面的应用，然而对L型沸石薄膜的定向制备及新近兴起的光电和传感器等领域的应用研究至今还是空白。
L型沸石是含有钾离子的铝硅酸盐，它是具有一维孔道结构，孔径在0.71nm的大微孔分子筛，也是迄今为止惟一的人工合成长度分布从30nm～15μm之间的沸石分子筛。L型沸石作为一种新型沸石材料，具有很多优异的性能，如优异的热稳定性、催化性能、吸附性和耐酸性，又因L型沸石具有较大的孔径和独特的结构使其适合做基质材料。L型沸石单层薄膜可以允许染料分子填充在L型沸石晶体的管道中，由此制成可以进行光化学转换和贮存太阳能的系统，用于制备光电池和高立体分辨率电子屏幕。因此L型沸石单层薄膜及其制备方法的研发具有突出的实质性特点和显著的进步。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种沸石单层薄膜及其制备方法，是将易于跟沸石晶体和载体形成共价健的发光分子连接体，与L型沸石和载体设计定向合成，并实现稀土有机配合物客体分子在单层薄膜中的超分子组装，由此制备成一种发光c-轴取向L型沸石的单层薄膜。
本发明解决该技术问题所采用的技术方案是：一种沸石单层薄膜，是一种发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，由载体、发光分子连接体和沸石组成，其中载体为普通石英片或玻璃片；发光分子连接体为(OR)3Si-FG-Si(OR)3或(OR)3Si-FG-RE-FG-Si(OR)3，其中R为含1～4个碳的烷基，FG为芳香类的发光基团，RE为稀土离子Eu3+或Tb3+；沸石为L型沸石或纳米孔道中含有发光稀土有机配合物的L型沸石，该发光稀土有机配合物由稀土离子和有机配体组成，稀土离子为Eu3+或Tb3+，有机配体为2-噻吩甲酰三氟丙酮或2，2’-联吡啶；载体、发光分子连接体和沸石的组成配比为：1cm2载体负载有0.01μg～1.00μg发光分子连接体和0.01mg～0.1mg沸石；所述纳米孔道中含有发光稀土有机配合物的L型沸石的组成由其原料种类和用量所确定，具体是：100mg L型沸石加入10mL的浓度为0.1mol/L的EuCl3或TbCl3溶液，由此形成掺杂Eu3+或Tb3+的L型沸石，取该掺杂Eu3+或Tb3+的L型沸石50mg与有机配体2-噻吩甲酰三氟丙酮或2，2’-联吡啶15mg混合，最终制得纳米孔道中含有发光稀土有机配合物的L型沸石，实际所用原料的量则根据实际需要按上述原料用量的比例增加或减少。
在上述一种沸石单层薄膜中，所述其组成中的发光分子连接体为具有下面化学结构式(1)～(8)中的任意一种，
上述化学结构式(5)、(6)、(7)和(8)中，Ln为Eu或Tb。
上述发光分子连接体(1)～(8)均为已知化合物产品，其制备方法为公知技术。(分别见文献：刘丰祎，符连社，王俊，张洪杰，化学通报，2003，6：382-387；BenyahyaS，Monnier F，Taillefer M，et al，Adv.Synth.Catal.，2008，350：22)
上述一种沸石单层薄膜的制备方法，其步骤如下：
第一步，在氮气的保护下，将普通石英片或玻璃片载体放入溶有发光分子连接体的N，N-二甲基甲酰胺溶液中，其配比为1cm2载体放入1mL的浓度为0.1mol/L的发光分子连接体的N，N-二甲基甲酰胺溶液中，在温度130℃的条件下，回流3h后，将该普通石英片或玻璃片载体取出，先后用甲苯和乙醇清洗，晾干，待用；
第二步，按配比为1mL干甲苯中加入1mg沸石晶体，取沸石晶体置于干甲苯中得到混合液，超声分散15分钟后，将第一步处理好的普通石英片或玻璃片载体浸入该混合液中超声振荡15分钟，取出该浸渍后的普通石英片或玻璃片载体，再浸入干甲苯中超声振荡5秒钟，即制得一种发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，这里所述的沸石为L型沸石或纳米孔道中含有发光稀土有机配合物的L型沸石；
上面所述的纳米孔道中含有发光稀土有机配合物的L型沸石的制备方法为：
取L型沸石晶体100mg，加到10mL浓度为0.1mol/L的EuCl3或TbCl3溶液中，于80℃下搅拌24h后，离心分离，弃去上层清液，将沉淀物在干燥箱中于80℃下干燥3h，得到掺杂Eu3+或Tb3+的L型沸石，取该掺杂Eu3+或Tb3+的L型沸石50mg与有机配体2-噻吩甲酰三氟丙酮或2，2’-联吡啶15mg混合，研磨后，装入带有抽气头的小梨形瓶中，用旋片真空泵抽真空1h，真空度为1Pa，再在温度70℃条件下恒温加热48h，然后取出产物，用四氢呋喃洗涤以除去未掺杂入沸石孔穴中的有机物，再在真空度为133Pa的真空箱中，室温下干燥24h，最终制得纳米孔道中含有发光稀土有机配合物的L型沸石，实际所用原料的量则根据实际需要按比例增加或减少。
在上述一种沸石单层薄膜的制备方法中，所述的发光分子连接体为发光分子连接体为用公知方法制得的如上面化学结构式所示的发光分子连接体(1)～(8)中的任意一种。
在上述一种沸石单层薄膜的制备方法中，所述的沸石晶体长为0.9～1.0μm，直径为0.7～0.8μm。
在上述一种沸石单层薄膜的制备方法中，所述普通石英片或玻璃片载体的大小为20mm×10mm×1mm。
本发明的有益效果是：
(1)本发明是将易于跟沸石晶体和载体形成共价健的发光分子连接体，与L型沸石和载体设计定向合成，实现了c-轴取向，并实现稀土有机配合物客体分子在单层薄膜中的超分子组装，由此首次制得了发光c-轴取向L型沸石的单层薄膜。该产品可以将染料分子填充在L型沸石晶体的管道中制成可以进行光化学转换和贮存太阳能的系统，用于制备光电池、高立体分辨率电子屏幕。因此本发明具有突出的实质性特点和显著的进步。
(2)在本发明L型沸石单层薄膜的制备方法中，通过调控分子筛孔道中稀土配合物的种类可以对薄膜的发光颜色进行剪裁和调控，并且该种薄膜热稳定高，保持了稀土离子优异的发光性能。例如：若L型沸石纳米孔道内含有发光稀土Eu3+配合物的L型沸石(Zeo-Eu-Bipy或Zeo-Eu-TTA)，薄膜的发光颜色为红色，即为稀土离子Eu3+在612nm处的特征发射峰。若L型沸石纳米孔道内含有发光稀土Tb3+配合物的L型沸石(Zeo-Tb-Bipy)，薄膜的发光颜色为绿色，即为稀土离子Tb3+在544nm处的特征发射峰。Bipy为2，2’-联吡啶的英文名称的缩写，TTA为2-噻吩甲酰三氟丙酮的英文名称的缩写。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明做进一步说明
图1为本发明实施例1产物L型沸石单层薄膜的扫描电镜照片。
图2为本发明实施例2产物L型沸石单层薄膜的激发和发射光谱。
图3为本发明实施例3产物L型沸石单层薄膜的激发和发射光谱。
图4为本发明实施例4产物L型沸石单层薄膜的激发和发射光谱。
图5为本发明实施例9产物L型沸石单层薄膜中Ln＝Eu的激发和发射光谱。
图6为本发明实施例9产物L型沸石单层薄膜中Ln＝Tb的激发和发射光谱。
具体实施方式
按文献：刘丰祎，符连社，王俊，张洪杰，化学通报，2003，6：382-387；Benyahya S，Monnier F，Taillefer M，et al，Adv.Synth.Catal.，2008，350：22提供的方法，分别制备上述化学结构式所示的发光分子连接体(1)～(8)，以分别作为下例各实施例的原料之一。
实施例1
第一步，在氮气的保护下，将5片大小为20mm×10mm×1mm的普通石英片载体放入10mL溶有发光分子连接体(1)的浓度为0.1mol/L的N，N-二甲基甲酰胺溶液中，在温度130℃的条件下，回流3h后，将该普通石英片载体取出，先后用甲苯和乙醇清洗，晾干，待用；
第二步，取5mg晶体长为0.9～1.0μm，直径为0.7～0.8μm的L型沸石晶体置于5mL干甲苯中，超声分散15分钟后，将第一步处理好的普通石英片载体浸入该混合液中超声振荡15分钟，取出该浸渍后的普通石英片载体，再置于干甲苯中超声振荡5秒钟以除去物理吸附在表面的沸石微晶体，即制得发光c-轴取向L型沸石单层薄膜。
图1为本实施例产物L型沸石单层薄膜的扫描电镜照片，其中a为放大倍率为10000倍的L型沸石单层薄膜扫描电镜照片，b为放大倍率为2000倍的L型沸石单层薄膜扫描电镜照片，它表明在本实施所制得的发光c-轴取向L型沸石单层薄膜中，几乎所有沸石微晶体都采取c-轴取向垂直于载体表面，且沸石与沸石之间排列比较紧密，沸石在载体表面上有较高的覆盖度。
实施例2
取L型沸石晶体100mg，加到10mL浓度为0.1mol/L的EuCl3溶液中，于80℃下搅拌24h后，离心分离，弃去上层清液，将沉淀物在干燥箱中于80℃下干燥3h，得到掺杂Eu3+的L型沸石，取该掺杂Eu3+的L型沸石50mg与有机配体2，2’-联吡啶15mg混合，研磨后，装入带有抽气头的小梨形瓶中，用旋片真空泵抽真空1h，真空度为1Pa，再在温度70℃条件下恒温加热48h，然后取出产物，用四氢呋喃洗涤以除去未掺杂入沸石孔穴中的有机物，再在真空度为133Pa的真空箱中，室温下干燥24h，制得纳米孔道中含有发光稀土Eu有机配合物的L型沸石Zeo-Eu-Bipy。
用上述制得的纳米孔道中含有发光稀土Eu配合物的L型沸石Zeo-Eu-Bipy替换实施例1第二步中的L型沸石晶体，其余过程均同实施例1，最终制得发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，其激发和发射光谱见图2，在该发射光谱中，稀土离子Eu3+在612nm处的红光特征发射峰最高，即薄膜的发光颜色为红色。
实施例3
用TbCl3替换实施例2中的EuCl3，其余工艺过程同实施例2，制得纳米孔道中含有发光稀土Tb有机配合物的L型沸石Zeo-Tb-Bipy。
用上述制得的纳米孔道中含有发光稀土Tb有机配合物的L型沸石Zeo-Tb-Bipy替换实施例1第二步中的L型沸石晶体，其余过程均同实施例1，最终制得发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，其激发和发射光谱见图3，在该发射光谱中，稀土离子Tb3+在544nm处的绿光特征发射峰最高，即薄膜的发光颜色为绿色。
实施例4
用有机配体2-噻吩甲酰三氟丙酮替换2，2’-联吡啶，其余过程同实施例2，制得纳米孔道中含有发光稀土Eu有机配合物的L型沸石Zeo-Eu-TTA。
用上述制得的纳米孔道中含有发光稀土Eu有机配合物的L型沸石Zeo-Eu-TTA替换实施例1第二步中的L型沸石晶体，其余过程均同实施例1，最终制得发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，其激发和发射光谱见图4，在该发射光谱中，稀土离子Eu3+在612nm处的红光特征发射峰最高，即薄膜的发光颜色为红色。
实施例5
将实施例1第一步中的发光分子连接体(1)换为发光分子连接体(2)，其余过程同实施例1，制得发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，该单层薄膜中的沸石晶体取向、沸石间的紧密排列程度及在玻璃片上的覆盖度同实施例1。该单层薄膜的最大发射波长位于460nm。
实施例6
将实施例1第一步中的发光分子连接体(1)换为发光分子连接体(3)，其余过程同实施例1，制得发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，该单层薄膜中的沸石晶体取向、沸石间的紧密排列程度及在玻璃片上的覆盖度同实施例1。该单层薄膜的最大发射波长位于460nm。
实施例7
将实施例1第一步中的发光分子连接体(1)换为发光分子连接体(4)，其余过程同实施例1，制得发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，该单层薄膜中的沸石晶体取向、沸石间的紧密排列程度及在玻璃片上的覆盖度同实施例1。该单层薄膜的最大发射波长位于460nm。
实施例8
将实施例1第一步中的发光分子连接体(1)换为发光分子连接体(5)，其余过程同实施例1，制得发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，该单层薄膜中的沸石晶体取向、沸石间的紧密排列程度及在玻璃片上的覆盖度同实施例1。当发光分子连接体(5)中Ln＝Eu时，该单层薄膜的最大发射波长位于612nm；当发光分子连接体(5)中Ln＝Tb时，该单层薄膜的最大发射波长位于544nm。
实施例9
将实施例1第一步中的发光分子连接体(1)换为发光分子连接体(6)，其余过程同实施例1，制得发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，该单层薄膜中的沸石晶体取向、沸石间的紧密排列程度及在玻璃片上的覆盖度同实施例1。当发光分子连接体(6)中Ln＝Eu时，该单层薄膜在紫外灯照射下发出明亮的红光，其激发和发射光谱见图5，该单层薄膜的最大发射波长位于612nm；当发光分子连接体(6)中Ln＝Tb时，该单层薄膜在紫外灯照射下发出明亮的绿光，其激发和发射光谱见图6，该单层薄膜的最大发射波长位于544nm。
实施例10
将实施例1第一步中的发光分子连接体(1)换为发光分子连接体(7)，其余过程同实施例1，制得发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，该单层薄膜中的沸石晶体取向、沸石间的紧密排列程度及在玻璃片上的覆盖度同实施例1。当发光分子连接体(7)中Ln＝Eu时，该单层薄膜的最大发射波长位于612nm；当发光分子连接体(7)中Ln＝Tb时，该单层薄膜的最大发射波长位于544nm。
实施例11
将实施例1第一步中的发光分子连接体(1)换为发光分子连接体(8)，其余过程同实施例1，制得发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，该单层薄膜中的沸石晶体取向、沸石间的紧密排列程度及在玻璃片上的覆盖度同实施例1。当发光分子连接体(8)中Ln＝Eu时，该单层薄膜的最大发射波长位于612nm；当发光分子连接体(8)中Ln＝Tb时，该单层薄膜的最大发射波长位于544nm。
实施例12
将L型沸石换为Zeo-Tb-Bipy，发光分子连接体(5)中Ln＝Eu，其余过程同实施例8。制得发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，该单层薄膜中的沸石晶体取向，沸石间的紧密排列程度及在玻璃片上的覆盖度同实例1。该单层薄膜的最大发射波长位于612nm。
实施例13
将L型沸石换为Zeo-Eu-Bipy，发光分子连接体(5)中Ln＝Tb，其余过程同实施例8。制得发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，该单层薄膜中的沸石晶体取向，沸石间的紧密排列程度及在玻璃片上的覆盖度同实例1。该单层薄膜的最大发射波长位于544nm。
实施例14
将L型沸石换为Zeo-Eu-TTA，发光分子连接体(5)中Ln＝Tb，其余过程同实施例8。制得发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，该单层薄膜中的沸石晶体取向，沸石间的紧密排列程度及在玻璃片上的覆盖度同实例1。该单层薄膜的最大发射波长位于544nm。
实施例15
将L型沸石换为Zeo-Eu-Bipy，发光分子连接体(6)中Ln＝Tb，其余过程同实施例9。制得发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，该单层薄膜中的沸石晶体取向，沸石间的紧密排列程度及在玻璃片上的覆盖度同实例1。该单层薄膜的最大发射波长位于544nm。
实施例16
将L型沸石换为Zeo-Eu-TTA，发光分子连接体(6)中Ln＝T，其余过程同实施例9b。制得发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，该单层薄膜中的沸石晶体取向，沸石间的紧密排列程度及在玻璃片上的覆盖度同实例1。该单层薄膜的最大发射波长位于544nm。
实施例17
将L型沸石换为Zeo-Tb-Bipy，发光分子连接体(6)中Ln＝Eu，其余过程同实施例9。制得发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，该单层薄膜中的沸石晶体取向，沸石间的紧密排列程度及在玻璃片上的覆盖度同实例1。该单层薄膜的最大发射波长位于612nm。
实施例18
将L型沸石换为Zeo-Eu-Bipy，发光分子连接体(7)中Ln＝Tb，其余过程同实施例10。制得发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，该单层薄膜中的沸石晶体取向，沸石间的紧密排列程度及在玻璃片上的覆盖度同实例1。该单层薄膜的最大发射波长位于544nm。
实施例19
将L型沸石换为Zeo-Eu-TTA，发光分子连接体(7)中Ln＝Tb，其余过程同实施例10。制得发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，该单层薄膜中的沸石晶体取向，沸石间的紧密排列程度及在玻璃片上的覆盖度同实例1。该单层薄膜的最大发射波长位于544nm。
实施例20
将L型沸石换为Zeo-Tb-Bipy，发光分子连接体(7)中Ln＝Eu，其余过程同实施例10。制得发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，该单层薄膜中的沸石晶体取向，沸石间的紧密排列程度及在玻璃片上的覆盖度同实例1。该单层薄膜的最大发射波长位于612nm。
实施例21
将L型沸石换为Zeo-Eu-Bipy，发光分子连接体(8)中Ln＝Tb，其余过程同实施例11。制得发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，该单层薄膜中的沸石晶体取向，沸石间的紧密排列程度及在玻璃片上的覆盖度同实例1。该单层薄膜的最大发射波长位于544nm。
实施例22
将L型沸石换为Zeo-Eu-TTA，发光分子连接体(8)中Ln＝Tb，其余过程同实施例11。制得发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，该单层薄膜中的沸石晶体取向，沸石间的紧密排列程度及在玻璃片上的覆盖度同实例1。该单层薄膜的最大发射波长位于544nm。
实施例23
将L型沸石换为Zeo-Tb-Bipy，发光分子连接体(8)中Ln＝Eu，其余过程同实施例11。制得发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，该单层薄膜中的沸石晶体取向，沸石间的紧密排列程度及在玻璃片上的覆盖度同实例1。该单层薄膜的最大发射波长位于612nm。
在以上实施例中，通过变换发光分子连接体和调控分子筛孔道中发光稀土配合物的种类实现了对薄膜的发光颜色从红光到绿光调控；同时得到了发光谱带窄，色纯度高，色彩鲜艳的发光效果。
Claims (6)
1.一种沸石单层薄膜，其特征在于：它是一种发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，由载体、发光分子连接体和沸石组成，其中载体为普通石英片或玻璃片；发光分子连接体为(OR)3Si-FG-Si(OR)3或(OR)3Si-FG-RE-FG-Si(OR)3，其中R为含1～4个碳的烷基，FG为芳香类的发光基团，RE为稀土离子Eu3+或Tb3+；沸石为L型沸石或纳米孔道中含有发光稀土有机配合物的L型沸石，该发光稀土有机配合物由稀土离子和有机配体组成，稀土离子为Eu3+或Tb3+，有机配体为2-噻吩甲酰三氟丙酮或2，2’-联吡啶；载体、发光分子连接体和沸石的组成配比为：1cm2载体负载有0.01μg～1.00μg发光分子连接体和0.01mg～0.1mg沸石；所述纳米孔道中含有发光稀土有机配合物的L型沸石的组成由其原料种类和用量所确定，具体是：100mg L型沸石加入10mL的浓度为0.1mol/L的EuCl3或TbCl3溶液，由此形成掺杂Eu3+或Tb3+的L型沸石，取该掺杂Eu3+或Tb3+的L型沸石50mg与有机配体2-噻吩甲酰三氟丙酮或2，2’-联吡啶15mg混合，最终制得纳米孔道中含有发光稀土有机配合物的L型沸石，实际所用原料的量则根据实际需要按上述原料用量的比例增加或减少。
2.根据权利要求1所述一种沸石单层薄膜，其特征在于：所述其组成中的发光分子连接体为具有下面化学结构式(1)～(8)中的任意一种，
上述化学结构式(5)、(6)、(7)和(8)中，Ln为Eu或Tb。
3.一种沸石单层薄膜的制备方法，其特征在于步骤如下：
第一步，在氮气的保护下，将普通石英片或玻璃片载体放入溶有发光分子连接体的N，N-二甲基甲酰胺溶液中，其配比为1cm2载体放入1mL的浓度为0.1mol/L的发光分子连接体的N，N-二甲基甲酰胺溶液中，在温度130℃的条件下，回流3h后，将该普通石英片或玻璃片载体取出，先后用甲苯和乙醇清洗，晾干，待用；
第二步，按配比为1mL干甲苯中加入1mg沸石晶体，取沸石晶体置于干甲苯中得到混合液，超声分散15分钟后，将第一步处理好的普通石英片或玻璃片载体浸入该混合液中超声振荡15分钟，取出该浸渍后的普通石英片或玻璃片载体，再浸入干甲苯中超声振荡5秒钟，即制得一种发光c-轴取向L型沸石单层薄膜，这里所述的沸石为L型沸石或纳米孔道中含有发光稀土有机配合物的L型沸石；
上面所述的纳米孔道中含有发光稀土有机配合物的L型沸石的制备方法为：
取L型沸石晶体100mg，加到10mL浓度为0.1mol/L的EuCl3或TbCl3溶液中，于80℃下搅拌24h后，离心分离，弃去上层清液，将沉淀物在干燥箱中于80℃下干燥3h，得到掺杂Eu3+或Tb3+的L型沸石，取该掺杂Eu3+或Tb3+的L型沸石50mg与有机配体2-噻吩甲酰三氟丙酮或2，2’-联吡啶15mg混合，研磨后，装入带有抽气头的小梨形瓶中，用旋片真空泵抽真空1h，真空度为1Pa，再在温度70℃条件下恒温加热48h，然后取出产物，用四氢呋喃洗涤以除去未掺杂入沸石孔穴中的有机物，再在真空度为133Pa的真空箱中，室温下干燥24h，最终制得纳米孔道中含有发光稀土有机配合物的L型沸石，实际所用原料的量则根据实际需要按比例增加或减少。
4.根据权利要求3所述一种沸石单层薄膜的制备方法，其特征在于：所述的发光分子连接体为用公知方法制得的具有下面化学结构式(1)～(8)中的任意一种，
上述化学结构式(5)、(6)、(7)和(8)中，Ln为Eu或Tb。
5.根据权利要求3所述一种沸石单层薄膜的制备方法，其特征在于：所述的沸石晶体长为0.9～1.0μm，直径为0.7～0.8μm。
6.根据权利要求3所述一种沸石单层薄膜的制备方法，其特征在于：所述普通石英片或玻璃片载体的大小为20mm×10mm×1mm。
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