CN101587275A - 电光装置及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供电光装置和电子设备，在液晶装置等的电光装置中，以短板式进行高品质的彩色显示，谋求高精细化。电光装置在基板(10)上，具备：多条扫描线(11)及数据线(6)；多个子像素部(70)，与R、G或B对应；以及采样机构，其中排列成一列的三个采样电路(71)被排列有多个。采样电路包括薄膜晶体管，并且以共用的形式具有栅电极(72)，与源或漏电连接的图像信号线包括与栅电极重叠的重叠部分。

Description

电光装置及电子设备

技术领域

本发明涉及例如能够以短板式进行彩色显示的液晶装置等电光装置及具备那种电光装置的如液晶投影机等电子设备的技术领域。

背景技术

在这种电光装置中，构成一个像素部的按RGB(也就是红色、绿色、蓝色)区分的三个子像素部典型的是，在一个像素内按横向或者X方向来排列。按RGB区分的图像信号经由相邻的三根数据线，同时被供给这三个子像素部。再者，在从提高驱动频率等的目的出发，利用串-并行变换或者展开(也就是相展开)时，按RGB区分的图像信号对按横向排列的多个像素部同时供给。特别是，为了减小这样供给图像信号时易于发生的RGB序列内的纵向条纹，人们还提出了一种在数据线或者源线上安装附加电容的技术(参见专利文献1)。

专利文献1：特开2007-256909号公报

就这种电光装置而言，若在高精细化这样的一般性要求下减小了像素间距，则在以相同间距按横向排列的原状下将按RGB区分地设置的采样电路形成于基板上变得非常困难。对此，首先根据本申请发明人的研究，可以考虑将按RGB区分的三个采样电路按纵向排列，也就是说按纵向分为三段来形成。

但是，在背景技术等的电光装置中，若形成了三段的采样电路，则在三段采样电路的相互间，在直到到达数据线为止的布线长度、布线路径及寄生电容等上产生不能忽视的差。因而，不仅仅是RGB的序列内，序列间的条纹不匀，换言之纵向条纹也时大时小地发生。特别是，如同典型的那样，若用薄膜晶体管构成了采样电路，则在RGB的序列间在源的下推(push down)量上产生不能忽视的差。因此，由于例如对液晶的局部直流分量的施加，或者因在对向电极的电位设定中产生紊乱，而存在图像残留也变得易于发生这样的技术性问题所在。

发明内容

本发明是例如鉴于上述问题所在而做出的，其目的为，提供一种能够以短板式进行高品质彩色显示、而且适合于高精细化的电光装置及具备那种电光装置的电子设备。

本发明的第一电光装置为了解决上述问题，其特征为，在基板上具备：多条扫描线，在像素区域沿着第一方向分别延伸且按与该第一方向交叉的第二方向来排列，用来依次供给扫描信号；多条数据线，在上述像素区域沿着上述第二方向分别延伸且沿着上述第一方向来排列，用来供给按RGB区分的图像信号；多个子像素部，对应于上述多条数据线及上述多条扫描线的交叉处按每个子像素设置，各自与R、G或B对应；以及采样机构，构成为，对上述多条数据线之中的与R、G及B对应的三根相邻的数据线供给上述图像信号并且沿着上述第二方向排列成一列的三个采样电路沿着上述第一方向被排列多个；上述三个采样电路分别包括薄膜晶体管，并且以共用的形式具有沿着上述第二方向延伸的栅电极，在上述三个采样电路的各自中，与上述薄膜晶体管的源或漏电连接并且用来供给采样前或后的上述图像信号的图像信号线，在上述基板上从俯视方向看，包括与上述栅电极重叠且沿着上述第二方向延伸的重叠部分。

根据本发明的第一电光装置，在其工作时，若输入输出了例如电源信号、数据信号、控制信号等的各种信号，则通过例如基板上所形成的内置驱动电路或者外附的驱动电路，对扫描线依次供给扫描信号。与之并行地，图像信号对数据线，例如按相邻的每三根数据线同时供给，或者再通过串-并行变换或展开，按每3×n(其中n为大于等于2的自然数)根数据线同时供给。具体而言，从沿着第二方向(也就是说，典型的是纵向或者Y方向)排列成一列的三个采样电路，对与R、G、B对应的三根相邻的数据线，同时或者依次供给按RGB区分的图像信号。通过这样的各种信号输入输出，在第一电光装置中，例如液晶显示、EL(Electro Luminescence)显示、等离子体显示等的电光工作在有源矩阵方式下进行。在本发明中特别是，在像素区域典型的是，按RGB(红绿蓝)区分的滤色器按每个像素设置，在各像素中，能够利用由按RGB区分的三个子像素部构成的像素部，以像素为单位进行因RGB的合成而产生的彩色显示，在像素区域整体上以短板式进行彩色显示或全彩色显示。

还有，在本申请中，所谓的“像素区域”指的并不是各个像素占据的区域，而指的是由纵横排列的多个像素构成的区域整体，典型的是指的是“图像显示区域”。

这里，在本发明中特别是，三个采样电路分别包括：具有与作为像素开关用元件的薄膜晶体管相同或不同的叠层结构的薄膜晶体管，以共用的形式具有沿着第二方向延伸的栅电极。而且，与薄膜晶体管的源或漏电连接的图像信号线为了供给采样前或采样后的图像信号，包括与栅电极重叠且沿着第二方向延伸的重叠部分。从而，对于图像信号线的宽度方向来说，因为包括重叠部分，所以与没有重叠部分并且图像信号线全部在薄膜晶体管的侧部通过的情形进行比较，宽度可以非常窄。因而，由于易于适应像素间距或数据线布线间距的微细化、易于收窄采样机构的宽度，因而能实现非常适于高精细化的采样机构。

还有，三根相邻的数据线相互间的还包括因图像信号线而产生的作用量在内的寄生电容之差很可能因重叠部分的存在而增大。但是，例如通过较大地取重叠部分及栅电极间的层间距离(例如介于双方间的层间绝缘膜的膜厚度)，或在双方间设置电磁屏蔽层，或者在如同下述方式那样将附加电容按每条数据线设置并且调整其电容值以便该寄生电容之差变小，就可以减小该寄生电容之差。也就是说，能够比较容易地将因该寄生电容之差引起的纵向条纹或图像残留防止于未然或者减小。

这样，根据本发明，能够容易地谋求高精细化，并且以短板式进行高品质的彩色显示。

在本发明的第一电光装置的一个方式中，还具备附加电容，附加电容与上述多条数据线分别电连接；以减小上述三根相邻的数据线相互间的还包括因与各自电连接的上述图像信号线而产生的作用量在内的寄生电容之差的方式，使上述附加电容的值在上述相互间为不同的值。

根据该方式，即使三根相邻的数据线相互间的寄生电容之差因重叠部分的存在而增大，也可以通过以使得该寄生电容之差变小的方式调整按每条数据线所设置的附加电容的电容值，来减小该寄生电容之差。也就是说，可以将因该寄生电容之差引起的纵向条纹或图像残留防止于未然或者减小。附加电容优选的是，形成于数据线的前端、基端等的像素区域上的不影响显示工作等电光工作的区域内。

在该方式中，上述附加电容也可以构成为，通过使下述一个电容电极和另一电容电极相对向来形成，上述一个电容电极电连接于设置在与上述基板成对的对向基板上的对向电极，另一电容电极设置于上述多条数据线的前端；通过使上述一个及另一电容电极的平面尺寸在上述相互间不同，来减小上述差。

只要按上述方法来构成，则典型的是，可以利用与下述对向电极电连接的一个电容电极，实现附加电容，上述对向电极被降低为被称为LCCOM等的固定电位或者作为按一定周期进行矩形波反相的预定电位的对向电极电位。此时，由于只通过变更电容电极的平面尺寸，就可以减小上述寄生电容之差，因而实施非常容易。

在本发明第一电光装置的其他方式中，上述多个子像素部其沿着上述第二方向排列成一列的与R对应的列、沿着上述第二方向排列成一列的与G对应的列以及沿着上述第二方向排列成一列的与B对应的列，按顺序沿着上述第一方向来排列。

上述三根数据线之中，上述与R对应的一根数据线电连接到上述与R对应的列，上述与G对应的一根数据线电连接到上述与G对应的列，上述用来供给B图像信号的一根数据线电连接到上述与B对应的列，由上述多个子像素部之中的与上述三根数据线电连接并且沿着上述第一方向相邻的三个子像素部，构成一个像素部。

根据该方式，能够沿着第二方向，也就是说典型的是采用纵向带状的所谓“带状排列”的滤色器，并且将由按RGB区分的三个子像素部分别构成的像素部作为像素，进行彩色显示。此时，由于纵向条纹、图像残留得以减小，因而能够进行高品质的彩色显示，并且也易于实现高精细度。

在本发明第一电光装置的其他方式中，与上述三个采样电路之中的一个采样电路有关的上述图像信号线在上述基板上从俯视方向看，具有沿着上述第二方向通过构成上述三个采样电路之中的其它采样电路的上述薄膜晶体管的侧部的部分。

根据该方式，在基板上从俯视方向看，对于形成与对应于R、G及B的三根相邻的数据线连接的各采样电路的周边区域部分，采样电路靠近一方的单侧，并且通过的部分靠近另一方的单侧。因此，对于该周边区域部分来说，采样电路及图像信号线的布局效率非常高。

在该方式中，上述采样机构及上述图像信号线也可以构成为，上述通过的部分配置为，通过作为上述侧部的、对于上述三个采样电路处于同一侧的侧部。

如果按上述方法来构成，在基板上从俯视方向看，对于形成连接于与R、G及B对应的三根相邻的数据线的三个采样电路的周边区域部分，采样电路靠近一方的单侧，并且通过的部分靠近另一方的单侧。因而，对于该周边区域部分来说，采样电路及图像信号线的布局效率非常高。再者，由于该周边区域部分沿着第一方向排列了多个，因而在周边区域的整个区域上，采样电路及图像信号线的布局效率也非常高。

在本发明第一电光装置的其他方式中，上述薄膜晶体管在上述基板上，按照包括沟道区域、上述源及上述漏的半导体层、栅绝缘膜及上述栅电极的顺序进行了叠层，在上述栅电极之上，一个层间绝缘膜及构成上述图像信号线的一个导电膜按该顺序进行了叠层。

根据该方式，在基板上，按照构成薄膜晶体管的半导体层、栅绝缘膜、栅电极、一个层间绝缘膜及构成图像信号线的一个导电膜的顺序将它们进行了叠层，可以使基板上的叠层结构及制造工艺简单化，在实践上非常有用。

在该方式中，也可以还具备中继布线，该中继布线在上述一个导电膜及上述栅电极间通过上述一个层间绝缘膜及其它层间绝缘膜来夹持，并且由其它导电膜构成，对上述图像信号线进行中继连接。

如果按上述方法来构成，则可以利用中继布线，对于相互不同的图像信号线交叉的部位也无问题地构建被电连接的状态，因此在实践上是非常有用的。还有，这种中继布线既可以由导电性金属膜构成，也可以由导电性多晶硅等非金属性的导电性材料构成。

本发明的第二电光装置用来解决上述问题，其特征为，在基板上具备：多条扫描线，在像素区域上沿着第一方向分别延伸且按与该第一方向交叉的第二方向来排列，用来依次供给扫描信号；多条数据线，在上述像素区域上沿着上述第二方向分别延伸且沿着上述第一方向来排列，用来供给按RGB区分的图像信号；多个子像素部，对应于上述多条数据线及上述多条扫描线的交叉处按每一子像素设置，各自与R、G或B对应；采样机构，其构成为，对上述多条数据线之中的与R、G及B对应的三根相邻的数据线供给上述图像信号并且沿着上述第二方向排列成一列的三个采样电路沿着上述第一方向被排列多个；以及附加电容，与上述多条数据线分别电连接；以减小上述三根相邻的数据线相互间的还包括因与各自电连接的上述图像信号线而产生的作用量在内的寄生电容之差的方式，使上述附加电容的值在上述相互间为不同的值。

根据本发明的第二电光装置，在其工作时，和上述本发明所涉及的第一电光装置的情形相同，例如液晶显示、EL(Electro Luminescence)显示、等离子体显示等的电光工作在有源矩阵方式下进行。

这里，在本发明中特别是，附加电容分别电连接到多条数据线，而且以减小三根相邻的数据线相互间的还包括因图像信号线而产生的作用量在内的寄生电容之差的方式，使附加电容的值在相互间为不同的值。从而，即使三根相邻的数据线相互间的寄生电容之差大到不能忽略的程度，也可以通过调整按每条数据线所设置的附加电容的电容值以便该寄生电容之差变小，来减小该寄生电容之差。也就是说，可以将因该寄生电容之差引起的纵向条纹或图像残留防止于未然或者减小。附加电容优选的是，可以形成于数据线的前端、基端等的像素区域上的不影响显示工作等电光工作的区域内。

这样，根据本发明，能够容易地谋求高精细化，并且能以短板式进行高品质的彩色显示。

本发明的电子设备为了解决上述问题，具备上述本发明的电光装置(其中，包括其各种方式)。

根据本发明的电子设备，由于具备上述本发明的电光装置，因而能够实现可进行高品质图像显示的投影型显示装置、电视机、便携电话机、电子记事本、文字处理机、取景器式或者监视器直观式的磁带录像器、工作站、电视电话机、POS终端及触摸面板等的各种电子设备。另外，作为本发明的电子设备，例如还能够实现电子纸张等的电泳装置、电子发射装置(Field Emission Display及Conduction Electron-Emitter Display)以及使用这些电泳装置、电子发射装置的显示装置。

本发明的作用及其他优势将通过下面说明的用来实施的最佳方式得以明确。

附图说明

图1是表示本实施方式所涉及的液晶装置的俯视图。

图2是图1的H-H′剖面图。

图3是表示本实施方式所涉及的液晶装置的电构成的框图。

图4是概略表示本实施方式所涉及的液晶装置的采样晶体管的布局的俯视图。

图5是表示本实施方式所涉及的液晶装置的采样晶体管的布线布局的俯视图。

图6是图5的V1-V1′剖面图。

图7是图5的V2-V2′剖面图。

图8是本实施方式的图像显示区域的周边区域的采样晶体管71和附加电容120的等效电路。

图9是本实施方式的图像显示区域的周边区域的附加电容的剖面图。

图10是在本实施方式的图像显示区域的周边区域，表示附加电容的电极面积的变形例的剖面图。

图11是表示作为使用液晶装置的电子设备一例的投影机的构成的俯视图。

图12是表示作为使用液晶装置的电子设备一例的便携电话机的构成的立体图。

符号说明

6a数据线，11扫描线，9像素电极，10TFT阵列基板，10a图像显示区域，20对向基板，23遮光膜，26滤色器，30TFT，50液晶层，70子像素，71采样电路，72栅电极，100电光装置

具体实施方式

下面，对于本发明的实施方式，一面参照附图一面进行说明。

<1：电光装置>

以作为本发明电光装置一例的驱动电路内置型TFT有源矩阵驱动方式的液晶装置100为例，进行说明。

首先，对于本实施方式所涉及的液晶装置100的具体构成，参照图1及图2进行说明。这里，图1是表示液晶装置100整体构成的俯视图，图2是图1的H-H′线剖面图。

在图1及图2中，在本实施方式所涉及的电光装置内，TFT阵列基板10和对向基板20对向配置。在TFT阵列基板10和对向基板20之间封入液晶层50。液晶层50例如由一种或者混合了数种向列型液晶后的液晶来形成。TFT阵列基板10和对向基板20通过设置于下述密封区域的密封件52相互粘接，该密封区域位于设置多个像素部的作为“显示区域”的图像显示区域10a周围。

密封件52由用来粘合两个基板的例如紫外线固化树脂、热固化树脂等形成，在制造过程中涂敷到TFT阵列基板10上之后，通过紫外线照射、加热等使之固化。在密封件52中，散布着用来使TFT阵列基板10和对向基板20之间的间隔成为预定值的玻璃丝、玻璃珠等间隙件。还有，也可以除了将间隙件混入密封件52中之外还采用下述构成或者取而代之来采用下述构成，该构成为：将间隙件配置于图像显示区域10a或者位于图像显示区域10a周围的周边区域。

与配置有密封件52的密封区域内侧并行，规定图像显示区域10a边框区域的遮光性边框遮光膜53设置在对向基板20侧。但是，这种边框遮光膜53的一部分或全部也可以设置于TFT阵列基板10侧来作为内置遮光膜。还有，存在位于图像显示区域10a周边的周边区域。换言之，在本实施方式中特别是，从TFT阵列基板10的中心看上去，从该边框遮光膜53往外的区域被规定为周边区域。

在周边区域之中，在位于配置有密封件52的密封区域外侧的区域，数据线驱动电路101及连接端子102沿着TFT阵列基板10的一边进行设置。扫描线驱动电路104沿着与该一边相邻的2边，且被边框遮光膜53覆盖地来设置。

在TFT阵列基板10上，在与对向基板20的4个边角部对向的区域配置用来通过上下导通件107连接两个基板间的上下导通端子106。借此，可以在TFT阵列基板10和对向基板20之间取得电导通。

在图2中，在TFT阵列基板10上，形成有像素开关用TFT和扫描线、数据线等布线的叠层结构得以形成。在图像显示区域10a，在像素开关用TFT和扫描线、数据线等布线的上层，像素电极9a设置成矩阵状。

还有，在TFT阵列基板10上，除了数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104等的驱动电路之外，还形成对图像信号线上的图像信号进行采样将其供给数据线的采样电路71。此外，在该TFT阵列基板10上，还可以形成：预充电电路，先于图像信号给多条数据线分别供给预定电压电平的预充电信号；检查电路，用来检查制造过程中、出厂时该电光装置的品质、缺陷等；等。

另一方面，在对向基板20中的、与TFT阵列基板10的对向面上，按预定的厚度以与各像素电极9对向的方式形成滤色器26。在本实施方式中，1个单位像素由3个子像素构成，按该子像素的每个设置上述像素电极9、像素开关用TFT及滤色器26等。在构成单位像素的3个子像素中，分别设置红色(R)的滤色器、绿色(G)的滤色器及蓝色(B)的滤色器。红色的滤色器用来只使红色的光(也就是，例如具有625～740nm波长的光)通过，绿色的滤色器用来只使绿色的光(也就是，例如具有500～565nm波长的光)通过，蓝色的滤色器用来只使蓝色的光(也就是，例如具有450～485nm波长的光)通过。还有，滤色器26也可以设置于TFT阵列基板10侧。

在对向基板20形成遮光膜23。遮光膜23例如由遮光性金属膜等形成，在对向基板20上的图像显示区域10a内按格子状等进行了图形形成。而且，在滤色器26及遮光膜23上所形成的保护膜(图示省略)上，由ITO(IndiumTin Oxide，氧化铟锡)等透明材料构成的对向电极21，与TFT阵列基板10侧所形成的多个像素电极9对向，形成为整面状。

下面，对于本实施方式所涉及的液晶装置的电构成，参照图3进行说明。这里，图3是表示本实施方式所涉及的液晶装置100的电构成的框图。

如图3所示，液晶装置100的TFT阵列基板10在图像显示区域10a上，具备按纵横布线的数据线6(也就是数据线6R、6G及6B)及扫描线11，对应于它们的交叉处形成子像素70。各子像素70具备液晶元件118的像素电极9、用来对像素电极9进行开关控制的TFT30及存储电容119。还有，在本实施方式中，将扫描线11的总根数设为m根(其中，m是大于等于2的自然数)，将数据线6的总根数设为n根(其中，n是大于等于2的自然数)，进行说明。

在本实施方式中，单位像素80由按扫描线11延伸的方向(也就是X方向)相互相邻的3个子像素70(也就是子像素70R、70G及70B)构成，在对向基板20侧，与子像素70R的像素电极9对向地设置红色的滤色器26，与子像素70G的像素电极9对向地设置绿色的滤色器26，与子像素70B的像素电极9对向地设置蓝色的滤色器26。因此，能够实现每一单位像素80的彩色显示。

红色、绿色及蓝色的滤色器26设置成沿着数据线6延伸的方向(也就是Y方向)的带状。在一条数据线6上，电连接红色、绿色及蓝色任一色的子像素70。也就是说，在数据线6R上电连接红色的子像素70R，在数据线6G上电连接绿色的子像素70G，在数据线6B上电连接蓝色的子像素70B。

如图3所示，液晶装置100在其TFT阵列基板10上的周边区域，具备扫描线驱动电路104、数据线驱动电路101、采样电路71及图像信号线500。

对扫描线驱动电路104，从外部电路经由外部电路连接端子102(参见图1)供给Y时钟信号CLY、反相Y时钟信号CLYinv及Y启动脉冲DY。扫描线驱动电路104若被输入了Y启动脉冲DY，则按基于Y时钟信号CLY及反相Y时钟信号CLYinv的定时，依次生成扫描信号Y1、…、Ym，进行输出。

对数据线驱动电路101，从外部电路经由外部电路连接端子102(参见图1)供给X时钟信号CLX、反相X时钟信号CLXinv及X启动脉冲DX。数据线驱动电路101若被输入了X启动脉冲DX，则按基于X时钟信号CLX及反相X时钟信号CLXinv的定时，依次生成采样信号S1、…、Sn，进行输出。

采样电路71具备按每条数据线6设置的多个薄膜晶体管71(下面称为采样晶体管)。更为详细而言，采样电路71具备：多个采样晶体管71R，按与红色的子像素70R电连接的每条数据线6R设置；多个采样晶体管71G，按与绿色的子像素70G电连接的每条数据线6G设置；以及多个采样晶体管71B，按与蓝色的子像素70B电连接的每条数据线6B设置。还有，有关采样晶体管71R、71G及71B的TFT阵列基板10上的布局，将在下面进行详细说明。

图像信号线500在本实施方式中设置了12根。将1系统的图像信号由外部的图像处理电路按12相串-并行展开(或相展开)后的图像信号VID1～VID12经由12根图像信号线500，供给电光装置100。然后，n根数据线6如同下面说明的那样，按以与图像信号线500的根数对应的12根数据线6为1组的每一数据线组，被依次驱动。

从数据线驱动电路101，对与数据线组对应的每个采样晶体管71依次供给采样信号Si(i＝1、2、…、n)，相应于采样信号Si，各采样晶体管71转换接通状态(也就是导通状态)及截止状态(也就是非导通状态)。从12根图像信号线500，图像信号VID1～VID12经由变为接通状态后的采样晶体管71，对属于数据线组的数据线6同时且按每一数据线组依次供给。借此，属于一个数据线组的数据线6被相互同时驱动。从而，在本实施方式中，因为按每一数据线组驱动12根数据线6，所以可以抑制驱动频率。

图3中，着眼于一个子像素70的构成可知，在TFT30的源电极上，电连接被供给图像信号VIDk(其中，k＝1、2、3、…、12)的数据线6，另一方面，在TFT30的栅电极上，电连接被供给扫描信号Yj(其中，j＝1、2、3、…、m)的扫描线11，并且在TFT30的漏电极上，电连接液晶元件118的像素电极9。这里，在各子像素70中，液晶元件118在像素电极9和对向电极21之间夹持液晶而成。

这里，为了防止所保持的图像信号出现漏泄，与液晶元件118并联，附加了存储电容119。只要利用存储电容119，就能够使像素电极9a中的电位保持特性得到提高，能实现对比度提高、闪烁减小之类的显示特性提高。

借助于从扫描线驱动电路104输出的扫描信号Y1、…、Ym，各扫描线11按线顺序被选择。在与所选择的扫描线11对应的子像素70中，若给TFT30供给了扫描信号Yj，则TFT30变为接通状态，该子像素70成为选择状态。在液晶元件118的像素电极9中，通过使TFT30只按一定期间闭合其开关，来从数据线6按预定的定时供给图像信号VIDk。因此，对液晶元件118，施加由像素电极9及对向电极21各自的电位规定的施加电压。通过使液晶按照所施加的电压电平，分子集合的取向、秩序进行变化，可以对光进行调制，实现灰度等级显示。

另外，为了使相邻的数据线6相互间的寄生电容之差，对于各数据线6相等，按每条数据线6附加了附加电容120。因此，可以防止因该寄生电容之差引起的纵向条纹或者图像残留。还有，附加电容120配置到图像显示区域10a的周边区域，以免妨碍图像显示区域10a内的像素配置。

下面，对于本实施方式所涉及的液晶装置的采样晶体管的布局进行说明。这里，图4是概略表示本实施方式所涉及的液晶装置100的采样晶体管的布局的俯视图。图5是具体表示本实施方式所涉及的液晶装置的采样晶体管的布线布局的俯视图。

如图4所示，多个采样晶体管71(也就是采样晶体管71R、71G及71B)在位于单位像素80排列成矩阵状的图像显示区域10a周边的周边区域，按对应的子像素70的不同色沿X方向来排列，并且沿Y方向相互错开来配置。也就是说，与绿色对应的多个采样晶体管71G按X方向来排列，在与该排列相比沿着Y方向离图像显示区域10a远的一侧，与红色对应的多个采样晶体管71R沿着X方向来排列，在与该排列相比沿着Y方向离图像显示区域10a远的一侧，与蓝色对应的多个采样晶体管71B按X方向来排列。与构成同一单位像素80的子像素70G、70R及70B对应的采样晶体管71G、71R及71B沿着Y方向来排列。

也就是说，在本实施方式中，多个采样晶体管71并不是沿着X方向作为1列来排列，而是按对应的子像素70的不同色作为沿X方向的3列来排列。因此，即便在子像素70的排列间距较小时，也可以充分确保采样晶体管71的尺寸，并且易于将多个采样晶体管71配置于周边区域。

图4中的采样晶体管71G、71R及71B如图5所示，包括半导体层75R、75G及75B和按Y方向延伸的共用的栅电极72。对栅电极72，从数据线驱动电路101按预定的定时供给采样信号Si，采样晶体管71G、71R及71B同时转换接通状态及截止状态。

采样晶体管71G的源布线71Gs通过接触孔182g，电连接到构成采样晶体管71G的半导体75G的源区域。源布线71Gs其形成为，经过与位于半导体层75R上的栅电极72之间的重叠部分，沿Y方向通过构成采样晶体管71B的半导体75B的漏区域的侧部。还有，源布线71Gs在与半导体75G连接的一侧的相反的另一端侧，和对应的图像信号线500，例如通过接触孔相互进行电连接(参见图3)。采样晶体管71G的漏布线71Gd通过接触孔183g，电连接到构成采样晶体管71G的半导体75G的漏区域。漏布线71d在与该采样晶体管71G连接的一侧的相反的另一端侧，和对应的数据线6G，通过接触孔181g相互进行电连接。

采样晶体管71R的源布线71Rs通过接触孔182r，电连接到构成采样晶体管71R的半导体75R的源区域。源布线71Rs经过与位于半导体75B上的栅电极72之间的重叠部分，在与采样晶体管71R连接的一侧的相反的另一端侧，和对应的图像信号线500，例如通过接触孔相互进行电连接(参见图3)。采样晶体管71R的漏布线71Rd通过接触孔183r，电连接到构成采样晶体管71R的半导体75R的漏区域。漏布线71r其形成为，按Y方向通过构成采样晶体管71G的半导体75G的漏区域的侧部。而且，在与半导体75R连接的一侧的相反的另一端侧，和对应的数据线6R，通过接触孔181r相互进行电连接。

采样晶体管71B的源布线71Bs通过接触孔182b，电连接到构成采样晶体管71B的半导体75B的源区域。源布线71Bs在与半导体75B连接的一侧的相反的另一端侧，和对应的图像信号线500，例如通过接触孔相互进行电连接(参见图3)。采样晶体管71B的漏布线71Bd通过接触孔183b，电连接到构成采样晶体管71B的半导体75B的漏区域。漏布线71b其形成为，按Y方向通过构成采样晶体管71R的半导体75R的漏区域的侧部，并且具有与位于半导体75B上的栅电极72重叠的重叠部分。在与半导体75B连接的一侧的相反的另一端侧，和对应的数据线6B，通过接触孔181b相互进行电连接。

在本实施方式中特别是，通过使用中继布线73，在TFT阵列基板10上从俯视方向看，在采样晶体管71共用的栅电极72占据的区域内，重叠配置了与源或漏电连接的图像信号线(采样晶体管71G和采样晶体管71R的源布线、采样晶体管71B的漏布线)。也就是说，通过利用中继布线73，立体配置晶体管71周围的电布线，能实现图像信号线局部相互交叉的、图5所示的晶体管71的布局图形。因此，不需要将晶体管71周围的布线在采样晶体管的侧部引绕，可以收窄该布局图形的X方向的宽度。其结果为，能够使采样电路71节省空间，可以实现适合于像素间距或数据线布线间距的微细化的高品质的电光装置。

下面，参照图6及图7，对于图5所示的布局图形的叠层结构进行详细说明。图6是图5的V1-V1′间剖面图。图7是图5的V2-V2′间剖面图。

在图6中，在叠层于TFT阵列基板10上的基底绝缘膜41之上，配置半导体73。半导体73由作为栅绝缘膜发挥作用的氧化膜42来覆盖，和栅电极72进行电绝缘。还有，在半导体73，也可以设置LDD层74。源布线71Rs及漏布线71Rd通过接触孔182r及183r，和半导体73分别进行电连接。

采样晶体管71B的漏布线71Bd、采样晶体管71R的漏布线71Rd和采样晶体管71G的源布线71Gs在覆盖栅电极72地进行叠层的层间绝缘膜43、44之上，分别采用铝形成在同一层。栅电极72和与栅电极72重叠所形成的采样晶体管71G的源布线71Gs之间的距离，利用层间绝缘膜43及44，被确保得较大。该距离在本实施方式中，例如是800nm。这样，通过充分地取采样晶体管71G的源布线71Gs和栅电极72之间的距离，就可以减小三根相邻的数据线6的相互间的寄生电容。其结果为，能够将因该寄生电容之差引起的纵向条纹或图像残留防止于未然或者减小。

在图7中，采样晶体管71B的漏布线71Bd、采样晶体管71R的漏布线71Rd及采样晶体管71G的源布线71Gs采用铝分别形成在同一层。图7所示的2条漏布线71Bd因为通过接触孔74连接于中继布线73上，所以被相互电连接。

下面，对于在周边区域所形成的附加电容120(参见图3)的功能及具体构成，参照图8～图10进行说明。

图8是图像显示区域的周边区域的采样晶体管71和附加电容120的等效电路。还有，在图8中为了说明的方便，图像显示区域的像素结构等的具体的等效电路予以省略，只表示出数据线6。

寄生电容140分别是数据线相互间的寄生电容。附加电容120在和形成了采样电路71的一侧相反侧的图像显示区域的周边区域，按每条数据线6存在。因此，以使得各数据线6的寄生电容140之差相等的方式进行了调整。还有，附加电容120配置在图像显示区域10a的周边区域，以免妨碍图像显示区域10a的像素的配置。

在本实施方式中如图5所示，虽然采样晶体管71B的漏布线71Bd具有与栅电极72重叠的重叠部分，但是采样晶体管71R及71G的漏布线71Rd及71Gd不具有与栅电极72之间的重叠部分。另一方面，虽然采样晶体管71B的源布线71Bs不具备与栅电极72之间的重叠部分，但是采样晶体管71R及71G的源布线71Rs及71Gs，具有与栅电极72重叠的重叠部分。这样，因为按每条数据线6、具体的布线引绕方式不同，所以各数据线具有具备相互不同的电容值的寄生电容140R、140G及140B。

另外，根据本发明人的研究，判明在源布线具有与栅电极72重叠的重叠部分时，寄生电容140配置于栅和源之间，在漏布线具有与栅电极72重叠的重叠部分时，寄生电容140配置于栅和漏之间。因此，在图8中寄生电容140R和140G配置在栅和源之间，而只有寄生电容140B配置在栅和漏之间。

这样，因为因采样晶体管71周围的电路的引绕方法，产生于各数据线6中的寄生电容值相互不同，所以通过设置电容值相互不同的附加电容120，减小了各数据线6间的寄生电容值之差。

下面，参照图9，说明附加电容120的具体结构。

在图9中，附加电容120通过在电容电极76和电容电极77之间夹持电介质膜46，来构成。附加电容120在形成采样电路71的一侧相反侧的图像显示区域10a的周边区域，按每条数据线6(6R、6G、6B)存在(参见图3)。数据线6通过接触孔75，和电容电极76进行电连接。电容电极76和图7的中继布线73形成在同一层，且采用相同的材料例如铝来形成。电容电极77和栅电极72形成在同一层，且采用相同的材料例如导电性多晶硅来形成。这样，通过对形成于同一层的导电膜进行加工，就可以使用通用的图形形成方法等，容易地形成电容电极76。

附加电容120通过变更电容电极76或电容电极77某一方的面积，就可以容易地改变电容值。例如图10所示，与图9的情形相比，通过减小仅仅与采样晶体管71B对应的电容电极77的面积，就可以减小附加电容120的电容值。

上面的结果为，通过构成为使实现采样电路的晶体管电路的布局包括重叠部分，就能适应像素间距或者数据线6的布线间距的微细化，谋求高精细化。另外，通过以使得数据线6相互间的寄生电容之差变小的方式调整按每条数据线所设置的附加电容120的值，就能够将因该寄生电容之差引起的纵向条纹或者图像残留防止于未然或者减小。这样，根据本实施方式，能够容易地谋求高精细化，并且能以短板式进行高品质的彩色显示。

<2：电子设备>

下面，对于将作为上述电光装置的液晶装置用于各种电子设备中的情形，进行说明。

首先，对于使用该液晶装置来作为光阀的投影机，参照图11进行说明。这里，图11是表示投影机构成例的俯视图。

如图11所示，在投影机1100内部，设置包括卤素灯等白色光源的光源组件1102。从该光源组件1102所射出的投影光通过在光导向器件1104内所配置的3片反射镜1106，入射于液晶面板1110上。

液晶面板1110的构成和上述液晶装置相同，用来由从图像信号处理电路供给的R、G、B图像信号进行驱动。而且，通过由该液晶面板1110调制光来进行显示的彩色图像通过投影透镜1114，向屏幕等进行投影。

下面，对于将上述液晶装置用于便携电话机的例子，参照图12进行说明。这里，图12是表示便携电话机构成的立体图。

在图12中，便携电话机1300具备多个操作按键1302和使用上述液晶装置的显示部1005。

还有，除了参照图11及图12所说明的电子设备之外，还能举出便携式个人计算机、液晶电视机、取景器式、监视器直观式的磁带录像器、汽车导航装置、寻呼机、电子记事本、计算器、文字处理机、工作站、电视电话机、POS终端及具备触摸面板的装置等。而且，不言而喻，可以用于这些各种电子设备中。

另外，本发明除在上述实施方式中所说明的液晶装置之外，还能够用于在硅基板上形成元件的反射型液晶装置(LCOS)、等离子体显示器(PDP)、场发射型显示器(FED、SED)、有机EL显示器、数字微镜器件(DMD)及电泳装置等中。

本发明并不限于上述实施方式，而可以在不违反从技术方案及说明书总体领会的发明宗旨或构思的范围内适当进行变更，并且伴随那种变更的电光装置及具备该电光装置的电子设备也仍然包括在本发明的技术范围内。

Claims (10)

1.一种电光装置，其特征为，

在基板上，具备：

多条扫描线，其沿着第一方向分别延伸且沿着与该第一方向交叉的第二方向排列，用来依次供给扫描信号；

多条数据线，其沿着上述第二方向分别延伸且沿着上述第一方向排列，用来供给图像信号；

多个子像素部，其对应于上述多条数据线与上述多条扫描线的交叉处来设置，分别与R、G、B对应，其中，R表示红色、G表示绿色、B表示蓝色；以及

采样机构，其构成为，对上述多条数据线之中的与R、G及B对应的三根相邻的数据线供给上述图像信号，并且沿着上述第二方向排列成一列的三个采样电路沿着上述第一方向排列有多个；

上述三个采样电路分别包括薄膜晶体管，并且具有沿着上述第二方向延伸的栅电极，

在上述三个采样电路的各采样电路中与上述薄膜晶体管的源或漏电连接、用来供给采样前或采样后的上述图像信号的图像信号线，在上述基板上从俯视方向看，包括与上述栅电极重叠且沿着上述第二方向延伸的重叠部分。

2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征为，

还具备附加电容，该附加电容与上述多条数据线分别电连接；

以减小上述三根相邻的数据线相互间的、包括由与各自电连接的上述图像信号线所产生的作用量的寄生电容之差的方式，使上述附加电容的值在上述相互间为不同的值。

3.根据权利要求2所述的电光装置，其特征为，

上述附加电容通过使一个电容电极和另一电容电极相对向来形成，上述一个电容电极电连接于对向电极，该对向电极设置于与上述基板成对的对向基板上，上述另一电容电极设置于上述多条数据线的前端，

通过使上述一个及另一电容电极的平面尺寸在上述相互间不同而减小上述差。

4.根据权利要求1到3中任一项所述的电光装置，其特征为，

上述多个子像素部中，沿着上述第二方向排列成一列的与R对应的列、沿着上述第二方向排列成一列的与G对应的列以及沿着上述第二方向排列成一列的与B对应的列，按顺序沿着上述第一方向排列，

上述三根数据线之中，上述与R对应的一根数据线电连接到上述与R对应的列，上述与G对应的一根数据线电连接到上述与G对应的列，上述用来供给B的图像信号的一根数据线电连接到上述与B对应的列，

由上述多个子像素部之中的、与上述三根数据线电连接并且沿着上述第一方向相邻的三个子像素部，构成一个像素部。

5.根据权利要求1到4中任一项所述的电光装置，其特征为，

与上述三个采样电路之中的一个采样电路相关的上述图像信号线，在上述基板上从俯视方向看，具有沿着上述第二方向通过上述薄膜晶体管的侧部的部分，其中，上述薄膜晶体管是构成上述三个采样电路之中的其它采样电路的薄膜晶体管。

6.根据权利要求5所述的电光装置，其特征为，

上述采样机构及上述图像信号线配置为，上述通过的部分在作为上述侧部的、对于上述三个采样电路而言处于同一侧的侧部通过。

7.根据权利要求1到6中任一项所述的电光装置，其特征为，

上述薄膜晶体管中，在上述基板上，按照包括沟道区域、上述源及上述漏的半导体层、栅绝缘膜、上述栅电极这样的顺序将它们叠层，

在上述栅电极之上，按照一个层间绝缘膜、构成上述图像信号线的一个导电膜这样的顺序将它们叠层。

8.根据权利要求7所述的电光装置，其特征为，

还具备中继布线，该中继布线在上述一个导电膜及上述栅电极之间，通过上述一个层间绝缘膜及其它层间绝缘膜来夹持，并且由其它导电膜构成，对上述图像信号线进行中继连接。

9.一种电光装置，其特征为，

在基板上，具备：

多条扫描线，其沿着第一方向分别延伸且沿着与该第一方向交叉的第二方向排列，用来依次供给扫描信号；

多条数据线，其沿着上述第二方向分别延伸且沿着上述第一方向排列，用来供给图像信号；

多个子像素部，其对应于上述多条数据线与上述多条扫描线的交叉处来设置，分别与R、G、B对应，其中，R表示红色、G表示绿色、B表示蓝色；

采样机构，其构成为，对上述多条数据线之中的与R、G及B对应的三根相邻的数据线供给上述图像信号，并且沿着上述第二方向排列成一列的三个采样电路沿着上述第一方向排列有多个；以及

附加电容，其与上述多条数据线分别电连接；

以减小上述三根相邻的数据线相互间的、包括由与各自电连接的上述图像信号线所产生的作用量的寄生电容之差的方式，使上述附加电容的值在上述相互间为不同的值。

10.一种电子设备，其特征为，

具备权利要求1到9中任一项所述的电光装置。

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