CN101572281B - 制备具有掺镓氧化锌绒面的衬底的方法以及通过该方法制备的衬底 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及光伏电池制造领域，具体涉及一种制备具有掺镓氧化锌绒面的衬底的方法、通过该方法制备的衬底以及包括该衬底的硅薄膜太阳电池。通过本发明提供的制备衬底的方法，可以获得具有掺镓氧化锌绒面的衬底，使硅薄膜太阳电池制造商摆脱绒面氧化锡玻璃供应商的限制，而进一步降低生产制造成本。可以将本发明提供的制备衬底的方法直接应用到硅薄膜太阳电池的生产制造中，并且通过该方法制备的衬底能够取代现有的昂贵的绒面氧化锡玻璃衬底，并表现出更加优异的性能。

Description

制备具有掺镓氧化锌绒面的衬底的方法以及通过该方法制备的衬底
技术领域
本发明涉及光伏电池制造领域，具体涉及一种制备具有掺镓氧化锌绒面的衬底的方法、通过该方法制备的衬底以及包括该衬底的硅薄膜太阳电池。
背景技术
近年来，随着能源与环境问题日益严峻，全球的光伏产业得到了迅猛发展。作为光伏电池技术中的一种，硅薄膜太阳电池技术日臻成熟，其光电转换效率和稳定性也不断得到提高。与晶体硅太阳电池相比，硅薄膜太阳电池在高温下具有更好的光伏输出特性，且具有更少的能量偿还时间。另外，硅薄膜太阳电池特别适合做与建筑物结合的光伏发电组件(BIPV)，这是因为：一方面，硅薄膜太阳电池具有漂亮的外观且能够发电；另一方面，用于硅薄膜太阳电池的透明导电薄膜(TCO)能很好地阻挡外部红外射线的进入和防止内部热能的散失，双层玻璃中间的PVB或EVA，能够有效隔断能量的传导，起到LOW-E玻璃的功能。发展硅薄膜太阳电池将成为未来城市利用光伏发电的主要方向。
目前，产业化的硅薄膜太阳电池大多采用绒面氧化锡玻璃衬底。绒面氧化锡既是硅薄膜太阳电池的光学窗口，又是该太阳电池的前电极。但是，在硅薄膜太阳电池的制造中存在两大严重问题：
第一，绒面氧化锡膜无法耐受氢等离子体的持续轰击，而高氢稀释度是后续沉积高质量p型层所必需的，所以必须改变相关的工艺，即在绒面氧化锡膜上使用弱的氢等离子体气氛来生长硅薄膜，以便将氢等离子体对其破坏的作用尽可能减到最小，这种工艺上的改变在提高硅薄膜太阳电池光电转换效率上形成了技术瓶颈；
第二，目前全球绒面氧化锡玻璃的供应完全被两家日本公司AGC和NSG所垄断，每平米绒面氧化锡玻璃的售价约为20美元，约占硅薄膜太阳电池全部制造成本的30％，这样硅薄膜太阳电池制造商的利润空间被绒面氧化锡玻璃供应商大幅缩减，而受制于人。
另外，绒面掺硼、掺铝氧化锌玻璃不能有效减少或抑制光致衰减，这对于进一步提高硅薄膜太阳电池的光电转换效率会产生不利影响。
为了突破上述技术瓶颈，进一步提高硅薄膜太阳电池的光电转换效率，并且为了摆脱硅薄膜太阳电池制造商受制于绒面氧化锡玻璃供应商的局面，进一步降低生产制造成本，光伏电池制造领域的技术人员做出了持续不懈的努力。
发明内容
发明目的
为了摆脱硅薄膜太阳电池制造商受制于绒面氧化锡玻璃供应商的局面，进一步降低生产制造成本，同时克服现有技术中存在的缺陷，本发明提供了一种制备具有掺镓氧化锌绒面的衬底的方法。
本发明的另一方面提供了通过本发明的方法制备的具有掺镓氧化锌绒面的衬底，该衬底的掺镓氧化锌绒面具有高抗氢等离子体轰击能力。
本发明的又一方面提供了包括本发明的衬底的硅薄膜太阳电池，该太阳电池具有高光电转换效率。
技术方案
为了实现上述发明目的，本发明提供了一种制备具有掺镓氧化锌绒面的衬底的方法，该方法包括以下步骤：
1)在衬底上通过磁控溅射法溅射掺镓氧化锌而制得掺镓氧化锌膜，其中磁控溅射法中使用的溅射靶材为三氧化二镓浓度为0.5～6wt％、优选为0.5～3wt％的掺镓氧化锌，氩气压强为1～10mtorr，优选为2～5mtorr，溅射功率为100～500W，优选为150～300W，并且衬底温度为15～350℃；和
2)在上述制得的掺镓氧化锌膜上通过湿法刻蚀制绒而制得具有掺镓氧化锌绒面的衬底。
在上述步骤1)中，制得的掺镓氧化锌膜具有多晶结构，其厚度为600～1,500nm，优选为800～1,200nm；衬底为玻璃、不锈钢或聚合物薄膜，聚合物薄膜包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、聚己二酸丙二醇酯薄膜、聚丙烯薄膜和聚酰亚胺薄膜等，对于玻璃和不锈钢衬底，其温度为20～350℃，优选为50～250℃，对于聚合物薄膜衬底，其温度为15～50℃，优选为15～30℃。
另外，磁控溅射法可以为射频、中频或直流磁控溅射法。
在上述步骤2)中，湿法刻蚀是将步骤1)中制得的掺镓氧化锌膜在酸性刻蚀液中浸泡5～300s、优选浸泡10～180s而实施的，氧化锌晶粒的晶界处优先被刻蚀，最后形成“火山坑”状绒面结构。酸性刻蚀液包含选自盐酸、乙酸和草酸中的至少一种，其酸浓度为0.1～15wt％、优选为0.4～10wt％，酸性刻蚀液在湿法刻蚀中的温度为15～50℃，优选为15～30℃。刻蚀之后用去离子水冲洗步骤2)中制得的具有掺镓氧化锌绒面的衬底。
本发明的另一技术方案提供了通过上述方法制备的具有掺镓氧化锌绒面的衬底，该衬底通过其具有的一定的表面粗糙结构实现对入射光的反射、折射和散射，并使衬底形成一定的雾度，以此增强太阳电池对入射光子的吸收，同时通过降低自身的电阻减小对太阳电池串联电阻的影响。以具有掺镓氧化锌绒面的玻璃衬底为例，通过本发明的方法制备的衬底具有的掺镓氧化锌绒面表面粗糙结构的均方根粗糙度为30～150nm，优选为50～100nm，表征掺镓氧化锌绒面电阻特性的电阻率小于1×10-3Ω·cm，优选小于6×10-4Ω·cm，并且该衬底的可见光平均透过率大于65％，优选大于75％，在波长为550nm时的透射雾度(分散透射率与总透射率的比值)为5～40％，优选为10～35％。
本发明的又一技术方案提供了包括上述衬底的硅薄膜太阳电池，该太阳电池的有源层材料为微晶硅、非晶硅或其合金(如非晶硅锗等)，其初始光电转换效率大于8％。
有益效果
通过本发明提供的制备衬底的方法，可以获得具有掺镓氧化锌绒面的衬底，使硅薄膜太阳电池制造商摆脱绒面氧化锡玻璃供应商的限制，而进一步降低生产制造成本。可以将本发明提供的制备衬底的方法直接应用到硅薄膜太阳电池的生产制造中，并且通过该方法制备的衬底能够取代现有的昂贵的绒面氧化锡玻璃衬底，并表现出更加优异的性能。
通过本发明的方法制备的具有掺镓氧化锌绒面的衬底具有以下优点：第一，与绒面氧化锡玻璃相比，本发明的衬底具有的掺镓氧化锌绒面的陷光能力可调，电阻率低，抗氢等离子体轰击能力强；第二，与绒面掺硼、掺铝氧化锌玻璃相比，本发明的衬底具有的掺镓氧化锌绒面的化学稳定性好，晶格失配比例小。
本发明提供的包括上述衬底的硅薄膜太阳电池具有以下优点：
1)在其为非晶硅薄膜太阳电池的情况下，由于掺镓氧化锌绒面具有较高的陷光能力，电池结构中主要的吸光层可以做得较薄(这一层正是导致非晶硅薄膜太阳电池光致衰退的主要原因)，因此可以减小光电转换效率的衰减，提高电池的稳定效率；
2)在其为微晶硅薄膜太阳电池的情况下，相比于非晶硅，微晶硅的光谱响应拓展到近红外波长区域，由于掺镓氧化锌绒面在近红外波长区域具有相对较高的陷光能力，有效地增强了电池的长波响应，进而提高了短路电流和光电转换效率。
附图说明
图1为本发明实施例1中制得的玻璃衬底具有的掺镓氧化锌绒面的原子力显微镜(AFM)图；
图2为本发明实施例1中制得的玻璃衬底具有的掺镓氧化锌绒面的激光扫描显微镜(LSM)图；
图3为本发明实施例1中制得的玻璃衬底的可见光透过率曲线；
图4为本发明实施例1中制得的玻璃衬底的可见光透射雾度曲线；
图5为本发明试验实施例1中制备的包括掺镓氧化锌绒面的玻璃衬底的非晶硅单结薄膜太阳电池剖面示意图，其中，1为普通浮法玻璃，2为掺镓氧化锌绒面，3为p型非晶硅层、本征非晶硅层、n型非晶硅层，4为氧化锌和铝背电极层，5为开槽P1，6为开槽P2，7为开槽P3，8所指的点框为有效光电转换区域，9包括的箭头为太阳光入射方向；
图6为本发明试验实施例1中制备的包括掺镓氧化锌绒面的玻璃衬底的非晶硅单结薄膜太阳电池的电流密度-电压(I-V)曲线。
具体实施方式
现在将详细地说明本发明的优选实施方案。应该理解，下列实施例仅是例证性的，这些实施例并没有限制本发明。
实施例1
采用本发明所提供的方法制备具有掺镓氧化锌绒面的玻璃衬底，具体操作步骤如下：
1)通过高压喷射清洗剂，对普通浮法玻璃衬底(购自常熟耀皮特种玻璃有限公司)进行清洗；
2)将清洗干净的玻璃置于射频(13.56MHz)磁控溅射镀膜机(购自Applied Materials Co.，Ltd.)中，所用溅射靶材为三氧化二镓浓度为2.5wt％的掺镓氧化锌，氩气压强为4mtorr，溅射功率为250W，衬底温度为100℃，从而制得初始厚度为900nm的掺镓氧化锌膜；
3)将上述制得的掺镓氧化锌膜在酸性刻蚀液中浸泡40s，该刻蚀液中的盐酸浓度为0.4wt％，草酸浓度为5wt％，该刻蚀液的温度为25℃，从而制得厚度为600nm的掺镓氧化锌绒面薄膜。
本实施例制备的玻璃衬底具有的掺镓氧化锌绒面的原子力显微镜(AFM)图和激光扫描显微镜(LSM)图分别如图1和2所示，其中通过原子力显微镜图计算的均方根粗糙度为72.9nm，通过激光扫描显微镜图计算的均方根粗糙度为69.0nm；具有掺镓氧化锌绒面的玻璃衬底的可见光透过率曲线和可见光透射雾度曲线分别如图3和图4所示，通过分光光度计测得的可见光平均透过率为79.21％，通过雾度计测得的550nm波长下的透射雾度为27.58％。另外，通过四探针测试仪计算的掺镓氧化锌绒面薄膜的电阻率为4.3×10-4Ω·cm。
对于市场上销售的绒面氧化锡玻璃(购自Nippon Glass Sheet Co.，Ltd.)，采用相同的测试条件对其光电性能进行测试，得到其可见光平均透过率为79.10％，550nm波长下的透射雾度为15.61％，电阻率为6.5×10-4Ω·cm。可见采用本发明所提供的方法制备的具有掺镓氧化锌绒面的玻璃衬底的透光性能、陷光性能和导电性能均优于市场上销售的绒面氧化锡玻璃。
实施例2～4
除了下表1中的条件之外，采用其他条件与实施例1中相同的方法来制备具有掺镓氧化锌绒面的玻璃衬底。
表1
编号 衬底   溅射靶材中三氧化二镓浓度(wt％) 氩气压强(mtorr) 溅射功率(W) 衬底温度(℃)   薄膜初始厚度(nm) 刻蚀液组成(wt％) 刻蚀液温度(℃) 浸泡时间(s) 绒面薄膜厚度(nm)
  实施例1   浮法玻璃 2.5 4 250 100 900   盐酸0.4草酸5 25 40 600
  实施例2   浮法玻璃 2.5 2 250 250 960   盐酸0.4草酸5 25 40 690
  实施例3   浮法玻璃 0.5 3 280 100 1,000 盐酸0.5 25 12 720
  实施例4   超白玻璃 0.5 3 300 80 1,050 盐酸0.5 20 12 770
上述实施例制备的具有掺镓氧化锌绒面的玻璃衬底的性能参数如下表2中所示：
表2
编号   通过AFM计算的均方根粗糙度(nm)   通过LSM计算的均方根粗糙度(nm)   衬底的可见光平均透过率(％)   衬底在550nm波长下的透射雾度(％)   电阻率(Ω·cm)
  实施例1   72.9   69.0   79.21   27.58   4.3×10-4
  实施例2   68.8   65.1   77.70   20.63   4.2×10-4
  实施例3   83.2   81.1   79.18   28.39   5.8×10-4
  实施例4   83.0   80.9   81.89   28.08   5.9×10-4
试验实施例1
使用实施例1中制得的具有掺镓氧化锌绒面的玻璃衬底制备非晶硅单结薄膜太阳电池，电池面积为10×10cm2，具体操作步骤如下：
1)通过高压喷射清洗剂，对实施例1中制得的具有掺镓氧化锌绒面的玻璃衬底进行清洗；
2)用波长为1,064nm的激光刻划上述掺镓氧化锌绒面，形成开槽P1；
3)用射频(13.56MHz)等离子体增强型化学气相沉积机(购自AppliedMaterials Co.，Ltd.)依次沉积10nm p型非晶硅、300nm本征非晶硅和20nm n型非晶硅，从而依次形成p型非晶硅层、本征非晶硅层和n型非晶硅层；
4)用波长为532nm的激光刻划上述非晶硅层，形成开槽P2；
5)用射频(13.56MHz)磁控溅射镀膜机依次沉积100nm氧化锌和250nm铝作为硅薄膜太阳电池的背电极层；
6)用波长为532nm的激光刻划上述氧化锌和铝层，形成开槽P3；
7)对硅薄膜太阳电池边缘处进行绝缘处理，并分别从掺镓氧化锌和铝引出正负电极；
8)用太阳光模拟器(购自Newport Co.，Ltd.)(AM1.5，25℃)测试薄膜太阳电池的电流密度-电压特性，结果如图6所示。
结果得到该薄膜太阳电池的短路电流密度为14.34mA/cm2，开路电压为13.44V，填充因子为68.37％，初始光电转换效率为8.78％。
采用相同的实验设备和实验条件，采用市场上销售的绒面氧化锡玻璃衬底(购自Nippon Glass Sheet Co.，Ltd.)制备了同样结构、同样大小的非晶硅单结薄膜太阳电池，其短路电流密度为14.18mA/cm2，开路电压为13.19V，填充因子为68.15％，初始光电转换效率为8.50％。可见采用本发明所提供的方法制备的具有掺镓氧化锌绒面的玻璃衬底制备的硅薄膜太阳电池的光电性能有所提升。

Claims (9)

1.一种制备具有掺镓氧化锌绒面的衬底的方法，该方法包括以下步骤：
1)在衬底上通过磁控溅射法溅射掺镓氧化锌而制得掺镓氧化锌膜，其中磁控溅射法中使用的溅射靶材为三氧化二镓浓度为0.5～6wt％的掺镓氧化锌，氩气压强为1～10mtorr，溅射功率为100～500W，并且衬底温度为15～350℃；和
2)将上述制得的掺镓氧化锌膜在酸性刻蚀液中浸泡40～300s而制得具有掺镓氧化锌绒面的衬底，
其中，所述酸性刻蚀液为盐酸和草酸的混酸刻蚀液，其酸浓度为0.1～15wt％，并且酸性刻蚀液的温度为15～50℃。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述混酸刻蚀液中，盐酸浓度为0.4wt％，草酸浓度为5wt％。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在步骤1)中，磁控溅射法中使用的溅射靶材为三氧化二镓浓度为0.5～3wt％的掺镓氧化锌，氩气压强为2～5mtorr，溅射功率为150～300W，制得的掺镓氧化锌膜的厚度为800～1，200nm。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，当衬底材料为玻璃或不锈钢时的衬底温度为50～250℃。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，当衬底材料为聚合物时的衬底温度为15～30℃。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掺镓氧化锌膜在酸性刻蚀液中浸泡时间为40～180s，酸性刻蚀液中的酸浓度为0.4～10wt％，并且酸性刻蚀液在湿法刻蚀中的温度为15～30℃。
7.一种通过权利要求1～6中任一项所述的方法制备的具有掺镓氧化锌绒面的衬底，其中，该衬底具有的掺镓氧化锌绒面表面粗糙结构的均方根粗糙度为30～150nm，其电阻率小于1×10-3Ω·cm，并且该衬底的可见光平均透过率大于65％，在波长为550nm时的透射雾度为5～40％。
8.根据权利要求7所述的具有掺镓氧化锌绒面的衬底，其中，该衬底具有的掺镓氧化锌绒面表面粗糙结构的均方根粗糙度为50～100nm，其电阻率小于6×10-4Ω·cm，并且该衬底的可见光平均透过率大于75％，在波长为550nm时的透射雾度为10～35％。
9.一种包括权利要求7或8所述的衬底的硅薄膜太阳电池，其中，该太阳电池的有源层材料为微晶硅、非晶硅或其合金。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102034901B (zh) * 2010-10-27 2012-11-21 新奥光伏能源有限公司 透明导电薄膜及其制备方法
CN102226087B (zh) * 2011-04-29 2013-09-04 西安东旺精细化学有限公司 透明导电膜湿法蚀刻液组合物
CN102222728B (zh) * 2011-05-24 2013-01-09 中国科学院上海技术物理研究所 硅基太阳能电池表面氧化锌纳米阵列减反射层的制备方法
CN102254976B (zh) * 2011-06-29 2013-04-24 深圳光启高等理工研究院 一种太阳能电池双面组件

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4816125A (en) * 1987-11-25 1989-03-28 The Regents Of The University Of California IC processed piezoelectric microphone
CN1718840A (zh) * 2005-06-21 2006-01-11 山东大学 一种镓掺杂氧化锌透明导电膜的制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4816125A (en) * 1987-11-25 1989-03-28 The Regents Of The University Of California IC processed piezoelectric microphone
CN1718840A (zh) * 2005-06-21 2006-01-11 山东大学 一种镓掺杂氧化锌透明导电膜的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
K.Kishimoto etc.structural and optical properties of textured Zno:Ga films for large area thin film solar cells.Photovoltaic Specialists Conference Record of the Twenty-eighth IEEE Photovoltaic Specialists Conference-2000.2000,754-757. *

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