CN101567685B - 电荷帮浦 - Google Patents

Abstract

本发明是关于一种电荷帮浦，包含一帮浦电容、一开关模块、一第一开关、一切换开关、一输出电容与一截波电路。帮浦电容用以产生一帮浦电压，开关模块与第一开关分别耦接帮浦电容的二端，切换开关耦接第一开关与帮浦电容，以切换帮浦电容输出帮浦电压，输出电容耦接切换开关与帮浦电容，以输出帮浦电容所输出的帮浦电压，截波电路耦接帮浦电容与输出电容之间，以避免切换开关的一寄生晶体管档通，而避免电荷流失，进而提升电荷帮浦的功率效率、减少启动时输出电压的上升或下降时间与增加高温环境下的电路的可靠度。

Description

电荷帮浦

技术领域

本发明是有关于一种电荷帮浦，尤指一种提升功率效率、缩短输出电压的上升或下降时间与增加高温可靠度的电荷帮浦。

背景技术

现今科技越来越进步，使民众在生活上也越来越为便利，无论于工作或者于生活娱乐上，渐渐都离不开电子产品，现今业者有鉴于此研发许多产品使民众可享受到电子产品所带来的便利性。

以切换电容为基础的电荷帮浦，因其具有较低的电磁干扰(EMI/EMC)而广泛地应用于各种电子产品，尤其是手持式电子产品，例如个人数字助理(PDA)与手机。然而随着手持式电子产品的发展，各种功能陆续整合成单一芯片(SOC)，芯片内部所需的供给电源的电压位准也随的多样化。手持式电子产品的电池通常仅提供2.7V左右的单一电压Vsup，但因应产品功能上的需求，需通过电荷帮浦将此2.7V左右的电压转换为各种电压。例如两倍压的电压转换，即2*Vsup(约4.5V-5.4V左右，视负载电流大小而定)，与负一倍压的电压转换，即-1*Vsup(约-2V--2.7V左右，视负载电流大小而定)。当然亦可能同时存在更高倍数的正的与负的倍压电路，例如：在小尺寸的液晶显示驱动电路中即需要Vsup的正七、正八倍压电路与负五、负六倍压的电路。在集成电路的制造过程中，存在着许多先天的、不可避免的寄生组件，例如：寄生二极管与寄生双极性晶体管，如果这些寄生组件不预期地导通，将影响原本电路的效能，甚至使电路无法动作。在传统的电荷帮浦中，其作为电容切换开关的MOS组件即存在着这样的寄生二极管。以下系针对寄生双极性晶体管所产生的问题进行说明。

请一并参阅图1A、图1B与图1C，是现有技术的两倍压的电荷帮浦的电路图、电荷帮浦的输出讯号的时序图与电荷帮浦中的第一开关与第二开关的集成电路的结构示意图。如图所示，两倍压的电荷帮浦包括一第一开关10′、一帮浦电容11′、一第二开关12′、一第三开关13′、一第四开关14′、一输出电容15′、一第一缓冲器20′、一第二缓冲器21′、一第三缓冲器22′与一第四缓冲器23′。第一开关10′耦接一供给电源VDD与帮浦电容11′的一第一端，帮浦电容11′的一第二端耦接于第二开关12′与第三开关13′，第二开关12′耦接于供给电源VDD与帮浦电容11′的第二端之间，第三开关13′耦接于帮浦电容11′的第二端与接地端之间，第四开关14′耦接于帮浦电容11′的第一端与输出电容15′的一端，输出电容15′耦接于第四开关14′与接地端之间，缓冲器20′，21′，22′，23′分别耦接第一开关10′、第二开关12′、第三开关13′与第四开关14′，并分别接收一第一输入讯号、一第二输入讯号、一第三输入讯号与一第四输入讯号，以作为控制开关之用。电荷帮浦的两倍压约2*供给电源VDD，其中供给电源VDD约为2.7V左右。

在图1B中，电荷帮浦的周期(T1)可分为两个部分，其分别为储能阶段(Charge-storing Phase)与转移阶段(Charge-transfer Phase)，其中电荷帮浦于储能阶段时，第一输入讯号为高准位，第二输入讯号为低准位，第三输入讯号为低准位与第四输入讯号为低准位，此阶段中帮浦电容11′储存电荷，而帮浦电容11′两端间的跨压为VDD；当电荷帮浦于转移阶段时，第一输入讯号为低准位，第二输入讯号为高准位，第三输入讯号为高准位与第四输入讯号为高准位，在此阶段中帮浦电容11′转移电荷至输出端AVDD。

当电荷帮浦在开始动作前，是处于储能阶段，而当电荷帮浦刚启动时，各个输入讯号的频率开始动作，即第一输入讯号由高准位转换为低准位，使第一开关10′关闭；第二输入讯号、第三输入讯号与第四输入讯号由低准位转换为高准位，分别使第二开关12′导通、第三开关13′导通与第四开关14′关闭。如此，帮浦电容11′的C1N端的电位由低准位(GND)转变成高准位(VDD)，因为帮浦电容11′两端点的电压差不会立即改变，故帮浦电容11′的C1P端的电位瞬间由高准位(VDD)提升为高准位(2*VDD)。此时，在正常的(原本预期的)电路动作中，因为第四开关14′导通，帮浦电容11′中的电荷将与输出电容15′分压，进而提升输出端的电位。

但是，由于第四开关14′的集成电路中存在一个PNP的寄生双极性晶体管30′，其射极(Emitter)电位为帮浦电容11′的C1P端的电压(2*VDD)，其基极(Base)电位为输出端的电压(VDD)，其集极(Collector)电位为芯片内部最低的电位，即GND。此寄生双极性晶体管30的射极基极电压差VEB为(2*VDD-VDD)＝VDD＝2.7V大于双极性晶体管30′的导通电压(约为0.7V)，且射极集极电压差VEC为2*VDD＞0，故此寄生双极性晶体管30′瞬间导通，将原本储存在帮浦电容11′中的电荷导流至接地端而浪费掉。如此，将使得电荷帮浦启动时输出电压的爬升时间(rise time)延长。并在高温环境下，甚至导致电荷帮浦启动失败，引发大电流。

再者，当电荷帮浦启动完毕且输出电压上升至稳定值(约为2*VDD)，输出电压将提供给其他电路使用，此即为电荷帮浦输出电压的负载，并且造成输出端的压降效应(AVDD＜2*VDD)。当电荷帮浦的负载够大时，使AVDD＜(2*VDD-VEB(ON))，其中V EB(ON)为使寄生双极性晶体管30′导通的射极基极电压差(约为0.7V)，将造成此寄生双极性晶体管30′，在电荷帮浦周期的储能阶段切换至转移阶段的瞬间，周期性的导通，使得原本储存在帮浦电容11′中的电荷导流至接地而浪费掉。如此，将降低电荷帮浦的功率效率(power efficiency)。在高温环境下，甚至导致电荷帮浦无法提供足够的输出电压，引发大电流。

同理，在负一倍压的电荷帮浦(如图2A、图2B与图2C所示)中，亦有上述的问题，故此不再多加赞述。

因此，如何针对上述问题而提出一种新颖电荷帮浦，不仅可防止因制程所产生的寄生双极性晶体管导通，而影响电荷帮浦的特性。并可回收电荷至正确的输出端点。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种电荷帮浦，其通过一截波电路或一箝位电路，而防止电荷帮浦因制程所产生的寄生双极性晶体管导通。

本发明的目的之二在于提供一种电荷帮浦，其通过一截波电路或一箝位电路，以回收电荷至正确的输出端点。

为实现本发明的目的及解决其技术问题是通过以下技术方案来实现的。

本发明提供的一种电荷帮浦，其包含一帮浦电容、一开关模块、一第一开关、一切换开关、一输出电容与一截波电路。帮浦电容是用以产生一帮浦电压；开关模块耦接于帮浦电容的一第一端；第一开关耦接于帮浦电容的一第二端；切换开关耦接于第一开关与帮浦电容，以切换帮浦电容输出帮浦电压，并产生一寄生晶体管；输出电容耦接切换开关，并通过切换开关与帮浦电容的第二端连接，以输出帮浦电压；截波电路耦接帮浦电容的第二端与输出电容之间，以关闭寄生晶体管。

并且，本发明的电荷帮浦更可由一箝位电路取代截波电路，其中箝位电路或截波电路为一萧特基二极管(Schottky diode)，其耦接于帮浦电容与输出电容之间，以避免寄生晶体管导通。

本发明的目的及解决其技术问题还通过以下技术方案来实现。

前述的电荷帮浦，其中该截波电路为单向导通。

前述的电荷帮浦，其中该切换开关包含一寄生晶体管，该截波电路的导通电压小于该寄生晶体管的导通电压。

前述的电荷帮浦，其中该第一开关更耦接该帮浦电容的该第二端与一电源之间。

前述的电荷帮浦，其中该截波电路为一萧特基二极管，并该萧特基二极管的一阳极耦接于该帮浦电容，该萧特基二极管的一阴极耦接于该输出电容。

前述的电荷帮浦，其中该第一开关更耦接该帮浦电容的该第二端与一接地端之间。

前述的电荷帮浦，其中该截波电路为一萧特基二极管，并该萧特基二极管的一阳极耦接于该输出电容，该萧特基二极管的一阴极耦接于该帮浦电容。

前述的电荷帮浦，其更包括：

一缓冲器，接收一输入讯号，产生一控制讯号，以控制该第一开关导通或截止。

前述的电荷帮浦，其中该缓冲器为一反相缓冲器。

前述的电荷帮浦，其中该第一开关为一金属氧化物半导体场效晶体管。

前述的电荷帮浦，其中该切换开关为一金属氧化物半导体场效晶体管。

前述的电荷帮浦，其中该开关模块更包括：

一第二开关，耦接一电源与该帮浦电容的该第一端；以及

一缓冲器，耦接该第二开关，并接收一输入讯号，以控制该第二开关导通或截止。

前述的电荷帮浦，其中该第二开关为一金属氧化物半导体场效晶体管。

前述的电荷帮浦，其中该缓冲器为一反相缓冲器。

前述的电荷帮浦，其中该开关模块更包括：

一第三开关，耦接一接地端与该帮浦电容的该第一端；以及

一缓冲器，耦接该第三开关，并接收一输入讯号，以控制该第三开关导通或截止。

前述的电荷帮浦，其中该第三开关为一金属氧化物半导体场效晶体管。

前述的电荷帮浦，其中该缓冲器为一反相缓冲器。

前述的电荷帮浦，其更包括：

一驱动缓冲器，耦接该切换开关，并接收一切换讯号，而产生一驱动讯号，以控制该切换开关导通或截止。

前述的电荷帮浦，其中该驱动缓冲器为一反相缓冲器。

本发明还同时公开了一种电荷帮浦，其包含：

一帮浦电容，用以产生一帮浦电压；

一开关模块，耦接于该帮浦电容的一第一端；

一第一开关，耦接于该帮浦电容的一第二端；

一切换开关，耦接该第一开关与该帮浦电容，切换该帮浦电容输出该帮浦电压；

一输出电容，耦接该切换开关，并通过该切换开关与该帮浦电容的第二端连接，以稳定并输出该帮浦电压；以及

一箝位电路，耦接该帮浦电容的第二端与该输出电容之间。前述的电荷帮浦，其中该箝位电路为单向导通。

前述的电荷帮浦，其中该切换开关包含一寄生晶体管，该箝位电路的导通电压小于该寄生晶体管的导通电压。

前述的电荷帮浦，其中该第一开关更耦接该帮浦电容的该第二端与一电源之间。

前述的电荷帮浦，其中该第一开关更耦接该帮浦电容的该第二端与一接地端之间。

前述的电荷帮浦，其更包括：

一缓冲器，接收一输入讯号，产生一控制讯号，以控制该第一开关导通或截止。

前述的电荷帮浦，其中该缓冲器为一反相缓冲器。

前述的电荷帮浦，其中该第一开关为一金属氧化物半导体场效晶体管。

前述的电荷帮浦，其中该切换开关为一金属氧化物半导体场效晶体管。

前述的电荷帮浦，其中该开关模块更包括：

一第二开关，耦接一电源与该帮浦电容的该第一端；以及

一缓冲器，耦接该第二开关，并接收一输入讯号，以控制该第二开关导通或截止。

前述的电荷帮浦，其中该第二开关为一金属氧化物半导体场效晶体管。

前述的电荷帮浦，其中该缓冲器为一反相缓冲器。

前述的电荷帮浦，其中该开关模块更包括：

一第三开关，耦接一接地端与该帮浦电容的该第一端；以及

一缓冲器，耦接该第三开关，并接收一输入讯号，以控制该第三开关导通或截止。

前述的电荷帮浦，其中该第三开关为一金属氧化物半导体场效晶体管。

前述的电荷帮浦，其中该缓冲器为一反相缓冲器。

前述的电荷帮浦，其更包括：

一驱动缓冲器，耦接该切换开关，并接收一切换讯号，而产生一驱动讯号，以控制该切换开关导通或截止。

前述的电荷帮浦，其中该驱动缓冲器为一反相缓冲器。

本发明的有益效果是：本发明所述的电荷帮浦包含一帮浦电容、一开关模块、一第一开关、一切换开关、一输出电容与一截波电路。帮浦电容用以产生一帮浦电压，开关模块与第一开关分别耦接帮浦电容的二端，切换开关耦接第一开关与帮浦电容，以切换帮浦电容输出帮浦电压，输出电容耦接切换开关与帮浦电容，以输出帮浦电容所输出的帮浦电压，截波电路耦接帮浦电容与输出电容之间，以避免切换开关的一寄生晶体管档通，而避免电荷流失，进而提升电荷帮浦的功率效率、减少启动时输出电压的上升或下降时间与增加高温环境下的电路的可靠度。

附图说明

图1A是现有技术的两倍压的电荷帮浦的电路图；

图1AB是现有技术的两倍压的电荷帮浦的输出讯号的时序图；

图1C是现有技术的两倍压的电荷帮浦中的第一开关与第二开关的集成电路的结构示意图；

图2A是现有技术的负一倍压的电荷帮浦的电路图；

图2B是现有技术的负一倍压的电荷帮浦的输出讯号的时序图；

图2C是现有技术的两倍压的电荷帮浦中的部分集成电路的结构示意图；

图3A是本发明较佳实施例之一的电路图；

图3B是本发明较佳实施例之一的集成电路图；

图4是本发明的另一较佳实施例的电路图；

图5A是本发明的另一较佳实施例的电路图；

图5B是本发明的另一较佳实施例的集成电路图；

图6A是本发明的另一较佳实施例的电路图；

图6B是本发明的另一较佳实施例的集成电路图；以及

图7是本发明的另一较佳实施例的电路图。

图号说明：

10′第一开关            11′帮浦电容

12′第二开关            13′第三开关

14′第四开关            15′输出电容

20′第一缓冲器          21′第二缓冲器

22′第三缓冲器          23′第四缓冲器

30′寄生双极性晶体管    10第一帮浦电容

12第一开关模块          120第二开关

122第二缓冲器           124第三开关

126第三缓冲器           14第一开关

16第一切换开关        18第一缓冲器

20第一输出电容        22第一截波电路

24第一驱动缓冲器      30寄生晶体管

32箝位电路            42萧特基二极管

46第二切换开关        60寄生晶体管

72截波电路            74截波电路

76截波电路            82切换开关

84切换开关            86切换开关

具体实施方式

为使审查员对本发明的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，用以较佳的实施例及配合详细的说明，说明如下：

请参阅图3A与图3B，是本发明较佳实施例之一的电路图与集成电路图。如图所示，本发明的电荷帮浦应用于二倍压的电荷帮浦，电荷帮浦包含一第一帮浦电容10、一第一开关模块12、一第一开关14、一第一切换开关16、一第一输出电容20与一第一截波电路22。第一帮浦电容10用以产生一帮浦电压，第一开关模块12耦接于第一帮浦电容10的一第一端，第一开关14耦接于第一帮浦电容10的一第二端与一电源(VDD)之间，第一切换开关16耦接第一开关14与第一帮浦电容10，以切换第一帮浦电容10输出帮浦电压，并产生一寄生晶体管30，第一输出电容20耦接第一切换开关16与一接地(GND)，截波电路22耦接第一帮浦电容10与第一输出电容20之间，以关闭寄生晶体管30，即避免寄生晶体管30导通而使电荷帮浦启动时输出电压的上升时间(rise time)延长，并降低电荷帮浦的功率效率(powerefficiency)，且在高温环境下，甚至导致电荷帮浦启动失败，引发大电流。

其中，本发明的电荷帮浦更包括一第一缓冲器18与一驱动缓冲器24。第一缓冲器18耦接于第一开关14，并接收一第一输入讯号，产生一控制讯号，以导通/截止第一开关14，驱动缓冲器24耦接第一切换开关16，并接收一第一切换讯号，而产生一驱动讯号，以导通/截止第一切换开关16，使电荷帮浦于转移阶段时，能将第一帮浦电容10所储存的电荷传送至第一输出电容20，以输出电压。

承上所述，本发明的电荷帮浦的第一开关模块12包括一第二开关120、一第二缓冲器122、一第三开关124与一第三缓冲器126。第二开关120耦接电源(VDD)与第一帮浦电容10的第一端，第二缓冲器122耦接第二开关122，并接收一第二输入讯号，以导通/截止第二开关120，第三开关124耦接一接地(GND)与第一帮浦电容10的第一端，第三缓冲器126耦接第三开关124，并接收一第三输入讯号，以导通/截止第三开关124。

当电荷帮浦在开始动作前，系处于储能阶段，而当电荷帮浦刚启动时，第一输入讯号至第三输入讯号与第一切换讯号的频率开始动作，即第一输入讯号由高准位转换为低准位，使第一开关14关闭；第二输入讯号、第三输入讯号与第一切换讯号由低准位转换为高准位，分别使第二开关122导通、第三开关126导通与第一切换开关16关闭。如此，第一帮浦电容10的第一端的电位由低准位(GND)转变成高准位(VDD)，由于第一帮浦电容10的两端点的电压差不会立即改变，故第一帮浦电容10的第二端的电位，瞬间由高准位(VDD)提升为二倍的高准位(2*VDD)。此时，由于第一切换开关16导通，而第一帮浦电容10中的电荷将与第一输出电容20分压，进而提升输出端的电位。

承上所述，由于第一切换开关16的集成电路中存在一个PNP的寄生晶体管30，其为双极性晶体管，并寄生晶体管30的射极(Emitter)电位为第一帮浦电容10的第二端的电压(2*VDD)，其基极(Base)电位为输出端的电压(VDD)，其集极(Collector)电位为芯片内部最低的电位，即(GND)。此寄生晶体管30的射极基极电压差(VEB)为(2*VDD-VDD)＝VDD＝2.7V大于一般双极性晶体管的导通电压(约为0.7V)，且射极集极电压差(VEC)为2*VDD＞0，故为了避免寄生晶体管30瞬间导通，而将原本储存在第一帮浦电容10中的电荷导流至接地端(GND)而浪费掉，因此，当电荷帮浦动作时，即在电荷帮浦于储能阶段切换至转移阶段的瞬间，可藉由截波电路22耦接至第一帮浦电容10与第一输出电容20之间，即截波电路22系为单向导通而将截波电路22的正极耦接第一帮浦电容10，负极耦接第一输出电容20，也就是如此，截波电路22的正极耦接寄生晶体管的射极，负极耦接寄生晶体管的基极，如此，使截波电路22于储能阶段切换至转移阶段的瞬间，由于截波电路22的导通电压小于寄生晶体管30的导通电压(0.7V)，故截波电路22比寄生晶体管30先导通，截波电路22导通后将第一帮浦电容10的电荷正确地传送至输出端，而不会有电荷流失的问题，进而提升电荷帮浦的功率效率、减少启动时输出电压的上升或下降时间与增加高温环境下的电路的可靠度。

此外，截波电路22可为箝位电路32(如图4所示)所取代，并截波电路22系为一萧特基二极管42(Schottky diode)，如图5A与图5B所示，其阳极耦接于第一帮浦电容10的第二端，阴极耦接于第一输出电容20，由于萧特基二极管的导通电压较双极性晶体管低(约为0.2V-0.4V)，所以，亦有上述的功效。

在上述中，第一开关10、第二开关120、第三开关与第一切换开关16为一金属氧化物半导体场效晶体管(Metal OxideSemiconductor Field Effective Transistor，MOSFET)。再者，第一缓冲器18、第二缓冲器122、第三缓冲器124与驱动缓冲器24为一反相缓冲器。

请参阅图6A与图6B，是本发明的另一较佳实施例的电路图与集成电路图。如图所示，其与图3A与图3B不同之处在于本实施例的电荷帮浦应用于负一倍压的电荷帮浦，由于在负一倍压的电荷帮浦中的第一切换开关16所制程的金属氧化物半导体场效晶体管不同于第二切换开关46所制成的金属氧化物半导体场效晶体管，即第一切换开关16为P型金属氧化物半导体场效晶体管，而第二切换开关46为N型金属氧化物半导体场效晶体管，如此，截波电路22的极性相反耦接于第二帮浦电容40与第二输出电容50之间，并截波电路22的导通电压小于寄生晶体管60的导通电压，如此，截波电路22可避免寄生晶体管60导通，以避免电荷流失的问题，进而提升电荷帮浦的功率效率、减少启动时输出电压的上升或下降时间与增加高温环境下的电路的可靠度。

再者，请参阅图7，是本发明的另一较佳实施例的电路图。如图所示，本实施例说明当本发明应用于正N倍压的电荷帮浦时，其可将复数个截波电路72，74，76分别并接于复数个切换开关82，84，86，使避免该些切换开关82，84，86本身所产生的寄生晶体管导通，而提升电荷帮浦的功率效率、减少启动时输出电压的上升或下降时间与增加高温环境下的电路的可靠度。

因此，本发明的电荷帮浦包含一帮浦电容、一开关模块、一第一开关、一切换开关、一输出电容与一截波电路。帮浦电容用以产生一帮浦电压，开关模块与第一开关分别耦接帮浦电容的二端，切换开关耦接第一开关与帮浦电容，以切换帮浦电容输出帮浦电压，输出电容耦接切换开关与帮浦电容，以输出帮浦电容所输出的帮浦电压，截波电路耦接帮浦电容与输出电容之间，以避免切换开关的一寄生晶体管档通，而避免电荷流失，进而提升电荷帮浦的功率效率、减少启动时输出电压的上升或下降时间与增加高温环境下的电路的可靠度。

综上所述，仅为本发明的一较佳实施例而已，并非用来限定本发明实施的范围，凡依本发明权利要求范围所述的形状、构造、特征及精神所为之均等变化与修饰，均应包括于本发明的权利要求范围内。

Claims (34)

1.一种电荷帮浦，其特征在于，其包含：

一帮浦电容，产生一帮浦电压；

一开关模块，耦接于该帮浦电容的一第一端；

一第一开关，耦接于该帮浦电容的一第二端；

一切换开关，耦接该第一开关与该帮浦电容，切换该帮浦电容输出该帮浦电压；

一输出电容，耦接该切换开关，并通过该切换开关与该帮浦电容的第二端连接，以输出该帮浦电压；以及

一截波电路，耦接该帮浦电容的第二端与该输出电容之间；

其中该切换开关包含一寄生晶体管，该截波电路的导通电压小于该寄生晶体管的导通电压。

2.根据权利要求1所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该截波电路为单向导通。

3.根据权利要求1所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该第一开关更耦接该帮浦电容的该第二端与一电源之间。

4.根据权利要求3所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该截波电路为一萧特基二极管，该电荷帮浦应用于一正倍压电路，该萧特基二极管的一阳极耦接于该帮浦电容，该萧特基二极管的一阴极耦接于该输出电容。

5.根据权利要求1所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该第一开关更耦接该帮浦电容的该第二端与一接地端之间。

6.根据权利要求5所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该截波电路为一萧特基二极管，该电荷帮浦应用于一负倍压电路，该萧特基二极管的一阳极耦接于该输出电容，该萧特基二极管的一阴极耦接于该帮浦电容。

7.根据权利要求1所述的电荷帮浦，其特征在于，其更包括：

一缓冲器，接收一输入讯号，产生一控制讯号，以控制该第一开关导通或截止。

8.根据权利要求7所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该缓冲器为一反相缓冲器。

9.根据权利要求1所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该第一开关为一金属氧化物半导体场效晶体管。

10.根据权利要求1所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该切换开关为一金属氧化物半导体场效晶体管。

11.根据权利要求1所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该开关模块更包括：

一第二开关，耦接一电源与该帮浦电容的该第一端；以及

一缓冲器，耦接该第二开关，并接收一输入讯号，以控制该第二开关导通或截止。

12.根据权利要求11所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该第二开关为一金属氧化物半导体场效晶体管。

13.根据权利要求11所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该缓冲器为一反相缓冲器。

14.根据权利要求1所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该开关模块更包括：

一第三开关，耦接一接地端与该帮浦电容的该第一端；以及

一缓冲器，耦接该第三开关，并接收一输入讯号，以控制该第三开关导通或截止。

15.根据权利要求14所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该第三开关为一金属氧化物半导体场效晶体管。

16.根据权利要求14所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该缓冲器为一反相缓冲器。

17.根据权利要求1所述的电荷帮浦，其特征在于，其更包括：

一驱动缓冲器，耦接该切换开关，并接收一切换讯号，而产生一驱动讯号，以控制该切换开关导通或截止。

18.根据权利要求17所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该驱动缓冲器为一反相缓冲器。

19.一种电荷帮浦，其特征在于，其包含：

一帮浦电容，产生一帮浦电压；

一开关模块，耦接于该帮浦电容的一第一端；

一第一开关，耦接于该帮浦电容的一第二端；

一切换开关，耦接该第一开关与该帮浦电容，切换该帮浦电容输出该帮浦电压；

一输出电容，耦接该切换开关，并通过该切换开关与该帮浦电容的第二端连接，并输出该帮浦电压；以及

一箝位电路，耦接该帮浦电容的第二端与该输出电容之间；

其中该切换开关包含一寄生晶体管，该箝位电路的导通电压小于该寄生晶体管的导通电压。

20.根据权利要求19所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该箝位电路为单向导通。

21.根据权利要求19所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该第一开关更耦接该帮浦电容的该第二端与一电源之间。

22.根据权利要求19所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该第一开关更耦接该帮浦电容的该第二端与一接地端之间。

23.根据权利要求19所述的电荷帮浦，其特征在于，其更包括：

一缓冲器，接收一输入讯号，产生一控制讯号，以控制该第一开关导通或截止。

24.根据权利要求23所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该缓冲器为一反相缓冲器。

25.根据权利要求19所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该第一开关为一金属氧化物半导体场效晶体管。

26.根据权利要求19所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该切换开关为一金属氧化物半导体场效晶体管。

27.根据权利要求19所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该开关模块更包括：

一第二开关，耦接一电源与该帮浦电容的该第一端；以及

一缓冲器，耦接该第二开关，并接收一输入讯号，以控制该第二开关导通或截止。

28.根据权利要求27所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该第二开关为一金属氧化物半导体场效晶体管。

29.根据权利要求27所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该缓冲器为一反相缓冲器。

30.根据权利要求19所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该开关模块更包括：

一第三开关，耦接一接地端与该帮浦电容的该第一端；以及

一缓冲器，耦接该第三开关，并接收一输入讯号，以控制该第三开关导通或截止。

31.根据权利要求30所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该第三开关为一金属氧化物半导体场效晶体管。

32.根据权利要求30所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该缓冲器为一反相缓冲器。

33.根据权利要求19所述的电荷帮浦，其特征在于，其更包括：

一驱动缓冲器，耦接该切换开关，并接收一切换讯号，而产生一驱动讯号，以控制该切换开关导通或截止。

34.根据权利要求33所述的电荷帮浦，其特征在于，其中该驱动缓冲器为一反相缓冲器。

Images