CN101562394B - 一种用于单片集成开关型调整器的软启动电路 - Google Patents
一种用于单片集成开关型调整器的软启动电路 Download PDFInfo
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Abstract
本发明提供一种用于单片集成开关型调整器的软启动电路，包括：充电电流生成电路，内置偏置电流生成器，软启动电容，一组电流镜；用于在偏置电流生成器生成第一电流IREF后，IREF通过一组电流镜产生充电电流ICSS，ICSS对软启动电容进行充电，在软启动电容上产生电容电压；软启动电压生成电路，获取电容电压作为软启动电压SS并输出；软启动控制信号生成电路，内置比较器的输入端分别输入SS和第一基准电压VREF，根据SS和VREF之间的高低输出软启动控制信号SS_signal用以在第二基准电压VREF和SS之间选择两者之一作为输出电压。应用本实施例提供的技术，保证开关型调整器的输出实现从软启动到正常工作状态的平稳过渡，不再需要外置的大容量软启动电容，减少芯片管脚和成本。
Description
技术领域
本发明涉及电子电路技术，特别是指一种用于单片集成开关型调整器的软启动电路。
背景技术
传统的开关型调整器，如图1所示的典型的升压型变换器中，在启动期间，由于输出电压比较小，反馈端FB电压比较低，而参考电压已经为正常值，误差放大器的输出快速给补偿电容C103充电，这可能会导致使输入过载的浪涌，或者在输出端产生过高电压。
如果利用软启动控制器使电容C上的电压缓慢地上升，并限制输送到输出电容C的能量，这个浪涌就可以避免。图2描述了一种软启动装置，在电源上电阶段，由于外接软启动电容C104的电容值比较大，从而使得SS端电压缓慢上升，这样在误差放大器的输出端电压也会缓慢上升。
发明人在实现本发明的过程中，发现现有技术中至少存在如下问题：软启动电路需要额外的电容器和额外的管脚，在引线数量有限的情形下不实用，且由于电容器过大而不能封装在单个集成电路内。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种用于单片集成开关型调整器的软启动电路，用于解决现有技术中，软启动电路需要额外的电容器和额外的管脚，在引线数量有限的情形下不实用，且由于电容器过大而不能封装在单片集成电路内的缺陷。
基于上述原因，本发明实施例提供一种用于单片集成开关型调整器的软启动电路，包括：充电电流生成电路，内置一偏置电流生成器，一软启动电容，一组电流镜；用于在所述偏置电流生成器生成一第一电流IREF后，所述IREF通过一组所述电流镜产生一充电电流ICSS，所述ICSS对所述软启动电容进行充电，在所述软启动电容上产生一电容电压；其中，所述一组电流镜包括：第一电流镜，包括一第一P沟道场效应晶体管；用于提供所述第一电流IREF；第二电流镜，与所述第一电流镜连接，包括第一N沟道场效应晶体管和第二P沟道场效应晶体管；用于接收所述第一电流IREF以提供一第二电流，所述第二电流与所述第一电流相等；第三电流镜，与所述第一电流镜和所述第二电流镜连接，包括第三P沟道场效应晶体管，用于提供一第三电流Y×IREF；第四电流镜，与所述第二电流镜连接，包括第二N沟道场效应晶体管；用于提供一第四电流X×IREF；软启动电压生成电路，获取所述软启动电容提供的的所述电容电压作为一软启动电压SS并输出；软启动控制信号生成电路，内置一比较器，所述比较器的输入端分别输入所述SS和一第一基准电压VREF，所述比较器的输出端作为所述软启动控制信号生成电路的输出端，根据所述SS和所述第一基准电压VREF之间的高低输出一软启动控制信号SS_signal；所述SS_signal用以在一第二基准电压VREF和所述SS之间选择两者之一作为输出电压。
所述的软启动电路中，还包括：选择器，输入端分别输入所述SS_signal，所述SS和所述第二基准电压VREF；用于根据所述SS_signal，当所述SS低于等于所述第二基准电压VREF时，选择所述SS作为所述输出电压；当所述SS高于所述第二基准电压VREF时，选择所述第二基准电压VREF作为所述输出电压。
所述的软启动电路中，所述选择器的输出端子与一误差放大器的同相输入端连接；所述误差放大器的反相输入端接收一反馈电压；所述误差放大器，用于放大所述反馈电压与所述选择器输出的所述输出电压之间的差值，将所述差值放大后输出到一脉冲宽度调制器。
所述的软启动电路中，还包括：所述误差放大器的输出端接至一补偿电容。
所述的软启动电路中，所述软启动电压生成电路包括：第四P沟道场效应晶体管、第三N沟道场效应晶体管和第四N沟道场效应晶体管；其中，所述第一N沟道场效应晶体管的漏极端子连接至所述第二P沟道场效应晶体管的漏极端子，所述第一N沟道场效应晶体管的栅极端子连接至所述第二N沟道场效应晶体管的栅极端子，所述第一N沟道场效应晶体管的栅极端子与自身的漏极端子连接在一起；第一N沟道场效应晶体管、第二N沟道场效应晶体管的源极端子均接地，由所述第二N沟道场效应晶体管提供电流X×IREF；所述第二N沟道场效应晶体管的漏极端子接至第三P沟道场效应晶体管的漏极端子，并接第三N沟道场效应晶体管的栅极端子；第四P沟道场效应晶体管的漏极端子连接至第三N沟道场效应晶体管的栅极；第三N沟道场效应晶体管的源极端子连接至第一电阻，所述第一电阻的另外一端接第四N沟道场效应晶体管的漏极端子，第四P沟道场效应晶体管、第四N沟道场效应晶体管的栅极端子接至所述比较器的输出端。
所述的软启动电路中，还包括：一上拉电压，与所述第一P沟道场效应晶体管的源极端子，第二P沟道场效应晶体管的源极端子，第三P沟道场效应晶体管的源极端子，第四P沟道场效应晶体管的源极端子，以及第三N沟道场效应晶体管的漏极端子连接。
所述的软启动电路中，所述X、Y之间满足关系：Y＞X＞＞1。
所述的软启动电路中，还包括：所述软启动电容的一端连接到所述第二N沟道场效应晶体管的漏极，另一端连接到所述第二N沟道场效应晶体管的栅极。
所述的软启动电路中，还包括：内置的软启动电容位于集成电路里面。
所述的软启动电路中，还包括：所述反馈电压接至误差放大器的反相端子，所述选择器的输出端连接至误差放大器的同相端子。
应用本实施例提供的技术，由SS_signal控制所提供的输出电压，当SS小于等于第二基准电压VREF时，由处于缓慢上升状态的SS作为所述输出电压，当SS大于第二基准电压VREF时，由第二基准电压VREF作为所述输出电压，因此使误差放大器在开关型调整器启动时先响应软启动电压SS，而不是先响应第二基准电压，保证了使得接收SS脉冲宽度调制信号的占空比可以从小到大的增加，开关型调整器的输出能够实现从软启动到正常工作状态的平稳过渡，且不再需要外置的大容量软启动电容，减少了芯片管脚，降低了芯片成本。
附图说明
图1为典型升压型变换器结构示意图；
图2为一种软启动装置结构示意图；
图3为本发明实施例软启动电路结构示意图；
图4为本发明实施例软启动电路内部元器件连接关系示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术特征和实施效果更加清楚，下面将结合附图及具体实施例对本发明的技术方案进行详细描述。
本发明提供的实施例中，提供一种用于单片集成开关型调整器的软启动电路，如图3所示，包括：
充电电流生成电路301，内置一偏置电流生成器405，一软启动电容(CSS)401，一组电流镜；用于使所述偏置电流生成器405生成一第一电流IREF，所述IREF通过一组所述电流镜产生一充电电流ICSS，所述ICSS对所述软启动电容401进行充电，在所述软启动电容401上产生一电容电压；
软启动电压生成电路302，获取所述软启动电容401提供的的所述电容电压作为一软启动电压SS并输出；
软启动控制信号生成电路303，内置一比较器402，所述比较器402的输入端分别输入所述SS和一第一基准电压VREF，所述比较器402的输出端作为所述软启动控制信号生成电路303的输出端，根据所述SS和所述VREF之间的高低输出一SS_signal；所述SS_signal用以在一第二基准电压VREF和所述SS之间选择两者之一作为输出电压。其中，第一基准电压VREF和第二基准电压VREF数值通常一致。
应用本实施例提供的技术，由软启动电路输出的SS_signal来控制开关型调整器所需的输出电压，当SS小于等于第二基准电压VREF时，由处于缓慢上升状态的SS作为所述输出电压，当SS大于第二基准电压VREF时，由第二基准电压VREF作为所述输出电压，因此使误差放大器101在开关型调整器启动时先响应软启动电压SS，而不是先响应第二基准电压，使得接收SS的脉冲宽度调制器102的占空比可以从小到大的增加，保证了开关型调整器的输出能够实现从软启动到正常工作状态的平稳过渡，且不再需要外置的大容量软启动电容401，减少了芯片管脚，降低了芯片成本。
还包括：
选择器403，输入端分别输入所述SS_signal，一所述SS和所述第二基准电压VREF；用于根据所述SS_signal，当所述SS低于等于所述第二基准电压VREF时，选择所述SS作为所述输出电压；当所述SS高于所述第二基准电压VREF时，选择所述第二基准电压VREF作为所述输出电压。
所述选择器403的输出端子与一误差放大器101的同相输入端连接；
所述误差放大器101的反相输入端接收一反馈电压；
所述误差放大器101放大所述反馈电压与所述选择器403输出的所述输出电压之间的差值，并输出到一脉冲宽度调制器102。
在接下来的描述中，参考图1和图2中的元器件及其标号，提供软启动电路中各个元器件的实例值，以使得技术人员能够对本发明实施例进行透彻的理解。如图4所示，软启动电路中的充电电流生成电路301、软启动电压生成电路302、以及软启动控制信号生成电路303，其中：
充电电流生成电路301，与一上拉电压VDD连接，内置一偏置电流生成器405，一软启动电容401，一组电流镜，利用此一上拉电压对软启动电容401进行充电，在所述软启动电容401上产生一电容电压。
一组电流镜包括了四个电流镜，分别是：晶体管MP1作为第一电流镜，晶体管MP2和晶体管MN1作为第二电流镜，晶体管MP3作为第三电流镜，晶体管MN2镜像第二电流镜作为第四电流镜。
第一电流镜，包括一第一P沟道场效应晶体管MP1；用于提供所述第一电流IREF；
第二电流镜，与所述第一电流镜连接，包括第一N沟道场效应晶体管MN1和第二P沟道场效应晶体管MP2；用于接收所述第一电流IREF以提供一第二电流，所述第二电流与所述第一电流相等；
第三电流镜，与所述第一电流镜和所述第二电流镜连接，包括第三P沟道场效应晶体管MP3，用于提供一第三电流Y×IREF；
第四电流镜，与所述第二电流镜连接，包括第二N沟道场效应晶体管MN2；用于提供一第四电流X×IREF。
其中第三电流镜的放大倍数M＝Y，因此其第三电流为Y×IREF，第四电流镜的电流为第四电流X×IREF，则，给软启动电容401充电的电流值为：
由于要求Y＞X＞＞1，因此充电电流ICSS被远远缩小，这样对于一定的启动时间，可以使用更小容量的电容作为软启动电容401，从而节省芯片的面积，使原来由于软启动电容401太大而不能单片集成而必须外接软启动电容401的软启动电路，采用本实施例技术后可以完全集成在单芯片上，减少了芯片管脚，降低了芯片成本。
软启动电压生成电路302，包括：第四P沟道场效应晶体管MP4、第三N沟道场效应晶体管MN3和第四N沟道场效应晶体管MN4；且第四P沟道场效应晶体管、第三N沟道场效应晶体管和第四N沟道场效应晶体管构成一所述电平移位器406，获取所述软启动电容401的所述电容电压作为一软启动电压(SS，Soft Starting)并输出。其中，
所述第一N沟道场效应晶体管的漏极端子连接至所述第二电流镜的漏极端子，所述第一N沟道场效应晶体管的栅极端子连接至所述第二N沟道场效应晶体管的栅极端子，所述第一N沟道场效应晶体管的栅极端子与自身的漏极端子连接在一起；第一N沟道场效应晶体管、第二N沟道场效应晶体管的源极端子均接地，由所述第二N沟道场效应晶体管提供所述第三电流X×IREF；
所述第二N沟道场效应晶体管的漏极端子接至第三P沟道场效应晶体管的漏极端子，并接第三N沟道场效应晶体管的栅极端子；
第四P沟道场效应晶体管的漏极端子连接至第三N沟道场效应晶体管的栅极，第三N沟道场效应晶体管的源极端子连接至一第一电阻RS1，所述第一电阻的另外一端接第四N沟道场效应晶体管的漏极端子，第四P沟道场效应晶体管、第四N沟道场效应晶体管的栅极端子接至所述比较器402的输出端。
软启动控制信号生成电路303，具体可以采用一比较器402，比较器402的输入端分别输入SS和一基准电压VREF，并比较两者之间的高低；比较器402的输出端作为软启动控制信号生成电路303的输出端输出一SS_signal。在比较器402中：如果SS高于VREF，比较器402的输出端信号SS_signal变为低电平，该低电平启动一与所述2选1的选择器403，此时选择器403输出基准电压VREF；如果SS低于VREF，则选择器403输出SS。
最终，选择器403的输出端与一误差放大器101的同相输入端连接，其输出的电压与误差放大器101的反相输入端所输入的反馈电压进行比对，误差放大器101的输出端连接一脉冲宽度调制器102。
进一步地，当SS高于VREF时，比较器402输出的软启动控制信号SS_signal由高变低，SS_signal通过连接至晶体管MP4的栅极端子，拉高软启动电容401的电压，锁存SS_signal为低电平。
一上拉电压，与所述第一P沟道场效应晶体管的源极端子，第二P沟道场效应晶体管的源极端子，第三P沟道场效应晶体管的源极端子，第四P沟道场效应晶体管的源极端子，以及第三N沟道场效应晶体管的漏极端子连接。
所述内置软启动电容401位于集成电路里面；软启动电容401的一端连接到所述第二N沟道场效应晶体管的漏极，另一端连接到所述第二N沟道场效应晶体管的栅极。
存在一个反馈电路404，其输入端与误差放大器101的输出端子连接，为实现反馈(FB，FeedBack)提供一反馈电压，反馈电压输入误差放大器101的反相端，误差放大器101的同相端连接选择器403的输出端，误差放大器101的输出端子与一脉冲宽度调制器102的补偿管脚COMP连接。选择器403的输入包括SS_signal、软启动电压SS、以及基准电压；其中SS_signal来自所述调整器的输出。
应用本实施例提供的技术，使误差放大器101在开关型调整器启动时先响应软启动电压SS，而不是先响应基准电压，由于SS缓慢上升，使得接收SS脉冲宽度调制信号的占空比可以从小到大的增加，因此开关型调整器的输出能够实现从软启动到正常工作状态的平稳过渡，且不再需要外置的大容量软启动电容401，减少了芯片管脚，降低了芯片成本。
上述描述了调整器的内部结构，其工作机制具体包括：
步骤501.调整器启动，在充电电流生成电路301中，其内部的偏置电流生成器405生成一偏置电流IREF，IREF通过一组电流镜产生一充电电流ICSS。
步骤502.随着软启动电容401上的电容电压缓慢增加，在软启动电压生成电路302中，同时把软启动电容401的电容电压通过一电平移位器406生成一软启动电压SS输出。
该电平移位器406由MN3、RS1、MN4组成，其中MN4的栅极接收软启动控制信号生成电路303输出的SS_signal。
步骤503.软启动控制信号生成电路303接收来自软启动电压生成电路302的SS，比较之后输出一SS_signal。
软启动电压生成电路302具体可以采用一比较器402，比较器402的输入端分别输入SS和一基准电压VREF，并比较两者之间的高低；比较器402的输出端作为软启动控制信号生成电路303的输出端输出一SS_signal。
如果SS高于VREF，比较器402的输出端信号SS_signal变为低电平，该低电平启动一选择器403，此时选择器403输出VREF；由于SS_signal连接至晶体管MP4的栅极端子，因此此时拉高软启动电容401的电压，并锁存SS_signal为低电平。
如果SS低于VREF，则选择器403输出SS。
步骤504.SS_signal通过控制选择器403来结束软启动过程，并进入正常的开关型调整器的过程。
本发明实施例详细描述了一种应用于调整器的软启动电路，通过所述软启动以检测软启动电压，使误差放大器101在开关型调整器启动时先响应软启动电压，而不是先响应基准电压，从而实现软启动以及调整器从软启动到正常工作的平稳过渡。
本发明的实施例具有以下有益效果，使误差放大器101在开关型调整器启动时先响应软启动电压SS，而不是先响应基准电压，由于SS缓慢上升，使得接收SS脉冲宽度调制信号的占空比可以从小到大的增加，因此开关型调整器的输出能够实现从软启动到正常工作状态的平稳过渡，且不再需要外置的大容量软启动电容401，减少了芯片管脚，降低了芯片成本。
应当说明的是，本领域技术人员可以理解，即使在缺少一个或多个特定细节或者与其它方法、元件、材料等结合的情况下，本发明也可以被实现。以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，所有的参数取值可以根据实际情况调整，且在该权利保护范围内。本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (10)
1.一种用于单片集成开关型调整器的软启动电路，其特征在于，包括：
充电电流生成电路，内置一偏置电流生成器，一软启动电容，一组电流镜；用于在所述偏置电流生成器生成一第一电流IREF后，所述IREF通过一组所述电流镜产生一充电电流ICSS，所述ICSS对所述软启动电容进行充电，在所述软启动电容上产生一电容电压；其中，所述一组电流镜包括：
第一电流镜，包括一第一P沟道场效应晶体管；用于提供所述第一电流IREF；
第二电流镜，与所述第一电流镜连接，包括第一N沟道场效应晶体管和第二P沟道场效应晶体管；用于接收所述第一电流IREF以提供一第二电流，所述第二电流与所述第一电流相等；
第三电流镜，与所述第一电流镜和所述第二电流镜连接，包括第三P沟道场效应晶体管，用于提供一第三电流Y×IREF；
第四电流镜，与所述第二电流镜连接，包括第二N沟道场效应晶体管；用于提供一第四电流X×IREF；
软启动电压生成电路，获取所述软启动电容提供的的所述电容电压作为一软启动电压SS并输出；
软启动控制信号生成电路，内置一比较器，所述比较器的输入端分别输入所述SS和一第一基准电压VREF，所述比较器的输出端作为所述软启动控制信号生成电路的输出端，根据所述SS和所述第一基准电压VREF之间的高低输出一软启动控制信号SS_signal；所述SS_signal用以在一第二基准电压VREF和所述SS之间选择两者之一作为输出电压。
2.根据权利要求1所述的软启动电路，其特征在于，还包括：
选择器，输入端分别输入所述SS_signal，所述SS和所述第二基准电压VREF；用于根据所述SS_signal，当所述SS低于等于所述第二基准电压VREF时，选择所述SS作为所述输出电压；当所述SS高于所述第二基准电压VREF时，选择所述第二基准电压VREF作为所述输出电压。
3.根据权利要求2所述的软启动电路，其特征在于，所述选择器的输出端子与一误差放大器的同相输入端连接；
所述误差放大器的反相输入端接收一反馈电压；
所述误差放大器，用于放大所述反馈电压与所述选择器输出的所述输出电压之间的差值，将所述差值放大后输出到一脉冲宽度调制器。
4.根据权利要求3所述的软启动电路，其特征在于，还包括：所述误差放大器的输出端接至一补偿电容。
5.根据权利要求1所述的软启动电路，其特征在于，
所述软启动电压生成电路包括：第四P沟道场效应晶体管、第三N沟道场效应晶体管和第四N沟道场效应晶体管；
其中，
所述第一N沟道场效应晶体管的漏极端子连接至所述第二P沟道场效应晶体管的漏极端子，所述第一N沟道场效应晶体管的栅极端子连接至所述第二N沟道场效应晶体管的栅极端子，所述第一N沟道场效应晶体管的栅极端子与自身的漏极端子连接在一起；第一N沟道场效应晶体管、第二N沟道场效应晶体管的源极端子均接地，由所述第二N沟道场效应晶体管提供电流X×IREF；
所述第二N沟道场效应晶体管的漏极端子接至第三P沟道场效应晶体管的漏极端子，并接第三N沟道场效应晶体管的栅极端子；
第四P沟道场效应晶体管的漏极端子连接至第三N沟道场效应晶体管的栅极；第三N沟道场效应晶体管的源极端子连接至第一电阻，所述第一电阻的另外一端接第四N沟道场效应晶体管的漏极端子，第四P沟道场效应晶体管的栅极端子和第四N沟道场效应晶体管的栅极端子接至所述比较器的输出端。
6.根据权利要求5所述的软启动电路，其特征在于，还包括：
一上拉电压，与所述第一P沟道场效应晶体管的源极端子，第二P沟道场效应晶体管的源极端子，第三P沟道场效应晶体管的源极端子，第四P沟道场效应晶体管的源极端子，以及第三N沟道场效应晶体管的漏极端子连接。
7.根据权利要求5所述的软启动电路，其特征在于，所述X、Y之间满足关系：Y＞X＞＞1。
8.根据权利要求5所述的软启动电路，其特征在于，还包括：
所述软启动电容的一端连接到所述第二N沟道场效应晶体管的漏极，另一端连接到所述第二N沟道场效应晶体管的栅极。
9.根据权利要求8所述的软启动电路，其特征在于，还包括：
内置的软启动电容位于集成电路里面。
10.根据权利要求3所述的软启动电路，其特征在于，还包括：
所述反馈电压接至误差放大器的反相端子，所述选择器的输出端连接至误差放大器的同相端子。
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Cited By (1)
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Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN103051166A (zh) * | 2011-10-12 | 2013-04-17 | 上海华虹集成电路有限责任公司 | 用于开关电源中的软启动电路 |
| CN103929861B (zh) * | 2014-04-29 | 2017-02-01 | 武汉大学 | 一种led驱动中的新型软启动电路 |
| CN104038039B (zh) * | 2014-06-20 | 2017-02-15 | 东南大学 | 一种单周期控制加iii型补偿的cuk型开关变换器的启动电路 |
| CN106841964B (zh) * | 2016-12-16 | 2019-04-09 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 高精度可编程电压软启动电路 |
| CN107834837B (zh) * | 2017-11-28 | 2019-08-02 | 电子科技大学 | 一种带有非稳态电流限制的自适应软启动电路 |
| CN109245511A (zh) * | 2018-09-25 | 2019-01-18 | 上海艾为电子技术股份有限公司 | 开关电源的软启动控制电路及方法 |
| CN111555643B (zh) | 2020-06-05 | 2024-02-27 | 上海晶丰明源半导体股份有限公司 | 开关电源控制器、开关电源系统及开关电源系统供电方法 |
| CN111525822B (zh) * | 2020-06-05 | 2021-08-06 | 上海晶丰明源半导体股份有限公司 | 开关电源控制器、开关电源系统及开关电源系统供电方法 |
| CN114460994B (zh) * | 2020-11-09 | 2024-09-27 | 扬智科技股份有限公司 | 电压调整器 |
| CN115102384B (zh) * | 2022-07-15 | 2023-07-18 | 深圳市单源半导体有限公司 | 软启动控制电路及其控制方法和供电电路 |
| CN115333356B (zh) * | 2022-10-10 | 2023-02-17 | 深圳市泰德半导体有限公司 | 一种软启动电路及开关电源 |
| CN117118219B (zh) * | 2023-10-08 | 2024-07-26 | 西安航天民芯科技有限公司 | 一种片内集成的软启动电路 |
| CN118174530B (zh) * | 2024-03-22 | 2024-08-27 | 杭州思睿达微电子有限公司 | 一种利用运放失配特性的软启动电路 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1980024A (zh) * | 2005-12-09 | 2007-06-13 | 美国芯源系统股份有限公司 | 开关型调节器和用于软启动开关型调节器的方法 |
| CN101295922A (zh) * | 2008-06-13 | 2008-10-29 | 北京中星微电子有限公司 | 一种可实现线性控制的软启动装置 |
-
2009
- 2009-03-06 CN CN200910004529XA patent/CN101562394B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1980024A (zh) * | 2005-12-09 | 2007-06-13 | 美国芯源系统股份有限公司 | 开关型调节器和用于软启动开关型调节器的方法 |
| CN101295922A (zh) * | 2008-06-13 | 2008-10-29 | 北京中星微电子有限公司 | 一种可实现线性控制的软启动装置 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 李演明等.一种DC-DC开关电源片上软启动电路.《半导体学报》.2008,第29卷(第6期),第1210页至第1214页. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107508466A (zh) * | 2017-09-01 | 2017-12-22 | 无锡力芯微电子股份有限公司 | 具有高效软启动电路的升压稳压器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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