CN101548175A - 检测装置 - Google Patents

检测装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101548175A
CN101548175A CNA2008800009850A CN200880000985A CN101548175A CN 101548175 A CN101548175 A CN 101548175A CN A2008800009850 A CNA2008800009850 A CN A2008800009850A CN 200880000985 A CN200880000985 A CN 200880000985A CN 101548175 A CN101548175 A CN 101548175A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electromagnetic wave
section
incoherent
ripple
wave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2008800009850A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101548175B (zh
Inventor
井辻健明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of CN101548175A publication Critical patent/CN101548175A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101548175B publication Critical patent/CN101548175B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G01N21/4795Scattering, i.e. diffuse reflection spatially resolved investigating of object in scattering medium
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/35Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
    • G01N21/3581Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using far infrared light; using Terahertz radiation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

一种检测装置,能够通过使用非相干电磁波精确地进行目标的无损观测。检测装置具有产生部分(101)、第一耦合器部分(104)、延迟部分(106)、第二耦合器部分(104)、检测部分(107)和信号处理部分(100)。产生部分(101)包含相干电磁波源(102)和用于通过根据码模式改变相干电磁波的传播状态来产生伪非相干电磁波的扩散部分(103)。非相干电磁波被分成第一和第二波,并且,第一波受观测目标(105)影响,而第二波被延迟部分延迟。然后耦合第一和第二波以产生具有它们的相关信号的耦合波,并且,利用该信号来获取关于观测目标内部的信息。

Description

检测装置
技术领域
本发明涉及用于借助电磁波获取关于观测目标的信息的检测装置,并且还涉及用于获取观测目标的图像的成像装置。
背景技术
近年来,已经开发了无损测试技术,所述无损测试技术使用包含从毫米波到太赫波区域(从30GHz到30THz)中任意选出的频带的频率的高频电磁波(以下,称为太赫波)。已知太赫波含有各种不同物质的吸收线,包括生物分子的吸收线。该频率范围的应用包括用于可消除X射线的使用的荧光检查的安全成像技术、和用于通过确定各种物质内的吸收谱和复介电常数值来观察分子的键合状况的光谱测定技术。此外,用于分析生物分子的技术以及用于估计载流子的浓度和迁移率的技术受到期待。
使用皮秒量级的脉冲信号(或太赫波)的无损检查技术和成像技术已被提出(参见日本专利申请公开No.H10-090174等)。这些技术涉及二维成像。用于检测来自表现出不同折射率的相邻层的边界的散射光并通过使用非相干电磁波源获取沿深度方向的信息的成像技术也已经被提出(参见日本专利申请公开No.H06-035946等)。
发明内容
上面所引用的技术用于通过使用非相干光(包含脉冲信号)成像。但是,如果与CW(连续波)电磁波源相比,非相干电磁波源提供较低的输出水平并且较不稳定,使得难以实现精确的测量。特别地,太赫波区域中的许多非相干电磁波源具有一些问题,包括:非相干电磁源只能产生微瓦量级的微弱信号,以及需要大的装置。
鉴于上述问题,本发明提供一种检测装置,包括:产生部分,用于产生非相干电磁波;第一耦合器部分;延迟部分;第二耦合器部分;检测部分;和信号处理部分。第一耦合器部分将非相干电磁波分成第一波和第二波。延迟部分通过改变第二波的传播状态而延迟该第二波的传播时间。第二耦合器部分耦合传播状态被观测目标改变了的第一波和传播状态改变了的第二波,以产生具有第一波和第二波之间的相关信号的耦合波。检测部分检测耦合波的相关信号。信号处理部分基于由延迟部分给出的传播时间的延迟程度和由检测部分检测的相关信号的强度,获取关于观测目标的信息。另外,产生部分包含电磁波源和扩散部分,所述电磁波源用于产生相干电磁波,所述扩散部分用于通过借助按时间序列变化的码模式而改变从电磁波源产生的相干电磁波的传播状态,产生伪非相干电磁波。
鉴于上述的问题,本发明还提供用于借助上述检测装置提供观测目标沿深度方向的内部图像的成像装置,其中,信号处理部分基于延迟程度和由检测部分检测的相关信号的强度,获取观测目标沿第一波的传播方向的内部的信息。
在根据本发明的检测装置和成像装置中,由于可使用具有相对较高的输出水平的相干电磁波源,因此提高了由检测部分获得的检测信号的强度,以使得能够比以前更加精确地进行观测。虽然为了本发明的目的在理论上可以使用任何频率的电磁波,但是,对于使用难以为其提供高度灵敏的检测器和高功率电磁波源的、包含30GHz和30THz之间的频带内的频率的太赫波,本发明是特别明显有利的。
从参照附图对示例性实施例的以下描述,本发明的其它特征将变得清晰。
附图说明
图1是根据本发明的实施例的示意性电路图。
图2是用于描述本发明的例子1所要参照的示意性电路图。
图3是用于描述本发明的例子2所要参照的示意性电路图。
图4是在本发明的例子3中被用作扩散部分的转盘的示意图。
图5是在本发明的例子4中被用作扩散部分的转盘的示意图。
图6是在本发明的例子5中被用作扩散部分的微反射镜的示意图。
图7是本发明的例子6的扩散部分的操作的示意图。
图8是本发明的例子7的扩散部分的操作的示意图。
图9A和图9B是根据本发明的装置的操作的示意图。
图10是根据本发明的另一实施例的示意性电路图。
具体实施方式
现在,将参照附图更加详细地描述本发明。在附图中,始终用相同的附图标记表示具有相同特征的元件。
图1是根据本发明的成像装置的实施例的示意性电路图。参见图1,本实施例的成像装置包括产生部分101、耦合器部分104、延迟部分106、检测部分107和信号处理部分108。单个耦合器部分104被设置有第一耦合器部分的功能和第二耦合器部分的功能这两者。第一耦合器部分的功能是:分离来自产生部分101的非相干电磁波。第二耦合器部分的功能是:耦合作为第一耦合器部分的分离的结果产生并被保持有被样品(观测目标)105改变的传播状态的非相干电磁波和被保持有被延迟部分106改变的传播状态的非相干电磁波,并且确定它们之间的相关性。
产生部分101包含作为相干电磁波源的激光源102和扩散部分103。激光源102是产生具有单一波长的相干电磁波(CW光)的部件。扩散部分103操作以通过时间上随机调制从激光源102产生的电磁波(即,通过伪随机调制)将相干电磁波变换成伪非相干电磁波。更具体地讲,扩散部分103使用任意选择的编码信号,通过数字ON/OFF强度调制,将从激光源102产生的相干电磁波变换成伪非相干电磁波,所述编码信号显示出按时间序列变化的码模式。扩散部分103还对应于编码信号通过相干电磁波的相位的模拟调制来产生压缩波,并且使用该压缩波作为非相干电磁波。只要扩散部分103可实现产生相干电磁波的目的,扩散部分103就可具有任何具体的配置。
耦合器部分104将从产生部分101输出的非相干电磁波分成指向延迟部分106的非相干电磁波和指向样品105的非相干电磁波,以使它们显示出预定的比率。另外,如上面所指出的那样,耦合器部分104耦合来自延迟部分106的非相干电磁波和来自样品105的非相干电磁波,并将耦合波输出到检测部分107。延迟部分106通过改变从耦合器部分104输出到延迟部分106的非相干电磁波的传播状态来延迟其传播时间,以提供时间延迟。
检测部分107操作为检测从耦合器部分104输出的非相干电磁波的信号的强度。信号处理部分108监视检测部分107的检测信号和由延迟部分106产生的时间延迟的程度,并通过计算获得关于样品105的表面和沿其深度方向(电磁波的传播方向)的内部的信息。以这种方式,信号处理部分108获取样品105沿电磁波的传播方向的内部轮廓,并且,必要的话,在显示部分上显示观测对象的内部的图像。
现在将参照有关附图更加详细地描述本实施例的操作。
参见图1,激光源102产生相干电磁波。扩散部分103借助预定的码模式调制该相干电磁波,以将该相干电磁波变换成非相干电磁波。在本实施例中,扩散部分103通过ON-OFF切换以数字方式扩散激光源102的输出。出于简化说明的目的,假定对于扩散使用8位码模式(10001010)。
从产生部分101输出的非相干电磁波到达耦合器部分104。然后,电磁波被分成两个非相干电磁波,其中的一个指向样品105,另一个指向延迟部分106。如图1所示,到达样品105的非相干电磁波在界面(由阴影线部分和白色部分的边界线表示)处被反射,在该界面处,折射率由于表面的相对侧处的物质和内部的物质而改变。被反射的电磁波返回耦合器部分104,在该耦合器部分104中,电磁波再次被反射以指向检测部分107。到达耦合器部分104的电磁波作为样品105的表面处的界面和内部的界面的数量和位置的函数而表现出顺次的时间滞后,使得电磁波看起来像回声信号。
另一方面,到达延迟部分106的电磁波以由延迟部分106提供的时间延迟被反射回耦合器部分104。
因此,被样品105反射的电磁波以及被延迟部分106反射的电磁波均到达耦合器部分104。耦合器部分104使得分别被样品105和延迟部分106反射并来自它们的电磁波相互干涉,并将作为干涉的结果产生的电磁波输出到检测部分107。检测部分107检测干涉的电磁波的强度。
图9A和图9B示出信号的例子。图9A示出完全相关(即,在相同的定时到达耦合器部分104)的分别被样品105和延迟部分106反射的按时间序列的电磁波。另一方面,图9B示出分别被样品105和延迟部分106反射并以1位的时间差到达耦合器部分104的按时间序列的电磁波。
在图9A和图9B中,(1)表示被输入到耦合器部分104的电磁波的电场幅度(E)。更具体地讲,(基准)表示被延迟部分106反射并到达耦合器部分104的电磁波,而(样品)表示被样品105的折射率的界面反射并到达耦合器部分104的电磁波。在图9A和图9B中,(2)示出作为到达耦合器部分104的两个电磁波的干涉的结果产生并被输出到检测部分107的电磁波的电场幅度(E,2E)。如图所示,被输出到检测部分107的电磁波的波形取决于两个电磁波到达耦合器部分104的定时而改变。
在图9A和图9B中,(3)示出检测部分107所检测的电磁波的强度信号。检测部分107具有检测电磁波的强度信号并输出与到达检测部分107的电磁波的电场幅度(E,2E)的平方成比例的值的作用。图9A和图9B所示的符号A表示由检测部分107的特性确定的常数。虽然(3)所示的信号波形是矩形波形,但是可以取决于检测部分107的时间常数,输出高频分量衰减的波形(波形下倾)。
如图9A和图9B所示,检测部分107所检测的电磁波的强度波形和平均强度值可取决于两个初始电磁波到达耦合器部分104的定时而变化。换句话说,两个电磁波的干涉的模式取决于它们到达耦合器部分104的定时而改变。因此,从激光源102发射的CW光在当该CW光在扩散部分103处经受伪随机调制时可被视为伪非相干光。鉴于在太赫波的区域中没有高输出水平的非相干电磁波源可用,因此可特别有利地对于该区域使用诸如本实施例的根据本发明的装置。
信号处理部分108基于检测部分107的输出,确定到达耦合器部分104的信号的相关性。更具体地讲,当检测部分107的输出显示出希望的波形图案(类似于图9A所示的那个波形图案)时或当所检测的平均强度值达到最大值时,信号处理部分108确定到达耦合器部分104的两个电磁波是完全相关的。
本实施例的成像装置在检测一系列流动信号时扫视(sweep)在延迟部分106上产生的延迟。然后,作为结果,基于在延迟部分106处产生的延迟和由检测部分107检测的相关性,可以识别样品105沿深度方向(在这种情况下,为电磁波的传播方向)的折射率的界面,并且可获取样品105沿深度方向的信息。然后,可通过在沿平面内方向(即,沿与深度方向垂直的方向)扫描照射到样品105的电磁波的同时进行上述操作,而获得关于样品105的三维信息。可以使用用于沿图1中的从上到下和相反的方向、或沿与图1垂直的相对的方向移动样品105的移动机构作为扫描单元,用于改变被照射到观测对象105上的电磁波和被照射的观测对象105上的斑点的相对位置。作为替代方案,可以使用借助光学系统使电磁波相对于样品105移动的扫描系统。但是,对于这种扫描系统,需要以这样的方式移动光学系统,即,使从耦合器部分104到样品105上的正被照射电磁波的斑点的传播路径的长度总是保持恒定。这是因为,当样品105和耦合器部分104之间的距离在扫描电磁波的操作过程中改变时,电磁波的相关性改变。可以单独地设置用于测量耦合器部分104和样品105之间的距离的距离测量单元,来控制移动单元以使该距离保持等于恒定值。作为另一替代方案,可通过使用关于耦合器部分104和样品105之间的距离的信息校正观测结果。
沿深度方向的分辨率取决于产生部分101的扩散部分103中的信号扩散的状态。例如,在上述布置的情况下,它取决于实现使用8位码模式的调制的时间跨度(time span)。当通过8位编码信号每1psec的方式扩散相干电磁波时,分辨率为约0.3mm。根据扩散部分103的能力和成像装置的应用来选择该分辨率。
虽然上面描述了适于使用被样品105和延迟部分106反射的电磁波的系统,但本发明决不限于此。例如,可以作为替代方案如图10所示的那样形成适于使用透射穿过样品105和延迟部分106的电磁波的系统。在图10的布置中单独地设置第一耦合器部分104和第二耦合器部分104。
本实施例还可适于操作为用于获取关于作为没有内部轮廓的物质的观测目标的一般信息的检测装置。例如,它可被布置为检测表示图9A所示的观测目标的存在的信号和表示观测目标不存在的信号,并通过比较确定观测目标的介电常数和吸收系数。然后,基于获得的结果,可以识别观测目标,并且可检查它的一些特性。可检测观测目标的给定深度处的介电常数和吸收系数。
来自产生部分101的电磁波可通过一个或更多个反射镜和/或一个或更多个透镜而被光学成形以显示出希望的轮廓。例如,当根据线性电磁波的形状通过检测器的阵列形成检测部分107时,可以高速进行该检测操作。
可将产生部分101布置为产生多个非相干电磁波。例如,可以布置多组产生部分101和检测部分107。可以通过这种布置在短时间段内广泛地分析观测目标。可操作所述多组产生部分101和检测部分107以分别分析观测目标的不同区域,或使用不同的波长范围并在各波长范围中分析观测目标。作为替代方案,为了通过察看获得的信号的差异来更精确地分析观测目标,可操作所述多组产生部分101和检测部分107,以在相同的波长范围中对观测目标进行观测。在使用多组产生部分101和检测部分107的模式中,可取决于应用而适当地选择分别分配给它们的波长和码模式。可通过产生码模式以使得电磁波显示出正交关系,而减少多个非相干电磁波中的每一个的串扰。
当设置多组产生部分101和检测部分107时,可以通过将这些组与上述类型的相应扫描单元组合而在短时间段内获取观测目标的更宽的图像。
可以使用压缩波作为用于本发明的目的的非相干电磁波。如果与通过ON-OFF切换来数字地扩散电磁波的布置相比,通过此配置相对地增大了检测部分107每个单元所检测的电磁波的光量。于是,限制可接收的扩散信号的每单位时间的变化速率的范围(extent)可被拓宽。因此,作为结果,改善了检测灵敏度并由此改善了S/N,使得可以实现高速系统。
当使用压缩波时,可将恢复部分布置在耦合器部分104和检测部分107之间的电磁波的路径上,以解除压缩波的压缩状态。可以各种不同的方式配置该恢复部分。更具体地讲,当设置振荡部分703以根据码模式使激光源102振荡而产生非相干电磁波时,检测部分107也在检测部分107接收电磁波时根据相同的码模式振荡,所述振荡部分703被示出在图7中并将在下面更加详细地描述。当例如压缩波的稀疏部分(coarse part)作为电磁波到达检测部分107时,控制检测部分107的位置以使其更靠近耦合器部分104。另一方面,当压缩波的密集部分到达检测部分107时,控制后者的位置以使其远离耦合器部分104。通过根据码模式进行位置控制,可使得电磁波的稀疏/密集间隔恒定(与频带的恢复相对应的效果),并且检测部分107可检测具有恢复的频带的电磁波。
因此,通过上述布置,可以从CW电磁波源获得伪非相干光。特别地,可对于太赫波区域使用比任何常规的非相干电磁波源成本更低的诸如单一波长半导体激光器之类的小型电磁波源,从而,减小整个装置的尺寸,并且降低装置的制造成本。另外,可对根据本发明的成像装置和检测装置使用高输出功率相干电磁波源。于是,提高检测部分所检测的信号的强度以允许更加精确的观测。从而,可以沿深度方向从样品中更深的位置获得关于样品的信息。
(实施例)
现在,以下将参照有关的附图描述本发明的具体实施例。注意,此后将不再描述已描述过的本发明的实施例的部件。
(实施例1)
本实施例涉及用于实现根据本发明的成像装置的一种可能的配置。在本实施例中,本发明被应用到用于借助空间光学系统获取样品沿深度方向的信息的成像装置。
图2是本实施例的成像装置的示意性电路图。在本实施例中,使用如图2所示的分束器204作为耦合器部分。使用光学反射电磁波的诸如反射镜之类的反射部分206作为延迟部分。
对于激光源102使用了量子级联激光器(QCL),但是可作为替代方案对于激光源102使用诸如谐振隧穿二极管(RTD)之类的某种其它半导体器件。作为另一替代方案,可对于激光源102使用利用非线性光学晶体的振荡器或诸如反向波振荡器(BWO)之类的利用电子管的振荡器。虽然在本实施例中使用激光源102作为电磁波源,但是可以使用任何其它形式的电磁波源,只要它能够向外部辐射单一频率分量就可以。这种振荡器可容易地被小型化,而发射具有相对高的输出功率水平的相干电磁波。
本实施例的扩散部分103是用于驱动激光源102的驱动器,它控制激光输出并且操作以进行切换。对于本实施的检测部分107使用诸如辐射热测量器之类的电热检测器。只要检测器可检测到达该检测器的电磁波的强度,就可对于检测部分107使用任何形式的检测器。
在本实施例中,沿电磁波的传播方向移动反射部分206的位置。可通过在检测部分107处监视通过分束器204使其相互干涉的多个电磁波的强度,并借助信号处理部分108确定电磁波的相关性,来获取样品105沿其深度方向的信息。
通过上述布置,可通过使用CW电磁波源而提供其中产生部分101可被视为非相干电磁波源的成像装置。从而,可以降低使用CW电磁波源的干涉系统所特有的斑点噪声,以改善观测精度。
(实施例2)
本实施例也涉及用于实现根据本发明的成像装置的一种可能的配置。更具体地讲,通过对电磁波传播路径使用光波导来修改实施例1的装置,而获得本实施例的成像装置。
图3是本实施例的成像装置的示意性电路图。如图3所示,对于电磁波传播路径使用光纤的光波导309。相应地对于耦合器部分104使用光纤耦合器304。
通过此配置,光波导309作为主电磁波传播路径而工作。作为结果,可以降低电磁波和外部噪声之间的任何可能的干扰,以改善S/N比并由此改善观测精度。另外,如果与空间光学系统相比,这种使用光纤的光波导309的布置可简化光轴调整操作以提供操纵简易的优点。进一步地,这种使用光纤的光波导309的布置可提高安装的自由度。除此之外,本实施例提供与实施例1类似的优点。
(实施例3)
本实施例与上述实施例的不同之处在于通过产生部分101产生伪非相干电磁波的方法。更具体地讲,通过如前文所述的那样根据按时间序列变化的码模式以机械的方式顺序地切换透射电磁波的部分和反射电磁波的部分,而产生非相干电磁波。
例如,对于扩散部分103,使用如图4所示的转盘403。参照图4,转盘403具有反射电磁波的反射部分410和透射电磁波的透射部分411。反射部分410典型地由导电金属制成。透射部分411可以是空腔,所述空腔可被填充或不填充对于要透射穿过这些空腔的电磁波最大限度地透明的物质。驱动转盘403,以围绕沿关于图4的法线方向延伸的转动轴转动。
电磁波沿基本上与转动轴平行的方向射到转盘403上。当射到转盘403上的电磁波在电磁波的传播路径上交替地遇到被顺序地切换的反射部分410和透射部分411时,该电磁波变成伪非相干电磁波。
虽然反射部分410和透射部分411在图4中规则地布置,但是实际上它们是根据用于产生非相干电磁波的码模式被布置的。因此,反射部分410和透射部分411是根据码模式被布置的。作为替代方案,可通过根据码模式改变转盘403的每单位时间的转数,将电磁波变成非相干电磁波。从而,不必根据码模式选择反射部分410的数量、透射部分411的数量以及这些部分的布置间距。
为了使得转盘403部分不反射,可以向转盘403施加无反射涂层,或者可以在转盘403中形成SWS(亚波长(sub wavelength)结构。虽然在本实施例中使用转动驱动系统来产生非相干电磁波,但是在本实施例中可以作为替代方案使用用于平移具有反射部分和透射部分的扩散构件的线性驱动系统。
由于以机械的方式产生非相干电磁波,因此本实施例提供成像装置制备简单和操作稳定的优点。除此之外,本实施例提供与前面的实施例类似的优点。
(实施例4)
本实施例与前面的实施例的不同之处在于通过产生部分101产生伪非相干电磁波的方法。更具体地讲,通过根据码模式改变相干电磁波的传播速率,产生非相干电磁波。
对于本实施例的扩散部分103,使用图5所示的转盘503。如图5所示,转盘503具有多个透射部分511,所述多个透射部分511为电磁波提供不同的传播速率。例如,通过为所述多个透射部分511选择不同的厚度来控制和区分所述多个透射部分511的延迟时间。虽然对于本实施例的透射部分使用石英衬底,但是,只要物质可实现透射部分511的目的,透射部分511的物质就决不限于此。作为替代方案,为了控制透射穿过转盘503的电磁波的传播状态,可以使用不同的物质来形成透射部分511。被用于形成透射部分511的物质优选对于所透射的电磁波最大限度地透明。如在实施例3中的情况那样,转盘503被驱动以围绕沿关于图5的法线方向延伸的转动轴转动。电磁波沿基本上与转动轴平行的方向射到转盘503上。
通过被顺序地切换的多个透射部分511,射到转盘503上的电磁波的相位在其传播路径上被偏移,使得电磁波作为显示出根据码模式的波形的压缩波而被进一步传播。压缩波用作伪非相干电磁波。
虽然多个透射部分511在图5中被规则地布置,但是实际上,分别被透射部分511占据的面积根据用于产生非相干电磁波的码模式而不同。作为替代方案,可通过根据码模式改变转盘503的每单位时间的转数,产生非相干电磁波。从而,多个透射部分511的数量可不必取决于码模式。
在本实施例中,使用显示出根据码模式的波形的压缩波作为伪非相干电磁波。为了维持恒定地产生电磁波的状态,可使这种压缩波的每单位时间的平均功率与通过切换操作产生的非相干电磁波相比而较高。换句话说,提高了电磁波的利用效率而允许更加精确的观测。于是,可以沿样品的深度方向从更深的位置获得关于样品的信息。除此之外,本实施例提供与实施例3类似的优点。
(实施例5)
本实施例与前面的实施例的不同之处在于通过产生部分101产生伪非相干电磁波的方法。更具体地讲,通过借助MEMS(微电机系统)技术根据码模式改变电磁波的传播状态,而产生非相干电磁波。
在本实施例中,对于扩散部分103,使用如图6所示的通过一体化布置微反射镜而形成的MEMS器件。图6的MEMS器件具有作为可移动微反射镜的多个切换部分603,并且,通过偏移入射的电磁波的反射方向,对于波到达耦合器部分104的时间控制发射波的传播延迟时间。作为结果,产生显示出根据码模式的波形的压缩波。虽然在图6中示出两个电磁波传播路径(发射波1、发射波2),但是可存在三个或更多个电磁波传播路径。可在电磁波传播路径上根据码模式接通和关断发射波,以产生非相干电磁波。典型地,切换部分603被具有磁体和线圈的电磁驱动单元或具有相对设置的电极的静电力驱动单元驱动而摆动。
虽然对于本实施例的扩散部分103使用微反射镜,但是可作为替代方案对于本实施例使用通过使用MEMS技术实现的其它器件(例如,切换器件)。当使用如图3所示的光纤型波导时,可通过根据码模式借助MEMS开关选择光纤波导来实现类似的操作,所述光纤波导用于将电磁波引出到显示出不同的传播状态的多个光纤波导之外。
为了在本实施例中产生非相干电磁波,通过应用MEMS技术而形成的器件,根据码模式控制电磁波的传播状态。从而,作为结果,可以容易地使整个装置小型化。另外,由于器件较小,因此机械共振频率上升,使得可以高速地进行根据码模式的调制操作。于是,作为结果,可以更高的分辨率沿深度方向获得关于样品105的信息。除此之外,本实施例提供与前面的实施例类似的优点。
(实施例6)
本实施例与前面的实施例的不同之处在于通过产生部分101产生伪非相干电磁波的方法。更具体地讲,通过根据码模式使电磁波源102沿电磁波的传播方向振荡,而控制电磁波的传播状态。
在本实施例中,激光源102如图7所示的那样被刚性锚定到作为致动器的振荡部分703上,并被驱动以沿电磁波的传播方向振荡。作为结果,可以对于电磁波到达耦合器部分104的时间来控制电磁波的传播延迟时间,以形成显示出根据码模式的波形的压缩波。通过振荡部分703给出的激光源102的移动距离在换算(reduce)为相位时优选地在π和-π之间。
因此,本实施例可通过使激光源102振荡的简单布置而产生非相干电磁波。特别地,由于没有为了改变电磁波的传播状态的目的而在电磁波的传播路径中插入控制装置,因此可以由这种装置导致的损耗为零。于是,可更精确地对观测目标进行观测,并且可以从它的更深的位置容易地获得关于观测目标的信息。除此之外,本实施例提供与前面的实施例类似的优点。
(实施例7)
本实施例与前面的实施例的不同之处在于通过产生部分101产生伪非相干电磁波的方法。更具体地讲,通过根据码模式以机械的方式改变电磁波的传播路径的长度,来控制电磁波的传播状态。
在本实施例中,延迟光学部分812如图8所示的那样被刚性锚定到作为致动器的振荡部分703上,并被驱动而振荡,以改变电磁波的光路的长度。于是,作为结果,可以控制到达耦合器部分104的电磁波的传播延迟状态,以产生显示出根据码模式的波形的压缩波。在本实施例中,通过振荡部分703给出的延迟光学部分812的移动距离也在换算为相位时优选地在π和-π之间。
当使用图3所示的光纤型波导时,可通过使波导伸展和收缩来产生类似的运动。例如,可通过布置在光纤外部的致动器以机械的方式使波导伸展和收缩。
在本实施例中,通过使控制电磁波的传播状态的光学器件振荡来产生非相干电磁波。由于该器件非常小并且重量轻,因此机械共振频率上升,使得可以高速地进行根据码模式的调制操作。于是,作为结果,可以更高的分辨率沿深度方向获得关于样品105的信息。除此之外,本实施例提供与前面的实施例类似的优点。
(实施例8)
本实施例与前面的实施例的不同之处在于通过产生部分101产生伪非相干电磁波的方法。更具体地讲,通过外部能量根据码模式控制电磁波的传播状态。
例如,在电磁波的传播路径上布置可通过从外部向其施加电场来改变其折射率的电光器件。电光器件可由可通过从外部施加电场来改变其折射率的诸如BBO晶体、LiTzO3晶体、KTP晶体或ZnTe晶体之类的物质制成。当使用如图3所示的光纤型波导时,可以如此布置该光纤型波导以通过从外部施加电场来改变光纤的包覆材料的折射率。
因此,在本实施例中,通过借助于外部电场来控制电磁波的传播的器件,改变电磁波的光路的长度。于是,作为结果,到达耦合器部分104的电磁波的传播延迟状态可被控制,以产生显示出根据码模式的波形的压缩波。
因此,在本实施例中,借助外部能量,典型地通过施加电场,控制电磁波的传播状态。于是,作为结果,可以高速地进行调制操作。因此,本实施例提供可以更高的分辨率沿深度方向获得关于样品105的信息的优点。
(实施例9)
本实施例涉及用于实现根据本发明的成像装置的一种可能的配置。更具体地讲,本实施例涉及多路复用。对于本实施例,借助被多个码模式调制的多个非相干电磁波,沿样品105的深度方向获取关于该样品105的信息。优选地,码模式显示出正交关系。
对于本实施例,通过用多个电磁波照射样品105来获取关于样品105的信息。于是,可以容易地以高速进行成像操作。特别地,通过借助于显示出正交关系的码模式来调制电磁波,可以减少电磁波的串扰,以维持观测的高度精确性。
虽然已参照示例性实施例描述了本发明,但应理解,本发明不限于公开的示例性实施例。以下的权利要求的范围应被赋予最宽的解释以包含所有这些变更方式以及等同的结构和功能。
本申请要求在2007年3月30日提交的日本专利申请No.2007-092831的权益,其全部内容通过引用的形式包含于此。

Claims (9)

1.一种检测装置,包括:
产生部分,用于产生非相干电磁波;
第一耦合器部分,用于将所述非相干电磁波分成第一波和第二波;
延迟部分,用于通过改变第二波的传播状态来延迟所述第二波的传播时间;
第二耦合器部分,用于耦合传播状态被观测目标改变了的第一波和传播状态被所述延迟部分改变了的第二波,以产生具有第一波和第二波之间的相关信号的耦合波;
检测部分,用于检测所述耦合波的所述相关信号;以及
信号处理部分,用于基于由所述延迟部分给出的传播时间的延迟程度和由所述检测部分检测的所述相关信号的强度,获取关于观测目标的信息,
其中,所述产生部分包含电磁波源和扩散部分,所述电磁波源用于产生相干电磁波,所述扩散部分用于通过根据按时间序列变化的码模式改变由所述电磁波源产生的相干电磁波的传播状态来产生伪非相干电磁波。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,单个耦合器部分用作第一耦合器部分和第二耦合器部分两者。
3.根据权利要求1或2所述的装置,其中,所述产生部分产生多个非相干电磁波。
4.根据权利要求3所述的装置,其中,所述多个非相干电磁波具有正交关系。
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的装置,其中,所述非相干电磁波是压缩波。
6.根据权利要求5所述的装置,其中,该装置还包括恢复部分,所述恢复部分用于在被布置在第二耦合器部分和所述检测部分之间的电磁波的传播路径上解除所述压缩波的稀疏和密集状态。
7.根据权利要求1~6中的任一项所述的装置,其中,该装置还包括扫描单元,所述扫描单元用于改变第一波和要利用该第一波照射的观测目标之间的相对位置。
8.根据权利要求1~7中的任一项所述的装置,其中,第一波包含30GHz和30THz之间的频带内的频率。
9.根据权利要求1~8中的任一项所述的装置,其中,所述信号处理部分基于由所述延迟部分给出的传播时间的延迟程度和由所述检测部分检测的相关信号的强度,获取关于观测目标内部沿第一波的传播方向的信息,以提供观测目标沿深度方向的内部图像。
CN2008800009850A 2007-03-30 2008-03-27 检测装置 Expired - Fee Related CN101548175B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007092831A JP5043488B2 (ja) 2007-03-30 2007-03-30 検出装置、及びイメージング装置
JP092831/2007 2007-03-30
PCT/JP2008/056616 WO2008123555A1 (en) 2007-03-30 2008-03-27 Detection apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101548175A true CN101548175A (zh) 2009-09-30
CN101548175B CN101548175B (zh) 2011-04-20

Family

ID=39587914

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008800009850A Expired - Fee Related CN101548175B (zh) 2007-03-30 2008-03-27 检测装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8405406B2 (zh)
EP (2) EP2132554A1 (zh)
JP (1) JP5043488B2 (zh)
CN (1) CN101548175B (zh)
WO (1) WO2008123555A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110691984A (zh) * 2017-06-09 2020-01-14 京瓷株式会社 电磁波检测装置、电磁波检测系统、以及程序

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8493057B2 (en) * 2009-05-15 2013-07-23 Advantest Corporation Electromagnetic wave measuring apparatus, measuring method, program, and recording medium
JP2013181929A (ja) 2012-03-04 2013-09-12 Canon Inc 測定装置及び方法、トモグラフィ装置及び方法
JP5999474B2 (ja) 2012-04-04 2016-09-28 日本電気株式会社 テラヘルツイメージング装置、テラヘルツ画像からの干渉パターン除去方法及びプログラム
KR20150137097A (ko) * 2013-03-29 2015-12-08 닛본 덴끼 가부시끼가이샤 이미징 시스템
KR101609029B1 (ko) 2013-12-13 2016-04-04 고려대학교 산학협력단 광 전달 매질의 투과 특성을 측정하는 방법 및 이를 이용한 이미지 획득 장치
FR3069333B1 (fr) * 2017-07-24 2021-05-14 Terahertz Waves Tech Systeme de capture de valeurs ponctuelles pour constituer une image avec des rayonnements terahertz
WO2020036629A2 (en) * 2018-02-21 2020-02-20 Board Of Trustees Of Michigan State University Methods and systems for distributed radar imaging
JP7246151B2 (ja) * 2018-09-26 2023-03-27 京セラ株式会社 電磁波検出装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0635946B2 (ja) 1990-11-06 1994-05-11 直弘 丹野 光波反射像測定装置
JPH0635946A (ja) 1992-07-15 1994-02-10 Omron Corp 自動取引機
US5710430A (en) 1995-02-15 1998-01-20 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for terahertz imaging
US6088100A (en) * 1997-07-14 2000-07-11 Massachusetts Institute Of Technology Three-dimensional light absorption spectroscopic imaging
US6061133A (en) * 1999-01-26 2000-05-09 Phase Shift Technology Interferometer light source
GB2359716B (en) 2000-02-28 2002-06-12 Toshiba Res Europ Ltd An imaging apparatus and method
JP3564373B2 (ja) * 2000-09-08 2004-09-08 独立行政法人 科学技術振興機構 光計測システム
JP2003090972A (ja) 2001-09-18 2003-03-28 Ricoh Co Ltd 光走査装置
JP2003090792A (ja) * 2001-09-20 2003-03-28 Fuji Photo Film Co Ltd 光断層画像化装置
AU2003210669B2 (en) * 2002-01-24 2009-10-29 The General Hospital Corporation Apparatus and method for rangings and noise reduction of low coherence interferometry LCI and optical coherence tomography (OCT) signals by parallel detection of spectral bands
US7224468B2 (en) 2003-10-20 2007-05-29 Agilent Technologies, Inc. En-face functional imaging using multiple wavelengths
CA2553761A1 (en) * 2004-02-10 2005-08-25 Optovue, Inc. High efficiency low coherence interferometry
US7787122B2 (en) * 2004-06-18 2010-08-31 National Institute Of Information And Communications Technology Optical waveform measurement device and measurement method thereof, complex refractive index measurement device and measurement method thereof, and computer program recording medium containing the program
JP4563130B2 (ja) * 2004-10-04 2010-10-13 株式会社トプコン 光画像計測装置
US7304731B2 (en) * 2005-09-02 2007-12-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for providing illumination of a specimen for inspection
JP4732201B2 (ja) 2006-03-17 2011-07-27 キヤノン株式会社 電磁波を用いたセンシング装置
JP4783190B2 (ja) * 2006-03-30 2011-09-28 株式会社スペクトラテック 光干渉断層計
JP4829669B2 (ja) 2006-04-28 2011-12-07 キヤノン株式会社 検体情報取得装置、及び検体情報取得方法
JP5006642B2 (ja) 2006-05-31 2012-08-22 キヤノン株式会社 テラヘルツ波発振器
JP5028068B2 (ja) 2006-05-31 2012-09-19 キヤノン株式会社 アクティブアンテナ発振器
JP4861220B2 (ja) 2006-08-28 2012-01-25 キヤノン株式会社 電磁波を用いた検査装置
JP4963640B2 (ja) 2006-10-10 2012-06-27 キヤノン株式会社 物体情報取得装置及び方法
JP5031330B2 (ja) 2006-11-15 2012-09-19 キヤノン株式会社 検体分析装置、及び検体分析方法
EP2031374B1 (en) 2007-08-31 2012-10-10 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus and method for obtaining information related to terahertz waves

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110691984A (zh) * 2017-06-09 2020-01-14 京瓷株式会社 电磁波检测装置、电磁波检测系统、以及程序
CN110691984B (zh) * 2017-06-09 2023-08-22 京瓷株式会社 电磁波检测装置、电磁波检测系统、以及记录介质

Also Published As

Publication number Publication date
US20110241699A1 (en) 2011-10-06
JP2008249577A (ja) 2008-10-16
EP2132554A1 (en) 2009-12-16
WO2008123555A1 (en) 2008-10-16
JP5043488B2 (ja) 2012-10-10
EP2463642A1 (en) 2012-06-13
US8405406B2 (en) 2013-03-26
CN101548175B (zh) 2011-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101548175B (zh) 检测装置
CN105699315B (zh) 太赫兹波测量装置、测量方法以及测量仪器
JP3264469B2 (ja) 光散乱媒体の屈折率分布情報の計測装置
US6750960B2 (en) Optical distance measurement device and method thereof
US7050178B2 (en) Method and apparatus for increasing signal to noise ratio in a photoacoustic film thickness measurement system
US20090303480A1 (en) Terahertz spectroscopic apparatus
KR20010033388A (ko) 막 두께 측정을 위한 향상된 방법 및 장치
CN102575926A (zh) 用于位置确定和表面测量的设备和方法
JP2004527765A (ja) 距離測定用光学センサー
JP2004527765A5 (zh)
CN100580436C (zh) 双光点相敏的检测
US7187444B2 (en) Measuring method and apparatus using attenuation in total internal reflection
KR20130064684A (ko) 테라헤르츠 연속파 시스템 및 그것의 3차원 영상 획득 방법
JP5949341B2 (ja) 距離測定装置
CN109883350A (zh) 一种异形曲面结构内部形貌的高精度测量系统和测量方法
JP2003287493A (ja) 測定装置
US7018334B2 (en) Imaging of a region in a scattering medium
CN107152913B (zh) 振动位移测定装置及振动位移测定方法
CN100549616C (zh) 探测三维物体外形的方法和设备
KR101647063B1 (ko) 다중 왕복경로 톰슨 산란을 이용한 플라즈마 진단 시스템
CN201222032Y (zh) 基于z扫描的泵浦探测装置
EP4215926A1 (en) Microwave signal analysis based on beam-scanned quantum sensor
CN116183545A (zh) 一种低成本高信噪比的太赫兹光谱探测装置
Maciejewski et al. Fast THz-TDS Reflection Imaging with ECOPS scheme
CN100562743C (zh) 感测设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110420

Termination date: 20170327

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee