CN101546755A - 具有不同排列间距的发光二极管封装结构及其封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种具有不同排列间距的发光二极管封装结构及其封装方法，该封装结构包括：一基板单元、一发光单元、及一封装胶体单元。再者，该发光单元具有多个电性地设置于该基板单元上的发光二极管芯片，并且该发光二极管芯片彼此之间具有完全不同或部分不同的间距。该封装胶体单元覆盖于该发光二极管芯片上。例如：该发光二极管芯片彼此之间的间距是由疏到密、由密到疏、由中间疏到外围密、由中间密到外围疏、为疏密相间、或密疏相间。
Description
技术领域
本发明是有关于一种发光二极管芯片封装结构及其封装方法，尤其是指一种具有不同排列间距的发光二极管封装结构及其封装方法。
背景技术
请参阅图1所示，其为现有发光二极管的封装方法的流程图。由流程图中可知，现有发光二极管的封装方法，其步骤包括：首先，步骤S100，提供多个封装完成的发光二极管(packaged LED)；接着，步骤S102，提供一条状基板本体(stripped substrate body)，其上具有一正极导电轨迹(positiveelectrode trace)与一负极导电轨迹(negative electrode trace)；最后，步骤S103，依次将每一个封装完成的发光二极管(packaged LED)设置在该条状基板本体上，并将每一个封装完成的发光二极管(packaged LED)的正、负极端分别电性连接于该条状基板本体的正、负极导电轨迹。
然而，关于上述现有发光二极管的封装方法，由于每一颗封装完成的发光二极管(packaged LED)必须先从一整块发光二极管封装切割下来，然后再以表面粘着技术(SMT)制作，将每一颗封装完成的发光二极管(packaged LED)设置于该条状基板本体上，因此无法有效缩短其制作时间。再者，由于现有发光二极管的封装结构无任何的保护装置，因此常造成供电或其它不稳定的情形发生。
由上可知，目前现有的发光二极管的封装方法及其封装结构，显然具有不便与缺点存在，而待加以改善。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种具有不同排列间距的发光二极管封装结构及其封装方法。本发明的发光二极管芯片封装结构具有多个发光二极管芯片，并且该发光二极管芯片彼此之间具有完全不同或部分不同的间距，以符合不同使用者的需求。
再者，本发明是通过芯片直接封装(Chip On Board，COB)制作并利用压模(die mold)的方式，以使得本发明可有效地缩短其制作时间，而能进行大量生产。此外，本发明的结构设计更适用于各种光源，诸如背光模块、装饰灯条、照明用灯、或是扫描仪光源等应用，都是为本发明所应用的范围与产品。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种具有不同排列间距的发光二极管封装结构，其包括：一基板单元(substrate unit)、一发光单元(light-emitting unit)、及一封装胶体单元(package colloid unit)。
上述发光单元具有多个电性地设置于该基板单元上的发光二极管芯片(LED chip)，并且该发光二极管芯片彼此之间具有完全不同或部分不同的间距。该封装胶体单元覆盖于该发光二极管芯片上。
上述发光二极管芯片封装结构还进一步包括下列七种实施态样：
第一种实施例：该封装胶体单元为一相对应该等发光二极管芯片的条状萤光胶体(stripped fluorescent colloid)。
第二种实施例：该封装胶体单元为一相对应该发光二极管芯片的条状萤光胶体(stripped fluorescent colloid)，并且该条状萤光胶体的上表面及前表面是分别具有一胶体弧面(colloid cambered surface)及一胶体出光面(colloid light-exiting surface)。此外，该发光二极管芯片封装结构还进一步包括：一框架单元(frame unit)，其用于包覆该条状萤光胶体而只露出该条状萤光胶体的侧表面。
第三种实施例：该封装胶体单元具有多个相对应该发光二极管芯片的萤光胶体(fluorescent colloid)。
第四种实施例：该封装胶体单元具有多个相对应该发光二极管芯片的萤光胶体(fluorescent colloid)。此外，该发光二极管芯片封装结构还进一步包括：一框架单元(frame unit)，其具有多个框架层，并且每一个框架层用于围绕该相对应的萤光胶体而只露出该相对应萤光胶体的上表面。
第五种实施例：该封装胶体单元具有多个相对应该发光二极管芯片的萤光胶体(fluorescent colloid)。此外，该发光二极管芯片封装结构还进一步包括：一框架单元(frame unit)，其用于围绕该萤光胶体而只露出该萤光胶体的上表面，其中该框架单元为一不透光框架层(opaque frame layer)。
第六种实施例：该封装胶体单元具有多个相对应该发光二极管芯片的萤光胶体(fluorescent colloid)，并且每一个萤光胶体的上表面及前表面是分别具有一胶体弧面(colloid cambered surface)及一胶体出光面(colloidlight-exiting surface)。此外，该发光二极管芯片封装结构还进一步包括：一框架单元(frame unit)，其具有多个框架层，并且每一个框架层是用于包覆该相对应的萤光胶体而只露出该相对应萤光胶体的侧表面。
第七种实施例：该封装胶体单元具有多个相对应该发光二极管芯片的萤光胶体(fluorescent colloid)，并且每一个萤光胶体的上表面及前表面是分别具有一胶体弧面(colloid cambered surface)及一胶体出光面(colloidlight-exiting surface)。此外，该发光二极管芯片封装结构还进一步包括：一框架单元(frame unit)，其用于包覆该萤光胶体而只露出该萤光胶体的侧表面。
为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法，其包括下列步骤：首先，提供一基板单元(substrate unit)；接着，电性地设置一发光单元(light-emitting unit)在该基板单元上，其中该发光单元具有多个发光二极管芯片(LED chip)，并且该发光二极管芯片彼此之间具有完全不同或部分不同的间距；然后，覆盖一封装胶体单元(package colloid unit)于该发光二极管芯片上。
另外，该发光二极管芯片封装方法还进一步包括下例七种实施例：
第一种实施例：该封装胶体单元为一相对应该发光二极管芯片的条状萤光胶体(stripped fluorescent colloid)。
第二种实施例：该封装胶体单元为一相对应该发光二极管芯片的条状萤光胶体(stripped fluorescent colloid)，并且该条状萤光胶体的上表面及前表面分别具有一胶体弧面(colloid cambered surface)及一胶体出光面(colloid light-exiting surface)。此外，上述覆盖该封装胶体单元于该发光二极管芯片上的步骤后，还进一步包括：通过一框架单元(frame unit)，以包覆该条状萤光胶体而只露出该条状萤光胶体的侧表面。
第三种实施例：该封装胶体单元具有多个相对应该发光二极管芯片的萤光胶体(fluorescent colloid)。
第四种实施态样：该封装胶体单元具有多个相对应该发光二极管芯片的萤光胶体(fluorescent colloid)。此外，上述覆盖该封装胶体单元于该发光二极管芯片上的步骤后，还进一步包括：提供一具有多个框架层的框架单元(frame unit)，并且每一个框架层用于围绕该相对应的萤光胶体而只露出该相对应萤光胶体的上表面。
第五种实施例：该封装胶体单元具有多个相对应该发光二极管芯片的萤光胶体(fluorescent colloid)。此外，上述覆盖该封装胶体单元于该发光二极管芯片上的步骤后，还进一步包括：通过一框架单元(frame unit)，以围绕该萤光胶体而只露出该萤光胶体的上表面。
第六种实施例：该封装胶体单元具有多个相对应该发光二极管芯片的萤光胶体(fluorescent colloid)，并且每一个萤光胶体的上表面及前表面分别具有一胶体弧面(colloid cambered surface)及一胶体出光面(colloidlight-exiting surface)。此外，上述覆盖该封装胶体单元于该发光二极管芯片上的步骤后，还进一步包括：提供一具有多个框架层的框架单元(frameunit)，并且每一个框架层是用于包覆该相对应的萤光胶体而只露出该相对应萤光胶体的侧表面。
第七种实施例：该封装胶体单元具有多个相对应该发光二极管芯片的萤光胶体(fluorescent colloid)，并且每一个萤光胶体的上表面及前表面分别具有一胶体弧面(colloid cambered surface)及一胶体出光面(colloidlight-exiting surface)。此外，上述覆盖该封装胶体单元于该发光二极管芯片上的步骤后，还进一步包括：通过一框架单元(frame unit)，以包覆该萤光胶体而只露出该萤光胶体的侧表面。
因此，该发光二极管芯片彼此之间具有完全不同或部分不同的间距，例如下列六种实施方式：
第一种实施方式：该发光二极管芯片彼此之间的间距由疏(rarefaction)到密(condensation)。
第二种实施方式：该发光二极管芯片彼此之间的间距由密(condensation)到疏(rarefaction)。
第三种实施方式：该发光二极管芯片彼此之间的间距由中间疏(rarefaction)到外围密(condensation)。
第四种实施方式：该发光二极管芯片彼此之间的间距由中间密(condensation)到外围疏(rarefaction)。
第五种实施方式：该发光二极管芯片彼此之间的间距为疏密(rarefactionand condensation)相间。
第六种实施方式：该发光二极管芯片彼此之间的间距为密疏(condensation and rarefaction)相间。
再者，本发明通过芯片直接封装(Chip On Board，COB)制作并利用压模(die mold)的方式，以使得本发明可有效地缩短其制作时间，而能进行大量生产。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为现有发光二极管封装方法的流程图；
图2A为本发明发光二极管芯片的第一种排列方式的示意图；
图2B为本发明发光二极管芯片的第二种排列方式的示意图；
图2C为本发明发光二极管芯片的第三种排列方式的示意图；
图2D为本发明发光二极管芯片的第四种排列方式的示意图；
图2E为本发明发光二极管芯片的第五种排列方式的示意图；
图2F为本发明发光二极管芯片的第六种排列方式的示意图；
图3为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第一实施例的流程图；
图3A至3C分别为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第一实施例的封装流程示意图；
图3D为图3C中的3—3剖面图；
图4为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第二实施例的流程图；
图4A至图4B分别为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第二实施例的部分封装流程示意图；
图4C为图4B中的4—4的剖面图；
图5为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第三实施例的流程图；
图5A为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第三实施例的部分封装流程示意图；
图5B为图5A中的5-5的剖面图；
图6为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第四实施例的流程图；
图6A至图6B分别为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第四实施例的部分封装流程示意图；
图6C为图6B的6—6的剖面图；
图7为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第五实施例的流程图；
图7A至图7B分别为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第五实施例的部分封装流程示意图；
图7C为图7B的7—7的剖面图；
图8为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第六实施例的流程图；
图8A至图8B分别为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第六实施例的部分封装流程示意图；
图8C为图8B的8—8的剖面图；
图9为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第七实施例的流程图；
图9A至图9B分别为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第七实施例的部分封装流程示意图；以及
图9C为图9B的9—9的剖面图。
其中，附图标记：
1： 基板 10： 基板本体
10A： 金属层 10B： 电木层
11： 正极导电轨迹 12： 负极导电轨迹
2： 发光单元 20： 发光二极管芯片
201： 正极端 202： 负极端
4a： 封装胶体单元 4b： 封装胶体单元
40b： 胶体弧面 41b： 胶体出光面
4c： 封装胶体单元 40c： 萤光胶体
4d： 封装胶体单元 40d： 萤光胶体
4e： 封装胶体单元 40e： 萤光胶体
4f： 封装胶体单元 40f： 萤光胶体
400f： 胶体弧面 401f： 胶体出光面
4g： 封装胶体单元 40g： 萤光胶体
400g： 胶体弧面 401g： 胶体出光面
5b： 框架单元
5d： 框架单元 50d： 框架层
5e： 框架单元 5f： 框架单元
50f： 框架层 5g： 框架单元
L1： 发光二极管芯片
a1、a2、a 3、a4、a5、a6、a7、a8： 间距
L2： 发光二极管芯片
b1、b2、b3、b4、b5、b6、b7、b8： 间距
L3： 发光二极管芯片
c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8： 间距
L4： 发光二极管芯片
d1、d2、d3、d4、d5、d6、d7、d8： 间距
L5： 发光二极管芯片
e1、e2、e3、e4、e5、e6、e7、e8： 间距
L6： 发光二极管芯片
f1、f2、f3、f4、f5、f6、f7、f8： 间距
具体实施方式
请参阅图2A至图2F所示，其分别为本发明发光二极管芯片的第一种、第二种、第三种、第四种、第五种、第六种排列方式的示意图。
由图2A可知，该发光二极管芯片L1彼此之间的间距(a1、a2、a3、a4、a5、a6、a7、a8)是由疏(rarefaction)到密(condensation)。因此，该发光二极管芯片L1彼此之间的间距是由大排到小(a1>a2>a3>a4>a5>a6>a7>a8)。
由图2B可知，该发光二极管芯片L2彼此之间的间距(b1、b2、b3、b4、b5、b6、b7、b8)是由密(condensation)到疏(rarefaction)。因此，该发光二极管芯片L2彼此之间的间距是由大排到小(b1<b2<b3<b4<b5<b6<b7<b8＝。
由图2C可知，该发光二极管芯片L3彼此之间的间距(c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8)是由中间疏(rarefaction)到外围密(condensation)。因此，该发光二极管芯片L3彼此之间的间距是由中间大排到外围小(c4＝c5>c3＝c6>c2＝c7>c1＝c8)。
由图2D可知，该发光二极管芯片L4彼此之间的间距(d1、d2、d3、d4、d5、d6、d7、d8)是由中间密(condensation)到外围疏(rarefaction)。因此，该发光二极管芯片L4彼此之间的间距是由中间小排到外围大(d4＝d5<d3＝d6<d2＝d7<d1＝d8＝。
由图2E可知，该发光二极管芯片L5彼此之间的间距(e1、e2、e3、e4、e5、e6、e7、e8)为疏密(rarefaction and condensation)相间。因此，该发光二极管芯片L5彼此之间的间距为大间距与小间距彼此相间(e1＝e3＝e5＝e7>e2＝e4＝e6＝e8)。
由图2F可知，该发光二极管芯片L6彼此之间的间距(f1、f2、f3、f4、f5、f6、f7、f8)为密疏(condensation and rarefaction)相间。因此，该发光二极管芯片L6彼此之间的间距为小距离与大距离彼此相间(f1＝f3＝f5＝f7<f2＝f4＝f6＝f8)。
虽然上述是以通过芯片直接封装(Chip On Board，COB)制作来进行该发光二极管芯片的排列，但此描述是非用以限定本发明，举凡任何有关多个发光组件的排列方式，例如使用表面粘着型(Surface Mounted Device，SMD)发光二极管，皆为本发明所保护的范畴。
以下共有七个实施例，此七个实施例的发光二极管芯片的排列方式是以上述图2A的第一种排列方式为例来进行说明。
请参阅图3、图3A至图3C、及图3D所示，其中图3为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第一实施例的流程图；图3A至图3C是分别为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第一实施例的封装流程示意图；图3D为图3C的3-3剖面图。
请配合图3及图3A所示，本发明的第一实施例是提供一种具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法，其包括下列步骤：首先，步骤S200，提供一基板单元(substrate unit)1，其中该基板单元具有一基板本体(substratebody)10、及分别形成于该基板本体10上的一正极导电轨迹(positiveelectrode trace)11与一负极导电轨迹(negative electrode trace)12。
再者，依据设计者的需要，该基板单元1可为一印刷电路板(PCB)、一软基板(flexible substrate)、一铝基板(aluminum substrate)、一陶瓷基板(ceramic substrate)、或一铜基板(copper substrate)。此外，该基板本体10是包括一金属层(metal layer)10A及一成形在该金属层10A上的电木层(bakelite layer)10B，并且该正、负极导电轨迹(11、12)可为铝线路(aluminum circuit)或银线路(silver circuit)。
请配合图3及图3B所示，本发明的第一实施例更进一步包括：步骤S202，电性地设置一发光单元(light-emitting unit)2于该基板本体10上，其中该发光单元2具有多个发光二极管芯片(LED chip)20，并且该发光二极管芯片20彼此之间的间距是由疏(rarefaction)到密(condensation)，其中每一个发光二极管芯片20具有分别电性连接于该基板单元1的正、负极导电轨迹(11、12)的一正极端(positive electrode side)201与一负极端(negativeelectrode side)202。
请配合图3、图3C及图3D所示，本发明的第一实施例更进一步包括：步骤S206，覆盖一封装胶体单元(package colloid unit)4a于该发光二极管芯片20上。再者，该封装胶体单元4a为一相对应该发光二极管芯片20的条状萤光胶体(stripped fluorescent colloid)，并且该条状萤光胶体可“由一硅胶(silicon)与一萤光粉(fluorescent powder)混合而成”或“由一环氧树脂(epoxy)与一萤光粉(fluorescent powder)混合而成”。
请参阅图4、图4A至图4B、及图4C所示，其中图4为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第二实施例的流程图；图4A至图4B分别为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第二实施例的部分封装流程示意图；图4C为图4B的4-4的剖面图。
由图4的流程图中可知，第二实施例的步骤S300至S304为分别与第一实施例的步骤S200至S204相同。也即，步骤S300是等同于第一实施例的图2A的示意图说明；步骤S302及S304是等同于第一实施例的图2B的示意图说明。
请参阅图4及图4A所示，本发明第二实施例的步骤S304之后，更进一步包括：步骤S306，覆盖一封装胶体单元(package colloid unit)4b该等发光二极管芯片20上，并且该封装胶体单元4b的上表面及前表面是分别具有一胶体弧面(colloid cambered surface)40b及一胶体出光面(colloidlight-exiting surface)41b。再者，该封装胶体单元4b可为一相对应该等发光二极管芯片20的条状萤光胶体(stripped fluorescent colloid)，因此该条状萤光胶体的上表面及前表面是分别为该胶体弧面(colloid camberedsurface)40b及该胶体出光面(colloid light-exiting surface)41b。
请参阅图4、图4B及图4C所示，本发明第二实施例还进一步包括：步骤S308，通过一框架单元(frame unit)5b，以包覆该封装胶体单元4b而只露出该封装胶体单元4b的侧表面(即为该胶体出光面41b)，并且该框架单元5b为一不透光框架层(opaque frame layer)。
请参阅图5、图5A及图5B所示，其中图5为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第三实施例的流程图；图5A为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第三实施例的部分封装流程示意图；图5B为图5A的5-5剖面图。
由图5的流程图中可知，第三实施例的步骤S400至S404分别与第一实施例的步骤S200至S204相同。也即，步骤S400等同于第一实施例的图2A的示意图说明；步骤S402及S404等同于第一实施例的图2B的示意图说明。再者，配合图5A及图5B所示，本发明第三实施例的步骤S404之后，更进一步包括：步骤S406，分别覆盖多个萤光胶体(fluorescent colloid)40c于该发光二极管芯片20上，其中该萤光胶体40c组成一封装胶体单元4c。
请参阅图6、图6a至6b、及图6c所示，其中图6为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第四实施例的流程图；图6A至图6B分别为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第四实施例的部分封装流程示意图；图6C为图6B的6-6剖面图。
由图6的流程图中可知，第四实施例的步骤S500至S504分别与第一实施例的步骤S200至S204相同。也即，步骤S500等同于第一实施例的图2A的示意图说明；步骤S502及S504等同于第一实施例的图2B的示意图说明。
请参阅第六图及第六A图所示，本发明第四实施例之步骤S504之后，更进一步包括：步骤S506，分别覆盖多个萤光胶体(fluorescent colloid)40d于该发光二极管芯片20上，其中该萤光胶体40d是组成一封装胶体单元4d；然后，步骤S508，提供一具有多个框架层50d的框架单元(frame unit)5d，并且每一个框架层50d是用于围绕该相对应的萤光胶体40d而只露出该相对应萤光胶体40d的上表面，其中该框架层50d为多个不透光框架层(opaque framelayer)。
请参阅图7、图7A至图7B、及图7C所示，其中图7为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第五实施例的流程图；图7A至图7B分别为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第五实施例的部分封装流程示意图；图7C为图7B的7-7的剖面图。
由图7的流程图中可知，第五实施例的步骤S600至S604分别与第一实施例的步骤S200至S204相同。也即，步骤S600等同于第一实施例的图2A的示意图说明；步骤S602及S604等同于第一实施例的图2B的示意图说明。
请参阅图7及图7A所示，本发明第五实施例的步骤S604之后，更进一步包括：步骤S606，分别覆盖多个萤光胶体(fluorescent colloid)40e于该发光二极管芯片20上，其中该萤光胶体40e组成一封装胶体单元4e；然后，步骤S608，通过一框架单元(frame unit)5e，以围绕该萤光胶体40e而只露出该萤光胶体40e的上表面，其中该框架单元5e为一不透光框架层(opaqueframe layer)。
请参阅图8、图8A至图8B、及图8C所示，其中图8为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第六实施例的流程图；图8A至图8B分别为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第六实施例的部分封装流程示意图；图8C为图8B的8-8剖面图。
由图8的流程图中可知，第六实施例的步骤S700至S704分别与第一实施例的步骤S200至S204相同。也即，步骤S700等同于第一实施例的图2A的示意图说明；步骤S702及S704等同于第一实施例的图2B的示意图说明。
请参阅图8及图8A所示，本发明第六实施例的步骤S704之后，更进一步包括：步骤S706，分别覆盖多个萤光胶体(fluorescent colloid)40f于该发光二极管芯片20上，并且每一个萤光胶体40f的上表面及前表面分别具有一胶体弧面(colloid cambered surface)400f及一胶体出光面(colloidlight-exiting surface)401f。再者，该萤光胶体40f组合成一封装胶体单元(package colloid unit)4f。
请参阅图8、图8B及图8C所示，本发明第六实施例更进一步包括：步骤S708，提供一具有多个框架层50f的框架单元(frame unit)5f，并且每一个框架层50f用于包覆该相对应的萤光胶体40f而只露出该相对应萤光胶体40f的侧表面，其中该框架层50f为多个不透光框架层(opaque frame layer)。
请参阅图9、图9A至图9B、及图9C所示，其中图9为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第七实施例的流程图；图9A至图9B分别为本发明具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法的第七实施例的部分封装流程示意图；图9C为图9B的9—9的剖面图。
由图9的流程图中可知，第七实施例的步骤S800至S804分别与第一实施例的步骤S200至S204相同。也即，步骤S800等同于第一实施例的图2A的示意图说明；步骤S802及S804等同于第一实施例的图2B的示意图说明。
请参阅图9及图9A所示，本发明第七实施例的步骤S804之后，更进一步包括：步骤S806，分别覆盖多个萤光胶体(fluorescent colloid)40g于该发光二极管芯片20上，并且每一个萤光胶体40g的上表面及前表面分别具有一胶体弧面(colloid cambered surface)400g及一胶体出光面(colloidlight-exiting surface)401g。再者，该萤光胶体40g组合成一封装胶体单元(package colloid unit)4g。
请参阅图9、图9B及图9C所示，本发明第七实施例更进一步包括：步骤S808，通过一框架单元(frame unit)5g，以包覆该萤光胶体40g而只露出该萤光胶体40g的侧表面，其中该框架单元5g为一不透光框架层(opaqueframe layer)。
综上所述，本发明的发光二极管芯片封装结构具有多个发光二极管芯片，并且该发光二极管芯片彼此之间具有完全不同或部分不同的间距，以符合不同使用者的需求。
再者，本发明是通过芯片直接封装(Chip On Board，COB)制作并利用压模(die mold)的方式，以使得本发明可有效地缩短其制作时间，而能进行大量生产。此外，本发明的结构设计更适用于各种光源，诸如背光模块、装饰灯条、照明用灯、或是扫描仪光源等应用，皆为本发明所应用的范围与产品。
当然，本发明还可有其他多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (40)
1、一种具有不同排列间距的发光二极管封装结构，其特征在于，包括：
一基板单元；
一发光单元，其具有多个电性地设置于该基板单元上的发光二极管芯片，并且该发光二极管芯片彼此之间具有完全不同或部分不同的间距；以及
一封装胶体单元，其覆盖于该发光二极管芯片上。
2、如权利要求1所述的具有不同排列间距的发光二极管封装结构，其特征在于：该基板单元为一印刷电路板、一软基板、一铝基板、一陶瓷基板、或一铜基板。
3、如权利要求1所述的具有不同排列间距的发光二极管封装结构，其特征在于：该基板单元具有一基板本体、及分别形成于该基板本体上的一正极导电轨迹与一负极导电轨迹。
4、如权利要求3所述的具有不同排列间距的发光二极管封装结构，其特征在于：该基板本体包括一金属层及一成形在该金属层上的电木层。
5、如权利要求3所述的具有不同排列间距的发光二极管封装结构，其特征在于：该正、负极导电轨迹为铝线路或银线路。
6、如权利要求3所述的具有不同排列间距的发光二极管封装结构，其特征在于：每一个发光二极管芯片具有分别电性连接于该基板单元的正、负极导电轨迹的一正极端与一负极端。
7、如权利要求1所述的具有不同排列间距的发光二极管封装结构，其特征在于：该发光二极管芯片彼此之间的间距是由疏到密。
8、如权利要求1所述的具有不同排列间距的发光二极管封装结构，其特征在于：该发光二极管芯片彼此之间的间距由密到疏。
9、如权利要求1所述的具有不同排列间距的发光二极管封装结构，其特征在于：该发光二极管芯片彼此之间的间距由中间疏到外围密。
10、如权利要求1所述的具有不同排列间距的发光二极管封装结构，其特征在于：该发光二极管芯片彼此之间的间距由中间密到外围疏。
11、如权利要求1所述的具有不同排列间距的发光二极管封装结构，其特征在于：该发光二极管芯片彼此之间的间距为疏密或密疏相间。
12、如权利要求1所述的具有不同排列间距的发光二极管封装结构，其特征在于：该封装胶体单元为一相对应该发光二极管芯片的条状萤光胶体。
13、如权利要求12所述的具有不同排列间距的发光二极管封装结构，其特征在于：该条状萤光胶体由一硅胶与一萤光粉混合而成或由一环氧树脂与一萤光粉混合而成。
14、如权利要求12所述的具有不同排列间距的发光二极管封装结构，其特征在于，更进一步包括：一框架单元，其用于包覆该条状萤光胶体而只露出该条状萤光胶体的侧表面，其中该条状萤光胶体的上表面及前表面分别具有一胶体弧面及一胶体出光面，并且该框架单元为一不透光框架层。
15、如权利要求1所述的具有不同排列间距的发光二极管封装结构，其特征在于：该封装胶体单元具有多个相对应该发光二极管芯片的萤光胶体。
16、如权利要求15所述的具有不同排列间距的发光二极管封装结构，其特征在于：每一个萤光胶体由一硅胶与一萤光粉混合而成或由一环氧树脂与一萤光粉混合而成。
17、如权利要求15所述的具有不同排列间距的发光二极管封装结构，其特征在于，更进一步包括：一框架单元，其具有多个框架层，并且每一个框架层用于围绕该相对应的萤光胶体而只露出该相对应萤光胶体的上表面，其中该框架层为多个不透光框架层。
18、如权利要求15所述的具有不同排列间距的发光二极管封装结构，其特征在于，还进一步包括：一框架单元，其用于围绕该萤光胶体而只露出该萤光胶体的上表面，其中该框架单元为一不透光框架层。
19、如权利要求15所述的具有不同排列间距的发光二极管封装结构，其特征在于，更进一步包括：一框架单元，其具有多个框架层，并且每一个框架层用于包覆该相对应的萤光胶体而只露出该相对应萤光胶体的侧表面，其中每一个萤光胶体的上表面及前表面分别具有一胶体弧面及一胶体出光面，并且该框架层为多个不透光框架层。
20、如权利要求15所述的具有不同排列间距的发光二极管封装结构，其特征在于，更进一步包括：一框架单元，其用于包覆该萤光胶体而只露出该萤光胶体的侧表面，其中每一个萤光胶体的上表面及前表面分别具有一胶体弧面及一胶体出光面，并且该框架单元为一不透光框架层。
21、一种具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供一基板单元；
电性地设置一发光单元于该基板单元上，其中该发光单元具有多个发光二极管芯片，并且该发光二极管芯片彼此之间具有完全不同或部分不同的间距；以及
覆盖一封装胶体单元于该发光二极管芯片上。
22、如权利要求21所述的具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法，其特征在于：该基板单元为一印刷电路板、一软基板、一铝基板、一陶瓷基板、或一铜基板。
23、如权利要求21所述的具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法，其特征在于：该基板单元具有一基板本体、及分别形成于该基板本体上的一正极导电轨迹与一负极导电轨迹。
24、如权利要求23所述的具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法，其特征在于：该基板本体包括一金属层及一成形在该金属层上的电木层。
25、如权利要求23所述的具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法，其特征在于：该正、负极导电轨迹为铝线路或银线路。
26、如权利要求23所述的具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法，其特征在于：每一个发光二极管芯片具有分别电性连接于该基板单元的正、负极导电轨迹的一正极端与一负极端。
27、如权利要求21所述的具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法，其特征在于：该发光二极管芯片彼此之间的间距是由疏到密。
28、如权利要求21所述的具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法，其特征在于：该发光二极管芯片彼此之间的间距由密到疏。
29、如权利要求21所述的具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法，其特征在于：该发光二极管芯片彼此之间的间距由中间疏到外围密。
30、如权利要求21所述的具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法，其特征在于：该发光二极管芯片彼此之间的间距由中间密到外围疏。
31、如权利要求21所述的具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法，其特征在于：该发光二极管芯片彼此之间的间距为疏密或密疏相间。
32、如权利要求21所述的具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法，其特征在于：该封装胶体单元为一相对应该发光二极管芯片的条状萤光胶体。
33、如权利要求32所述的具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法，其特征在于：该条状萤光胶体由一硅胶与一萤光粉混合而成或由一环氧树脂与一萤光粉混合而成。
34、如权利要求32项所述的具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法，其特征在于：上述覆盖该封装胶体单元于该发光二极管芯片上的步骤后，更进一步包括：通过一框架单元，以包覆该条状萤光胶体而只露出该条状萤光胶体的侧表面，其中该条状萤光胶体的上表面及前表面系分别具有一胶体弧面及一胶体出光面，并且该框架单元为一不透光框架层。
35、如权利要求21所述的具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法，其特征在于：该封装胶体单元具有多个相对应该发光二极管芯片的萤光胶体。
36、如权利要求35所述的具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法，其特征在于：每一个萤光胶体由一硅胶与一萤光粉混合而成或由一环氧树脂与一萤光粉混合而成。
37、如权利要求35所述的具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法，其特征在于：上述覆盖该封装胶体单元于该发光二极管芯片上的步骤后，更进一步包括：提供一具有多个框架层的框架单元，并且每一个框架层用于围绕该相对应的萤光胶体而只露出该相对应萤光胶体的上表面，其中该框架层为多个不透光框架层。
38、如权利要求35所述的具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法，其特征在于：上述覆盖该封装胶体单元于该发光二极管芯片上的步骤后，更进一步包括：通过一框架单元，以围绕该萤光胶体而只露出该萤光胶体的上表面，其中该框架单元为一不透光框架层。
39、如权利要求35所述的具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法，其特征在于：上述覆盖该封装胶体单元于该等发光二极管芯片上的步骤后，更进一步包括：提供一具有多个框架层的框架单元，并且每一个框架层用于包覆该相对应的萤光胶体而只露出该相对应萤光胶体的侧表面，其中每一个萤光胶体的上表面及前表面分别具有一胶体弧面及一胶体出光面，并且该框架层为多个不透光框架层。
40、如权利要求35所述的具有不同排列间距的发光二极管芯片封装方法，其特征在于：上述覆盖该封装胶体单元于该发光二极管芯片上的步骤后，更进一步包括：通过一框架单元，以包覆该萤光胶体而只露出该萤光胶体的侧表面，其中每一个萤光胶体的上表面及前表面分别具有一胶体弧面及一胶体出光面，并且该框架单元为一不透光框架层。
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