CN101517470B - 液晶显示装置及其驱动方法和液晶面板的驱动装置、液晶面板的驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及液晶显示装置及其驱动方法和液晶面板的驱动装置、液晶面板的驱动方法。有源矩阵基板和相对基板隔着在没有施加电压状态下为展曲取向，在施加电压状态下取向转移成弯曲取向的OCB模式的液晶层相对配置。在像素电极的与相对基板相反的一侧隔着绝缘膜形成有存储电容总线，在像素电极与存储电容总线交叉的区域的像素电极的一部分设置有开口部。设置有液晶控制电路和中继电路，在存储电容总线上施加转移电压而在像素电极与存储电容总线之间施加电场，在液晶分子的响应经过一定时间以后，在相对电极上施加转移电压而在像素电极与相对电极之间施加电场。

Description

液晶显示装置及其驱动方法和液晶面板的驱动装置、液晶面板的驱动方法
技术领域
本发明涉及适用OCB(Optically self-Compensated Birefringence：光学自补偿双折射)模式的液晶显示装置及其驱动方法和液晶面板的驱动装置、液晶面板的驱动方法。
背景技术
以往，作为具有薄型和轻量等特征的彩色显示器，大量使用彩色液晶显示装置。近年来，随着液晶技术的发展，开发有具有高对比度和广视野角特性的彩色液晶显示装置，作为大型显示器的主流正在实用化。
当前，在广泛使用的彩色液晶显示装置的显示模式中，包括由电场控制液晶层的旋光性进行显示的扭转向列模式(以下，称为“TN模式”)和由电场控制液晶层的双折射进行显示的双折射模式(以下，称为“ECB模式”。)等。
然而，在利用这些模式的彩色液晶显示装置中，由于响应速度慢，发生拖尾现象或者轮廓模糊，因此仍存在不适于显示活动图像的问题。
从而，以往完成了大量的彩色液晶显示装置的高速响应化的尝试。当前，作为具有适于活动图像显示的高速响应性的液晶模式，存在强介电性液晶模式、反强介电性液晶模式和OCB(Opticallyself-Compensated Birefringence：光学自补偿双折射)模式等。
其中，强介电性液晶模式和反强介电性液晶模式由于具有层构造，因此已知耐冲击性弱，在实用化方面问题还很多。
另一方面，OCB模式由于使用通常的向列液晶，耐冲击，温度范围广，具有广视野角和高速响应特性，因此作为在活动图像显示中最佳的液晶模式而受人瞩目。
图7是示意性地表示使用上述OCB模式的液晶显示装置的主要部分的剖面的图。如图7所示，在适用OCB模式的液晶显示装置100中，由一对透明的玻璃基板101、102将液晶层103夹持，在这些玻璃基板101、102的与液晶层103相对的面一侧成膜有由透明电极构成的像素电极104和相对电极105、以及取向膜106、107。上述取向膜106、107通过摩擦进行取向处理。
在上述液晶显示装置100中进行彩色显示的情况下，在一方的玻璃基板102上制作未图示的彩色滤光片。此外，为了对液晶层103进行有源矩阵驱动，在一方的玻璃基板101上制作未图示的栅极总线、源极总线和其交叉部的TFT。在分别制作出双方的玻璃基板101、102以后，由未图示的球形间隔物或者柱形间隔物设置适当的间隙，将两玻璃基板101、102贴合。上述液晶层103通过在被贴合的两玻璃基板101、102之间进行真空注入，或者在将玻璃基板101、102贴合时进行滴下注入而形成。在这样得到的液晶单元的单侧或者两侧，为了提高显示的视野角特性，贴合有未图示的相位差板，在其外侧贴合有未图示的偏光板。
刚刚注入液晶以后的液晶层103的液晶分子103a如图8所示，大多大致水平取向。将该状态称为初始取向(展曲(spray)取向)。如果在液晶层103上下的像素电极104和相对电极105上施加所希望的电压，则液晶层103的液晶分子103a发生取向转移，依次从图8表示的展曲取向变化到图7所示的弯曲(bend)取向。液晶分子103a一旦采取图7表示的弯曲取向，则在白显示时(参照图9)和黑显示时(参照图10)，由于液晶分子103a的取向变化快速发生，因此高速响应。从而，在使用OCB模式的情况下，能够在使用向列液晶的模式中进行最快速的显示。进而，通过与相位差板相组合，成为具有广视野角特性的显示状态。
如上所述，OCB模式在没有施加电压的状态下是展曲取向，在实际进行显示的情况下成为弯曲取向的状态进行。即，在适用OCB模式的液晶显示装置100中，在进行显示时通过总持续地在液晶层103上施加电压，维持弯曲取向。例如，如图9所示，在电压VL时进行白显示，另一方面，如图10所示，在电压VH时进行黑显示。此外，在其中间的电压下显示中间状态时，在电压VL～VH的范围中，液晶层103呈现弯曲取向。
在上述OCB模式中，显示状态的液晶层103通过总施加电压而维持弯曲取向，而在液晶显示装置100的电源断开的状态下，在液晶层103上没有施加电压，液晶层103呈现展曲取向。从而，当接通液晶显示装置100的电源时，在液晶层103中发生从展曲取向到弯曲取向的取向转移(以下，称为“展曲→弯曲转移”。)。
然而，在上述展曲→弯曲转移中，例如，如在专利文献1和专利文献2中公开的那样，已知需要高电压或者长时间。该展曲→弯曲转移跨画面内的整个区域进行的时间依赖于施加在液晶层103上的电压。
这里，图11表示对室温(+25℃)中的液晶层103的施加电压与展曲→弯曲转移所花费的转移时间的关系。图11中，将电极的面积取为1cm2，将单元厚度取为5μm。从图11可知，伴随着施加到液晶层103上的电压增大，展曲→弯曲转移的转移时间缩短。
另一方面，如果观察上述展曲→弯曲转移的状况，则发现从聚集有数个间隔物这样的特异场所开始发生转移。将这样的场所称为转移核。转移核由于有时在1cm2内仅产生几个，因此导致展曲→弯曲转移扩展至画面内的整个区域的时间加长。展曲→弯曲转移扩展的速度依赖于液晶的粘性。例如，在-30℃的低温下，由于粘性大幅度增加，因此展曲→弯曲转移扩展的速度与室温的情况相比较，慢100倍左右。
为了防止这样的问题，在专利文献3中，如图12所示，公开了在画面内的规定位置形成由导电性材料构成的凸部201或者未图示的凹部的结构。通过这样的结构，由于加到凸部201或者未图示的凹部上的液晶层203上的电场强度比周围大，因此促进产生转移核。通过在各像素中制造这样的转移核，在所有像素中易于进行展曲→弯曲转移。
此外，在专利文献4中，如图13所示，公开了使辅助电容电极301和与其隔着绝缘体302重叠配置的具有缺损部303a的像素电极303之间产生电位差的驱动单元。通过做成这样的结构，施加在上述辅助电容电极301和像素电极303这两个之间的电场强度比其它区域大，由此，配置在缺损部303a周边的液晶分子成为转移核，使得在所有的像素中易于进行展曲→弯曲转移。
这样，在专利文献3和专利文献4中，通过在所有的像素中制作成为转移核的构造，即使存在对液晶层没有施加电压的隔离间隔物，也能够在所有的像素即画面整体中产生展曲→弯曲转移。
进而，为了在画面整体中完全进行展曲→弯曲转移，必须使所有的一个一个像素中产生转移核。而为了产生转移核在液晶上施加横电场是有效的，这一点在上述专利文献2中有表示。
专利文献1：日本国公开专利公报“特开2002-14317号公报(公开日：2002年1月18日)”(对应美国专利第7023416号(登录日：2006年4月4日))
专利文献2：日本国公开专利公报“特开2003-121881号公报(公开日：2003年4月23日)”
专利文献3：日本国公开专利公报“特开平10-20284号公报(公开日：1998年1月23日)”
专利文献4：日本国公开专利公报“特开2003-107506号公报(公开日：2003点4月9日)”(对应美国专利申请公开第2002/145579号(公开日：2002年10月10日)，对应美国专利申请公开第2002/105613号(公开日：2002年8月8日)，对应美国专利申请公开第2002/149551号(公开日：2002年10月17日)，对应美国专利第6933916号(登录日：2005年8月23日)
专利文献5：日本国公开专利公报“特开2002-6284号公报(公开日：2002年1月9日)”(对应美国专利申请公开第2001/020925号(公开日：2001年9月13日)，对应美国专利申请公开第2003/090442号(公开日：2003年5月15日)
专利文献6：日本国公开专利公报“特开2002-202529号公报(公开日：2002年7月19日)”(对应美国专利申请公开第2003/0151710号(公开日：2003年8月14日)
发明内容
如上所述，在现有的液晶显示装置中的转移电压的施加方法中，为了迅速进行展曲→弯曲转移，需要高电压。特别是，如果在低温环境下进行动作，则由于液晶的粘度非常大，展曲→弯曲转移非常需要时间，因此与在室温下的动作相比较，需要高电压(参照专利文献5)。
例如，为了在-30℃下可靠地产生转移核，需要在存储电容总线与像素电极之间施加25V的转移电压。此外，为了从所产生的1个转移核使1个像素在1秒钟内完全进行展曲→弯曲转移所需要的转移电压在-30℃下是25V。
由此，如果在像素电极与相对电极之间施加+25V(或-25V)的转移电压，并且在像素电极与存储电容总线之间施加+25V(或-25V)的转移电压，则存储电容总线与相对电极之间为0V。其结果，在像素电极的开口部产生没有施加电压的区域，在该部分残存的展曲区域产生影响，妨碍要扩展至像素区域整体的展曲→弯曲转移。因此，存在对相对电极和存储电容总线施加同极性(同相位)的转移电压成为为了迅速进行展曲→弯曲转移的障碍的问题点。
另一方面，如果在像素电极与相对电极之间施加+25V(或-25V)的转移电压，并且在像素电极与存储电容总线之间施加-25V(或+25V)的转移电压，则需要施加总计50V的转移电压。施加这样大的转移电压增加功耗，并且电路设计非常困难。
这样，现有必须相对于像素电极分别在相对电极和存储电容总线上施加高电压，存在产生没有施加电压的区域或者所需要的转移电压过大的问题。
本发明是鉴于上述现有的问题点而完成的，目的是提供在适用OCB模式的情况下，能够迅速且以低电压产生转移核，迅速地进行展曲→弯曲转移的液晶显示装置及其驱动方法和液晶面板的驱动装置、液晶面板的驱动方法。
为了解决上述课题，液晶显示装置由具备像素电极的有源矩阵基板和具备相对电极的相对基板隔着在没有施加电压的状态下为展曲取向，而在施加电压的状态下取向转移成弯曲取向的OCB模式的液晶层相对配置而成，在上述像素电极的与相对基板相反的一侧隔着绝缘膜形成有存储电容总线，并且在上述像素电极与存储电容总线交叉的区域的像素电极的一部分设置有开口部，并且设置有转移电压施加部，其在上述存储电容总线上施加转移电压而在上述像素电极与存储电容总线之间施加电场以后，在上述相对电极上施加转移电压而在上述像素电极与相对电极之间施加电场。
依据上述结构，上述转移电压施加部在上述存储电容总线和相对电极上，错开施加开始的定时，依次施加转移电压。
在上述液晶显示装置中，转移电压施加部通过在存储电容总线上施加转移电压而在上述像素电极与存储电容总线之间施加电场，由此在开口部附近，在存储电容总线与像素电极之间产生横电场。
然后，转移电压施加部对上述相对电极施加转移电压而在上述像素电极与相对电极之间施加电场。
如果像上述那样在存储电容总线上施加转移电压而在上述像素电极与存储电容总线之间施加电场，则在上述存储电容总线与像素电极之间产生的横电场使液晶分子产生扭转取向。其结果，在各像素中产生转移核。从而，在上述存储电容总线上施加转移电压以后，如果对上述相对电极施加转移电压，则在相对电极与像素电极之间产生大的转移电场，能够在像素整体且迅速地扩展所产生的转移核。由此，液晶分子能够迅速地进行从展曲取向到弯曲取向的取向转移。
这样，在上述液晶显示装置中，不是对存储电容总线和相对电极同时施加同极性(同相位)的电压，而是首先在存储电容总线上施加转移电压，然后(更具体地讲，在上述开口部发生扭转取向以后)对相对电极施加转移电压。从而，依据上述液晶显示装置，不会像现有技术这样，在对转移核的产生具有影响的最初状态下对存储电容总线和相对电极同时施加同极性的相同的转移电压，结果在像素电极的开口部产生没有施加电压的区域，而是能够使所有的像素产生转移核，并且能够在像素整体中迅速地扩展所产生的转移核。
此外，当产生转移核时，由于在最初的状态下，首先仅在存储电容总线上施加转移电压，没有对相对电极施加转移电压，因此不需要将存储电容总线的电压值和相对电极的电压值的双方相加的高电压。从而，以低电压产生转移核。
其结果，能够提供在适用OCB模式的情况下，在所有的像素中迅速且以低电压产生转移核，可以迅速地进行展曲→弯曲转移的液晶显示装置。
此外，即使在液晶的粘度变大的低温时，也能够使画面整体向弯曲取向进行取向转移。
此外，为了解决上述课题，上述液晶面板的驱动装置是，由具备像素电极的有源矩阵基板和具备相对电极的相对基板隔着液晶层相对配置而成，在上述像素电极的与相对基板相反的一侧隔着绝缘膜形成有存储电容总线，并且在上述像素电极与存储电容总线交叉的区域的像素电极的一部分设置有开口部，上述液晶层的液晶分子在没有施加电压的状态下为展曲取向，在施加电压的状态下转移成弯曲取向的以OCB模式驱动的液晶面板的驱动装置，其设置有转移电压施加部，在上述存储电容总线上施加转移电压而在上述像素电极与存储电容总线之间施加电场以后，在上述相对电极上施加转移电压而在上述像素电极与相对电极之间施加电场。
此外，为了解决上述课题，上述液晶面板的驱动方法是，由具备像素电极的有源矩阵基板和具备相对电极的相对基板隔着液晶层相对配置而成，在上述像素电极的与相对基板相反的一侧隔着绝缘膜形成有存储电容总线，并且在上述像素电极与存储电容总线交叉的区域的像素电极的一部分设置有开口部，上述液晶层的液晶分子在没有施加电压的状态下为展曲取向，在施加电压的状态下转移成弯曲取向的以OCB模式驱动的液晶面板的驱动方法，是在上述存储电容总线上施加转移电压而在上述像素电极与存储电容总线之间施加电场以后，在上述相对电极上施加转移电压而在上述像素电极与相对电极之间施加电场的方法。
由此，能够提供在适用OCB模式的情况下，在所有的像素中迅速且以低电压产生转移核，可以迅速地进行展曲→弯曲转移的液晶显示装置的驱动方法、液晶面板的驱动装置和液晶面板的驱动方法。
附图说明
图1是表示本发明一个实施方式的液晶显示装置的液晶面板的像素的结构的平面图。
图2是图1表示的液晶面板的A-B线剖面图。
图3是表示本发明一个实施方式的液晶显示装置的结构的框图。
图4是表示上述液晶显示装置中的转移电压施加时期的时序图。
图5是表示上述液晶显示装置中的对存储电容总线的转移电压施加与对相对电极的转移电压施加的关系的时序图。
图6是表示本发明其它实施方式的液晶显示装置中的对存储电容总线的转移电压施加与对相对电极的转移电压施加的关系的时序图。
图7是表示在电压施加时，液晶层的液晶分子呈现弯曲取向状态的使用OCB模式的液晶面板的剖面图。
图8是表示在没有施加电压时，液晶层的液晶分子呈现展曲取向状态的使用OCB模式的液晶面板的剖面图。
图9是表示在施加低电压时(白显示时)，液晶层的液晶分子呈现弯曲取向状态的使用OCB模式的液晶面板的剖面图。
图10是表示施加高电压时(黑显示时)，液晶层的液晶分子呈现弯曲取向状态的使用OCB模式的液晶面板的剖面图。
图11是表示对室温(+25℃)中的液晶层的电压施加与展曲→弯曲转移所花费转移时间的关系的曲线图。
图12是表示现有的液晶显示装置中的具备促进产生转移核的凸部的液晶面板的结构的剖面图。
图13是表示现有的其它液晶显示装置中的为了促进产生转移核而在像素电极中具备开口部的液晶面板的结构的剖面图。
符号的说明
1：液晶面板
2：有源矩阵基板
3：相对基板
4：液晶层
10：液晶显示装置
11：信号源
12：电源电路
13：液晶控制电路(转移电压施加单元，转移电压施加部)
14：中继电路(转移电压施加单元，转移电压施加部)
21：玻璃基板
22：栅极总线
23：源极总线
24：像素电极
24a：缺损部(开口部)
26：取向膜
27：存储电容总线
28：TFT
31：玻璃基板
32：相对电极
33：取向膜
40：液晶单元(液晶面板)
41：视角补偿用相位差板
42：视角补偿用相位差板
43：偏光板
44：偏光板
50：驱动电路(液晶面板的驱动装置)
51：配线(电源信号用的配线)
52：配线(时钟信号用的配线)
53：配线(灰度等级信号用的配线)
54：配线(存储电容总线信号用的配线)
55：配线(相对电极信号用的配线)
56：配线(取向转移控制信号用的配线)
57：配线(取向转移控制信号用的配线)
具体实施方式
[实施方式1]
如果根据图1至图5说明本发明的一个实施方式则如下。
首先，根据图1和图2说明本实施方式的液晶显示装置中的液晶面板的结构。图1表示液晶面板的1个像素及其周围的概略结构的平面图，图2表示图1表示的液晶面板的A-B剖面图。此外，图1中，为了图示方便，省略了相对基板和液晶层的图示。
本实施方式的液晶显示装置具有图1和图2表示的TFT型的液晶面板1，具有将液晶层4夹持在有源矩阵基板2和相对基板3之间的结构。
上述有源矩阵基板2大致为例如在玻璃基板21上形成有栅极总线22、源极总线23和像素电极24的结构。此外，在上述有源矩阵基板2中的栅极总线22与源极总线23之间形成有栅极绝缘膜25，在源极总线23与像素电极24之间形成有未图示的层间绝缘膜，在像素电极24上形成有取向膜26。进而，相对于像素电极24，隔着作为绝缘膜的上述层间绝缘膜形成有存储电容总线27，而且，在像素电极24与存储电容总线27交叉的区域中，在像素电极24的一部分上设置有作为开口部的缺损部24a。此外，上述存储电容总线27也可以与栅极总线22形成在同一层上。
另一方面，上述相对基板3为例如在玻璃基板31的整个面上形成有相对电极32和取向膜33的结构。
像素电极24通过TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)28与栅极总线22和源极总线23连接，但也存在像素电极24通过形成在层间绝缘膜上的未图示的接触孔与TFT28的漏极电极电连接的情况。
其次，说明上述液晶面板1的制作方法。
首先，对于有源矩阵基板2，在进行过底涂层等处理的玻璃基板21上，制作栅极总线22和存储电容总线27。栅极总线22和存储电容总线27在玻璃基板21的整个面上通过溅射成膜金属膜，通过光刻工序对该金属膜进行图案化而形成。所制作的栅极总线板22由钽(Ta)及其氮化物的叠层构造构成，但也可以不是叠层构造，用材料钛(Ti)、铝(Al)等金属或者ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)制作也可。
然后，对栅极总线22和存储电容总线27的表面进行阳极氧化，进而由氮化硅等成膜栅极绝缘膜25。栅极绝缘膜25既可以进行图案化也可以不进行图案化。
接着，为了形成TFT28，通过CVD(chemical vapor deposition：化学气相沉积)法成膜半导体层，在通过光刻工序对其进行图案化以后，进行杂质注入，形成TFT28的沟道区域。接着，通过溅射成膜金属膜，通过光刻工序对该金属膜进行图案化，由此形成源极总线23和漏极电极。源极总线23的材料与栅极总线22和存储电容总线27相同，用钽(Ta)、钛(Ti)和铝(Al)等金属形成。最后，由未图示的层间绝缘膜覆盖上述TFT28，防止杂质向TFT28部分扩散，提高半导体的性能。由此，制作有源矩阵基板2的栅极总线22和源极总线23和TFT28。
接着，通过溅射成膜金属膜，通过光刻工序对该金属膜进行图案化，由此形成像素电极24。像素电极24的膜厚例如为140nm。此外，对于像素电极24，作为透明电极使用ITO，但也可以是IZO(Indium ZincOxide：铟锌氧化物)等，只要具有透明性的薄膜导电性物质即可。此外，在为反射型液晶显示装置的情况下，代替ITO，也可以用铝(Al)和银(Ag)等反射性的薄膜导电性物质等制作像素电极24。
其次，说明相对基板3的制作顺序。
相对基板3在玻璃基板31上以条状排列制作划分各像素的未图示的黑矩阵和未图示的RGB(红、绿、蓝)彩色滤光片。然后，作为透明电极的相对电极32，溅射ITO。
接着，在有源矩阵基板2和相对基板3上进行使液晶取向的处理。具体地讲，在两有源矩阵基板2和相对基板3上印刷平行取向用聚酰亚胺，例如，通过用烘箱在200℃下烧制1小时，形成取向膜26、33。烧制后的取向膜的膜厚是大约100nm。用棉布沿着单方向在取向膜26、33上进行摩擦，使得在将有源矩阵基板2与相对基板3贴合时的取向方向相互平行。具体地讲，在有源矩阵基板2上以干式适当散布直径5μm的塑料间隔物，在相对基板3上在画面周边印刷密封材料，将两有源矩阵基板2和相对基板3进行对位以后贴合。贴合的朝向使相互的摩擦方向与同一个方向平行。密封材料使用热固化树脂，在加压力的同时在170℃的烘箱内烧制1个半小时。液晶使用真空注入方式注入。这样制作作为本实施方式的液晶面板1使用的液晶单元40。
接着，用在同样条件下制作的单元测定取向膜26、33的预倾斜角。为了测定预倾斜角，制作使相互的摩擦方向为相反方向平行的反平行而贴合的单元。该单元的预倾斜角是大约8°。
此外，如果提高预倾斜角，则认为弯曲取向的扩展速度加快。这是因为预倾斜角越高，与展曲取向相比较，弯曲取向的自由能量越降低。例如，如果预倾斜角为45°以上时，即使没有施加电压，弯曲取向也稳定。
此外，在本实施方式中，为了广视野角化，是进一步在上述液晶面板1上设置有视角补偿用相位差板41、42和偏光板43、44的结构。具体地讲，在上述液晶单元40的两侧贴合视角补偿用相位差板41、42，通过从其外侧将未图示的偏光板43、44粘贴到上述液晶单元40的两侧，使得偏光板43、44各自的吸收轴正交，由此制作液晶面板1。
接着，根据图3说明具有上述液晶面板1的液晶显示装置中的驱动电路。图3是表示上述液晶显示装置中的驱动电路的框图。
如图3所示，本实施方式的液晶显示装置10具备上述液晶面板1和驱动电路50(液晶面板1的驱动装置)。在上述驱动电路50中，如图3所示，设置有信号源11、电源电路12、液晶控制电路13和中继电路14。
上述电源电路12通过电源信号用的配线51与液晶面板1电连接。此外，在上述液晶面板1与液晶控制电路13之间，设置有时钟信号用的配线52、灰度等级信号用的配线53、存储电容总线用(存储电容总线信号用)的配线54、相对电极信号用的配线55。这些配线中，存储电容总线用的配线54和相对电极信号用的配线55通过中继电路14与液晶面板1电连接。此外，在液晶控制电路13与中继电路14之间，设置有输入到存储电容总线27的取向转移控制用信号用的配线56和输入到相对电极32的取向转移控制信号用的配线57。上述液晶控制电路13和中继电路14起到转移电压施加部(转移电压施加单元)的作用。
在上述液晶显示装置10的驱动电路50中，由液晶控制电路13接受从信号源11输出的信号，由该液晶控制电路13产生液晶面板1所需要的时钟信号、灰度等级信号、存储电容总线信号、相对电极信号。这些信号由图3表示的配线52～55分别输入到液晶面板1。此外，这些信号中，关于存储电容总线信号和相对电极信号如图3所示，由中继电路14中继，向液晶面板1输入信号。由该中继线路14分别在存储电容总线27和相对电极32上施加25V的电压，由此迅速进行取向转移。
例如，如图3和图4所示，液晶控制电路13首先由存储电容总线27用的取向转移控制信号切换中继电路14，作为存储电容总线信号，向存储电容总线用的配线54输入25V，由此通过该存储电容总线用的配线54，向液晶面板1的存储电容总线27输入25V的电压(转移电压)。接着，由存储电容总线27用的取向转移控制信号切换中继电路14，将从液晶控制电路13输出的信号输入到存储电容总线用的配线54，同时，由相对电极32的取向转移控制信号切换中继电路14，作为相对电极信号，向相对电极信号用的配线55输入25V，通过该相对电极信号用的配线55，向液晶面板1的相对电极32输入25V。最后由相对电极32用的取向转移控制信号切换中继电路14，将液晶控制电路13的输出信号输入到相对电极信号用的配线55。
中继电路14设定成在通常的显示时在存储电容总线用的配线54和相对电极信号用的配线55上，向液晶面板1分别输入从液晶控制电路13输出的信号。
此外，在图4中，如果电源上升，则首先时钟信号上升，随后产生启动脉冲。取向转移控制信号根据启动脉冲的次数控制。仅在产生取向转移控制信号时，切换中继电路14，如图4所示，例如+25V(也可以是-25V)的取向转移电压施加到存储电容总线27和相对电极32。当没有产生取向转移控制信号时，中继电路14复原，在存储电容总线27和相对电极32上输入在液晶控制电路13中产生的通常的液晶控制信号，如通常那样被驱动。
此外，当在相对电极32上再次施加取向转移电压时，如在图4中用虚线表示的那样输入相对电极用取向转移控制信号。
图5是表示上述液晶显示装置10中的对存储电容总线的转移电压施加与对相对电极的转移电压施加的关系的时序图(波形图)。
在具有上述结构的驱动电路50的液晶显示装置10中，在本实施方式中，如图5所示，对存储电容总线27的转移电压施加时期与对相对电极32的转移电压施加时期相互错开，在存储电容总线27上施加转移电压以后，在停止该转移电压的施加以后，对相对电极32施加转移电压。
详细地讲，例如，在存储电容总线27上施加转移电压以后，在停止该转移电压的施加的同时，向相对电极32施加转移电压。此外，在存储电容总线27中，在施加用于转移的转移电压的后，稍后停止转移电压的施加，而停止该转移电压的施加的状态不限于使存储电容总线27的电压为0V，也可以是作为通常显示时的驱动电压的状态，还可以是打开(OPEN)的状态。其中，所谓打开(OPEN)，指的是使与存储电容总线27连接的端子为打开状态，保持存储电容总线27的电荷的状态。
即，在当电源断开时，作为初始状态保持展曲取向，当电源接通时，从该展曲取向向作为图像显示状态的弯曲取向转移的OCB模式的液晶层4中，根据对液晶层4的转移电压施加，液晶分子从初始状态向图像显示状态进行取向转移。这时，从转移核发生转移，通过该转移不断扩展，进行像素整体的取向转移。
在本实施方式中，由液晶控制电路13和中继电路14在存储电容总线27上施加转移电压，在像素电极24与存储电容总线27之间施加电场。由此，在缺损部24a附近，在存储电容总线27与像素电极24之间产生横电场。该横电场由于使液晶分子发生扭转取向，因此能够在所有的像素中产生转移核。
其中，所谓扭转取向，表示包括液晶单元的厚度方向对于与摩擦方向平行的面，液晶分子朝向错开的方向。此外，由于展曲取向、弯曲取向在上述的面内进行取向，因此液晶分子不会朝向这样的方向。从而，如果在存储电容总线27与像素电极24之间产生横电场，产生扭转取向，则通过在上述液晶面板1如上述那样设置偏光板43、44，能够容易地进行观察(观察偏光板)。
如上述那样，在液晶分子中发生扭转取向，在所有的像素中产生转移核以后，由液晶控制电路13和中继电路14在相对电极32上施加转移电压，在像素电极24与相对电极32之间施加电场。其结果，在相对电极32与像素电极24之间产生很大的转移电场，能够使所产生的转移核在像素整体中迅速扩展。由此，液晶分子在像素整体中能够迅速地进行从展曲取向到弯曲取向的取向转移。即，如上所述，在进行扭转取向的部分，如果在液晶单元的厚度方向(即，像素电极24与相对电极32之间)施加转移电压，则从该部分发生弯曲取向，扩展到像素整体中。
这样，在本实施方式中，不是同时对存储电容总线27和相对电极32施加同极性(同相位)的电压，而是首先在存储电容总线27上施加转移电压，在液晶分子响应了一定时间以后，即，以时间差对相对电极32施加转移电压。具体地讲，在存储电容总线27上施加转移电压，在液晶分子中发生扭转取向以后，对相对电极32施加转移电压。从而，不会像现有技术这样，在对转移核的产生具有影响的最初状态下，通过对存储电容总线27和相对电极32同时施加同极性的相同的转移电压，结果在像素电极24的缺损部24a产生没有施加电压的区域。
此外，当产生转移核时，由于在最初的状态下，首先仅在存储电容总线27上施加转移电压，在相对电极32上没有施加转移电压，因此不需要将存储电容总线27的电压值与相对电极32的电压值的双方相加的高电压。从而，能够以低电压产生转移核。
其结果，在适用OCB模式的情况下，能够在所有的像素中迅速而且以低电压产生转移核，能够提供可以迅速地进行展曲→弯曲转移的液晶显示装置。
此外，即使在液晶的粘度变大的低温时，也能使画面整体进行向弯曲取向的取向转移。
这里，在本实施方式的液晶显示装置10中，在停止对存储电容总线27的转移电压施加以后，对相对电极32施加转移电压。这种情况下，对相对电极32的转移电压施加，优选如上所述在停止对存储电容总线27的转移电压施加的同时，或者隔开液晶分子不会返回到作为初始状态(初始取向)的展曲取向的短期间进行施加。由此，以更低电压迅速地在所有的像素中进行展曲→弯曲转移。
这里，考察在停止对存储电容总线27的转移电压施加以后的、对相对电极32施加转移电压时的定时和施加时间。
即，对相对电极32施加转移电压时的定时以液晶分子的缓和时间为参考计算。即，在停止对存储电容总线27的转移电压施加以后施加相对电极32的电压的情况下，如果液晶分子返回到初始状态(向存储电容总线27施加转移电压之前的状态)则没有效果。这一点是由于从响应时间最短的“室温时的OCB模式”的黑显示时向白显示时的取向变化的响应时间是4～5m秒，因此需要4m秒以下。此外，液晶分子返回到初始状态(初始取向)的动作由于是从扭转取向到非扭转取向的取向变化，因此比从黑显示时向白显示时的取向变化的响应时间花费更长的时间。
然而，在-30℃的情况下，由于OCB模式的从黑显示时向白显示时的取向变化的响应时间是100～200m秒，因此如果考虑设置温度传感器，能够根据温度控制切换时间，则最小值4m秒，最大值100m秒。
从而，作为对存储电容总线27的转移电压施加和施加对相对电极32的转移电压时的定时的最佳模式的顺序，为以下的顺序。
(1)在切断存储电容总线27的转移电压以后，施加对相对电极32的转移电压。
(2)在切断存储电容总线27的转移电压的同时，施加对相对电极32的转移电压。
(3)在切断存储电容总线27的转移电压之前，施加对相对电极32的转移电压(在后述的[实施方式2]中说明)。
其理由是基于以下考虑：为了将由弯曲转移核产生的弯曲取向扩展至像素整体，如果对相对电极32开始施加转移电压(即，是比通常的驱动电压高的电压，是与通常的驱动电压不同的特殊波形的电压)，则优选使存储电容总线27的电位迅速恢复到通常的驱动电位。
其次，考察对相对电极32施加转移电压时的施加时间。
即，作为对相对电极32的转移电压施加时间，为转移完全结束为止。为了使转移完全结束，优选是，需要按照
(像素边端与转移核的距离)/(转移的速度)
的时间施加转移电压。在本次使用的液晶材料中，在-30℃下，为
(150μm)÷(200μm/秒)
在0.75秒转移结束。但是，由于如果在像素内存在间隔物等障碍物，则妨碍转移的扩展，因此如果考虑到裕度，优选取2倍左右的时间。
此外，在本实施方式的液晶显示装置10中，在对相对电极32施加转移电压的情况下，能够使该转移电压随时间变动施加。即，对相对电极32施加的转移电压既可以一定，也能够有意图地使电压随时间变动。例如，通过每0.5秒反复转移电压的施加(ON)和停止(OFF)，即，例如电源ON和电源OFF，或者转移电压的施加和通常的驱动电压的施加，或者转移电压的施加和打开(OPEN)状态，易于进行取向转移向像素整体的扩展。
即，在按照理想的转移结束的时间对相对电极32施加了转移电压以后，为了促进转移向被间隔物等障碍物妨碍转移扩展的场所的扩展，优选有意图地变动对相对电极32的转移电压。
作为妨碍液晶分子的转移的理由，例如在专利文献6中公开了液晶分子的取向在上下为非对称的情况。从而，通过使对相对电极32的转移电压暂时恢复为0，使没有弯曲转移的区域的成为非对称的展曲取向状态的液晶分子恢复到均匀的展曲取向，使得再次进行成为弯曲取向。具体地讲，以对相对电极32的转移电压从ON成为OFF时的缓和时间为参考计算。如果考虑缓和时间最快时，则由于室温时的OCB模式的从黑显示时向白显示时的取向变化的响应时间是4～5m秒，因此认为优选使对相对电极32的转移电压恢复为0的期间为4m秒以上。另一方面，如果考虑缓和时间最慢时，则由于-30℃下的一般液晶模式的从黑显示时向白显示时的取向变化的响应时间是1～2秒，因此优选使对相对电极32的转移电压恢复为0的期间为2秒以下。从而，在本实施方式的液晶显示装置10中，使对相对电极32的转移电压恢复为0的期间优选为4m秒以上2秒以下。
此外，在本实施方式的液晶显示装置10中，像素电极24优选是透明电极。由此，在透射型的液晶显示装置10中，在适用OCB模式的情况下，能够提供在所有的像素中迅速且以低电压产生转移核，可以迅速地进行展曲→弯曲转移的液晶显示装置10。
[实施方式2]
如果根据图6说明本发明的其它实施方式则如下。此外，在本实施方式中说明的以外的结构与上述实施方式1相同。此外，为了说明方便，对具有与上述实施方式1的附图中表示的部件相同功能的部件标注相同的号码，省略其说明。
在本实施方式的液晶显示装置10中，对存储电容总线27的转移电压施加和对相对电极32的转移电压施加的定时与上述实施方式1不同。
即，在本实施方式中，如图3所示，液晶控制电路13首先根据存储电容总线用的取向转移控制信号切换中继电路14，作为存储电容总线信号，将25V输入到存储电容总线用的配线54，由此通过该存储电容总线用的配线54，在液晶面板1的存储电容总线27中输入25V的电压(转移电压)。接着，根据相对电极用的取向转移控制信号切换中继电路14，作为相对电极信号，将25V输入到相对电极信号用的配线55，通过该相对电极信号用的配线55，在液晶面板1的相对电极上输入25V。然后，根据存储电容总线用的取向转移控制信号切换中继电路14，将从液晶控制电路13输出的信号输入到存储电容总线用的配线54。最后，根据相对电极用的取向转移控制信号切换中继电路14，将来自液晶控制电路13的输出信号输入到相对电极信号用的配线55。
中继电路14设定为在通常的显示时在存储电容总线用的配线54和相对电极信号用的总线55上，分别向液晶面板1输入从液晶控制电路13输出的信号。
关于上述驱动电路的动作，具体地使用图6表示的时序图进行说明。
图6是表示上述液晶显示装置10中的本实施方式的对存储电容总线的转移电压施加与对相对电极的转移电压施加的关系的时序图。
如图6所示，在本实施方式中，作为转移电压施加部(转移电压施加单元)的液晶控制电路13和中继电路14在存储电容总线27上施加转移电压以后，在即将停止该转移电压的施加之前，对相对电极32施加转移电压，在刚对相对电极32施加了转移电压以后，停止存储电容总线27的转移电压。
其理由可认为是由于通过使存储电容总线27与相对电极32暂时成为同电压，具有将一度发生的转移从转移核扩展到像素部的效果。
此外，在本实施方式中，由于在对相对电极32施加转移电压以后，停止对存储电容总线27的转移电压施加，仅对相对电极32施加转移电压，因此能够迅速地在像素整体中使转移扩展。
这里，考察对相对电极32施加转移电压的定时。
即，作为对相对电极32施加转移电压的定时，考虑对存储电容总线27施加转移电压，在液晶分子稍微(或者充分)响应(扭转取向)以后，需要对相对电极32施加转移电压。这种情况下，如果假定-30℃的低温下的动作，则液晶分子的粘性大，在对存储电容总线27施加转移电压以后到液晶分子响应需花费时间。在-30℃下，一般的液晶模式(TN模式和ECB模式等)，当在液晶分子上施加电压时，液晶分子的取向(取向方向)变化的时间(即黑显示→白显示或者白显示→黑显示需要的时间)需花费500m秒(0.5秒)(正确地讲，测定从亮度的90％变化到10％的时间。)。从而，可认为平均上液晶充分响应(液晶分子的取向变化)的0.5秒，作为在对存储电容总线27施加转移电压以后对相对电极32施加转移电压的定时是妥当的时间。
另一方面，室温下，在一般的液晶模式下，液晶分子的取向(取向方向)变化的时间需要数m秒，而在OCB模式下，液晶分子的取向(取向状态)变化(黑显示→白显示)的时间更快，在0.2～0.3m秒变化。从而，可认为室温下产生液晶分子进行响应(即，非扭转取向→扭转取向变化)，错开电压施加定时的效果的是0.2m秒以上。从而，作为在对存储电容总线27施加转移电压以后对相对电极32施加转移电压的定时的最小值是0.2m秒，标准值是0.5秒，可以说没有上限。
这里，响应时间(黑显示→白显示)是“OCB模式”＜“一般的液晶模式”，“室温”＜“低温”。即，“室温时的OCB模式”响应时间最短，“低温时的一般液晶模式”最长。没有进行显示时(没有驱动时或者没有转移时)的OCB模式为展曲取向，响应与一般的液晶模式相同。上述的“最小值”相当于液晶分子稍微响应(扭转取向)时，“标准值”相当于液晶充分响应(扭转取向)时。
以下，使用各个实施例更详细地说明上述实施方式1、2的液晶显示装置10的驱动方法，即，上述液晶显示装置10中的液晶面板1的驱动方法的1个例子。然而，本发明并不是仅限于以下的实施例。
[实施例1]
说明在具有上述结构的液晶显示装置10中，观察对存储电容总线27和相对电极32施加图5表示的转移电压时的显示的结果。
如图5所示，作为转移电压分别取+25V、1秒钟。即，首先，在存储电容总线27上施加1秒钟的+25V的转移电压，这时，相对电极32进行通常显示的驱动。1秒以后，在将存储电容总线27的电压改变成进行通常显示的驱动的同时，对相对电极32施加1秒钟的+25V的转移电压后，改变成进行通常显示的驱动进行显示的确认。此外，初始状态没有施加电压，确认是展曲取向。
在室温下如果施加这样的电压，则在所有的像素中成为弯曲取向。由此可知，在画面整体的所有像素中进行了展曲→弯曲转移。
在上述液晶面板1中，通过画面整体进行弯曲取向，通过与视角补偿用相位差板相组合，即使从斜方向也观测到黑状态，能够实现广视野角。进而，能够确认即使将电压迅速地在ON与OFF之间切换，也以数msec以下的高速进行响应(黑显示→白显示)。这里，所谓ON和OFF是将相对的高电压(VH)时作为ON，相对的低电压(VL)时作为OFF，分别与黑显示、白显示相对应。这里，将8V作为ON，将2V作为OFF。
接着，在-30℃的低温下进行观察。
为了使初始状态成为展曲取向，在没有施加电压并充分放置以后，在-30℃下也施加与室温时同样的电压后，改变为进行通常显示的驱动，进行显示的确认。其结果，确认在所有的像素中变为弯曲取向。
由此可知，即使在-30℃这样的低温下，在画面整体的所有像素中也进行了展曲→弯曲转移。与室温的情况相同，通过与视角补偿用相位差板相组合，即使从斜方向也观测到黑状态，能够实现广视野角。
进而，确认了如果迅速地将电压在ON与OFF之间切换则以数百msec以下进行响应(黑显示→白显示)。这一点考虑为由于粘度与室温相比增大，因此响应时间与室温相比变得相当迟缓的缘故。然而，由于与使用向列液晶的其它模式(TN(扭转向列)模式、ECB(ElectricallyControlled Birefringence：电控双折射)模式)相比较能够相当快速地进行响应(黑显示→白显示)，因此确认变为弯曲取向。
为了进行比较，作为转移电压同时在存储电容总线27和相对电极32上施加2秒钟的+25V以后进行显示的确认。其中，初始状态为没有施加电压，确认是展曲取向。
其结果，如果在-30℃下施加电压，则在几乎所有的像素中进行了展曲→弯曲转移，但在一部分像素中残留没有进行弯曲转移的像素，当从斜方向观看时，由于延迟的差异而作为亮点被观察到。这种没有弯曲转移的像素在进行显示的过程中残留，没有进行弯曲转移。
为了进行比较，在仅对相对电极32施加2秒钟的+25V以后进行显示的确认。初始状态为没有施加电压，确认是展曲取向。
其结果，如果在-30℃下施加电压，则在几乎所有的像素中成为弯曲取向，但在一部分像素中残留没有进行弯曲转移的像素，当从斜方向观看时，由于延迟的差异而作为亮点被观察到。这种没有弯曲转移的像素在进行显示的过程中残留，没有进行弯曲转移。
从以上可知，通过首先仅在存储电容总线27上施加转移电压，不久后在切断转移电压的同时接着在相对电极32上施加转移电压，由此能够以更低电压迅速地在所有的像素中进行展曲→弯曲转移。
[实施例2]
接着，使用与实施例1的取向膜26、33不同的取向膜，进行同样的实验。制作方法与实施例1相同，测定该取向膜26、33的预倾斜角的结果是大约6°。在具有与实施例1同样结构的液晶显示装置10中，观察对存储电容总线27和相对电极32施加上述图5表示的转移电压时的显示。作为转移电压分别取为+25V、1秒钟。即，首先在存储电容总线27上施加1秒钟的+25V的转移电压，这时，相对电极32进行通常显示的驱动。1秒钟后，在将存储电容总线27的电压改变成进行通常显示的驱动的同时，在相对电极32上施加1秒钟的+25V的转移电压后，改变为进行通常显示的驱动，进行显示的确认。其中，初始状态为没有施加电压，确认是展曲取向。
其结果，在室温下如果施加这样的电压，则在所有的像素中成为弯曲取向。由此可知，在画面整体的所有的像素中进行了展曲→弯曲转移。
在上述液晶面板1中，由于画面整体己进行弯曲取向，通过与视角补偿用相位差板相组合，即使从斜方向也观测到黑状态，能够实现广视野角。进而，能够确认即使将电压迅速地在ON与OFF之间切换，也以数msec以下的高速进行响应(黑显示→白显示)。这里，所谓ON和OFF是将相对的高电压(VH)时作为ON，相对的低电压(VL)时作为OFF，分别与黑显示、白显示相对应。这里，将8V作为ON，将2V作为OFF。
接着，在-30℃的低温下进行观察。为了使初始状态为展曲取向，在没有施加电压并充分放置以后，在-30℃下也施加与室温时同样的电压后，改变为进行通常显示的驱动，进行显示的确认。
其结果，在一部分像素中残留没有进行弯曲转移的像素，当从斜方向观看时，由于延迟的差异而作为亮点被观察到。这种没有弯曲转移的像素在进行显示的过程中残留，没有进行弯曲转移。
从而，在具有与前面相同结构的液晶显示装置10中，观察对存储电容总线27和相对电极32施加图6表示的转移电压时的显示。作为转移电压分别取+25V、1秒钟。即，首先在存储电容总线27上施加+25V的转移电压，这时相对电极32进行通常显示的驱动。
在存储电容总线27上施加电压的中途(这里取0.5秒后)，在相对电极32上施加+25V的转移电压。在存储电容总线27上开始施加电压1秒钟以后，将存储电容总线27的电压改变成进行通常显示的驱动。
进而，在相对电极32上开始施加电压1秒钟以后，将相对电极32的电压改变成进行通常显示的驱动，进行显示的确认。此外，初始状态为没有施加电压，确认是展曲取向。
其结果，确认在所有的像素中成为弯曲取向。由此可知，即使在-30℃这样的低温下，在画面整体的所有的像素中也进行了展曲→弯曲转移。与室温的情况相同，通过与视角补偿用相位差板相组合，即使从斜方向也观测到黑状态，实现广视野角。进而，确认如果将电压迅速地在ON与OFF之间切换，则以数百msec以下进行响应(黑显示→白显示)。
从以上可知，通过首先仅在存储电容总线27上施加转移电压，在存储电容总线27上施加转移电压的中途在相对电极32上施加转移电压，并在相对电极32上施加转移电压的中途切断存储电容总线27的转移电压，由此能够以更低电压且迅速地在所有的像素中进行展曲→弯曲转移。
如上所述，上述实施方式1、2的液晶显示装置和液晶面板的驱动装置具有以下结构：由具备像素电极的有源矩阵基板和具备相对电极的相对基板隔着在没有施加电压的状态下为展曲取向，而在施加电压的状态下取向转移成弯曲取向的OCB模式的液晶层相对配置而成，在上述像素电极的与相对基板相反的一侧隔着绝缘膜形成有存储电容总线，并且在上述像素电极与存储电容总线交叉的区域的像素电极的一部分设置有开口部，并且设置有转移电压施加部(转移电压施加单元)，其在上述存储电容总线上施加转移电压而在上述像素电极与存储电容总线之间施加电场以后，在上述相对电极上施加转移电压而在上述像素电极与相对电极之间施加电场。
即，上述液晶显示装置和液晶面板的驱动装置，隔着液晶层相对配置有具备像素电极的有源矩阵基板和具备相对电极的相对基板，在上述像素电极的与相对基板相反的一侧隔着绝缘膜形成有存储电容总线，并且在上述像素电极与存储电容总线交叉的区域的像素电极的一部分设置有开口部，具备在上述存储电容总线和相对电极上施加使上述液晶层的液晶分子从展曲取向到弯曲取向进行取向转移的转移电压的转移电压施加部(转移电压施加单元)，上述转移电压施加部在上述存储电容总线上施加转移电压以后，在上述相对电极上施加转移电压。
更具体地讲，上述转移电压施加部在上述存储电容总线上施加转移电压，在上述像素电极与存储电容总线之间施加电场，在液晶分子的响应经过一定时间以后，即，在上述开口部发生扭转取向以后，在相对电极上施加转移电压而在上述像素电极与相对电极之间施加电场。
此外，上述实施方式1、2的液晶显示装置的驱动方法和液晶面板的驱动方法是，由具备像素电极的有源矩阵基板和具备相对电极的相对基板隔着在没有施加电压的状态下为展曲取向，而在施加电压的状态下取向转移成弯曲取向的OCB模式的液晶层相对配置而成，在上述像素电极的与相对基板相反的一侧隔着绝缘膜形成有存储电容总线，并且在上述像素电极与存储电容总线交叉的区域的像素电极的一部分设置有开口部的液晶显示装置或液晶面板的驱动方法。
即，上述液晶显示装置的驱动方法和液晶面板的驱动方法是，由具备像素电极的有源矩阵基板和具备相对电极的相对基板隔着液晶层相对配置而成，在上述像素电极的与相对基板相反的一侧隔着绝缘膜形成有存储电容总线，并且在上述像素电极与存储电容总线交叉的区域的像素电极的一部分设置有开口部，上述液晶层的液晶分子在没有施加电压的状态下为展曲取向，在施加电压的状态下转移成弯曲取向的以OCB模式驱动的液晶面板和液晶显示装置的驱动方法。
而且，在上述液晶显示装置的驱动方法和液晶面板的驱动方法中，在上述存储电容总线上施加转移电压而在上述像素电极与存储电容总线之间施加电场后(更具体地讲，通过在上述存储电容总线上施加转移电压而在上述开口部发生扭转取向以后)，在上述相对电极上施加转移电压，在上述像素电极与相对电极之间施加电场。
因而，依据上述各结构，起到能够提供在适用OCB模式的情况下，在所有的像素中迅速且以低电压产生转移核，可以迅速地进行展曲→弯曲的液晶显示装置及其驱动方法和液晶面板的驱动装置、液晶面板的驱动方法的效果。
在上述液晶显示装置中，优选上述转移电压施加部在上述存储电容总线上施加转移电压以后，在停止该转移电压施加以后，在上述相对电极上施加转移电压。此外，对于存储电容总线，在施加用于转移的转移电压以后，稍后停止转移电压的施加，但是该停止转移电压施加的状态不限于使存储电容总线的电压为0V，也可以为通常显示时的驱动电压或者打开(OPEN)。
由此，确实地不需要将存储电容总线的电压值与相对电压的电压值相加的高电压。
此外，在上述液晶显示装置中，上述转移电压施加部优选在上述存储电容总线上施加转移电压以后，在停止该转移电压施加的同时，在上述相对电极上施加转移电压。
由此，能够以更低电压且迅速地在所有的像素中进行展曲→弯曲转移。
此外，在上述液晶显示装置中，上述转移电压施加部优选在上述存储电容总线上施加转移电压以后，在即将停止该转移电压施加之前，在上述相对电极上施加转移电压。
即，优选在即将停止存储电容总线的转移电压之前在相对电极上施加转移电压，在相对电极上刚施加转移电压以后停止存储电容总线的转移电压。
其理由可以认为是具有通过使存储电容总线和相对电极暂时为相同电压，将一度发生的转移从转移核扩展到像素部的效果的缘故。
此外，在上述液晶显示装置中，由于在相对电极上施加转移电压以后，切断存储电容总线的转移电压，仅在相对电极上施加转移电压，因此能够将转移迅速地扩展到像素整体。
此外，在上述液晶显示装置中，上述转移电压施加部优选使对上述相对电极的转移电压随时间变动而施加。
即，在相对电极上施加的转移电压虽然可以是一定，但也能够使电压有意图地变动。例如，通过每0.5秒反复ON与OFF，能够容易地向像素整体扩展取向转移。
此外，在上述液晶显示装置中，优选在上述存储电容总线和相对电极上施加同极性的转移电压，更优选施加同极性的相同的转移电压。由此，确实地不需要将存储电容总线的电压值和相对电极的电压值相加的高电压。
此外，在上述液晶显示装置中，上述像素电极优选是透明电极。
由此，在透射型的液晶显示装置中，能够提供在适用OCB模式的情况下，在所有的像素中迅速地且以低电压产生转移核，可以迅速地进行展曲→弯曲转移的液晶显示装置。
本发明不限于上述的实施方式，在权利要求表示的范围内能够进行各种变更。即，关于将在权利要求表示的范围内适当变更的技术手段组合起来得到的实施方式也包括在本发明的技术发明内。
产业上的可利用性
本发明能够在适用OCB(Optically self-Compensated Birefringence：光学自补偿双折射)模式的液晶显示装置和液晶面板的驱动装置及其驱动方法中适用。此外，液晶显示装置不论透射型、半透射型和反射型均可。

Claims (19)

1.一种液晶显示装置，其由具备像素电极的有源矩阵基板和具备相对电极的相对基板隔着液晶层相对配置而成，该液晶层是在没有施加电压的状态下为展曲取向，而在施加电压的状态下取向转移成弯曲取向的OCB模式的液晶层，所述液晶显示装置的特征在于：
在所述像素电极的与相对基板相反的一侧隔着绝缘膜形成有存储电容总线，并且在所述像素电极与存储电容总线交叉的区域的像素电极的一部分设置有开口部，并且
设置有转移电压施加部，其在所述存储电容总线上施加转移电压而在所述像素电极与存储电容总线之间施加电场以后，在所述相对电极上施加转移电压而在所述像素电极与相对电极之间施加电场，
所述转移电压施加部在所述存储电容总线上施加转移电压以后，在停止该转移电压施加后，在所述相对电极上施加转移电压。
2.一种液晶显示装置，其由具备像素电极的有源矩阵基板和具备相对电极的相对基板隔着液晶层相对配置而成，该液晶层是在没有施加电压的状态下为展曲取向，而在施加电压的状态下取向转移成弯曲取向的OCB模式的液晶层，所述液晶显示装置的特征在于：
在所述像素电极的与相对基板相反的一侧隔着绝缘膜形成有存储电容总线，并且在所述像素电极与存储电容总线交叉的区域的像素电极的一部分设置有开口部，并且
设置有转移电压施加部，其在所述存储电容总线上施加转移电压而在所述像素电极与存储电容总线之间施加电场以后，在所述相对电极上施加转移电压而在所述像素电极与相对电极之间施加电场，
所述转移电压施加部在所述存储电容总线上施加转移电压以后，在停止该转移电压施加的同时，在所述相对电极上施加转移电压。
3.一种液晶显示装置，其由具备像素电极的有源矩阵基板和具备相对电极的相对基板隔着液晶层相对配置而成，该液晶层是在没有施加电压的状态下为展曲取向，而在施加电压的状态下取向转移成弯曲取向的OCB模式的液晶层，所述液晶显示装置的特征在于：
在所述像素电极的与相对基板相反的一侧隔着绝缘膜形成有存储电容总线，并且在所述像素电极与存储电容总线交叉的区域的像素电极的一部分设置有开口部，并且
设置有转移电压施加部，其在所述存储电容总线上施加转移电压而在所述像素电极与存储电容总线之间施加电场以后，在所述相对电极上施加转移电压而在所述像素电极与相对电极之间施加电场，
所述转移电压施加部在所述存储电容总线上施加转移电压以后，在即将停止该转移电压施加之前，在所述相对电极上施加转移电压。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述转移电压施加部在所述存储电容总线上施加转移电压，并在所述开口部发生扭转取向以后，在所述相对电极上施加转移电压。
5.根据权利1～3中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述转移电压施加部使对所述相对电极施加的转移电压随时间变动而施加。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述转移电压施加部在所述存储电容总线和相对电极上施加同极性的转移电压。
7.根据权利要求1～3中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述像素电极是透明电极。
8.一种液晶显示装置的驱动方法，该液晶显示装置由具备像素电极的有源矩阵基板和具备相对电极的相对基板隔着液晶层相对配置而成，在所述像素电极的与相对基板相反的一侧隔着绝缘膜形成有存储电容总线，并且在所述像素电极与存储电容总线交叉的区域的像素电极的一部分设置有开口部，其中，所述液晶层是在没有施加电压的状态下为展曲取向，而在施加电压的状态下取向转移成弯曲取向的OCB模式的液晶层，所述液晶显示装置的驱动方法的特征在于：
在所述存储电容总线上施加转移电压而在所述像素电极与存储电容总线之间施加电场以后，在所述相对电极上施加转移电压而在所述像素电极与相对电极之间施加电场，
其中，在所述存储电容总线上施加转移电压以后，在停止该转移电压施加后，在所述相对电极上施加转移电压。
9.一种液晶显示装置的驱动方法，该液晶显示装置由具备像素电极的有源矩阵基板和具备相对电极的相对基板隔着液晶层相对配置而成，在所述像素电极的与相对基板相反的一侧隔着绝缘膜形成有存储电容总线，并且在所述像素电极与存储电容总线交叉的区域的像素电极的一部分设置有开口部，其中，所述液晶层是在没有施加电压的状态下为展曲取向，而在施加电压的状态下取向转移成弯曲取向的OCB模式的液晶层，所述液晶显示装置的驱动方法的特征在于：
在所述存储电容总线上施加转移电压而在所述像素电极与存储电容总线之间施加电场以后，在所述相对电极上施加转移电压而在所述像素电极与相对电极之间施加电场，
其中，在所述存储电容总线上施加转移电压以后，在停止该转移电压施加的同时，在所述相对电极上施加转移电压。
10.一种液晶显示装置的驱动方法，该液晶显示装置由具备像素电极的有源矩阵基板和具备相对电极的相对基板隔着液晶层相对配置而成，在所述像素电极的与相对基板相反的一侧隔着绝缘膜形成有存储电容总线，并且在所述像素电极与存储电容总线交叉的区域的像素电极的一部分设置有开口部，其中，所述液晶层是在没有施加电压的状态下为展曲取向，而在施加电压的状态下取向转移成弯曲取向的OCB模式的液晶层，所述液晶显示装置的驱动方法的特征在于：
在所述存储电容总线上施加转移电压而在所述像素电极与存储电容总线之间施加电场以后，在所述相对电极上施加转移电压而在所述像素电极与相对电极之间施加电场，
其中，在所述存储电容总线上施加转移电压以后，在即将停止该转移电压施加之前，在所述相对电极上施加转移电压。
11.根据权利要求8～10中任一项所述的液晶显示装置的驱动方法，其特征在于：
在所述存储电容总线上施加转移电压，在所述开口部发生扭转取向以后，在所述相对电极上施加转移电压。
12.一种液晶面板的驱动装置，该液晶面板由具备像素电极的有源矩阵基板和具备相对电极的相对基板隔着液晶层相对配置而成，在所述像素电极的与相对基板相反的一侧隔着绝缘膜形成有存储电容总线，并且在所述像素电极与存储电容总线交叉的区域的像素电极的一部分设置有开口部，其中，所述液晶层是在没有施加电压的状态下为展曲取向，而在施加电压的状态下取向转移成弯曲取向的OCB模式的液晶层，所述液晶面板的驱动装置的特征在于：
设置有转移电压施加部，其在所述存储电容总线上施加转移电压而在所述像素电极与存储电容总线之间施加电场以后，在所述相对电极上施加转移电压而在所述像素电极与相对电极之间施加电场，
所述转移电压施加部在所述存储电容总线上施加转移电压以后，在停止该转移电压施加后，在所述相对电极上施加转移电压。
13.一种液晶面板的驱动装置，该液晶面板由具备像素电极的有源矩阵基板和具备相对电极的相对基板隔着液晶层相对配置而成，在所述像素电极的与相对基板相反的一侧隔着绝缘膜形成有存储电容总线，并且在所述像素电极与存储电容总线交叉的区域的像素电极的一部分设置有开口部，其中，所述液晶层是在没有施加电压的状态下为展曲取向，而在施加电压的状态下取向转移成弯曲取向的OCB模式的液晶层，所述液晶面板的驱动装置的特征在于：
设置有转移电压施加部，其在所述存储电容总线上施加转移电压而在所述像素电极与存储电容总线之间施加电场以后，在所述相对电极上施加转移电压而在所述像素电极与相对电极之间施加电场，
所述转移电压施加部在所述存储电容总线上施加转移电压以后，在停止该转移电压施加的同时，在所述相对电极上施加转移电压。
14.一种液晶面板的驱动装置，该液晶面板由具备像素电极的有源矩阵基板和具备相对电极的相对基板隔着液晶层相对配置而成，在所述像素电极的与相对基板相反的一侧隔着绝缘膜形成有存储电容总线，并且在所述像素电极与存储电容总线交叉的区域的像素电极的一部分设置有开口部，其中，所述液晶层是在没有施加电压的状态下为展曲取向，而在施加电压的状态下取向转移成弯曲取向的OCB模式的液晶层，所述液晶面板的驱动装置的特征在于：
设置有转移电压施加部，其在所述存储电容总线上施加转移电压而在所述像素电极与存储电容总线之间施加电场以后，在所述相对电极上施加转移电压而在所述像素电极与相对电极之间施加电场，
所述转移电压施加部在所述存储电容总线上施加转移电压以后，在即将停止该转移电压施加之前，在所述相对电极上施加转移电压。
15.根据权利要求12～14中任一项所述的液晶面板的驱动装置，其特征在于：
所述转移电压施加部在所述存储电容总线上施加转移电压，并在所述开口部发生扭转取向以后，在所述相对电极上施加转移电压。
16.一种液晶面板的驱动方法，该液晶面板由具备像素电极的有源矩阵基板和具备相对电极的相对基板隔着液晶层相对配置而成，在所述像素电极的与相对基板相反的一侧隔着绝缘膜形成有存储电容总线，并且在所述像素电极与存储电容总线交叉的区域的像素电极的一部分设置有开口部，其中，所述液晶层是在没有施加电压的状态下为展曲取向，而在施加电压的状态下取向转移成弯曲取向的OCB模式的液晶层，所述液晶面板的驱动方法的特征在于：
在所述存储电容总线上施加转移电压而在所述像素电极与存储电容总线之间施加电场以后，在所述相对电极上施加转移电压而在所述像素电极与相对电极之间施加电场，
其中，在所述存储电容总线上施加转移电压以后，在停止该转移电压施加后，在所述相对电极上施加转移电压。
17.一种液晶面板的驱动方法，该液晶面板由具备像素电极的有源矩阵基板和具备相对电极的相对基板隔着液晶层相对配置而成，在所述像素电极的与相对基板相反的一侧隔着绝缘膜形成有存储电容总线，并且在所述像素电极与存储电容总线交叉的区域的像素电极的一部分设置有开口部，其中，所述液晶层是在没有施加电压的状态下为展曲取向，而在施加电压的状态下取向转移成弯曲取向的OCB模式的液晶层，所述液晶面板的驱动方法的特征在于：
在所述存储电容总线上施加转移电压而在所述像素电极与存储电容总线之间施加电场以后，在所述相对电极上施加转移电压而在所述像素电极与相对电极之间施加电场，
其中，在所述存储电容总线上施加转移电压以后，在停止该转移电压施加的同时，在所述相对电极上施加转移电压。
18.一种液晶面板的驱动方法，该液晶面板由具备像素电极的有源矩阵基板和具备相对电极的相对基板隔着液晶层相对配置而成，在所述像素电极的与相对基板相反的一侧隔着绝缘膜形成有存储电容总线，并且在所述像素电极与存储电容总线交叉的区域的像素电极的一部分设置有开口部，其中，所述液晶层是在没有施加电压的状态下为展曲取向，而在施加电压的状态下取向转移成弯曲取向的OCB模式的液晶层，所述液晶面板的驱动方法的特征在于：
在所述存储电容总线上施加转移电压而在所述像素电极与存储电容总线之间施加电场以后，在所述相对电极上施加转移电压而在所述像素电极与相对电极之间施加电场，
其中，在所述存储电容总线上施加转移电压以后，在即将停止该转移电压施加之前，在所述相对电极上施加转移电压。
19.根据权利要求16～18中任一项所述的液晶面板的驱动方法，其特征在于：
在所述存储电容总线上施加转移电压，在所述开口部发生扭转取向以后，在所述相对电极上施加转移电压。
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