CN101510106B - 应用于晶体管的电流控制装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种应用于一晶体管的电流控制装置，该晶体管具有一控制端点、一第一端点以及一第二端点，并且该电流控制装置包含有：一电流控制模块、一第一电流镜模块、一第二电流镜模块、一电流减法器以及一电流调整模块。本发明所提供的电流控制装置可以应用于一双极结型晶体管，使得在利用一双重电流模式温度测量方法来测量该双极结型晶体管的温度时能够避免温度测量误差的产生。

Description

应用于晶体管的电流控制装置

技术领域

本发明涉及一种电流控制装置，尤其是涉及一种可以应用于一双极结型晶体管的电流控制装置，使得在利用一双重电流模式(dual current mode)温度测量方法来测量该双极结型晶体管的温度时能够避免温度测量误差的产生。

背景技术

请参考图1，图1所示出的为依据已知技术的一双极结型晶体管(bipolar junction transistor，BJT)100的简化示意图。如图1所示，双极结型晶体管100具有一基极、一射极以及一集极，并且其基极电流Ib、射极电流Ie以及集极电流Ic具有以下关系：

Ib+Ie+Ic＝0

Ie＝-(β+1)Ic/β

此外，本领域技术人员应该能够了解双极结型晶体管100的温度可以经由一双重电流模式(dual current mode)温度测量方法来测量双极结型晶体管100的两次不同的射极电流Ie1以及Ie2并且再进一步计算以取得一温度测量结果，而由于实际上双极结型晶体管100的温度与集极电流Ic1以及Ic2的比例有直接关系，所以在先进工艺中，当双极结型晶体管100的β值变小并且会随着电流大小产生变化时会使得现有所采用的技术无法求得真正的集极电流Ic1以及Ic2之间的比例，因此就会造成严重的温度测量误差。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的之一在于提供一种可以应用于一晶体管的电流控制装置，使得在利用一双重电流模式(dual current mode)温度测量方法来测量该晶体管的温度时能够避免温度测量误差的产生，以解决上述的问题。

依据本发明的权利要求，其披露一种应用于一晶体管的电流控制装置，该晶体管具有一控制端点、一第一端点以及一第二端点，并且该电流控制装置包含有：一电流控制模块、一第一电流镜模块、一第二电流镜模块、一电流减法器以及一电流调整模块，其中，该电流控制模块用来输出一电流控制讯号；该第一电流镜模块具有一第一输出端点、一第二输出端点与一输入端点，而该第一输出端点耦接于该晶体管的该第一端点，且该输入端点耦接于该电流控制模块，并且该第一电流镜模块用来依据该电流控制讯号分别在该第一输出端点与该第二输出端点产生一第一电流镜电流与一第二电流镜电流，其中该第一电流镜电流与该第二电流镜电流之间具有一预定电流比例，以及该晶体管依据该第一电流镜电流在该控制端点产生一第二电流；该第二电流镜模块具有一第一端点、一第二端点与一第三端点，而该第一端点耦接于该晶体管的该控制端点，并且该第二电流镜模块用来依据该第二电流以在该第二电流镜模块的该第二端点产生一第三电流镜电流，其中该第二电流与该第三电流镜电流之间具有该预定电流比例；该电流减法器耦接于该第一电流镜模块的该第二输出端点与该第二电流镜模块的该第二端点之间，并且该电流减法器用来依据该第二电流镜电流与该第三电流镜电流产生一第三电流；以及该电流调整模块耦接于该电流减法器，并且该电流调整模块用来将该第三电流调整成一第四电流，其中该第四电流与该第三电流之间具有一固定电流比例。

附图说明

图1所绘示的为依据已知技术的一双极结型晶体管(bipolar junctiontransistor，BJT)的简化示意图。

图2所绘示的为依据本发明的一实施例应用于一双极结型晶体管的电流控制装置的简化方块示意图。

图3所绘示的为依据图2中的电流控制装置的一第一实施例的电路架构示意图，其中电流控制装置在一第一操作期间。

图4所绘示的为依据图2中的电流控制装置的第一实施例的电路架构示意图，其中电流控制装置在一第二操作期间。

图5所绘示的为依据图2中的电流控制装置的一第二实施例的电路架构示意图，其中电流控制装置在一第一操作期间。

图6所绘示的为依据图2中的电流控制装置的第二实施例的电路架构示意图，其中电流控制装置在一第二操作期间。

附图符号说明

100：双极结型晶体管

210：电流控制模块

212：电流源

220：第一电流镜模块

222：第一开关元件

224：第二开关元件

226：第一晶体管开关

228：第二晶体管开关

232：第三晶体管开关

234：第三开关元件

240：第二电流镜模块

242：第四晶体管开关

244：第五晶体管开关

246：可变电阻单元

248：偏压控制模块

250：电流减法器

260：电流调整模块

262：第六晶体管开关

264：第四开关元件

266：第五开关元件

268：第七晶体管开关

269：第六开关元件

270：电压存储模块

具体实施方式

在本申请文件中使用了某些词汇来指称特定的元件，而本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个元件，本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作为区分的准则，在申请文件中所提及的“包含有”为一开放式的用语，故应解释成“包含有但不限定于”，此外，“耦接”一词在此包含有任何直接及间接的电气连接手段，因此，若文中描述一第一装置耦接于一第二装置，则代表该第一装置可以直接电气连接于该第二装置，或通过其它装置或连接手段间接地电气连接至该第二装置。

请参考图2，图2所绘示的为依据本发明的一实施例应用于一双极结型晶体管(bipolar junction transistor，BJT)100的电流控制装置200的简化方块示意图。如图2所示，双极结型晶体管100具有一控制端点(亦即基极)、一第一端点(亦即射极)以及一第二端点(亦即集极)，并且电流控制装置200包含有：一电流控制模块210、一第一电流镜模块220、一第二电流镜模块240、一电流减法器250以及一电流调整模块260，其中，电流控制模块210用来输出一电流控制讯号Si。第一电流镜模块220具有一第一输出端点、一第二输出端点与一输入端点，而第一输出端点耦接于双极结型晶体管晶体管100的射极，且输入端点耦接于电流控制模块210，并且第一电流镜模块220用来依据电流控制讯号Si分别在第一输出端点与第二输出端点产生一第一电流镜电流Ie1”与一第二电流镜电流Ie1’，其中第一电流镜电流Ie1”与第二电流镜电流Ie1’之间具有一预定电流比例，以及双极结型晶体管100依据第一电流镜电流Ie1”在基极产生一第二电流Ib1”。第二电流镜模块240具有一第一端点、一第二端点与一第三端点，而第一端点耦接于双极结型晶体管100的基极，并且第二电流镜模块240用来依据第二电流Ib1”以在第二电流镜模块240的第二端点产生一第三电流镜电流Ib1’，其中第二电流Ib1”与第三电流镜电流Ib1’之间具有该预定电流比例。电流减法器250耦接于第一电流镜模块220的第二输出端点与第二电流镜模块240的第二端点之间，并且电流减法器250用来依据第二电流镜电流Ie1’与第三电流镜电流Ib1’产生一第三电流Ic1’；以及电流调整模块260耦接于电流减法器250，并且电流调整模块260用来将第三电流Ic1’调整成一第四电流Ic2’，其中第四电流Ic2’与第三电流Ic1’之间具有一固定电流比例。在此请注意，上述的实施例仅作为本发明的举例说明，而不是本发明的限制条件，接着，本说明书将在以下段落中举例说明关于本发明的电流控制装置200的详细的电路架构与操作方式。

请参考图3以及图4，图3以及图4所绘示的为依据图2中的电流控制装置200的一第一实施例的电路架构示意图。如图3以及图4所示，电流控制模块210包含有：一电流源212，耦接于一第一电压源(例如一接地电压源)，用来提供一第一电流Ie1作为图2中的电流控制讯号Si；一第一开关元件222，其具有一控制端点、一第一端点以及一第二端点，该第二端点耦接于电流源212；一第二开关元件224，其具有一控制端点、一第一端点以及一第二端点；以及一第一晶体管开关226，其具有一控制端点(亦即栅极)耦接于第二开关元件224的该第二端点、一第一端点(亦即源极)耦接于一第二电压源以及一第二端点(亦即漏极)耦接于第一开关元件222的该第一端点与第一晶体管开关226的该控制端点。然而，上述的实施例仅作为本发明的举例说明，而不是本发明的限制条件，举例来说，电流控制模块210也可以是一偏压(bias)电压源，用来提供一偏压作为电流控制讯号Si。

第一电流镜模块220包含有：一第二晶体管开关228，其具有一控制端点(亦即栅极)耦接于第二开关元件224的该第一端点、一第一端点(亦即源极)耦接于第二电压源Vd以及一第二端点(亦即漏极)耦接于该电流减法器250；一第三晶体管开关232，其具有一控制端点(亦即栅极)耦接于第二开关元件224的该第一端点与第二晶体管开关228的该控制端点、一第一端点(亦即源极)耦接于第二电压源Vd以及一第二端点(亦即漏极)耦接于该双极结型晶体管晶体管100的该第一端点；以及一第三开关元件234，其具有一控制端点、一第一端点耦接于第二晶体管开关228的该控制端点以及一第二端点耦接于第二晶体管开关228的该第二端点。

第二电流镜模块240包含有：一第四晶体管开关242，其具有一控制端点(亦即栅极)、一第一端点(亦即源极)耦接于该第一电压源以及一第二端点(亦即漏极)耦接于该电流减法器250；以及一第五晶体管开关244，其具有一控制端点(亦即栅极)耦接于第四晶体管开关242的该控制端点、一第一端点(亦即源极)耦接于该第一电压源以及一第二端点(亦即漏极)耦接于该第二电流镜模块240的该第二端点与该双极结型晶体管晶体管100的该控制端点。

电流调整模块260包含有：一第六晶体管开关262，其具有一控制端点(亦即栅极)、一第一端点(亦即源极)耦接于该第一电压源以及一第二端点(亦即漏极)耦接于电流减法器250；一第四开关元件264，其具有一控制端点、一第一端点以及一第二端点耦接于第六晶体管开关262的该控制端点；一第五开关元件266，其具有一控制端点、一第一端点耦接于第六晶体管开关262的该第二端点以及一第二端点耦接于第六晶体管开关262的该控制端点；一第七晶体管开关268，其具有一控制端点(亦即栅极)耦接于第四开关元件264的该第一端点、一第一端点(亦即源极)耦接于该第一电压源以及一第二端点(亦即漏极)耦接于第六晶体管开关262的该第二端点与第五开关元件266的该第一端点；一第六开关元件269，其具有一控制端点、一第一端点耦接于第七晶体管开关268的该控制端点以及一第二端点耦接于该第一电压源；以及一电压存储模块270，耦接于该第一电压源与第六晶体管开关262的该控制端点之间；其中，第六晶体管开关262的尺寸与第七晶体管开关268的尺寸之间具有一固定比例N/(M-N)，因此可以使得第四电流Ic2’与第三电流Ic1’之间的该固定电流比例等于N/M。

此外，在本实施例的电路架构中，第一晶体管开关226、第二晶体管开关228以及第三晶体管开关232均为P型场效晶体管(例如PMOS场效晶体管)；第四晶体管开关242、第五晶体管开关244、第六晶体管开关262以及第七晶体管开关268均为N型场效晶体管(例如NMOS场效晶体管)；以及电压存储模块270为一电容。然而，上述的实施例仅作为本发明的举例说明，而不是本发明的限制条件。

接着，关于本发明的电流控制装置200的操作流程说明如下，当电流控制装置200在一第一操作期间时，第一开关元件222、第二开关元件224、第四开关元件264以及第五开关元件266处于一导通状态，并且第三开关元件234以及第六开关元件269处于一非导通状态，也就是如图3所示，如此一来，第一电流镜模块220就会依据第一电流Ie1分别在第一输出端点与第二输出端点产生一第一电流镜电流Ie1”与一第二电流镜电流Ie1’，其中第一电流镜电流Ie1”与第二电流镜电流Ie1’之间的一预定电流比例为1∶1，以及双极结型晶体管100依据第一电流镜电流Ie1”在基极产生一第二电流Ib1”。接着，第二电流镜模块240就会依据第二电流Ib1”以在第二电流镜模块240的第二端点产生一第三电流镜电流Ib1’，其中第二电流Ib1”与第三电流镜电流Ib1’之间具有该预定电流比例(亦即1∶1)，同时双极结型晶体管100就会产生集极电流Ic1”。然后，电流减法器250就会依据第二电流镜电流Ie1’与第三电流镜电流Ib1’产生一第三电流Ic1’。接着，当电流控制装置200在一第二操作期间时，第一开关元件222、第二开关元件224、第四开关元件264以及第五开关元件266处于一非导通状态，并且第三开关元件234以及第六开关元件269处于一导通状态，也就是如图4所示，电流调整模块260会将第三电流Ic1’调整成一第四电流Ic2’，其中第四电流Ic2’与第三电流Ic1’之间具有一固定电流比例N∶M，并且第四电流Ic2’会成为电流控制装置200的整个电路的控制电流控制模块，而此时电流控制装置200的整个电路会自动收敛产生必要的一第二电流镜电流Ie2’、一第一电流镜电流Ie2”、一第三电流镜电流Ib2’以及一第二电流Ib2”，同时双极结型晶体管100就会产生集极电流Ic2”。

请参考图5以及图6，图5以及图6所绘示的为依据图2中的电流控制装置200的一第二实施例的电路架构示意图。其中，本发明的第二实施例中的电流控制装置200与本发明的第一实施例的电流控制装置200具有类似的电路架构，因此在图5以及图6中的电流控制装置200的元件符号使用与图3以及图4中的电流控制装置200一样的元件符号，并且为了简洁起见，在此不多加赘述电流控制装置200的详细的电路架构。而图5以及图6中的电流控制装置200的元件符号使用与图3以及图4中的电流控制装置200之间的差别在于如图5以及图6所示：第二电流镜模块240还包含有：一可变电阻单元246，耦接于该电流减法器250与第四晶体管开关242的该第二端点之间，用于控制第四晶体管开关242的该第二端点的电压电平，使其与第五晶体管开关244的该第二端点的电压电平一致；以及一偏压控制模块248，耦接于该双极结型晶体管晶体管100的该控制端点与第四晶体管开关242的该控制端点之间，用于使该双极结型晶体管晶体管100的该控制端点维持一固定的电压电平。其中，偏压控制模块248为一运算放大器，该运算放大器包含有：一第一输入端点，耦接于该双极结型晶体管晶体管100的该控制端点；一第二输入端点，耦接于一偏压讯号Vb；以及一输出端点，耦接于该第四晶体管开关242的该控制端点。

综上所述，本发明所披露的电流控制装置可以应用于一双极结型晶体管，使得在利用一双重电流模式(dual current mode)温度测量方法来测量该双极结型晶体管的温度时能够避免温度测量误差的产生。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (24)

1.一种应用于一双极结型晶体管的电流控制装置，该晶体管具有一控制端点、一第一端点以及一第二端点，该电流控制装置包含有：

一电流控制模块，用来输出一电流控制讯号；

一第一电流镜模块，其具有一第一输出端点、一第二输出端点与一输入端点，该第一输出端点耦接于该晶体管的该第一端点，该输入端点耦接于该电流控制模块，且该第一电流镜模块用来依据该电流控制讯号分别在该第一输出端点与该第二输出端点产生一第一电流镜电流与一第二电流镜电流，其中该第一电流镜电流与该第二电流镜电流之间具有一预定电流比例，以及该晶体管依据该第一电流镜电流在该控制端点产生一第二电流；

一第二电流镜模块，其具有一第一端点、一第二端点与一第三端点，该第三端点耦接于一第一电压源，该第一端点耦接于该晶体管的该控制端点，且该第二电流镜模块用来依据该第二电流以在该第二电流镜模块的该第二端点产生一第三电流镜电流，其中该第二电流与该第三电流镜电流之间具有该预定电流比例；

一电流减法器，耦接于该第一电流镜模块的该第二输出端点与该第二电流镜模块的该第二端点之间，用来依据该第二电流镜电流与该第三电流镜电流产生一第三电流；以及

一电流调整模块，耦接于该电流减法器，用来将该第三电流调整成一第四电流，其中该第四电流与该第三电流之间具有一固定电流比例。

2.如权利要求1所述的电流控制装置，其中该电流控制模块包含有：

一电流源，耦接于该第一电压源，用来提供一第一电流作为该电流控制讯号；

一第一开关元件，其具有一控制端点、一第一端点以及一第二端点，该第二端点耦接于该电流源；

一第二开关元件，其具有一控制端点、一第一端点以及一第二端点，该第二开关元件的该第一端点耦接于该第一电流镜模块的该输入端点；以及

一第一晶体管开关，其具有一控制端点耦接于该第二开关元件的该第二端点、一第一端点耦接于一第二电压源以及一第二端点耦接于该第一开关元件的该第一端点与该第一晶体管开关的该控制端点。

3.如权利要求2所述的电流控制装置，其中该第一电流镜模块包含有：

一第二晶体管开关，其具有一控制端点耦接于该第二开关元件的该第一端点、一第一端点耦接于该第二电压源以及一第二端点耦接于该电流减法器；

一第三晶体管开关，其具有一控制端点耦接于该第二开关元件的该第一端点与该第二晶体管开关的该控制端点、一第一端点耦接于该第二电压源以及一第二端点耦接于该晶体管的该第一端点；以及

一第三开关元件，其具有一控制端点、一第一端点耦接于该第二晶体管开关的该控制端点以及一第二端点耦接于该第二晶体管开关的该第二端点。

4.如权利要求3所述的电流控制装置，其中当该电流控制装置在一第一操作期间时，该第一开关元件以及该第二开关元件处于一导通状态，并且该第三开关元件处于一非导通状态；以及当该电流控制装置在一第二操作期间时，该第一开关元件以及该第二开关元件处于一非导通状态，并且该第三开关元件处于一导通状态。

5.如权利要求3所述的电流控制装置，其中该第一晶体管开关、该第二晶体管开关以及该第三晶体管开关均为P型场效晶体管。

6.如权利要求3所述的电流控制装置，其中该固定电流比例等于N/M，以及该电流调整模块包含有：

一第六晶体管开关，其具有一控制端点、一第一端点耦接于该第一电压源以及一第二端点耦接于该电流减法器；

一第四开关元件，其具有一控制端点、一第一端点以及一第二端点耦接于该第六晶体管开关的该控制端点；

一第五开关元件，其具有一控制端点、一第一端点耦接于该第六晶体管开关的该第二端点以及一第二端点耦接于该第六晶体管开关的该控制端点；

一第七晶体管开关，其具有一控制端点耦接于该第四开关元件的该第一端点、一第一端点耦接于该第一电压源以及一第二端点耦接于该第六晶体管开关的该第二端点与该第五开关元件的该第一端点；

一第六开关元件，其具有一控制端点、一第一端点耦接于该第七晶体管开关的该控制端点以及一第二端点耦接于该第一电压源；以及

一电压存储模块，耦接于该第一电压源与该第六晶体管开关的该控制端点之间；

其中该第六晶体管开关的尺寸与该第七晶体管开关的尺寸之间具有一固定比例N/(M-N)。

7.如权利要求6所述的电流控制装置，其中当该电流控制装置在一第一操作期间时，该第一开关元件、该第二开关元件、该第四开关元件以及该第五开关元件处于一导通状态，并且该第三开关元件以及该第六开关元件处于一非导通状态；以及当该电流控制装置在一第二操作期间时，该第一开关元件、该第二开关元件、该第四开关元件以及该第五开关元件处于一非导通状态，并且该第三开关元件以及该第六开关元件处于一导通状态。

8.如权利要求6所述的电流控制装置，其中该电压存储模块为一电容。

9.如权利要求6所述的电流控制装置，其中该第六晶体管开关以及该第七晶体管开关均为N型场效晶体管。

10.如权利要求1所述的电流控制装置，其中该第二电流镜模块包含有：

一第四晶体管开关，其具有一控制端点、一第一端点耦接于该第一电压源以及一第二端点耦接于该电流减法器；以及

一第五晶体管开关，其具有一控制端点耦接于该第四晶体管开关的该控制端点、一第一端点耦接于该第一电压源以及一第二端点耦接于该第五晶体管开关的该控制端点与该第二电流镜模块的该第一端点与该晶体管的该控制端点。

11.如权利要求10所述的电流控制装置，其中该第四晶体管开关以及该第五晶体管开关均为N型场效晶体管。

12.如权利要求10所述的电流控制装置，其中该第二电流镜模块还包含有：

一可变电阻单元，耦接于该电流减法器与该第四晶体管开关的该第二端点之间，用于控制该第四晶体管开关的该第二端点的电压电平，使其与该第五晶体管开关的该第二端点的电压电平一致；以及

一偏压控制模块，耦接于该晶体管的该控制端点与该第四晶体管开关的该控制端点之间，用于使该晶体管的该控制端点维持一固定的电压电平。

13.如权利要求12所述的电流控制装置，其中该偏压控制模块为一运算放大器，该运算放大器包含有：

一第一输入端点，耦接于该晶体管的该控制端点；

一第二输入端点，耦接于一偏压讯号；以及

一输出端点，耦接于该第四晶体管开关的该控制端点。

14.如权利要求12所述的电流控制装置，其中该固定电流比例等于N/M，以及该电流调整模块包含有：

一第六晶体管开关，其具有一控制端点、一第一端点耦接于该第一电压源以及一第二端点耦接于该电流减法器；

一第四开关元件，其具有一控制端点、一第一端点以及一第二端点耦接于该第六晶体管开关的该控制端点；

一第五开关元件，其具有一控制端点、一第一端点耦接于该第六晶体管开关的该第二端点以及一第二端点耦接于该第六晶体管开关的该控制端点；

一第七晶体管开关，其具有一控制端点耦接于该第四开关元件的该第一端点、一第一端点耦接于该第一电压源以及一第二端点耦接于该第六晶体管开关的该第二端点与该第五开关元件的该第一端点；

一第六开关元件，其具有一控制端点、一第一端点耦接于该第七晶体管开关的该控制端点以及一第二端点耦接于该第一电压源；以及

一电压存储模块，耦接于该第一电压源与该第六晶体管开关的该控制端点之间；

其中该第六晶体管开关的尺寸与该第七晶体管开关的尺寸之间具有一固定比例N/(M-N)。

15.如权利要求14所述的电流控制装置，其中当该电流控制装置在一第一操作期间时，该第四开关元件以及该第五开关元件处于一导通状态，并且该第六开关元件处于一非导通状态；以及当该电流控制装置在一第二操作期间时，该第四开关元件以及该第五开关元件处于一非导通状态，并且该第六开关元件处于一导通状态。

16.如权利要求14所述的电流控制装置，其中该电压存储模块为一电容。

17.如权利要求14所述的电流控制装置，其中该第六晶体管开关以及该第七晶体管开关均为N型场效晶体管。

18.如权利要求1所述的电流控制装置，其中该电流控制模块为一偏压电压源，用来提供一偏压作为该电流控制讯号。

19.如权利要求18所述的电流控制装置，其中该第一电流镜模块包含有：

一第二晶体管开关，其具有一控制端点耦接于该偏压电压源、一第一端点耦接于该第二电压源以及一第二端点耦接于该电流减法器；

一第三晶体管开关，其具有一控制端点耦接于该偏压电压源与该第二晶体管开关的该控制端点、一第一端点耦接于该第二电压源以及一第二端点耦接于该晶体管的该第一端点；以及

一第三开关元件，其具有一控制端点、一第一端点耦接于该第二晶体管开关的该控制端点以及一第二端点耦接于该第二晶体管开关的该第二端点。

20.如权利要求19所述的电流控制装置，其中当该电流控制装置在一第一操作期间时，该第三开关元件处于一非导通状态；以及当该电流控制装置在一第二操作期间时，该第三开关元件处于一导通状态。

21.如权利要求19所述的电流控制装置，其中该固定电流比例等于N/M，以及该电流调整模块包含有：

一第六晶体管开关，其具有一控制端点、一第一端点耦接于该第一电压源以及一第二端点耦接于该电流减法器；

一第四开关元件，其具有一控制端点、一第一端点以及一第二端点耦接于该第六晶体管开关的该控制端点；

一第五开关元件，其具有一控制端点、一第一端点耦接于该第六晶体管开关的该第二端点以及一第二端点耦接于该第六晶体管开关的该控制端点；

一第七晶体管开关，其具有一控制端点耦接于该第四开关元件的该第一端点、一第一端点耦接于该第一电压源以及一第二端点耦接于该第六晶体管开关的该第二端点与该第五开关元件的该第一端点；

一第六开关元件，其具有一控制端点、一第一端点耦接于该第七晶体管开关的该控制端点以及一第二端点耦接于该第一电压源；以及

一电压存储模块，耦接于该第一电压源与该第六晶体管开关的该控制端点之间；

其中该第六晶体管开关的尺寸与该第七晶体管开关的尺寸之间具有一固定比例N/(M-N)。

22.如权利要求21所述的电流控制装置，其中当该电流控制装置在一第一操作期间时，该第四开关元件以及该第五开关元件处于一导通状态，并且该第三开关元件以及该第六开关元件处于一非导通状态；以及当该电流控制装置在一第二操作期间时，该第四开关元件以及该第五开关元件处于一非导通状态，并且该第三开关元件以及该第六开关元件处于一导通状态。

23.如权利要求18所述的电流控制装置，其中该第二电流镜模块包含有：

一第四晶体管开关，其具有一控制端点、一第一端点耦接于该第一电压源以及一第二端点耦接于该电流减法器；以及

一第五晶体管开关，其具有一控制端点耦接于该第四晶体管开关的该控制端点、一第一端点耦接于该第一电压源以及一第二端点耦接于该第五晶体管开关的该控制端点与该第二电流镜模块的该第一端点与该晶体管的该控制端点。

24.如权利要求23所述的电流控制装置，其中该第二电流镜模块还包含有：

一可变电阻单元，耦接于该电流减法器与该第四晶体管开关的该第二端点之间，用于控制该第四晶体管开关的该第二端点的电压电平，使其与该第五晶体管开关的该第二端点的电压电平一致；以及

一偏压控制模块，耦接于该晶体管的该控制端点与该第四晶体管开关的该控制端点之间，用于使该晶体管的该控制端点维持一固定的电压电平。

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