CN101505884B - 用于显影光刻胶的装置以及用于操作该装置的方法 - Google Patents

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Abstract

第一临近端头配置为在该基片上限定光刻胶显影液的弯液面。该弯液面限定在该第一临近端头的底部和该基片之间。第二临近端头配置为在该基片上限定清洗弯液面并从该基片去除该清洗弯液面。该第二临近端头设置为相对该基片之上的该第一和第二临近端头的横向跟随该第一临近端头。将该基片暴露于光刻胶显影液的弯液面导致先前该基片上受照射的光刻胶材料被显影，以产生图案化的光刻胶层。该第一和第二临近端头能够在显影处理期间精确控制光刻胶显影液在基片上的存留时间。

Description

用于显影光刻胶的装置以及用于操作该装置的方法
背景技术
在半导体制造中，集成电路在由例如硅的材料形成的半导体晶片(“晶片”)上产生。为了在晶片上产生集成电路，需要制造大量(如，以百万计)的电子器件，如各种类型的电阻、二极管、电容器以及晶体管。这些电子器件的制造包括在该晶片上的准确位置沉积、去除和注入材料。一个称为光刻的工艺通常用来促进材料在晶片上的准确位置的沉积、去除和注入。
在该光刻工艺中，首先将光刻胶材料沉积在该晶片上。然后，该光刻胶材料暴露在由中间掩模过滤的放射线下。该中间掩模通常是一个玻璃板，其上图案化有模板特征几何形状，该几何形状阻止某些放射线穿过该中间掩模。在通过该中间掩模后，放射线接触光刻胶材料的表面并改变该暴露的光刻胶材料的化学组成。使用正光刻胶材料时，曝光于放射线致使暴露的光刻胶材料更易在显影液中溶解。相反地，使用负光刻胶，曝光致使暴露的光刻胶材料不易在显影液中溶解。
在暴露于放射线之后，光刻胶材料经受显影处理。在显影处理中，光刻胶材料暴露于显影液，以溶解那些通过暴露于放射线而变得较易溶解的光刻胶材料部分。由此，光刻胶的较易溶解部分通过在显影液中的溶解而被去除，从而剩下图案化的光刻胶层。应当理解的是，当充分暴露于显影液时，最终甚至那些未被放射线变得较易溶解的光刻胶材料部分也会部分溶解于显影液中。因此，有必要控制显影液在光刻胶材料上的存留时间，从而仅去除被放射线改变过的光刻胶材料部分。
一旦光刻胶材料被显影以显出图案化光刻胶层，便对该晶片进行处理，以在未被该图案化光刻胶层覆盖的晶片区域内去除、沉积或注入材料。因此，应当理解，如果该图案化光刻胶层未被准确限定，则不能准确地限定该未被图案化光刻胶层覆盖的晶片区域，从而使用该图案化光刻胶层的后续晶片处理也将是不准确的。因此，有必要控制显影液在晶片上的存留时间，以确保在显影处理期间去除光刻胶材料的适当部分，从而提供准确限定的图案化光刻胶层。
发明内容
在一个实施方式中，披露了一种用于显影在基片上经曝光的光刻胶材料的装置。该装置包括第一临近端头，其配置为在该基片上限定光刻胶显影液的弯液面。该弯液面限定在该第一临近端头的底部和该基片之间。该装置进一步包括第二临近端头，其配置为在该基片上限定清洗弯液面并从该基片去除该清洗弯液面。该第二临近端头设置为相对该基片之上的该第一和第二临近端头的横向跟随该第一临近端头。
在另一个实施方式中，披露了一种用于显影在基片上经曝光的光刻胶材料的系统。该系统包括第一临近端头，其配置为在该基片上限定光刻胶显影液的弯液面。该系统还包括第二临近端头，其限定为清洗和干燥该基片。该第二临近端头设置为相对该基片之上的该第一和第二临近端头的横向跟随该第一临近端头。该系统进一步包括临近端头定位装置，该装置限定为保持该第一和第二临近端头之间的间隔距离。另外，该系统包括临近端头定位装置控制器，该控制器限定为控制该第一和第二临近端头之间的间隔距离。控制该第一和第二临近端头之间的间隔距离，以建立期望的光刻胶显影液在该基片上的存留时间。
在另一个实施方式中，披露了一种用于显影在基片上经曝光的光刻胶材料的装置。该装置包括临近端头，其配置为在该基片上限定光刻胶显影液的弯液面。该临近端头配置为在该临近端头和该基片之间限定该弯液面。该临近端头进一步配置为从该基片基本上去除所设置的光刻胶显影液的弯液面。
在另一个实施方式中，披露了一种用于控制光刻胶显影液在基片上存留时间的方法。该方法包括在该基片上限定光刻胶显影液的弯液面。然后所限定的光刻胶显影液的弯液面在该基片上横向移动。该方法进一步提供了控制该光刻胶显影液在该基片上的存留时间。该存留时间代表该基片上给定位置暴露于该光刻胶显影液的弯液面的持续时间。
本发明的其它方面和优点将从下面结合附图的详细描述中变得更加明显，其作为本发明示例的来说明。
附图说明
图1A示出了根据本发明的一个实施方式，用于显影在基片上经曝光的光刻胶材料的装置；
图1B示出了根据本发明的一个实施方式，图1A中装置的俯视图；
图2A示出了根据本发明的另一个实施方式，用于显影在基片上经曝光的光刻胶材料的装置；
图2B示出了根据本发明的一个实施方式，图2A中结合有清洗和干燥操作的装置；
图3示出了根据本发明的一个实施方式，用于显影在基片上经曝光的光刻胶材料的系统；以及
图4示出了根据本发明的一个实施方式，用于控制光刻胶显影液在基片上存留时间的方法。
具体实施方式
在以下的描述中，将阐述许多具体细节以提供对本发明的彻底理解。然而，对于本领域技术人员来说，显然本发明可以不使用这些具体细节的某些或全部而实现。在其它例子中，公知的处理操作没有详细描述，以避免造成本发明不必要的混淆。
图1A示出了根据本发明的一个实施方式，用于显影在基片101上经曝光的光刻胶材料的装置。该基片101可以是半导体晶片、液晶显示板、或任何其它类型的可以在其上进行光刻处理以限定特征(例如，电路)的基片。图1A所示的基片101包括光刻胶材料的顶层，其中该光刻胶材料暴露于图案化的放射线源。例如，在一个实施方式中，基片101代表半导体晶片，在该晶片上光刻胶材料层被沉积，并在分段操作中被曝光。在分段操作中，光刻胶材料层的区域暴露于通过中间掩模过滤的紫外(UV)光线，该中间掩模限定了掩模图案。
对于本发明，光刻胶材料可以是正光刻胶或负光刻胶。在正光刻胶的情况下，该光刻胶材料通过变得在显影液中更易溶解而响应该入射放射线(例如，UV光线)。因此，利用正光刻胶，该显影处理之后在光刻胶材料中形成的图案等同于由过滤放射线的中间掩模所限定的掩模图案。在负光刻胶的情况中，该光刻胶材料通过变得在显影液中更不易溶解而响应该入射放射线(例如，UV光线)。由此，利用负光刻胶，该显影处理之后在光刻胶材料中形成的图案等同于由过滤放射线的中间掩模所限定掩模图案的相反。本发明与光刻胶显影处理有关，并可同样地适用于正和负的光刻胶材料。
如图1A所示，该装置包括第一临近端头103、第二临近端头105、和运送装置102。在显影处理过程中，基片101以固定的方式放置在该运送装置102上。该运送装置102可起到分别在第一和第二临近端头103和105之下的直线方向移动基片101的作用，如箭头123所示。另外，运送装置102限定为当基片101在第一和第二临近端头103/105之下横向运动时，保持基片101的顶部与第一和第二临近端头103/105的底部之间大体上一致的距离。应当理解，在各种实施方式中，运送装置102可限定为台、带、或其它任何能够支撑基片101并在第一和第二临近端头103/105之下以直线方式移动该基片的类型的装置。
第一临近端头103配置为当基片101在第一临近端头103下经过时，在基片101上限定光刻胶显影液的弯液面111。如图1A所示，光刻胶显影液的弯液面111限定在一个区域内，该区域存在于第一临近端头103的底部和基片101之间。第一临近端头103包括显影剂传输通道，以能够向弯液面111提供光刻胶显影液，如箭头109所示。另外，第一临近端头103包括第一和第二真空返回通道(如分别由箭头107a和107b所示)，以支持光刻胶显影液在位于第一临近端头103下的基片101上的弯液面111的限定和约束。起用真空返回通道107a/107b以在第一临近端头103下约束大块的弯液面111。但是，当基片101在方向123上移过第一临近端头103时，光刻胶显影液的薄膜113保留在基片101上。
第二临近端头105配置为在基片101上限定清洗弯液面121、从基片101去除该清洗弯液面121、以及干燥该基片101。由此，当基片101在方向123上移动时，第二临近端头105设置为相对基片101上第一和第二临近端头103/105的横向跟随第一临近端头103。第二临近端头105包括清洗流体传输通道以能够提供清洗弯液面121，如箭头117所示。第二临近端头105还包括第一和第二真空返回通道(如分别由箭头115a和115b所示)，以支持在位于第二临近端头105下的基片101上的清洗弯液面121的限定和约束。另外，第二临近端头105包括干燥流体传输通道，以能够紧接着通过真空通道115b去除该清洗流体后，向基片101提供干燥流体，如箭头119所示。由此，当基片101从第二临近端头105下出现时，已被清洗和干燥的图案化的光刻胶层存在于基片101上。
应当理解，存在于弯液面111和薄膜113内的光刻胶显影液起到溶解基片101上的光刻胶材料部分的作用，其中通过先前的照射处理已变得更易溶解的该光刻胶材料的部分更快速地溶解。图案化光刻胶层的准确显影依赖于确保显影液在该光刻胶材料上的存留时间适合于去除光刻胶材料的被照射部分，而不会不利地去除该光刻胶材料的未被照射部分。利用图1A的装置，显影液在基片101上的存留时间由弯液面111和显影液薄膜113均存在于基片101上的持续时间限定。因此，考虑到在方向123上的特定基片移动速度，第一和第二临近端头103/105的位置关系配置成为该光刻胶显影液设定期望的在基片101上的存留时间。
如上所述，应当理解，能够利用任何合适的光刻胶显影液、任何合适的清洗流体、任何合适的干燥流体来运转图1A中的装置。在示例性的实施方式中，光刻胶显影液是TMAH(氢氧化四甲基氨)，清洗流体是去离子水，并且干燥流体是包括异丙醇蒸汽的气体混合物。
图1B示出根据本发明的一个实施方式，图1A中装置的顶视图。如先前关于图1A所讨论的，基片101由运送装置102支撑，该运送装置102配置为在该第一和第二临近端头103/105下的直线方向123上移动。在图1B的示例性的实施方式中，该第一和第二临近端头103/105以矩形、条状方式配置。更具体地，各第一和第二临近端头103/105在第一方向127上的范围至少为该基片101的直径。并且，各第一和第二临近端头103/105在第二方向129上的范围小于在第一方向上的范围，其中第二方向129垂直于第一方向127。因此，当该基片在第一和第二临近端头103/105下的方向123上移动时，光刻胶显影液的弯液面111和薄膜113以与第二方向129相一致的直线方式在基片101上横向移动。
图1B还示出了临近端头定位装置125，其限定为控制第一临近端头103和第二临近端头105之间的间隔距离。在一个实施方式中，临近端头定位装置125包括第一结构，其与第一和第二临近端头103/105在一端连接，以及第二结构，其与该第一和第二临近端头103/105在另一端连接。临近端头定位装置125的结构限定为能够调节第一和第二临近端头103/105之间的间隔距离。在另一个实施方式中，该临近端头定位装置由单一结构限定，该结构在第一和第二临近端头103/105之间延伸。应当理解，在各种实施方式中，该临近端头定位装置可以不同的方式限定，并结合不同的机械结构(例如，链、齿轮、马达、带，等)，只要使该临近端头定位装置能够保持期望的第一和第二临近端头103/105之间的间隔距离。另外，该临近端头定位装置为第一方向127上的该第一和第二临近端头103/105之间大体上一致的间隔距离做准备。而且，该临近端头定位装置优选地使第一和第二临近端头103/105之间的间隔距离能够手动或自动调整。
图2A示出了根据本发明的另一个实施方式，用于显影在基片上经曝光的光刻胶材料的装置。与图1A-1B的装置类似，图2A的装置示出了由运送装置102支撑的基片101，其中运送装置102限定为在方向123上直线地移动基片101。图2A的装置还包括临近端头201，其配置为在基片101上限定光刻胶显影液的弯液面111。与图1A的第一临近端头103类似，图2A的临近端头201包括显影剂传输通道，以能够将光刻胶显影液供给弯液面111，如箭头109所示。另外，临近端头201包括第一和第二真空返回通道(如分别由箭头107a和107b所示)，以支持光刻胶显影液在位于临近端头201下的基片101上的弯液面111的限定和约束。临近端头201进一步包括干燥流体传输通道，以能够向基片101提供干燥流体，如箭头203所示。紧接通过真空通道107b去除该光刻胶显影液之后，将干燥流体应用到基片101。由此，当基片101从临近端头201下显现时，图案化的光刻胶层存在于基片101上。
利用图2A的装置，光刻胶显影液在基片101上特定位置的存留时间等同于光刻胶显影液的弯液面111与该特定位置相接触的时间。由此，通过控制基片101相对于临近端头201的相对速度，可设定光刻胶显影液在基片101上特定位置的存留时间。应当理解，在图2A的装置中，光刻胶显影液的弯液面111可用于溶解光刻胶材料的适当部分以及基本上从基片101去除溶解的光刻胶材料。
在光刻胶显影液的弯液面111直接暴露于干燥流体之后，可能在基片101上留下干燥的光刻胶显影液剩余物。某些晶片制造工艺并不会受到在所产生的图案化光刻胶层上存在的光刻胶显影液的干燥剩余物的不利地影响。因此，对于这样的晶片制造处理，可利用图2A中的装置显影被照射的光刻胶材料而不承受上面的具有单独的清洗和干燥操作工艺。但是，如果最终使用该图案化光刻胶层的晶片制造工艺对光刻胶显影液敏感时，则可使用图2B的装置进行后续的清洗和干燥操作。
图2B示出了根据本发明的一个实施方式，图2A结合有清洗和干燥操作的装置。该装置包括图2A的临近端头210。另外，图2B的装置包括第二临近端头105，如先前关于图1A和1B所描述的。第二临近端头105配置为通过清洗流体传输通道在基片101上设置清洗流体，如箭头117所示。第二临近端头105还配置为通过真空返回通道从基片101去除设置的清洗流体，如箭头115a和115b所示。如先前关于图1A所讨论的，清洗流体传输通道和真空返回通道共同工作，以限定和约束在第二临近端头105下的清洗弯液面121。另外，基片101通过应用该干燥流体而被干燥，如箭头119所示。
尽管图2B的装置包括临近端头201和第二临近端头105，但可通过控制基片101相对于临近端头201的相对速度来设定该光刻胶显影液在基片101上的存留时间。因此，与图1A的实施方式相反，通过临近端头201的干燥流体传输阻止在基片101上形成光刻胶显影液的膜113。由此，在图2B的实施方式中，临近端头201和第二临近端头105之间的间隔距离不影响光刻胶显影液在基片101上的存留时间。
图3示出了根据本发明的一个实施方式，用于显影在基片上被曝光的光刻胶材料的系统。该系统结合了先前关于图1A和1B所描述的装置。由此，图3示出了由运送装置102支撑的基片101，其中运送装置102限定为在第一和第二临近端头103/105下的方向123上移动该基片。还将临近端头定位装置125描述为配置成控制第一和第二临近端头103/105之间的间隔距离。
在经受显影处理之前，其上设置有光刻胶材料层的基片101在步进器401中被照射。在一个实施方式中，步进器401起到将基片101上的每个模片暴露于图案化的放射线源例如UV光的作用。该放射线化学地改变光刻胶材料以实现其在显影液中的可溶性。但是，应当理解，图3中的系统不局限于在步进器401中处理基片101。例如，该基片101可以任何方式以及在任何类型的设备中照射，该设备能够改变该光刻胶材料的特征以适于随后的光刻胶显影工艺。一旦该光刻胶材料被适当地照射，基片101则被转移到光刻胶显影装置，如箭头403所示。
如先前关于图1A-1B所描述的，当基片101在第一和第二临近端头103/105下横向移动时，基片101暴露于该光刻胶显影液的弯液面和拖动的薄膜层。利用正光刻胶，光刻胶显影液起到溶解通过先前的照射而变得更容易溶解的光刻胶材料部分的作用。由此，当基片101从第二临近端头105下显现时，图案化的光刻胶层存在于基片101上。然后基片101被转移到基片检验装置407，如箭头405所示。基片检验装置407限定为基片在第一和第二临近端头103/105下横向穿过后表征基片101的状况。例如，基片检验装置可检验在基片上图案化光刻胶层的部分409，以确保准确执行光刻胶显影。在一个实施方式中，基片检验装置407是一种扫描电子显微镜(SEM)，并且该检验包括采集和检验图案化光刻胶层的部分409的SEM图像。从该基片检验获得的表征数据由基片检验装置407传递给计算系统411，如箭头445所示。
计算系统411限定为将指令传递给临近端头定位装置控制器413，如箭头429所示。临近端头定位装置控制器413限定为控制第一和第二临近端头103/105之间的间隔距离，以建立期望的光刻胶显影液在基片101上的存留时间。由此，临近端头定位装置控制器413将控制指令传递给临近端头定位装置125，如箭头427所示。如果从该基片检验中获得的表征数据表示光刻胶显影不足，则计算系统可指示光刻胶端头定位装置控制器413增加第一和第二临近端头103/105之间的间隔，从而增加光刻胶显影液在基片101上的存留时间。相反地，如果从该基片检验中获得的结果表示该光刻胶显影过度，则计算系统可指示光刻胶端头定位装置控制器413减小第一和第二临近端头103/105之间的间隔，从而减小光刻胶显影液在基片101上的存留时间。应当理解，当基片101的表征数据从基片检验装置407被计算系统411接收时，基于该表征数据，邻近端头定位装置控制器413可配置为自动调整第一和第二邻近端头103/105之间的间隔。
计算系统411还限定为传递指令到显影液传输控制器415，如箭头433所示。显影液传输控制器415限定为基于从计算系统411接收到的指令，控制从显影液贮存器417到第一临近端头103的显影液流率，如箭头431所示。显影液传输控制器415接收到的指令可基于由基片检验装置407提供的基片101表征数据。例如，如果光刻胶显影不足，则计算系统411可指令显影液传输控制器增加通过第一临近端头103的显影液的流率。
在一个实施方式中，当暴露给基片之后，回收光刻胶显影液。在该实施方式中，以从约400mL/min到约2L/min范围的流率向该弯液面提供光刻胶显影液。在另一个实施方式中，使用过的光刻胶显影液作为处理消耗品而丢弃。在该实施方式中，仅提供足以在整个第一临近端头103下形成和保持弯液面的光刻胶显影液。该实施方式表征为低流量汇集(low-flow pooling)方法。
计算系统411还限定为向真空系统419传递指令，如箭头437所示。运行真空系统419以向第一和第二临近端头103/105提供必要的真空，如箭头435所示。真空系统419将真空材料(vacuumed material)设置到真空贮存器421中。如上所述，存在一个实施方式，其中光刻胶显影液从真空贮存器回收，并置回到显影液贮存器417中，如箭头439所示。因为在第一临近端头103下的光刻胶显影液弯液面和在第二临近端头105下的清洗弯液面的限定和约束均受真空强度的影响，所以计算系统411可通过将适当的真空控制指令传递给真空系统419而调整各弯液面。
计算系统411还限定为传递指令到清洗流体传输控制器423，如箭头443所示。该清洗流体传输控制器限定为基于从计算系统411接收到的指令，调节该清洗流体到第二临近端头105的流率，如箭头441所示。从计算系统411接收到的清洗流体控制指令可基于从基片检验装置407接收到的基片表征数据。例如，如果该基片表征数据表明过量的光刻胶显影液剩余物留在基片101上，则计算系统411可指令清洗流体传输控制器423增加清洗流体到第二临近端头105的流率。
图4示出了根据本发明的一个实施方式，用于控制光刻胶显影液在基片上存留时间的方法。该方法包括操作501，其用于在基片上限定光刻胶显影液的弯液面。在一个实施方式中，该弯液面限定为覆盖一个区域，该区域在第一方向上的范围至少为该基片直径。在该相同的实施方式中，该弯液面限定为在第二方向上的范围小于在第一方向上的范围，其中该第二方向垂直于该第一方向。该方法还包括操作503，其用于在该基片横向移动的所限定的光刻胶显影液弯液面。在一个实施方式中，在该基片上横向移动该弯液面，从而当该弯液面在基片上经过一次时，该整个基片暴露于该弯液面。因此，相对于上述实施方式，其中弯液面限定为覆盖在第一和第二方向上延伸的区域，该弯液面以与该第二方向相一致的直线方式在该基片上横向移动。应当理解，通过移动在光刻胶显影液的静止的弯液面之下的基片，也可实现光刻胶显影液弯液面在基片上的横向移动。
该方法进一步包括操作505，用于控制该光刻胶显影液在基片上的存留时间。该存留时间代表基片上的给定位置暴露给该光刻胶显影液的持续时间。在一个实施方式中，控制光刻胶显影液的存留时间包括控制所限定的光刻胶显影液弯液面和基片之间的相对速度。该实施方式假设光刻胶显影液的弯液面以基本上完全的方式限定，从而当弯液面在基片上横向移动后，存在于基片上光刻胶显影液的量不足以导致该光刻胶材料的继续显影。该实施方式一个备选的变化包括紧接光刻胶显影液弯液面在基片上横向移动后，在该基片的一些部分上设置干燥流体，例如异丙醇蒸汽混合物。
在另一个实施方式中，控制光刻胶显影液的存留时间包括控制光刻胶显影液弯液面和清洗流体弯液面之间的间隔距离，该清洗流体弯液面限定为跟随光刻胶显影液的弯液面穿过该基片。在该实施方式中，光刻胶显影液的弯液面在基片上横向移动后，容许光刻胶显影液的薄膜保留在该基片上。由此，暴露于光刻胶显影液弯液面或薄膜的光刻胶材料将经历显影处理。从而，对于基片上的给定位置，显影处理直到光刻胶显影液的薄膜被跟随光刻胶显影液弯液面的清洗流体弯液面从该基片去除才完成。由此，对于给定的基片和光刻胶显影液弯液面之间的相对速度，光刻胶显影液在该基片上的存留时间由在光刻胶显影液弯液面和接着的清洗流体弯液面之间的间隔距离确定。
在上述任一个用于控制基片上光刻胶显影液存留时间的实施方式中，光刻胶显影液的弯液面(或者弯液面和薄膜)在基片上横向移动后，可进行用于评估所得到的基片状况的操作。基于对所得到的基片状况的评估，可调整对光刻胶显影液在基片上存留时间的控制，以改进随后将在光刻胶显影液弯液面下横向穿过的基片的所得状况。
应当理解，可用于将光刻胶显影液应用到基片的本发明的临近方法，能够实现达到纵贯基片的非常一致的显影液存留时间。在一个实施方式中，在基片上给定位置的光刻胶显影液存留时间控制在从约0.5秒延伸到约10秒的范围。但是，应当理解，适当的光刻胶显影液存留时间依赖于光刻胶显影液的化学性质。利用由本发明提供的精确的光刻胶显影液存留时间控制，则可能在显影液中使用更高浓度的反应性试剂。例如，如果光刻胶显影液包括更高浓度的反应性试剂，则光刻胶显影液存留时间可被控制为更短。相反，如果光刻胶显影液包括较低浓度的反应性试剂，则光刻胶显影液存留时间可被控制为更长。
尽管本发明根据多个实施方式进行了描述，但可以理解的是本领域的技术人员通过阅读前述说明书和学习该附图可以实现其各种替换、增加、置换和等同方式。所以，意在使本发明包括所有这种替换、增加、排列和等同物，其落入本发明的主旨和范围之内。

Claims (9)

1.一种用于显影在基片上经曝光的光刻胶材料的装置，包括：
第一临近端头，其配置为在该基片上限定光刻胶显影液的显影弯液面，该显影弯液面限定在该第一临近端头的底部和该基片之间，其中该第一临近端头配置为在该第一临近端头和显影弯液面在该基片上方经过之后在基片上留下光刻胶显影液膜；
第二临近端头，其配置为在该基片上限定清洗弯液面并从该基片去除该清洗弯液面，该第二临近端头设置为相对该基片之上的该第一和第二临近端头的横向跟随该第一临近端头，从而将该光刻胶显影液膜从基片去除，连同将该清洗弯液面从该基片去除；以及
临近端头定位装置，限定为可调节地控制该第一临近端头和该第二临近端头之间的间隔距离，以便控制光刻胶显影液膜在该基片上的停留时间。
2.根据权利要求1所述的用于显影在基片上经曝光的光刻胶材料的装置，进一步包括：
运送装置，限定为在该第一和第二临近端头下运输该基片。
3.根据权利要求1所述的用于显影在基片上经曝光的光刻胶材料的装置，其中该第一临近端头包括光刻胶显影液传输通道和真空通道，以支持该光刻胶显影液的显影弯液面在该基片上的限定和约束。
4.根据权利要求1所述的用于显影在基片上经曝光的光刻胶材料的装置，其中该第二临近端头包括清洗流体传输通道、真空通道和干燥流体传输通道，以支持对该基片的清洗和干燥。
5.一种用于显影在基片上经曝光的光刻胶材料的系统，包括：
第一临近端头，其配置为在该基片上限定光刻胶显影液的显影弯液面，其中该第一临近端头配置为在该第一临近端头和显影弯液面在该基片上方经过之后在基片上留下光刻胶显影液膜；
第二临近端头，其限定为从该基片去除该光刻胶显影液膜并清洗和干燥该基片，该第二临近端头设置为相对该基片之上的该第一和第二临近端头的横向跟随该第一临近端头；
临近端头定位装置，其限定为可调节地控制该第一和第二临近端头之间的间隔距离，其中该第一和第二临近端头在基片上方的间隔距离和移动速度设定了该光刻胶显影液膜在该基片上的停留时间；以及
临近端头定位装置控制器，其限定为控制该第一和第二临近端头之间的间隔距离，以建立所期望的光刻胶显影液在该基片上的存留时间。
6.根据权利要求5所述的用于显影在基片上经曝光的光刻胶材料的系统，进一步包括：
基片检验装置，其配置为在该第一和第二临近端头下跟随该基片的横向移动而表征该基片的状况；以及
计算系统，限定为从该基片检验装置接收表征数据。
7.根据权利要求6所述的用于显影在基片上经曝光的光刻胶材料的系统，其中该计算系统限定为向该临近端头定位装置控制器提供关于保持该第一和第二临近端头之间的间隔距离的指令，该指令基于从该基片检验装置接收到的表征数据，该临近端头定位装置控制器限定为自动调整该临近端头定位装置，以达到如该计算系统指示的该第一和第二临近端头之间的间隔距离。
8.根据权利要求6所述的用于显影在基片上经曝光的光刻胶材料的系统，进一步包括：
光刻胶显影液传输控制器，其限定为基于从该计算系统接收到的指令，调节该光刻胶显影液到该第一临近端头的流率，从该计算系统接收到的指令基于从该基片检验装置接收到的表征数据。
9.根据权利要求6所述的用于显影在基片上经曝光的光刻胶材料的系统，进一步包括：
清洗流体传输控制器，其限定为基于从该计算系统接收到的指令调节该清洗流体到该第二临近端头的流率，从该计算系统接收到的指令基于从该基片检验装置接收到的表征数据。
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