CN101503599B - 一种化学机械磨削液制备方法 - Google Patents
一种化学机械磨削液制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101503599B CN101503599B CN2009100104635A CN200910010463A CN101503599B CN 101503599 B CN101503599 B CN 101503599B CN 2009100104635 A CN2009100104635 A CN 2009100104635A CN 200910010463 A CN200910010463 A CN 200910010463A CN 101503599 B CN101503599 B CN 101503599B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- acid
- organic
- grinding fluid
- chemical
- bromine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000227 grinding Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 239000012530 fluid Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims abstract description 11
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 15
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims description 8
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 4
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 4
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 7
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 abstract description 4
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 abstract description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 abstract description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 abstract description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 abstract description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 abstract 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 abstract 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 239000003352 sequestering agent Substances 0.000 description 4
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 3
- -1 bromo- Chemical class 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 2
- MODGUXHMLLXODK-UHFFFAOYSA-N [Br].CO Chemical compound [Br].CO MODGUXHMLLXODK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 2
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 229910001651 emery Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000007514 turning Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
一种化学机械磨削液制备方法，属于软脆功能晶体磨削抛光加工技术领域，特别涉及II-VI化合物软脆功能晶体磨削抛光加工方法。其特征是化学机械磨削液不含任何游离磨料，表面分散剂、氧化剂、活性剂，只是由溴、去离子水或蒸馏水、硝酸、有机酸的一种、有机醇的一种、无机酸的一种组成。溴与有机醇的体积百分比为1-5％，硝酸∶无机酸∶有机酸体积百分比为0.5-1∶3-5∶10-20，用去离子水或者蒸馏水稀释至pH值为2.0-3.2之间即可配制成化学机械磨削液。本磨削液采用了化学腐蚀与化学反应两种方式去除材料，具有较高的材料去除率，并有效避免了游离磨料的嵌入、划伤、微裂纹、塑性变形等缺陷，达到高效无应力超精密磨削与抛光的效果。
Description
技术领域
本发明属于软脆功能晶体磨削抛光技术领域，特别涉及II-VI化合物软脆功能晶体的磨削抛光加工方法。
背景技术
II-VI化合物软脆晶体作为一种新兴的特殊光电功能晶体，在军事、国防、航空、航天、国民经济等领域发挥着极其重要的作用，并得到了广泛应用，典型代表如HgCdTe、CdZnTe、HgMnTe、CdMnTe、HgInTe等。然而这种软脆功能晶体不同于目前广泛应用的硬脆功能晶体，如Si片、MgO晶片、金刚石晶圆、蓝宝石晶圆等，也不同于传统的软塑性材料，如铜、铁、铝等，是一种典型的难加工材料。要求加工表面具有亚纳米精度、高平面度、高表面质量与完整性，传统的车削、磨削、铣削等加工方法，由于刀具的轻微振动极易造成加工表面的划伤、断裂、破碎、微裂纹、塑性变形等缺陷；而采用研磨、抛光等精密加工方法，游离磨料极易嵌入软脆功能晶体表面，造成表面质量和完整性下降，导致期间功能下降并失效。《功能材料》2006，37(1)：120-122采用机械研磨-机械抛光-化学腐蚀的方法加工CdZnTe晶片，这种传统的加工方法目前具有代表性，然而这种加工方法由于使用了游离磨料Al2O3，极其容易导致游离磨料的嵌入，一旦嵌入，通过后续的机械抛光和化学腐蚀，无法全部清除，即使部分清除后，也会留下较大的凹坑、微划痕、塑性变形、微裂纹等缺陷，而且最后的化学腐蚀工艺会在加工表面留下类似于小溪的腐蚀沟。另一方面，这种传统的加工方法效率低、废品率高、劳动强度大。申请号：200810010596.8的专利采用具有5-20nm尺度的游离磨料及具有螯合剂、表面活性剂、分散剂的酸性抛光液来加工CdZnTe晶片，这种加工方法较传统的加工方法有很大的改善，但是这种化学机械抛光液由于使用了纳米级的游离磨料，也会造成游离磨料在加工表面的少量嵌入及残留。同时，这种化学机械抛光液使用了螯合剂、表面活性剂、分散剂等化学试剂，使得抛光液配方复杂，抛光工艺较为繁琐。《Semiconductor Science and Technology》2006，21(1)：40-43采用单点金刚石的超精密加工方法加工HgCdTe软脆功能晶体，对面积为15×12mm2的小尺寸晶片进行了单点金刚石切削，获得了粗糙度rms为20nm的光滑表面，PV值为100nm。这个精度达不到II-VI化合物亚纳米表面精度的要求，而且单点金刚石切削后会有小尺度的波纹面，也达不到高平面度高表面完整性的要求。而且，单点金刚石超精密切削机床价格昂贵，并不是通用设备。
发明内容
本发明的目的是提供一种化学机械磨削液制备方法，采用一种无游离磨料、螯合剂、表面分散剂、氧化剂的只是含有有机酸、无机酸、有机醇、溴、去离子水或蒸馏水的水溶液，解决目前采用传统加工方法加工II-VI化合物软脆晶体时游离磨料易嵌入，加工表面易划伤，产生微裂纹、塑性变形，工件易破碎、废品率高等缺陷。
本发明的技术方案是化学机械磨削液由去离子水或蒸馏水、硝酸、有机醇、溴、无机酸、有机酸组成，首先配制溴-有机醇溶液，有机醇类可以选择典型的甲醇、乙醇、乙二醇、丙醇、异丁醇，选择一种有机醇，使得溴在有机醇类的体积百分含量为1-5％。然后配制酸溶液，选择硝酸、一种无机酸，典型的如盐酸、硫酸；一种有机酸，典型的如醋酸、乳酸。有机酸∶无机酸∶硝酸的体积百分比为10-20∶3-5∶0.5-1，向这种配制好的酸溶液中加入去离子水或者蒸馏水，然后倒入已经配制好的溴-有机醇溶液，即可制备成化学机械磨削液，同时使得这种溴-有机醇类在化学机械磨削液中的体积百分含量为1-20％，混合酸在化学机械磨削液中的体积百分比为1-10％。将溶液中倒入适量的去离子水或蒸馏水，或者硝酸，使得溶液的pH值为2.0-3.2，pH值调节剂为去离子水或蒸馏水、硝酸。
本发明的效果和益处是与目前采用的传统的机械研磨-机械抛光-化学腐蚀方法相比，不含任何游离磨料、表面活性剂、氧化剂、螯合剂，只是由去离子水或蒸馏水、硝酸、有机醇(如甲醇、乙醇、乙二醇、丙醇、异丁醇)类的一种、溴、无机酸类(如盐酸、硫酸)的一种、有机酸(如醋酸、乳酸)类的一种组成。可以有效避免游离磨料嵌入、划伤、微裂纹、塑性变形等缺陷对加工表面造成的加工缺陷，同时获得超光滑无应力表面，由于本化学机械磨削液采用了化学腐蚀与化学反应两种方法去除II-VI化合物软脆功能晶体材料，具有较高的材料去除率，从而达到高效无应力的超光滑超精密磨削抛光加工效果。
具体实施方式
以下结合技术方案详细叙述本发明的具体实施方式。
选用10×10×2mm3的CdZnTe晶片，在VG401 MKII 300mm精密Si片磨床上来完成化学机械磨削试验。首先将CdZnTe晶片采用微孔陶瓷真空吸盘安装于工作台上，微孔陶瓷吸盘的小孔直径为0.5mm，直径为180mm。由于真空陶瓷吸盘的直径比CdZnTe晶片大，采用0.5mm厚的聚乙烯薄板挖出8×8mm2的孔，将CdZnTe晶片放在上面即可完成自动装卸工件，而且可以避免工件采用机械夹具的划伤等缺陷。采用#5000砂轮的微粉金刚石砂轮做前期的精密磨削试验，磨削液选用去离子水，流量为300ml/min。首先选用的进给量是20μm/min，磨削时间为10min；然后进给量为5μm/min，磨削时间为5min；最后进给量为1μm/min，磨削时间为5min。精密磨削的主轴转速为2000r/min，工作台的转速为400r/min。
然后换上自行研制的绒毛软磨料砂轮。制备方法如下，将商用的绒毛抛光垫用剪刀剪成长25mm，宽4mm的小矩形，然后用防水、防酸的树脂胶粘贴于铝基底上，共剪成36个齿，安装于直径为360mm的金刚石砂轮的底座上，将金刚石砂轮盘换下，即可制备完成简单的软磨料砂轮。化学机械磨削液的配制方法如下：首先配制2％的溴-甲醇溶液，然后配制硝酸∶盐酸∶乳酸为0.5∶4∶10的酸溶液，将溴-甲醇溶液、酸溶液、去离子水按照体积比为2∶1∶17混合，即可配制成化学机械磨削液，进行化学机械磨削试验时，主轴转速1000r/min，工作台转速200r/min，化学机械磨削液流量为200ml/min，磨削时间为20min。
采用ZYGO表面轮廓仪来测量加工表面的粗糙度，为了避免对加工表面造成损伤，采用非接触的光学测量方法获得表面粗糙度，测量面积为71×53μm2，表面粗糙度为0.821nm，PV值为10nm，获得了超光滑无损伤的高效超精密加工效果。
Claims (1)
1.一种化学机械磨削液制备方法，由去离子水或蒸馏水、硝酸、有机酸、无机酸、有机醇、溴组成，采用无游离磨料的化学融解与腐蚀双重材料去除作用，实现高效无应力化学机械磨削，其特征是：
(1)由去离子水或蒸馏水、硝酸、有机醇、溴、无机酸、有机酸组成；
(2)溴在有机醇的体积百分含量为1-5％，这种溴-有机醇在化学机械磨削液中的体积百分含量为1-20％；
(3)有机酸∶无机酸∶硝酸的体积百分比为10-20∶3-5∶0.5-1；这种混合酸在化学机械磨削液中的体积百分比为1-10％；
(4)溶液的pH值为2.0-3.2，pH值调节剂为去离子水或蒸馏水、硝酸；
所述的有机醇是指甲醇、乙醇、乙二醇、丙醇中的一种；
所述的无机酸是盐酸、硫酸中的一种；
所述的有机酸是乳酸、醋酸中的一种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009100104635A CN101503599B (zh) | 2009-02-23 | 2009-02-23 | 一种化学机械磨削液制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009100104635A CN101503599B (zh) | 2009-02-23 | 2009-02-23 | 一种化学机械磨削液制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101503599A CN101503599A (zh) | 2009-08-12 |
| CN101503599B true CN101503599B (zh) | 2011-10-19 |
Family
ID=40975984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009100104635A Expired - Fee Related CN101503599B (zh) | 2009-02-23 | 2009-02-23 | 一种化学机械磨削液制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101503599B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102023111B (zh) * | 2010-11-02 | 2012-05-16 | 大连理工大学 | 一种软脆光电晶体透射电镜样品制备方法 |
| CN102680304A (zh) * | 2012-05-04 | 2012-09-19 | 东北电力科学研究院有限公司 | 基于侵蚀原理在现场条件下快速显示含钛夹杂物的方法 |
| CN105415102A (zh) * | 2015-12-01 | 2016-03-23 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种无蜡磨抛碲锌镉晶片的方法 |
| CN106153659B (zh) * | 2016-06-21 | 2019-01-25 | 四川大学 | CdSiP2晶体的腐蚀剂与腐蚀方法 |
| CN107043599A (zh) * | 2017-06-18 | 2017-08-15 | 沈水平 | 一种硅晶片抛光液 |
| CN112720263B (zh) * | 2021-01-04 | 2022-06-17 | 浙江工业大学 | 强氧化性磨削液喷射至超硬磨粒金属结合剂砂轮表面的在线修锐方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6803322B1 (en) * | 2000-12-15 | 2004-10-12 | Science Applications International Corporation | Pin alloy-semiconductor, radiation detectors with rectifying junction contacts, methods and systems for forming pin alloy-semiconductor devices with rectifying junction contacts, and systems and methods for analyzing alloy-semiconductor properties |
| WO2008015450A1 (en) * | 2006-08-03 | 2008-02-07 | Radiation Watch Limited | Method of forming a passivation layer on a surface of a high-energy radiation detector substrate and a high-energy radiation substrate |
| CN101235255A (zh) * | 2008-03-07 | 2008-08-06 | 大连理工大学 | 一种化学机械抛光半导体晶片用的抛光液 |
| CN101236905A (zh) * | 2008-03-05 | 2008-08-06 | 浙江大学 | 一种在CdZnTe衬底上制备Ⅳ-Ⅵ族半导体单晶薄膜的方法 |
-
2009
- 2009-02-23 CN CN2009100104635A patent/CN101503599B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6803322B1 (en) * | 2000-12-15 | 2004-10-12 | Science Applications International Corporation | Pin alloy-semiconductor, radiation detectors with rectifying junction contacts, methods and systems for forming pin alloy-semiconductor devices with rectifying junction contacts, and systems and methods for analyzing alloy-semiconductor properties |
| WO2008015450A1 (en) * | 2006-08-03 | 2008-02-07 | Radiation Watch Limited | Method of forming a passivation layer on a surface of a high-energy radiation detector substrate and a high-energy radiation substrate |
| CN101236905A (zh) * | 2008-03-05 | 2008-08-06 | 浙江大学 | 一种在CdZnTe衬底上制备Ⅳ-Ⅵ族半导体单晶薄膜的方法 |
| CN101235255A (zh) * | 2008-03-07 | 2008-08-06 | 大连理工大学 | 一种化学机械抛光半导体晶片用的抛光液 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101503599A (zh) | 2009-08-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101503599B (zh) | 一种化学机械磨削液制备方法 | |
| CN107614200B (zh) | 抛光垫和使用抛光垫的系统和方法 | |
| JP6703939B2 (ja) | 研磨システム | |
| US10293458B2 (en) | Composite ceramic abrasive polishing solution | |
| CN100595032C (zh) | 一种软脆功能晶体磨削加工方法 | |
| CN106064326B (zh) | 一种用于锑化镓单晶片的抛光方法 | |
| CN101864247B (zh) | 硬脆材料化学机械抛光用无磨料抛光液 | |
| CN103132079A (zh) | 一种用于金刚线切割多晶硅片酸制绒的添加剂及使用方法 | |
| CN102337082A (zh) | 水基6H-SiC单晶衬底化学机械抛光液及其制备方法 | |
| CN103072073A (zh) | 一种保持硅晶圆抛光片少数载流子高寿命的抛光工艺 | |
| CN104842225A (zh) | 大尺寸蓝宝石衬底片表面的湿法处理方法 | |
| CN102533118B (zh) | 一种化学机械抛光浆料 | |
| CN106398807A (zh) | 一种用于切割硅晶片的金刚线切割液 | |
| CN104551871A (zh) | 一种钽酸锂晶片的磨削加工方法 | |
| CN110256968B (zh) | 一种用于铜抛光的氧化铝抛光液及其制备方法 | |
| CN102233541A (zh) | 大功率led用蓝宝石基片超精密加工技术 | |
| CN103381573A (zh) | 一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘 | |
| CN102391788B (zh) | 氮化铝基片的快速超精密抛光浆料及抛光清洗加工方法 | |
| CN108161773B (zh) | 陶瓷结合剂磨具 | |
| CN110699041B (zh) | 一种研磨用颗粒组合物 | |
| CN110340813B (zh) | 一种单晶蓝宝石加工用磨具及其制备方法 | |
| CN104974714A (zh) | 研磨组合物和使用该研磨组合物的基板的研磨方法 | |
| CN107042467A (zh) | 纳米深度损伤层机械化学磨削方法 | |
| CN101092584A (zh) | 一种用于半导体晶片加工的高效水剂型倒角液 | |
| CN213380955U (zh) | 一种用于加工薄硅片的加工件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20111019 Termination date: 20140223 |