CN107043599A - 一种硅晶片抛光液 - Google Patents

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    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents

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  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本发明公开一种硅晶片抛光液，按质量份数计包括以下组分：20份的硅溶胶磨料、0.1份的六羟丙基丙二胺、2份的四羟乙基乙二胺、0.1份的烷基醇酰胺、80份的去离子水。该硅晶片抛光液，不腐蚀污染设备，容易清洗，且抛光速率快，平整性好，表面质量好。

Description

一种硅晶片抛光液
技术领域
本发明涉及精细化工的技术领域，特别涉及一种硅晶片抛光液。
背景技术
硅晶片抛光液主要用于硅晶片的抛光，需求量巨大。因此，本行业内需要开发一款抛光效果好的化学抛光剂。
发明内容
本发明的目的是提供一种硅晶片抛光液，解决上述现有技术问题中的一个或者多个。
本发明提供一种硅晶片抛光液，按质量份数计包括以下组分：20份的硅溶胶磨料、0.1份的六羟丙基丙二胺、2份的四羟乙基乙二胺、0.1份的烷基醇酰胺、80份的去离子水。
具体实施方式
下面的实施案例，对本发明进行进一步详细的说明。
实施案例：
一种硅晶片抛光液，按质量份数计包括以下组分：20份的硅溶胶磨料、0.1份的六羟丙基丙二胺、2份的四羟乙基乙二胺、0.1份的烷基醇酰胺、80份的去离子水。
本发明实施案例的硅晶片抛光液，不腐蚀污染设备，容易清洗，且抛光速率快，平整性好，表面质量好。
以上表述仅为本发明的优选方式，应当指出，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些也应视为发明的保护范围之内。

Claims (1)

1.一种硅晶片抛光液，其特征在于，按质量份数计包括以下组分：20份的硅溶胶磨料、0.1份的六羟丙基丙二胺、2份的四羟乙基乙二胺、0.1份的烷基醇酰胺、80份的去离子水。
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