CN101473061B - 具有对其他室部件最小腐蚀的快速清洁等离子限制环的设备、系统和方法 - Google Patents

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Abstract

公开一种用来从等离子限制环快速去除聚合物膜而对其他等离子蚀刻室零件造成最小腐蚀的设备。该设备包含中心组件、电极板、限制环栈、第一等离子源和第二等离子源。该电极板固定在中心组件的表面，该中心组件中具有沿外圆周形成的通道。第一等离子源设置在该通道内并且沿着中心组件的外圆周，其中第一等离子源用以引导等离子至限制环栈的内圆周表面。远离该第一等离子源设置的第二等离子源用以在蚀刻室内的基片上执行处理操作。

Description

具有对其他室部件最小腐蚀的快速清洁等离子限制环的设备、系统和方法
背景技术
在集成电路、存储单元等半导体装置的制造过程中，执行一系列的制造操作在半导体晶片(“晶片”)上形成特征。该晶片包括以多层次结构的形式形成在硅基片上的集成电路装置。在基片层形成具有扩散区域的晶体管器件。在接下来的层次里，相互连接的金属线被图案化并且电连接至该晶体管器件以形成所需要的集成电路装置。并且，图案化的导电层由介电材料与其他导电层绝缘。 
在等离子处理期间，限制环或一组平行的环围绕等离子蚀刻室以防止等离子扩大超出该蚀刻室而到更大的真空室。通常，这些环设计为允许气体流过到达真空室同时防止等离子扩散。该构造经常与聚合等离子化学制剂共同使用，这对于选择性膜蚀刻或膜沉积来说可能是需要的。这样的聚合物的成分可以是碳氢化合物、碳氟化合物和/或碳氟氢化合物，而且可能也包含：氮、氧、硅、铝、钼、钛、钽、铜、钴或钨。在有些情况下，聚合薄膜沉积在等离子蚀刻室表面是需要的，而在其他状况则是有害的。无论如何，在每个等离子蚀刻操作之后，往往需要从该蚀刻室表面去除聚合物膜以在整个生产循环中维持反应器状况的稳定和不变。 
去除这些薄膜的传统方法包含：当没有晶片的时候，在该等离子蚀刻室中激发原地清洁等离子。然而，从限制环去除聚合物往往是有问题的。众所周知，限制环上的大部分聚合物沉积形成在这些环的内径表面。通常，原地清洁所需要的时间长度取决于从限制环去除聚合物膜的相对低效率的速率。该反应器内其他聚合物覆盖表面可能凭借明显短地暴露于原地清洁等离子而被完全清洁。这些限制环相对低效率的清洁的结果是，清洁过程的时间会比预期长而降低等离子蚀刻室的产量，最终增加集成电路装置的生产成本以及循环时间。对于更复杂的物质，原地清洁经常会造成昂贵的等离子蚀刻室部件(如静电卡盘和上电极板)过早腐蚀。 
由前所述，需要能从限制环高效去除聚合物膜而对其他等离子蚀刻室的部件造成最小腐蚀的快速原地清洁的方法、设备或系统。 
发明内容
一般而言，本发明通过提供改进的用于从等离子限制环快速去除聚合物膜而对其他等离子蚀刻室元件的腐蚀最小的设备、方法和系统来满足这些需求。应当理解，本发明可以许多方式实现，包括设备、方法和系统。下面描述本发明多个创新性实施例。 
在一实施例中，公开用来从等离子限制环快速去除聚合物膜而对其他等离子蚀刻室零件造成最小腐蚀的设备。该设备包含中心组件、电极板、限制环栈、第一等离子源和第二等离子源。该电极板固定在中心组件的表面，该中心组件中具有沿外圆周、在该电极板上方形成的通道。第一等离子源设置在该通道内并且沿着中心组件的外圆周，其中第一等离子源用以引导等离子至设在该电极板上方的限制环栈的内圆周表面。远离该第一等离子源设置的第二等离子源用以在蚀刻室内的基片上执行处理操作。 
在另一实施例中，公开用以清洁等离子蚀刻室的限制环栈的方法。基本上垂直等离子蚀刻室内的晶片支撑件移动限制环 栈，从而环栈的内圆周表面设置为距第一等离子源一段距离。第一等离子源设置为远离第二等离子源。将等离子气体提供到该室，以及使用第一等离子源将第一等离子量提供到该限制环栈的内圆周表面。 
又一实施例中，公开一种不同的设备，用以从等离子限制环快速去除聚合物膜而对其他等离子蚀刻室零件造成最小腐蚀。该设备包括中心组件、电极板、多个限制环、加热元件、第一等离子源和第二等离子源。电极板固定在中心组件表面，该中心组件内具有沿其外圆周、在该电极板上方形成的通道。第一等离子源设置在该通道内并沿着该中心组件的外圆周，其中第一等离子源用以引导等离子至设在该电极板上方的多个环的内圆周表面。加热元件位于邻近限制环的位置且用以提供热量至环的内圆周表面。第二等离子源位于远离该第一等离子源的位置，且用以在蚀刻室内的基片上执行处理操作。 
附图说明
本发明通过下面结合附图的详细说明而更容易理解，并且相同的参考标号代表相同的结构元件。 
图1A为根据本发明一实施例的等离子蚀刻室的不同功能零件的俯视图。 
图1B为根据本发明一实施例的具有处于未升高位置的限制环栈的等离子蚀刻室的剖面侧视图。 
图1C为根据本发明一实施例的具有专用的电感耦合等离子源的等离子蚀刻室的剖面侧视图，该电感耦合等离子源邻近处于升高位置的限制环栈。 
图1D为根据本发明一实施例的具有专用电感耦合等离子源的等离子蚀刻室的剖面侧视图，该电感耦合等离子源邻近处于升高位置的限制环栈。 
图2是根据本发明一实施例的具有专用微型中空阴极阵列等离子源的等离子蚀刻室的剖面侧视图，该微型中空阴极这些等离子源邻近处于升高位置的限制环栈。 
图3是根据本发明一实施例的具有专用电感耦合等离子的等离子蚀刻室的剖面侧视图，该电感耦合等离子源邻近处于升高位置的限制环。 
图4A为根据本发明一实施例的具有加热元件的等离子蚀刻室的侧视图，该加热元件连接到邻近处于升高位置的限制环栈的电感耦合等离子源。 
图4B为根据本发明一实施例的在同步蚀刻室清洁模式下运行的等离子蚀刻室的侧视图。 
图5示出根据本发明一实施例的等离子室的多个限制环的清洁方法的流程图。 
具体实施方式
本发明说明从等离子限制环快速去除聚合物膜而对其他等离子蚀刻室元件造成最小腐蚀的方法、设备与系统。然而，显而易见的，对于本领域技术人员而言，本发明无需用到部分或全部的这些特定细节也可以实现。在有的情况中，为了避免不必要地混淆本发明，公知的工艺操作不会详细描述。 
如这里所使用的，半导体基片可以由任何硅基材料制造。在一个实施例中，基片是半导体晶片，其为半导体材料(如硅)薄片。通过不同材料的扩散和沉积而在其上构造微电路。在这份文件中，半导体基片与半导体晶片这两个词语可以互换使用。本实施例在这里所公开的，本质上是原地直接清洁等离子蚀刻室内的限制环的方法、设备与系统。如这里所定义的，原地直接清洁限制环表示无须从室内移出限制环而直接在等离子蚀刻室内清洁。 
图1A为根据本发明一实施例的等离子蚀刻室的不同功能零件的俯视图。在这个实施例中，等离子蚀刻室100为如包含室壁层102、限制环层104以及清洁等离子源层108的连续同心层。清洁等离子源层108设置于邻近限制环层104的内圆周表面，并且配置为引导清洁等离子106朝向该限制环104的内表面以有效地从该限制环的内表面去除聚合物污染物。 
在一实施例中，清洁等离子源为电感耦合电极。在另一实施例中，清洁等离子源为微型中空阴极阵列。在又一实施例中，清洁等离子源为电容耦合电极。应当了解，清洁等离子106可由任何类型的等离子源提供，只要该源可以设置为将该限制环层104的全部内圆周表面暴露于该清洁等离子，并且可以传递足够量的清洁等离子106以从限制环层104的内圆周表面去除聚合物膜。 
继续参照图1A，在一实施例中，限制环层104由单个等离子环组成。在另一实施例中，限制环层104由多个环组成，该多个环之间具有间隙而在彼此顶部堆叠。 
图1B为根据本发明一实施例的具有位于非升高位置的限制环栈的等离子蚀刻室的剖面侧视图。在这个说明中，示出从室中心轴105延伸至室壁102的等离子蚀刻室的径向剖面。在该等离子室的顶部为中心组件103，其连接到上电极板112的顶面。沿着面对室 壁102的中心组件103的外表面形成通道。配置于通道里的是电感耦合等离子源109(即线圈加外壳)，其配置为在紧邻限制环栈的内圆周表面区域内激发清洁等离子106。位于等离子室底部的是静电卡盘(ESC)110，其连接到下电极板111的顶面。介于上电极112和下电极111之间的空间为主蚀刻室101，且基片等离子蚀刻操作发生在这里。上电极112以及下电极111设置以在该主蚀刻室101内激发等离子以蚀刻置于ESC 110上的基片。 
如这里所述，显示限制环栈116通常在等离子蚀刻操作期间处于未升高位置。在一实施例中，多个杆(未示)经过限制环基本上呈直角插入下电极板111。杆子用作指引导轨，其设置以操作连接机械传动装置(未示)来升高限制环栈116，使得栈116在等离子蚀刻操作的最后会大体上邻近电感耦合等离子源109。该环传动装置系统可为任何当前可得的系统。 
在一实施例中，电感耦合等离子源109的功率设定介于大约100瓦特到大约2000瓦特。在另一实施例中，功率设定介于大约400瓦特到大约1500瓦特。在又一实施例中，功率设定介于大约800瓦特到1200瓦特。然而，应当理解，电感耦合等离子源109基本上可设定为任何功率设定，只要最后清洁等离子106可从限制环116的内圆周表面去除聚合物污染物，而不会导致环或其它蚀刻室元件(例如，ESC 100，电极111-112等)的损坏。 
图1C为根据本发明一实施例的具有专用电感耦合等离子源的等离子蚀刻室的剖面侧视图，该电感耦合等离子源邻近该升高位置的限制环栈。如这里所说明的，示出从室中心轴105延伸至室壁102的等离子蚀刻室的径向剖面。在该等离子室的顶侧为连接到上电极板112顶面的中心组件103。沿着面对室壁102的中心组件103的外表面形成通道。设置在该通道内的是电感耦合等离子源109(即，线圈加外壳)，配置为引导等离子106靠着环栈116的内圆周 表面。应当理解，虽然电感耦合等离子源109在此图中示为沿着通道底部设置(即，图1C)，这并不意味着限制电感耦合等离子源109在通道内的设置方式。电感耦合等离子源109可以任何排列、位置或方向设置于通道内，只要电感耦合等离子源109可用于引导足够量的等离子以基本上清洁限制环的内圆周表面。位于等离子室底部的是静电卡盘(ESC)110，其连接到下电极板111的顶面。如上述，基于上电极112与下电极111之间的空间为主蚀刻室101，基片等离子蚀刻发生于此。上电极112和下电极111配置为在主蚀刻室101内激发等离子来蚀刻置于ESC 110上的基片。 
在这个实施例中，示出在升高位置的限制环栈116，其中专用的电感耦合等离子源109配置为引导等离子106靠着环栈116的内圆周表面来基本上去除任何聚集在该表面上的污染物(如聚合物等)。在一实施例中，环116的内圆周表面与电感耦合等离子源109(如线圈加外壳)的外表面之间的距离介于大约0.5毫米到大约15mm。在另一实施例中，该距离介于大约1mm到大约10mm。又一实施例中，该距离介于大约2mm到大约5mm。应该理解，限制环116的内圆周表面与电感耦合等离子源109的外表面之间的距离与许多因素有关，包括：环116的温度；设有电感耦合等离子源109的通道内保持的压力；以及电感耦合等离子源109的功率设定。电感耦合等离子源109的外表面与限制环116的内圆周表面之间所保持的距离基本上可以设定为任何数值，只要电感耦合等离子源109不造成环116的损害而去除聚集在环116上的聚合物污染物。在一实施例中，环116的温度维持在大约25℃到大约500℃之间。在另一实施例中，环116的温度设定在大约100℃到大约400℃之间。又一实施例中，环116的温度设定在大约270℃到大约330℃之间。 
通常，从限制环116去除聚合物污染物的去除速率取决于环116的温度。环116的温度保持越高，从环116去除速率越高。应当 理解，环116的温度可设定为任何值，只要该设定不损害等离子蚀刻室的各种元件(如ESC 100、电极111和112等)，并且可以实现足够的污染物去除速率。 
在一实施例中，电感耦合等离子源109的外表面与限制环116的内圆周表面之间的空间的压力维持在大约1毫托到1托之间。在另一实施例中，该空间的压力设定介于大约5毫托到大约100毫托。在又一实施例中，该空间的压力设定介于大约10毫托到大约50毫托。应当理解，压力可设定为任何数值，只要利用电感耦合等离子源109所激发的清洁等离子106的密度足以充分从限制环116表面去除聚合物染污。 
图1D为根据本发明一实施例的具有专用电感耦合等离子源的等离子蚀刻室的剖面侧视图，该电感耦合等离子源邻近升高位置的限制环栈。在这个说明中，示出从室中心轴105延伸至室壁102的等离子蚀刻室的径向剖面。在等离子室的顶侧上为连接到上电极板112顶面的中心组件103。沿着面对室壁102的中心组件103的外表面形成通道。设置在该通道内的是电感耦合等离子源109。气体传送管线118穿过中心组件103的顶面进入形成于通道内的空间。该气体传送管线118配置为在通过电感耦合等离子源109激发清洁等离子106期间传送原料气(feed gas)到该空间。位于等离子室底部的是静电卡盘(ESC)110，其连接到下电极板111的顶面。 
在一实施例中，在传送到形成于该通道内的空间之前，原料气加热到100℃到500℃之间的温度。加热的气体增加了限制环116的内圆周表面温度以提高通过清洁等离子106完成的总的污染物去除速率。通常，通道内的空间必须基本上气密以允许该限制环116的内圆周表面被热的等离子气体充分加热。通过等离子气体传送管线118传送的原料气的示例包括：O2、O3、H2O、H2O2、CO2、CO、N2、NH3、H2、CF4、C2F6、NF3、SF6、F2、XeF2、He、Ne、 Ar、Kr、Xe及其组合。然而，应当理解，基本上任何类型的原料气均可通过气体管线118传送，只要能产生可从限制环116的内圆周表面充分去除聚合物污染物的清洁等离子106。 
图2为根据本发明一实施例的具有专用微型中空阴极阵列等离子源的等离子蚀刻室的剖面侧视图，该微型中空阴极阵列等离子源位于邻近升高位置的限制环栈的位置。在此说明中，示出从室中心轴105延伸至室壁102的等离子蚀刻室的径向剖面。在该等离子室的顶侧为连接到上电极板112顶面的中心组件103。沿着面对室壁102的中心组件103的外表面形成通道。设置在该通道内的是微型中空阴极阵列等离子源202，其配置为对着限制环栈116的内圆周表面激发清洁等离子106。位于等离子室底部的是静电卡盘(ESC)110，其连接到下电极板111的顶面。上电极112与下电极111之间的空间为主蚀刻室101，且基片的等离子蚀刻操作发生于此。上电极112以及下电极111配置为以在蚀刻室101内激发的等离子蚀刻置于ESC 110上的基片。 
在该实施例中，激发清洁等离子106以基本上去除任何在限制环栈116的内圆周表面上聚集的污染物(如聚合物等)。在一实施例中，环116的内圆周表面与微型中空阴极阵列等离子源202之间的距离介于大约0.5毫米(mm)到大约10mm。在另一实施例中，该距离介于大约1mm到大约5mm。在又一实施例中，该距离介于大约1mm到大约2mm。应当理解，微型中空阴极阵列等离子源202与环116的内圆周表之间所保持的距离基本上可设定为任何数值，只要微型中空阴极阵列等离子源202可在不造成环116损害情况下去除沉积在环116上的聚合物污染物。 
仍然参考图2，在一实施例中，气体传送管线穿过中心总成103的顶面并进入形成于通道内的空间。该气体传送管线配置为在清洁等离子106操作期间通过微型中空阴极阵列等离子源202将 气体传送至该空间。原料气可选择为在加热或室温状态下传输，取决于特定的限制环116清洁操作的要求。 
在一实施例中，微型中空阴极阵列等离子源202配置为包含多个微型中空阴极腔，这种微型中空阴极腔基本上均匀地排列在面向限制环栈116的内圆周表面的源表面上。在一实施例中，该腔的内径介于100微米到5000微米之间。在另一实施例中，该腔的内径介于500微米到3000微米之间。又一实施例中，该腔的内径介于500微米到2000微米之间。应当理解，该腔的内径选择与微型中空阴极阵列等离子源202与限制环116之间的空间内的等离子操作压力有关。通常，腔的内径越小，对于微型中空阴极阵列等离子源202，为了保持实现相同污染物去除速率的清洁等离子106所需的压力越高。 
继续参考图2，在一实施例中，微型中空阴极阵列等离子源202与限制环116之间的空间内的压力介于大约100毫托到约100托。在另一实施例中，该空间内的压力介于大约400毫托到大约10托。又一实施例中，该空间内的压力介于大约500毫托到大约3托。在一实施例中，沿着微型中空阴极阵列等离子源202表面排列的多个微型中空阴极腔的电位设定值介于大约-10伏特到大约-2000伏特。在另一实施例中，电位设定值介于大约-50伏特到大约-500伏特。又一实施例中，电位设定值介于大于-100伏特到大约-300伏特。 
图3为根据本发明一实施例的具有专用电感耦合等离子源的等离子蚀刻室的剖面侧视图，该电感耦合等离子源邻近位于升高位置的限制环栈。在这个说明中，示出从室中心轴105延伸至室壁102的等离子蚀刻室的径向剖面。在等离子室的顶侧为连接到上电极板112顶面的中心组件103。沿着面对室壁102的中心组件103的外表面形成通道。设置在该通道内的是电感耦合等离子源109，其配置为对着限制环栈116的内圆周表面引导清洁等离子106。气体传 送管线118穿过中心组件103的顶面进入形成于通道内的空间。该气体传送管线118配置为在通过电感耦合等离子源109激发清洁等离子106期间传送气体至该空间。 
进一步，在该实施例中，挡板302连接到室壁102，其配置为对限制环栈116的内圆周表面提供基本上的气密密封，这样可避免原料气通过别的限制环之间的间隙泄漏。应当理解，挡板302基本上可由任何材料制成，只要该材料不会与清洁等离子106反应而产生污染副产物。 
图4A为根据本发明一实施例的具有加热元件的等离子蚀刻室的侧视图，该加热元件连接到邻近的升高位置的限制环栈的专用电感耦合等离子源。在该实施例中，示出从室中心轴105延伸至室壁102的等离子蚀刻室的径向剖面。在该等离子室的顶侧为连接到上电极板112顶面的中心组件103。沿着面对室壁102的中心组件103的外表面形成通道。设置在通道内的是位于中心组件103与电感耦合等离子源109之间的加热元件402。如上述，加热元件402配置为加热限制环栈116至介于大约25℃到大约500℃之间的预定温度范围。电感耦合等离子源109配置为引导清洁等离子106靠着限制环栈116的内圆周表面。 
在一实施例中，加热元件402为放射性加热装置，如石英加热灯。然而，应当理解加热元件402可以是任何类型加热装置，只要该元件402能够在清洁等离子操作期间对该限制环116提供充分的加热以从限制环栈116的内圆周表面去除聚合物污染物。在另一实施例中，该加热元件402是具有耦合至该限制环116的辐射热的电阻加热器。 
继续参考图4A，在一实施例中，加热元件402位于介于限制环栈116与等离子蚀刻室壁层102之间的位置。加热元件402连 接到等离子蚀刻室壁层102，并且配置为当电感耦合等离子源109引导清洁等离子106靠着限制环栈116的内圆周表面以执行聚合物污染物去除时对限制环栈116提供辐射加热。应当理解，加热元件402可以设置在等离子蚀刻室内实际上任何位置，只要加热元件402可运行以加热环栈116至介于大约25℃到大约500℃之间的温度。 
图4B为根据本发明一实施例的在同步蚀刻室清洁模式下运行的等离子蚀刻室的侧视图。在该实施例中，示出从室中心轴105延伸至室壁102的等离子蚀刻室的径向剖面。在该等离子蚀刻室的顶侧上为连接到上电极板112顶面的中心组件103。沿着面对室壁102的中心组件103的外表面形成通道。设置在该通道内的是位于中心组件与电感耦合等离子源109之间的加热元件402。 
如上所述，等离子蚀刻室执行同步蚀刻操作以从主蚀刻室101以及限制环116去除聚合物污染物。用来清洁蚀刻室的清洁等离子106使用位于ESC 110之上的电极112和之下的电极111来激发，相反，用于清洁限制环116的清洁等离子106由电感耦合等离子源109生成。 
图5为示出本发明一实施例的等离子蚀刻室的多个限制环的清洁方法的流程图。在本方法中所使用的设备的图示都出现在图1A到1D中。方法500开始于操作502，其中，限制环移动使得环的内圆周表面设置在距第一等离子源一定距离的位置。该第一等离子源设置为当限制环在距该第二等离子源升高或降低的位置时，该源引导等离子朝向限制环内圆周表面。在一实施例中，第一等离子源为电感耦合等离子源，其中等离子源与限制环栈之间的距离介于大约0.5mm到大约15mm。在另一实施例中，第一等离子源为微型中空阴极阵列等离子源，其中等离子源与限制环栈之间的距离介于大约0.5mm到大约10mm之间。 
有关于上述第一等离子源和第二等离子源的位置中，第一等离子源位于沿着面对室壁的中心组件的外表面形成的通道内，而第二等离子源连接到主蚀刻室内的电极板。接着，该方法进行到操作504，其中将原料气提供至等离子蚀刻室，等离子蚀刻气体的示例包括：O2、O3、H2O、H2O2、CO2、CO、N2、NH3、H2、CF4、C2F6、NF3、SF6、F2、XeF2、He、Ne、Ar、Kr、Xe及其组合。 
然后该方法进行到操作506，其中使用该第一等离子源将一定量的等离子提供到限制环的内圆周表面。在一实施例中，第一等离子源为电感耦合等离子源，用以传送等离子密度介于大约5e9cm-3到大约5e12cm-3之间的清洁等离子。在另一实施例中，该等离子源是微型中空阴极阵列等离子源，用以传送等离子密度为5e9cm-3到大约5e12cm-3之间的清洁等离子。 
尽管这里详细描述了本发明的若干实施例，但是本领域技术人员应当理解，本发明可实现为许多其他具体形式而不背离本发明的主旨和范围。所以，当前的示例和实施例应当认为是说明性的而非限制，并且本发明并不限于这里所提供的细节，而是可以在所附权利要求范围内修改和实施。 

Claims (20)

1.一种蚀刻室，包含：
中心组件；
电极板，固定于该中心组件的底表面，其中通道沿着该中心组件的外圆周、在该电极板上方而形成；
第一等离子源，设置于该通道内并且沿着该中心组件的外圆周，其中该第一等离子源用以引导等离子至设在该电极板上方的限制环栈的内圆周表面；以及
第二等离子源，用以在该蚀刻室内的基片上执行处理操作，该第二等离子源设置为远离该第一等离子源。
2.根据权利要求1所述的蚀刻室，其中该第一等离子源为电感耦合等离子装置，包含多个配置为提供电压以传送等离子的螺旋感应线圈。
3.根据权利要求1所述的蚀刻室，其中该第一等离子源为中空阴极阵列，包含多个中空阴极单元。
4.根据权利要求3所述的蚀刻室，其中该多个中空阴极单元具有直径在0.01厘米到0.5厘米的开口。
5.根据权利要求1所述的用以清洁等离子室中多个等离子环的设备，其中，该第一等离子源是电容性源。
6.根据权利要求1所述的蚀刻室，进一步包含：
气体源管线，其穿过该中心组件至该通道，该气体源管线配置为供应气体至该通道。
7.根据权利要求6所述的蚀刻室，其中该气体在导入该通道之前加热。
8.根据权利要求1所述的蚀刻室，其中，该限制环栈设置为该限制环栈的内圆周表面距该第一等离子源0.5毫米至15毫米。
9.一种蚀刻室，包含：
中心组件；
电极板，固定于该中心组件的表面，其中通道沿着该中心组件的外圆周、在该电极板上方而形成；
第一等离子源，设置于该通道内并且沿着该中心组件的外圆周，其中该第一等离子源用以引导等离子至设在该电极板上方的多个限制环栈的内圆周表面；
加热元件，配置为向该多个限制环的内圆周表面提供热量；以及
第二等离子源，用以在该蚀刻室内的基片上执行处理操作，该第二等离子源位于远离该第一等离子源的位置。
10.根据权利要求9所述的蚀刻室，进一步包含：
挡板元件，设置为邻近该多个环的外圆周表面并且配置为提供基本上气密密封。
11.根据权利要求9所述的蚀刻室，其中，该加热元件为对流加热元件或辐射加热元件之一。
12.根据权利要求9所述的蚀刻室，其中该加热元件设置于该通道内并且沿着该中心组件的外圆周。
13.根据权利要求9所述的蚀刻室，进一步包含：
气体源管线，其穿过该中心组件至该通道，该气体源管线配置为供应气体至该通道。
14.一种在权利要求1所述的等离子室内清洁限制环栈的方法，包含：
移动该限制环栈以使该限制环栈的内圆周表面位于距第一等离子源一定距离，该第一等离子源设置为远离第二等离子源；
提供原料气；以及
使用该第一等离子源提供第一等离子量至该限制环栈的内圆周表面。
15.根据权利要求14所述的方法，进一步包含：
将该限制环栈的内圆周表面加热至20摄氏度至500摄氏度之间的温度。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，该距离介于0.5毫米至15毫米。
17.根据权利要求14所述的方法，进一步包括：
使用该第二等离子源提供第二等离子量至该等离子室，该第二等离子量配置为从该等离子室去除污染物。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，该第一等离子量和该第二等离子量介于100瓦特至2000瓦特之间。
19.根据权利要求14所述的方法，进一步包含：
将该限制环栈的内圆周表面与该第一等离子源之间的空间的压力增加至1毫托至5托。
20.根据权利要求14所述的方法，其中该第一等离子源从电感耦合等离子装置、中空阴极阵列和电容耦合电极组成的组中选取。
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