CN101470455A - 一种补偿直流自偏压的方法及系统、半导体处理设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种补偿直流自偏压的方法，其包括下述步骤：1)对直流自偏压信号进行采样，以及对第一电源向静电夹持装置输出的电压信号进行采样；2)根据所述直流自偏压采样信号和第一电源电压采样信号，调节第一电源向静电夹持装置输出的电压，以减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。此外，本发明还提供一种补偿直流自偏压的系统，以及应用上述方法和/或系统的半导体处理设备。本发明所提供的方法及系统、以及半导体处理设备能够提高补偿直流自偏压的精度，使静电夹持装置上的晶片等半导体器件所受到的静电吸附力较为均衡，从而防止半导体器件滑落或产生位移，进而改善工艺结果，提高产品量率，同时还能够减小氦气漏率。

Description

一种补偿直流自偏压的方法及系统、半导体处理设备

技术领域

本发明涉及微电子技术领域，具体而言，涉及一种补偿直流自偏压的方法及系统，此外还涉及一种应用该方法和/或系统的半导体处理设备。

背景技术

随着电子技术的高速发展，人们对集成电路的集成度要求越来越高，这就要求生产集成电路的企业不断地提高半导体器件的加工能力。目前，在半导体器件的加工、制造过程中广泛采用等离子体刻蚀技术。所谓等离子体刻蚀技术指的是，反应气体在射频功率的激发下产生电离形成含有大量电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子的等离子体，这些活性粒子与被刻蚀物体(例如，晶片)的表面发生各种物理和化学反应并形成挥发性的生成物，从而使得被刻蚀物体表面的性能发生变化。

在上述活性粒子中，由于电子比正离子轻，在相同时间内，电子落在晶片表面的数量比离子多，因此，待反应稳定后晶片表面会形成直流自偏压。该直流自偏压会吸引等离子体中带正电荷的离子等活性粒子向晶片表面加速运动，并轰击晶片以达到预期的工艺结果。上述直流自偏压的大小将影响带正电荷的离子等活性粒子的轰击能量，进而也将影响等离子体刻蚀工艺中的某些参数，例如刻蚀速率、沉积速率等。

在上述等离子体刻蚀等加工/处理工艺过程中，晶片等半导体器件放置在静电夹持装置上，并在其与静电夹持装置的直流电极之间静电引力的作用下而被吸附在静电夹持装置表面。通常，静电引力的大小与晶片和直流电极之间的电势差成正比，而且在整个晶片下表面，静电引力的大小应尽可能一致。例如，如图1所示，对于双电极静电夹持装置而言，外加直流电源以对静电夹持装置的两个直流电极施以大小相等、极性相反的电压，在理想情况下，静电引力在整个晶片下表面应当是一致的。然而，由于上述直流自偏压的存在，使得静电夹持装置中的一个直流电极与该晶片之间的电势差增大，而另一个直流电极与该晶片之间的电势差减小，从而导致吸附晶片的静电引力在整个晶片下表面存在差异，而变得不平衡。其后果是，不仅会影响晶片的稳定吸附，进而影响晶片的加工/处理结果，而且还可能引起用于热量交换的氦气泄漏，进而影响工艺结果。

为此，本领域的技术人员一直在寻找各种有效方法，以消除上述直流自偏压的影响。例如，现有技术一就提供了这样一种补偿方法来消除上述直流自偏压的影响：即，首先对晶片上的直流自偏压进行预估，然后根据预估值改变直流电源公共参考端的电压值，以使最终加载到静电夹持装置的两个直流电极上的电压的绝对值大致相等。

然而在实际应用中，晶片上的直流自偏压通常是变化的，现有技术一所提供的这种静态开环控制补偿方法不能实时动态地跟踪直流自偏压，因此也就不能根据变化的直流自偏压进行实时动态的补偿，从而不能消除直流自偏压的影响，而使得仍然存在两极不平衡的问题。

于是，人们又试图寻求一种闭环控制补偿方法来消除直流自偏压的影响。例如，图2就示出了现有技术中所提供的应用了闭环控制补偿方法的下电极结构(以下称为现有技术二)。

在现有技术二中，设置直流自偏压采样单元，用以对晶片上的直流自偏压进行测量，并且该直流自偏压采样单元的输出端连接一可变电压源的控制端，可变电压源的输出端与系统中提供静电引力的直流电源的公共参考端相连接。

实际应用中，直流自偏压采样单元实时测量晶片上的直流自偏压，而后将测得的晶片直流自偏压转化成标准I/O信号，并输出至可变电压源的控制端，使可变电压源向直流电源的公共参考端输出一个与实际晶片直流自偏压大小相等、极性相同的直流补偿电压，以改变公共参考端的电压值，从而补偿晶片直流自偏压对于静电引力不平衡的影响，进而达到补偿晶片直流自偏压的目的。

尽管现有技术二提供的方法可以通过实时测量直流自偏压，并根据其值实时调节可变电压源的输出，进而使公共参考端的电压值得以补偿，从而达到补偿晶片直流自偏压的目的，但是在实际应用中，其不可避免地存在下述缺陷：

其一，补偿精度低。这是因为：现有技术二提供的方法对环内可变电压源的控制实际是开环操作，而该开环电路的一系列电阻、运放、功放、可变电压源等元器件会影响补偿电压的精度，尤其是可变电压源，高压的输出使得它的精度难以达到很高。

其二，由于现有技术中提供的补偿直流自偏压的方法的补偿精度较低，这使得半导体器件所受到的静电吸附力仍旧不均衡，因此容易造成晶片等半导体器件滑落或者移动位置，进而影响对晶片的加工/处理结果，影响产品良率。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种补偿直流自偏压的方法及系统，以及应用上述补偿直流自偏压的方法及系统的半导体处理设备。所述方法、系统及设备能够提高补偿直流自偏压的精度，使静电夹持装置上的半导体器件所受到的静电吸附力较为均衡。

为此，本发明的技术方案为：提供一种补偿直流自偏压的方法，用于在半导体加工/处理过程中减小/消除半导体器件上直流自偏压所产生的影响。所述方法包括下述步骤：1)对直流自偏压信号进行采样，以及对第一电源向静电夹持装置输出的电压信号进行采样；2)根据所述直流自偏压采样信号和第一电源电压采样信号，调节第一电源向静电夹持装置输出的电压，以减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。

其中，所述第一电源电压采样信号包括：第一电源公共参考端电压采样信号，和/或第一电源向静电夹持装置提供的第一电压的采样信号和第二电压的采样信号。

其中，所述步骤2)具体包括：21)对直流自偏压采样信号和第一电源公共参考端电压采样信号进行比较，以获得二者的差值；22)根据所述采样信号的差值来调节第一电源公共参考端的电压，使其与所述直流自偏压的大小大致相等、极性相同，以使第一电压相对于直流自偏压的差值与第二电压相对于直流自偏压的差值大致相等，从而减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。

其中，所述步骤22)具体包括：根据所述采样信号的差值来控制公共参考端电压供给单元向第一电源公共参考端输出与所述直流自偏压大小大致相等、极性相同的电压。

其中，所述公共参考端电压供给单元包括可变电压源，所述可变电压源的输出端连接所述第一电源的公共参考端。

可选地，所述步骤2)可以包括下述步骤：26)获得第一电压采样信号与直流自偏压采样信号之间的第一差值，以及第二电压采样信号与直流自偏压采样信号之间的第二差值；27)根据所述第一差值和第二差值调节所述第一电压和第二电压，以使第一电源输出至静电夹持装置两个电极上的电压分别与直流自偏压之间的差值大致相等，从而减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。

作为本发明的另一个方案，还提供一种补偿直流自偏压的系统，用于在半导体加工/处理过程中减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。所述系统包括直流自偏压采样单元、第一电源电压采样单元和调节单元，其中，所述直流自偏压采样单元用于对直流自偏压进行采样，并将直流自偏压采样信号传输至所述调节单元；所述第一电源电压采样单元用于对第一电源向静电夹持装置输出的电压信号进行采样，并将第一电源电压采样信号传输至所述调节单元；以及所述调节单元用于根据所述直流自偏压采样信号和第一电源电压采样信号，调节第一电源向静电夹持装置输出的电压，以减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。

其中，所述第一电源电压采样信号包括：第一电源公共参考端电压采样信号，和/或第一电源向静电夹持装置提供的第一电压的采样信号和第二电压的采样信号。

其中，所述调节单元包括：比较模块，用于对直流自偏压采样信号和第一电源公共参考端电压采样信号进行比较，以获得二者的差值；以及调节模块，根据所述采样信号的差值来调节第一电源公共参考端电压，使其与所述直流自偏压的大小大致相等、极性相同，以使第一电压相对于直流自偏压的差值与第二电压相对于直流自偏压的差值大致相等，从而减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。

其中，所述系统还包括公共参考端电压供给单元，所述调节模块根据所述采样信号的差值来控制公共参考端电压供给单元向第一电源公共参考端输出与所述直流自偏压大小大致相等、极性相同的电压。

其中，所述公共参考端电压供给单元包括可变电压源，所述可变电压源的输出端连接所述第一电源的公共参考端。

可选地，所述调节单元可以包括：比较模块，用于对第一电压采样信号与直流自偏压采样信号进行比较，以获得第一差值，以及对第二电压采样信号与直流自偏压采样信号进行比较，以获得第二差值；调节模块，用于根据来自所述比较模块的第一差值和第二差值，调节所述第一电压和第二电压，以使第一电源输出至静电夹持装置两个电极上的电压分别与直流自偏压之间的差值大致相等，从而减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。

作为本发明的再一个方案，还提供一种半导体处理设备。该设备包括反应腔室以及位于反应腔室内的静电夹持装置。所述半导体处理设备在对静电夹持装置上的半导体器件进行加工/处理的过程中，应用了上述补偿直流自偏压的方法，以减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。

作为本发明的又一个方案，还提供一种半导体处理设备。该设备包括反应腔室以及位于反应腔室内的静电夹持装置。所述半导体处理设备还包括如上述补偿直流自偏压的系统，以在半导体加工/处理过程中减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。

相对于现有技术，本发明具有下述有益效果：

其一，补偿精度高。本发明提供的技术方案对直流自偏压信号和第一电源向静电夹持装置输出的电压信号进行采样，并根据这两个采样信号来调节第一电源向静电夹持装置输出的电压，以便能够减小甚至消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。因此，本发明提供的技术方案采用了双闭环控制策略，即，相对于现有技术，增加了根据第一电源电压采样信号来控制第一电源向静电夹持装置输出的电压的闭环回路。这样，只要该闭环回路在开环时的放大倍数足够大，其输出就只与采样精度有关，而可以忽略环内的电阻、运放、功放、可变电压源等元器件的影响。因此，可以提高补偿直流自偏压的精度。

其二，由于本发明提供的技术方案可以提高补偿直流自偏压的精度，因此可以使静电夹持装置能够更好地吸附晶片等半导体器件，并且减小氦气漏率、改善工艺结果，提高产品量率。

附图说明

图1是双电极静电夹持装置的供电模式图；

图2是现有技术二提供的补偿直流自偏压的方法的原理示意图；

图3是本发明提供的补偿直流自偏压的方法的流程示意图；以及

图4是本发明提供的补偿直流自偏压的系统的一个实施例的原理示意图。

具体实施方式

本发明的技术核心为：通过构建双闭环反馈系统来更好地补偿半导体器件上的直流自偏压，进而弥补前述现有技术中采用开环控制策略和单闭环控制策略的不足。

为使本技术领域的人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的补偿直流自偏压的方法及系统、以及应用上述方法和/或系统的半导体处理设备进行详细描述。

请参阅图3，首先说明本发明提供的补偿直流自偏压的方法。该方法用于在半导体加工/处理过程中减小/消除半导体器件上直流自偏压所产生的影响，其可以包括下述步骤：

110)采样步骤：对直流自偏压信号进行采样，以及对第一电源向静电夹持装置输出的电压信号进行采样；

120)根据所述直流自偏压采样信号和第一电源电压采样信号，调节第一电源向静电夹持装置输出的电压，以减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。

其中，所述第一电源电压采样信号可以是第一电源公共参考端电压采样信号。这样，所述调节步骤可以具体包括：对直流自偏压采样信号和第一电源公共参考端电压采样信号进行比较，以获得二者的差值；根据所述采样信号的差值来控制公共参考端电压供给单元向第一电源公共参考端输出与所述直流自偏压大小大致相等、极性相同的电压，以使第一电压相对于直流自偏压的差值与第二电压相对于直流自偏压的差值大致相等，从而减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。

在本发明中，所述第一电源指的是向静电夹持装置的电极提供工作电压的电源。当静电夹持装置为双电极静电夹持装置时，所述第一电源可以为一个电源，也可以为分别对两个电极单独供电的两个电源。所谓第一电压指的是第一电源输出给静电夹持装置的一个电极的电压；所谓第二电压指的是第一电源输出给静电夹持装置的另一个电极的电压。

作为一个替代方案，所述第一电源电压采样信号也可以是第一电源向静电夹持装置提供的第一电压的采样信号和第二电压的采样信号。这样，所述调节步骤可以是：获得第一电压采样信号与直流自偏压采样信号之间的第一差值，以及第二电压采样信号与直流自偏压采样信号之间的第二差值；根据所述第一差值和第二差值调节所述第一电压和第二电压，以使第一电源输出至静电夹持装置两个电极上的电压分别与直流自偏压之间的差值大致相等，从而减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。

下面说明本发明提供的一种补偿直流自偏压的系统，其用于在半导体加工/处理过程中减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。所述系统包括直流自偏压采样单元、第一电源电压采样单元和调节单元，其中，所述直流自偏压采样单元用于对直流自偏压进行采样，并将直流自偏压采样信号传输至所述调节单元；所述第一电源电压采样单元用于对第一电源向静电夹持装置输出的电压信号进行采样，并将第一电源电压采样信号传输至所述调节单元；以及所述调节单元用于根据所述直流自偏压采样信号和第一电源电压采样信号，调节第一电源向静电夹持装置输出的电压，以减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。

其中，所述第一电源电压采样信号可以是第一电源公共参考端电压采样信号。这样，所述调节单元包括：比较模块，用于对直流自偏压采样信号和第一电源公共参考端电压采样信号进行比较，以获得二者的差值；以及调节模块，其根据所述采样信号的差值来调节第一电源公共参考端电压，使其与所述直流自偏压的大小大致相等、极性相同，以使第一电压相对于直流自偏压的差值与第二电压相对于直流自偏压的差值大致相等，从而减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。

另外，本发明提供的补偿直流自偏压的系统还包括公共参考端电压供给单元，所述调节模块根据所述采样信号的差值来控制公共参考端电压供给单元向第一电源公共参考端输出与所述直流自偏压大小大致相等、极性相同的电压。其中，所述公共参考端电压供给单元包括可变电压源，所述可变电压源的输出端连接所述第一电源的公共参考端。

作为一个替代方案，所述第一电源电压采样信号还可以是第一电源向静电夹持装置提供的第一电压的采样信号和第二电压的采样信号。这种情况下，所述调节单元包括：比较模块，用于对第一电压采样信号与直流自偏压采样信号进行比较，以获得第一差值，以及对第二电压采样信号与直流自偏压采样信号进行比较，以获得第二差值；以及调节模块，用于根据来自所述比较模块的第一差值和第二差值，调节所述第一电压和第二电压，以使第一电源输出至静电夹持装置两个电极上的电压分别与直流自偏压之间的差值大致相等，从而减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。

请参阅图4，在本实施例中，类似于现有技术二，直流电源4的两个输出端经由滤波器3而分别连接静电夹持装置两个直流电极1和2，用以向直流电极1和2提供工作电压。直流自偏压采样单元5采集晶片上的直流自偏压，并将其输送至比较器7的第一输入端。比较器7的输出端连接可变电压源6的输入端，可变电压源6的输出端连接直流电源4的公共参考端。此外，参考端电压采样单元8设置在比较器7和直流电源4的公共参考端之间，用于采集直流电源4公共参考端的电压，并将其传输至比较器7的第二输入端。这样，比较器7根据来自其第一输入端和第二输入端的电压值，向可变电压源6输出调控信号，可变电压源6根据该调控信号向直流电源4的公共参考端输出一个与实际晶片直流自偏压大小相等、极性相同的直流电压，以使直流电源4的两个输出端向静电夹持装置两个直流电极1和2输出的电压值相对于晶片上的直流自偏压而言，大致相等，从而使晶片上的静电吸附力大致均衡，而不会产生因吸附力不均衡所导致的晶片滑落或位移等问题。

至于直流自偏压的采样方法，类似现有技术，在此不再赘述。

在本发明中，对直流电源4的公共参考端的电压和晶片直流自偏压进行实时监测和采样，并且二者的采样比例是一样的。只要该闭环回路在开环时的放大倍数足够大，其输出的公共参考端的电压精度就只与采样精度有关，这样便可以忽略环内的元器件的精度影响。两个采样信号的电压差转化成标准I/O信号输出至可变电压源的控制端，使可变电压源的输出端向直流电源4的公共参考端输出一个与实际晶片直流自偏压大小相等、极性相同的直流电压，以调节公共参考端的电压值，从而达到补偿晶片直流自偏压的产生对于静电引力不平衡的影响。

在本发明中，通过内、外两个闭环构建二阶控制电路，以达到提高静电夹持装置两个直流电极的公共参考端电压对直流自偏压的补偿精度的目的。例如本实施例中所示，直流电源4-滤波器3-直流电极1和2-直流自偏压采样单元5-比较器7-可变电压源6-直流电源4构成外圈闭环控制回路；直流自偏压采样单元5、参考端电压采样单元8、比较器7、可变电压源6和直流电源4构成内圈闭环控制回路。这样，对可变电压源的控制不再是仅仅由来自直流自偏压采样单元5的采样信号来控制，而是将来自直流自偏压采样单元5的第一采样信号与来自参考端电压采样单元8的第二采样信号输入到比较器7，比较器7对上述第一采样信号和第二采样信号进行比较后输出二者的差值至可变电压源6的控制输入端，以控制可变电压源6根据该差值向直流电源4的公共参考端输出电压，以使直流电源4在该公共参考电压的基础上向静电夹持装置的直流电极1和2提供工作电压，以便减小/消除直流自偏压带来的影响，从而使静电夹持装置能够更好地吸附晶片等半导体器件，并且减小氦气漏率、改善工艺结果。

此外，本发明还提供一种半导体处理设备。该设备应用了上述补偿直流自偏压的方法和/或系统，其补偿直流自偏压的原理类似前述实施例，在此不再赘述。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种补偿直流自偏压的方法，用于在半导体加工/处理过程中减小/消除半导体器件上直流自偏压所产生的影响，其特征在于，所述方法包括下述步骤：

1)对直流自偏压信号进行采样，以及对第一电源向静电夹持装置输出的电压信号进行采样；

2)根据所述直流自偏压采样信号和第一电源电压采样信号，调节第一电源向静电夹持装置输出的电压，以减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。

2.根据权利要求1所述的补偿直流自偏压的方法，其特征在于，所述第一电源电压采样信号包括：第一电源公共参考端电压采样信号，和/或第一电源向静电夹持装置提供的第一电压的采样信号和第二电压的采样信号。

3.根据权利要求2所述的补偿直流自偏压的方法，其特征在于，所述步骤2)具体包括：

21)对直流自偏压采样信号和第一电源公共参考端电压采样信号进行比较，以获得二者的差值；

22)根据所述采样信号的差值来调节第一电源公共参考端的电压，使其与所述直流自偏压的大小大致相等、极性相同，以使第一电压相对于直流自偏压的差值与第二电压相对于直流自偏压的差值大致相等，从而减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。

4.根据权利要求3所述的补偿直流自偏压的方法，其特征在于，所述步骤22)具体包括：根据所述采样信号的差值来控制公共参考端电压供给单元向第一电源公共参考端输出与所述直流自偏压大小大致相等、极性相同的电压。

5.根据权利要求4所述的补偿直流自偏压的方法，其特征在于，所述公共参考端电压供给单元包括可变电压源，所述可变电压源的输出端连接所述第一电源的公共参考端。

6.根据权利要求2所述的补偿直流自偏压的方法，其特征在于，所述步骤2)具体包括：

26)获得第一电压采样信号与直流自偏压采样信号之间的第一差值，以及第二电压采样信号与直流自偏压采样信号之间的第二差值；

27)根据所述第一差值和第二差值调节所述第一电压和第二电压，以使第一电源输出至静电夹持装置两个电极上的电压分别与直流自偏压之间的差值大致相等，从而减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。

7.一种补偿直流自偏压的系统，用于在半导体加工/处理过程中减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响，其特征在于，所述系统包括直流自偏压采样单元、第一电源电压采样单元和调节单元，其中，

所述直流自偏压采样单元用于对直流自偏压进行采样，并将直流自偏压采样信号传输至所述调节单元；

所述第一电源电压采样单元用于对第一电源向静电夹持装置输出的电压信号进行采样，并将第一电源电压采样信号传输至所述调节单元；以及

所述调节单元用于根据所述直流自偏压采样信号和第一电源电压采样信号，调节第一电源向静电夹持装置输出的电压，以减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。

8.根据权利要求7所述的补偿直流自偏压的系统，其特征在于，所述第一电源电压采样信号包括：第一电源公共参考端电压采样信号，和/或第一电源向静电夹持装置提供的第一电压的采样信号和第二电压的采样信号。

9.根据权利要求7所述的补偿直流自偏压的系统，其特征在于，所述调节单元包括：

比较模块，用于对直流自偏压采样信号和第一电源公共参考端电压采样信号进行比较，以获得二者的差值；以及

调节模块，根据所述采样信号的差值来调节第一电源公共参考端电压，使其与所述直流自偏压的大小大致相等、极性相同；以使第一电压相对于直流自偏压的差值与第二电压相对于直流自偏压的差值大致相等，从而减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。

10.根据权利要求9所述的补偿直流自偏压的系统，其特征在于，还包括公共参考端电压供给单元，所述调节模块根据所述采样信号的差值来控制公共参考端电压供给单元向第一电源公共参考端输出与所述直流自偏压大小大致相等、极性相同的电压。

11.根据权利要求10所述的补偿直流自偏压的系统，其特征在于，所述公共参考端电压供给单元包括可变电压源，所述可变电压源的输出端连接所述第一电源的公共参考端。

12.根据权利要求10所述的补偿直流自偏压的系统，其特征在于，所述调节单元包括：

比较模块，用于对第一电压采样信号与直流自偏压采样信号进行比较，以获得第一差值，以及对第二电压采样信号与直流自偏压采样信号进行比较，以获得第二差值；

调节模块，用于根据来自所述比较模块的第一差值和第二差值，调节所述第一电压和第二电压，以使第一电源输出至静电夹持装置两个电极上的电压分别与直流自偏压之间的差值大致相等，从而减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。

13.一种半导体处理设备，包括反应腔室以及位于反应腔室内的静电夹持装置，其特征在于，在对静电夹持装置上的半导体器件进行加工/处理的过程中，应用了如权利要求1-6中任意一项所述的补偿直流自偏压的方法，以减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。

14.一种半导体处理设备，包括反应腔室以及位于反应腔室内的静电夹持装置，其特征在于，所述半导体处理设备还包括如权利要求7-12中任意一项所述的补偿直流自偏压的系统，以在半导体加工/处理过程中减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。

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