CN101447477B - 发光二极管封装件、其制造方法和包括其的背光组件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种发光二极管(LED)封装件、该LED封装件的制造方法和包括该LED封装件的背光组件。该LED封装件包括：模，包括形成在模中的容纳槽，容纳槽包括侧表面和底表面；电极图案，设置在底表面上；多个LED芯片，设置在电极图案上；保护树脂，设置在容纳槽中。多个LED芯片中的中心LED芯片设置在底表面的中心，中心LED芯片在底表面上方的高度大于多个LED芯片中的其它LED芯片在底表面上方的高度。

Description

发光二极管封装件、其制造方法和包括其的背光组件
本申请要求于2007年11月28日提交的第10-2007-0122108号韩国专利申请的优先权，通过引用将该申请的内容完全包含于此。
技术领域
本发明涉及一种发光二极管(LED)封装件、制造该LED封装件的方法和包括该LED封装件的背光组件，更具体地讲，涉及一种耐热性和抵抗潮气渗入的能力提高的LED封装件、制造该LED封装件的方法和包括该LED封装件的背光组件。
背景技术
液晶显示器(LCD)是一种被广泛使用的平板显示器(FPD)。LCD通常包括上面形成有电极的两个基板和设置在这两个基板之间的液晶层。LCD向电极施加电压，从而在两个基板之间产生电场。该电场使液晶层中的液晶分子取向，因此控制穿过液晶层的光的量，从而显示期望的图像。
LCD不是自发光的，因此需要发光的背光组件，背光组件发射的光穿过液晶层并显示期望的图像。例如，用于背光组件的光源的示例包括冷阴极荧光灯(CCFL)、外电极荧光灯(EEFL)和发光二极管(LED)。近来，对利用LED(尤其是高亮度LED)的背光组件的需求正在增多。
用于背光组件的LED可以是封装型的LED。具体地讲，LED被布置在布置板上，并用作LCD的光源。更具体地讲，每个LED封装件包括上面安装有LED芯片的模。该模被保护树脂覆盖。然而，当LED封装件被暴露于高温时和/或当潮气渗入LED封装件中，例如渗入模和保护树脂之间时，出现变黄现象。另外，保护树脂会变成与模分离。此外，连接LED芯片的引线会断开。
发明内容
本发明的示例性实施例提供了一种具有提高的耐热性和防潮性(例如，抵抗潮气渗入的能力)的发光二极管(LED)封装件。
本发明可选的示例性实施例提供了一种制造该LED封装件的方法。
本发明可选的示例性实施例提供了一种包括该LED封装件的背光组件。
根据本发明的示例性实施例，一种LED封装件包括：模，具有形成在其中的容纳槽，容纳槽包括侧表面和底表面；电极图案，设置在所述底表面上；多个LED芯片，设置在电极图案上；保护树脂，设置在容纳槽中。多个LED芯片中的中心LED芯片设置在所述底表面的中心，中心LED芯片在所述底表面上方的高度大于多个LED芯片中的其它LED芯片在所述底表面上方的高度。
根据本发明可选的示例性实施例，一种制造LED封装件的方法包括以下步骤：在模中形成容纳槽；在容纳槽中形成底表面和侧表面；在所述底表面上形成电极图案；在所述底表面的中心并在电极图案上设置中心LED芯片；在电极图案上设置旁边的LED芯片；在容纳槽中设置保护树脂。中心LED芯片在所述底表面上方的高度大于所述旁边的LED芯片在所述底表面上方的高度。
根据本发明另一可选的示例性实施例，一种背光组件包括第一容器、设置在第一容器中的布置板和LED封装件。该LED封装件包括：模，包括形成其中的容纳槽，容纳槽包括侧表面和底表面；电极图案，设置在所述底表面上；多个LED芯片，设置在电极图案上；保护树脂，设置在容纳槽中。多个LED芯片中的中心LED芯片设置在所述底表面的中心，中心LED芯片的高度大于多个LED芯片中的其它LED片在所述底表面上方的高度。
附图说明
通过参照附图进一步详细地描述本发明的示例性实施例，本发明的以上和其它方面、特征及优点将变得更加容易清楚，在附图中：
图1是根据本发明示例性实施例的发光二极管(LED)封装件的侧面透视图；
图2是图1中示出的根据本发明示例性实施例的LED封装件的切开侧面透视图；
图3是沿着图1的线A-A’截取的局部剖视图；
图4是图1中示出的根据本发明示例性实施例的LED封装件的顶部平面图；
图5是根据本发明可选示例性实施例的LED封装件的侧面透视图；
图6是图5中示出的根据本发明示例性实施例的LED封装件的切开侧面透视图；
图7A至图7F是顺序地示出根据本发明示例性实施例的制造LED封装件的方法中包括的步骤的局部剖视图；
图8A是示出利用图7A至图7F中示出的根据示例性实施例的方法制造的LED封装件的模的表面的画面；
图8B是示出利用根据可选示例性实施例的制造方法制造的LED封装件的模的表面的画面；
图9A是高度相对于距离的曲线图，该曲线图示出了图8A中示出的利用根据示例性实施例的方法制造的模的被测量的表面概貌。
图9B是高度相对于距离的曲线图，该曲线图示出了图8B中示出的利用根据可选示例性实施例的方法制造的模的被测量的表面概貌。
图10是根据本发明示例性实施例的背光组件的分解透视图；
图11是根据本发明可选示例性实施例的背光组件的分解透视图。
具体实施方式
现在，在下文中将参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，且不应该被解释为局限于在这里所提出的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完整的，并将把本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。相同的标号始终表示相同的元件。
应该理解的是，当元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在该另一元件上，或者在它们之间可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意一个和所有组合。
应该理解的是，尽管在这里可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离本发明教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被称作第二元件、组件、区域、层或部分。
这里使用的术语仅是为了描述具体实施例的目的，而不意图限制本发明。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。还应理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
此外，在这里可使用相对术语，如“下面的”或“底部”以及“上面的”或“顶部”，用来描述如在图中所示的一个元件与其它元件的关系。应该理解的是，相对术语意在包含除了在图中描述的方位之外的装置的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为在其它元件的“下面的”侧部上的元件随后将被定位为在其它元件的“上面的”侧部上。因而，根据图的具体方位，示例性术语“下面的”可包括“下面的”和“上面的”两种方位。类似地，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”其它元件“上方”。因而，示例性术语“在...下方”或“在...之下”可包括上方和下方两种方位。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与相关领域和本公开的环境中它们的意思一致的意思，而不以理想的或者过于正式的含义来解释它们。
在此参照作为本发明理想实施例的示意图的剖面图来描述本发明的示例性实施例。这样，预计会出现例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，本发明的实施例不应该被解释为局限于在此示出的区域的具体形状，而将包括例如由制造导致的形状偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，示出的锐角可变圆。因此，图中示出的区域本质上是示意性的，它们的形状并不意图示出区域的精确形状，且不意图限制本发明的范围。
在下文中，将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例。具体地讲，现在将参照附图更详细地描述根据本发明示例性实施例的发光二极管(LED)封装件。
图1是根据本发明示例性实施例的LED封装件的侧面透视图。图2是图1中示出的根据本发明示例性实施例的LED封装件的切开侧面透视图。
参照图1和图2，LED封装件200包括：模260，具有容纳槽250；一个或多个LED芯片，安装在容纳槽250中，例如为第一LED芯片420、第二LED芯片430和第三LED芯片440；保护树脂600，设置在容纳槽250上；第一突起230，防止保护树脂600脱离模260，例如防止保护树脂600与模260分开。
具体地讲，容纳槽250形成在模260中。为了保护安装在容纳槽250中的第一LED芯片420、第二LED芯片430和第三LED芯片440，模260由聚合物树脂制成，具体地讲，由硬性的聚合物树脂制成。例如，模260可由聚邻苯二甲酰胺(PPA，polyphthalamide)制成，但是可选的示例性实施例不限于此。
容纳槽250包括侧表面210和底表面220。在示例性实施例中，容纳槽250的形状可以像杯子，如图1至图3所示。此外，容纳槽250的截面可以从底表面220向容纳槽250的顶部开口变宽。另外，容纳槽250的侧表面210可以包括倾斜平面。
第一突起230从容纳槽250的侧表面210突出，并防止保护树脂600脱离模260，例如防止保护树脂600与模260分开，更具体地讲，防止保护树脂600脱离容纳槽250，例如防止保护树脂600与容纳槽250分开，下面将对此更详细地进行描述。
在示例性实施例中，第一突起230可以与底表面220分开具有预定高度的间隙，以允许保护树脂600流到底表面220和第一突起230之间，例如流到所述间隙中。此外，第一突起230可以从侧表面210延伸并与底表面220基本平行。因此，通过第一突起230来固定保护树脂600，且保护树脂600不会向上脱离模260。另外，第一突起230可以沿着侧表面210的周边方向形成在侧表面210的整个表面上。
在可选的示例性实施例中，另外的突起240(例如，第二突起240)可以形成在容纳槽250的侧表面210上，从而进一步防止保护树脂600脱离模260，例如，将保护树脂600更加牢固地固定到容纳槽250，如图1至图3所示。与以上对第一突起230的描述类似，突起240可以与底表面220基本平行。第一突起230和另外的突起240可以彼此分开间隙，从而允许保护树脂600流到它们之间。另外的突起240和底表面220之间的距离可以与第一突起230和底表面220之间的距离不同。具体地讲，另外的突起240和底表面220之间的距离可以大于第一突起230和底表面220之间的距离，如图3中清晰地示出的。此外，另外的突起240还可以沿着侧表面210的周边方向形成在侧表面210的整个表面上。因为第一突起230和另外的突起240将保护树脂600固定到容纳槽250，所以即使例如潮气渗入容纳槽250中(例如在高温高湿条件下)，保护树脂600也不滑出容纳槽250。在示例性实施例中，第一突起230和另外的突起240形成在侧表面210上。然而，本发明不限于此。例如，第一突起230或另外的突起240可以形成在侧表面210上。
现在将参照图2和图3更详细地描述模260。图3是沿着图1的线A-A’截取的局部剖视图。
参照图2和图3，多个电极图案310至360形成在底表面220上。例如，可以通过在底表面220上涂覆具有充足导电性的材料(例如银(Ag))来形成电极图案310至360。在示例性实施例中，将在底表面220上被图案化的多个电极图案310至360分成正极图案320、340和360以及负极图案310、330和350。为了从外部源(未示出)接收功率，将正极图案320、340和360分别连接到正极端子720、740和760(见图1)，同时将负极图案310、330和350分别连接到负极端子710、730和750(见图4)。
一个或多个LED芯片，例如第一LED芯片420、第二LED芯片430和第三LED芯片440安装在多个电极图案310至360上。更具体地讲，利用膏体410将第一LED芯片420、第二LED芯片430和第三LED芯片440分别安装在正极图案340、320和360上，如图4所示。例如，膏体410可以是显著减轻变黄现象和/或有效防止变黄现象的硅膏。
现在将参照图4更加详细地描述LED封装件200的组件的布置。图4是图1中示出的根据本发明示例性实施例的LED封装件的顶部平面图。
参照图4，第一LED芯片420、第二LED芯片430和第三LED芯片440被芯片键合(die-bond)到膏体410上。表现白色的单个LED芯片，或者选择性地，多个LED芯片可用作第一LED芯片420、第二LED芯片430和/或第三LED芯片440。第一LED芯片420、第二LED芯片430和第三LED芯片440彼此没有电连接，并且可以分别芯片键合到正极图案340、320和360上，如图4所示。
在根据示例性实施例的LED封装件200中，第一LED芯片420形成在容纳槽250的底表面220的中心(见图3)。具体地讲，第一LED芯片420是垂直电极型LED芯片，第二LED芯片430和第三LED芯片440都是水平电极型LED芯片，因此第一LED芯片420比第二LED芯片430和第三LED芯片440高。另外，第一LED芯片420连接到单条引线530，而第二LED芯片430连接到一对引线510和520，第三LED芯片440连接到一对引线550和560。因为第一LED芯片420比第二LED芯片430和第三LED芯片440高，所以第一LED芯片420会更易于损坏。因此，在示例性实施例中，第一LED芯片420安装在容纳槽250的底表面220的中心。因此，在因潮气渗入容纳槽250中而使保护树脂(未示出)脱离容纳槽250的情况下，防止第一LED芯片420受到损坏。因此，还防止连接到第一LED芯片420的引线530断开。
在示例性实施例中，第一LED芯片420是发红光的红色LED芯片，第二LED芯片430和/或第三LED芯片440可以分别是发绿光的绿色LED芯片和发蓝光的蓝色LED芯片。
第一LED芯片420、第二LED芯片430和第三LED芯片440安装在多个电极图案310至360上，多个电极图案310至360分别连接到多个电极端子710至760(例如，正极端子720、740和760以及负极端子710、730和750)，以从外部源(未示出)接收功率。当通过多个电极图案310至360从外部源接收功率时，第一LED芯片420、第二LED芯片430和第三LED芯片440发光。
引线510至560键合到第一LED芯片420、第二LED芯片430和第三LED芯片440，并将第一LED芯片420、第二LED芯片430和第三LED芯片440电连接到多个电极图案310至360。如上所述，第一LED芯片420是垂直电极型LED，并连接到引线530。然而，第二LED芯片430和第三LED芯片440是水平电极型LED，并分别连接到一对引线510和520与一对引线550和560。
保护树脂600填充容纳槽250，从而保护第一LED芯片420、第二LED芯片430和第三LED芯片440。例如，保护树脂600可以由附着到模260的透光材料(例如聚硅氧烷)制成，但是可选的示例性实施例不限于此。保护树脂600填充容纳槽250至与模260的高度基本相等的水平。可选择地，保护树脂600可以填充容纳槽250至比模260的高度高的水平，并以圆顶形从模260突出，如图3中清晰地示出的。
在下文中，将参照图5和图6更详细地描述根据本发明示例性实施例的LED封装件。图5是根据本发明可选示例性实施例的LED封装件的侧面透视图。图6是图5中示出的根据本发明可选示例性实施例的LED封装件的切开侧面透视图。在图1至图4与图5和图6之间，相同的参考符号表示相同或相似的组件；因此，在下文中将省略对其的任何重复性描述。应该注意的是，图5和图6中示出的根据可选示例性实施例的LED封装件中的突起和/或另外的突起的形状与图1至图4中示出的根据本发明示例性实施例的LED封装件200中的第一突起230和另外的突起240的形状不同。
参照图5和图6，根据本发明可选示例性实施例的LED封装件201包括模261，模261具有形成在其中的容纳槽251。多个突起231沿着侧表面211的内周形成在容纳槽251的侧表面211上。多个突起231中的突起231彼此分开。具体地讲，图1和图2中示出的根据示例性实施例的第一突起230沿着侧表面210的内周连续地形成在侧表面210上，例如，第一突起230是连续的，但是图5和图6中示出的根据示例性实施例的突起231是不连续的，例如，沿着侧表面211的内周形成在侧表面211上并且彼此分开。因此，在图5和图6中示出的示例性实施例中，侧表面211的位于突起231之间的部分被暴露。
然而，在示例性实施例中，另外的突起240沿着侧表面211的另一内周形成在侧表面211的整个表面上，如图5和图6所示。然而，本发明可选的示例性实施例不限于此。例如，另外的突起240可以是这样的突起，即所述突起作为形成在侧表面211上的一个或多个突起而形成，例如，另外的突起240可以与突起231基本相同。在这种情况下，突起231的位置和另外的突起240的位置可以叠置，或者可选地，可以按照交替的方式设置突起231的位置和另外的突起240的位置。此外，突起231和/或另外的突起240可以具有各种形状，并可以形成在各种位置，从而防止保护树脂600脱离容纳槽251。
在下文中，将参照图2和图7A至图7F描述根据本发明示例性实施例的制造LED封装件的方法。图7A至图7F是顺序地示出根据本发明示例性实施例的制造LED封装件的方法中包括的步骤的局部剖视图。可以利用在下文参照图2和图7A至图7F描述的根据示例性实施例的制造方法来制造以上参照图1和图2描述的根据本发明示例性实施例的LED封装件200与参照图5和图6描述的根据本发明示例性实施例的LED封装件201。然而，为了讨论的目的，将描述图1中示出的根据示例性实施例的LED封装件200的制造方法作为示例，但是可选的示例性实施例不限于此。另外，图7A至图7F中相同的参考符号表示图2中相同或相似的组件，在下文中将省略对其的任何重复性的详细描述。
参照图2和图7A，划分具有容纳槽250的模260。具体地讲，将模260分成上部260_1和下部260_2。容纳槽250的底表面220形成在模260的下部260_2中，容纳槽250的侧表面210形成在模260的上部260_1中，如图7A所示。第一突起230和另外的突起240形成在模260的上部260_1中，从而防止保护树脂600脱离模260，如以上更详细地描述的。
接着，形成多个电极图案310至360。例如，可以通过在模260的下部260_2上涂覆导电材料(例如Ag)来形成多个电极图案310至360。更具体地讲，形成多个电极图案310至360中一对电极图案330和340用于将安装在其上的第一LED芯片420，形成多个电极图案310至360中一对电极图案310和320用于将安装在其上的第二LED芯片430，形成多个电极图案310至360中一对电极图案350和360用于将安装在其上的第三LED芯片440，使得第一LED芯片420、第二LED芯片430和第三LED芯片440可以分别连接到正极图案340、320和360，且可以分别连接到负极图案330、310和350。在这种情况下，连接到多个电极图案310至360的电极端子(未示出)从模260突出，以将多个电极图案310至360连接到外部电源(未示出)。在形成多个电极图案310至360之后，将上部260_1与下部260_2组合，从而形成模260。
参照图2和图7B，将一个或多个LED芯片(例如第一LED芯片420、第二LED芯片430和第三LED芯片440)芯片键合到多个电极图案310至360上。更具体地讲，利用膏体410将第一LED芯片420、第二LED芯片430和第三LED芯片440安装在多个电极图案310至360上。在示例性实施例中，例如，可以利用膏体410将彼此没有电连接的第一LED芯片420、第二LED芯片430和第三LED芯片440分别安装在正极图案340、320和360上。另外，第一LED芯片420是垂直电极型LED芯片，因此比第二LED芯片430和第三LED芯片440高，如以上更详细地描述的。
现在，参照图2和图7C，将具有第一LED芯片420、第二LED芯片430和第三LED芯片440的模260放在真空室(未示出)中，并利用例如氩(Ar)气对模260执行第一等离子体处理。结果，将第一LED芯片420、第二LED芯片430和第三LED芯片440与多个电极图案310至360上的杂质去除，从而增强了随后的引线键合工艺过程中第一LED芯片420、第二LED芯片430和第三LED芯片440与多个电极图案310至360的键合能力。
参照图2和图7D，将第一LED芯片420、第二LED芯片430和第三LED芯片440引线键合到多个电极图案310至360。更具体地讲，采用引线530将包括垂直电极型LED芯片的第一LED芯片420连接到电极图案330。另外，采用引线520将包括水平电极型LED芯片的第二LED芯片430连接到正极图案320，采用引线510将第二LED芯片430连接到负极图案310，采用引线560将包括水平电极型LED芯片的第三LED芯片440连接到正极图案360，采用引线550将第三LED芯片440连接到负极图案350。
参照图2和图7E，例如，利用诸如Ar的气体对上面安装有引线键合的第一LED芯片420、第二LED芯片430和第三LED芯片440的容纳槽250执行第二等离子体处理。结果，从容纳槽250去除杂质。因此，在示例性实施例中，使保护膜600牢固地附着到模260和容纳槽250。可以利用来自第一等离子体处理的Ar气执行第二等离子体处理，但是本发明可选的示例性实施例不限于此。第一等离子体处理中使用的真空室和气体也可以用在第二等离子体处理中，从而显著减少了处理时间和成本，和/或有效地使处理时间和成本最少化。此外，第一等离子体处理和第二等离子体处理提高了保护树脂600对模260的附着力，因此减小了例如由于已经渗入容纳槽250中的潮气而使保护树脂600脱离模260的可能性。以下将参照图8A至图9B更加详细地描述第二等离子体处理的特定效果。
现在参照图2和图7F，用保护树脂600填充容纳槽250。例如，可以由聚硅氧烷制成保护树脂600，但可选的示例性实施例不限于此。在本发明的示例性实施例中，通过第一突起230和/或另外的突起240将保护树脂600牢固地固定到容纳槽250，从而显著减小了在高温和/或高湿条件下保护树脂600脱离容纳槽250的可能性。
现在将参照图8A至图9B更加详细地描述利用根据本发明示例性实施例的制造方法制造的LED封装件200的性能说明。图8A是示出利用图7A至图7F中示出的根据示例性实施例的方法制造的LED封装件200的模260的表面的画面。图8B是示出利用根据可选示例性实施例的制造方法制造的LED封装件的模的表面的画面。图9A是高度相对于距离的曲线图，该曲线图示出了图8A中示出的根据示例性实施例的模260的被测量的表面概貌。图9B是高度相对于距离的曲线图，该曲线图示出了图8B中示出的可选示例性实施例的模的被测量的表面概貌。
更具体地讲，图8A和图9A分别是画面和曲线图，所述画面和曲线图示出了如以上更详细地描述的利用包括第二等离子体处理的制造方法制造的LED封装件200的模260的表面。另一方面，图8B和图9B分别是画面和曲线图，所述画面和曲线图示出了利用根据可选示例性实施例不包括第二等离子体处理的制造方法制造的LED封装件的模的表面。在图8A和图8B中，横向和纵向表示模的表面的距离(单位为微米(μm))，同时示出了在模的表面上的对应位置处的模高度(单位为埃(
Figure G2008101815771D0011180403QIETU
))。
参照图8A，与图8B相比，利用根据本发明示例性实施例包括第二等离子体处理的方法制造的LED封装件200的模260的高度在模260的整个表面是均匀的。此外，参照图9A中示出的模260的表面的图示，可以清楚地看出：与图9B相比，已经执行了第二等离子体处理的LED封装件200的模260的表面相对平坦。结果，对于根据本发明的包括第二等离子体处理的示例性实施例的模260，由例如PPA制成的模260的结合部位的数目较多，从而增强了由例如聚硅氧烷制成的保护树脂600对模260的附着力。换言之，利用第一等离子体处理和第二等离子体处理制造的LED封装件200的模260和保护树脂600彼此牢固地附着。因此，显著地减小了例如当潮气渗入模260中时保护树脂600将脱离模260的可能性。因此，有效地减小了第一LED芯片420、第二LED芯片430和/或第三LED芯片440损坏的可能性。
相反，参照图8B和图9B，与图8A和图9A相比，利用不包括第二等离子体处理的制造方法制造的LED封装件(未示出)的模的高度根据模表面上的位置而显著地变化。因此，保护树脂对LED封装件的模的附着力比根据本发明包括第二等离子体处理的示例性实施例的保护树脂600对LED封装件200的模260的附着力弱。因此，保护树脂将脱离模的可能性会增大，从而会增大一个或多个LED芯片损坏的可能性。
在下文中，将参照图10描述根据本发明示例性实施例的背光组件。图10是根据本发明示例性实施例的背光组件的分解透视图。在上文被更详细地描述的根据示例性实施例的LED封装件200和LED封装件201可以应用在下述的背光组件中，可选的示例性实施例不限于此。然而，为了示出的目的，将更详细地描述LED封装件200(在图1中清晰地示出)被应用在背光组件中的示例性实施例。
参照图10，根据示例性实施例的背光组件300可以是边光式背光组件300，在边光式背光组件300中，一个或多个光源200设置在导光板120的侧面上。在示例性实施例中，一个或多个LED封装件200被用作光源200。更具体地讲，根据示例性实施例的背光组件300包括被布置在布置板110上的多个LED封装件200。背光组件300还包括导光板120、光学片130、反射片140、第一容器150和第二容器160。
布置板110的纵向长度对应于背光组件300的纵边的长度，如图10所示。
在示例性实施例中，布置板110设置在背光组件300的一侧纵边上，或者可选地，设置在背光组件300的两侧纵边上，多个LED封装件200中的LED封装件200彼此连接并布置在布置板110上。另外，LED封装件200的电极端子(未示出)连接到在布置板110上设置的电源装置(未示出)。例如，发红光、绿光和/或蓝光的一个或多个LED芯片(未示出)安装在LED封装件200中的每个上。在示例性实施例中，从LED芯片发射的红光、绿光和/或蓝光混合，从而输出为白光，但是本发明的示例性实施例不限于此。
如图10所示，导光板120是具有基本平坦的表面的线性板，并向光学片130引导来自LED封装件200的入射光。具体地讲，布置板110被设置成在导光板120的一侧与导光板120基本平行，或者可选择地，在导光板120的两侧与导光板120基本平行。因此，从布置在布置板110上的LED封装件200向导光板120供给白光。
在示例性实施例中，例如，导光板120由透光材料(例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和丙烯酸树脂)制成，或者在可选的示例性实施例中，由具有均匀折射率的材料(例如聚碳酸酯(PC))制成。
光学片130设置在导光板120上，并漫射和/或会聚从导光板120接收的白光。在示例性实施例中，光学片130包括漫射片132、设置在漫射片132上的第一棱镜片134和设置在第一棱镜片134上的第二棱镜片136，但是可选的示例性实施例不限于此。
反射片140设置在导光板120下方，并具有向上反射从导光板120发射的光的反射表面。
第一容器150可以基本上是线性的，并可包括沿着其边缘形成的侧壁。因此，具有LED封装件200的布置板110、导光板120、光学片130和反射片140被容纳在形成在第一容器150的侧壁内的空间中。
同样，第二容器160可以是线性的，并可具有沿着其边缘形成的侧壁。第二容器160保护光学片130和导光板120。因为第二容器160具有设置在其上表面的孔(例如开口)，所以从LED封装件200发射的光透射穿过所述孔。根据本发明的示例性实施例，第二容器160结合到第一容器150，从而形成背光组件300。
根据示例性实施例的背光组件300包括LED封装件200，LED封装件200具有良好的耐热性和抵抗潮气渗入的能力。因此，可以将更高的功率施加到背光组件，同时显著提高了背光组件的可靠性。
在下文中，将更详细地描述根据本发明可选示例性实施例的背光组件。图11是根据本发明可选示例性实施例的背光组件的分解透视图。在图11中，相同的标号表示图10中相同或相似的组件，在下文中将省略对其的任何重复性的详细描述。
参照图11，根据示例性实施例的背光组件301是直下式背光组件301，在直下式背光组件301中，一个或多个光源200设置在第一容器150的下表面上，例如，设置在第一容器150的底表面上。在示例性实施例中，一个或多个LED封装件200(见图1)被用作光源200。
根据示例性实施例的背光组件301还包括漫射板121。此外，如图11所示，包括LED封装件200的布置板111设置在第一容器150的底表面上。
根据示例性实施例的布置板111的尺寸可以与漫射板121以及液晶面板(未示出)的尺寸基本相同。此外，根据示例性实施例的布置板111设置在第一容器150的底表面上。
LED封装件200布置在布置板111的第一表面上，从而形成面光源。更具体地讲，如图11所示，沿着横向和纵向以基本相等的间隔布置LED封装件200。
另外，漫射板121设置在布置板111上，所述布置板111包括布置在其上的LED封装件200。因此，漫射板121提高了从LED封装件200发射的光的亮度均匀性。
反射片140设置在包括布置在上面的LED封装件200的布置板111的相对的第二表面上。因此，如图11所示的根据本发明示例性实施例的背光组件301包括耐热性和抵抗潮气渗入的能力良好的LED封装件200，因此可以向该背光组件施加更高的功率，同时显著提高了背光组件的可靠性。
因此，根据这里所描述的本发明的示例性实施例，根据本发明示例性实施例的LED封装件、制造该LED封装件的方法和包括该LED封装件的背光组件提供了下述优点中的至少一个优点。
第一，在模中形成一个或多个突起，从而显著减小了当潮气渗入模中时保护树脂将滑出模的可能性。
第二，比其它LED芯片高的LED芯片设置在模的中心。因此，显著减小了由保护树脂的脱离导致断开的可能性。
第三，因为有效地增多了等离子体处理的次数，所以保护树脂更加牢固地附着到模。
本发明不应该被解释为局限于在这里所提出的示例性实施例。相反，提供这些示例性实施例使得本公开将是彻底和完整的，并将把本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。应当仅按照描述性的含义来解释示例性实施例，而不是出于限制的目的。
虽然已经参照本发明的示例性实施例具体示出并描述了本发明，但是本领域普通技术人员应当理解，在不脱离由权利要求限定的本发明的精神或范围的情况下，在此可以做出形式上和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种发光二极管封装件，包括：
模，包括形成在所述模中的容纳槽，容纳槽包括侧表面和底表面；
电极图案，设置在所述底表面上；
多个发光二极管芯片，设置在电极图案上；
保护树脂，设置在容纳槽中，并填充容纳槽以覆盖所述电极图案和所述多个发光二极管芯片，
其中，所述多个发光二极管芯片中的中心发光二极管芯片设置在所述底表面的中心，中心发光二极管芯片在所述底表面上方的高度大于所述多个发光二极管芯片中的其它发光二极管芯片在所述底表面上方的高度。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，中心发光二极管芯片包括垂直电极型发光二极管芯片。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装件，其中，中心发光二极管芯片还包括红色发光二极管芯片。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装件，还包括从所述侧表面向所述底表面的中心延伸的第一突起，
其中，第一突起设置在所述底表面上方并与所述底表面分开第一间隙，第一间隙具有第一距离，并且第一突起防止保护树脂脱离所述模。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装件，还包括从所述侧表面向所述底表面的中心延伸的第二突起，
其中，第二突起设置在所述底表面上方并与所述底表面分开第二间隙，第二间隙具有与第一距离不同的第二距离，并且第二突起防止保护树脂脱离所述模。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装件，其中，第一突起和第二突起中的至少一个沿着所述侧表面的内周连续地形成。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装件，其中，限定第一突起和第二突起中的至少一个突起的平面与限定所述底表面的平面基本上平行。
8.如权利要求5所述的发光二极管封装件，其中，
第一突起和第二突起中的至少一个被分成均隔开预定距离的多个部分，所述多个部分中的部分沿着所述侧表面的内周顺序地形成，且彼此间被移置所述预定距离。
9.一种制造发光二极管封装件的方法，所述方法包括以下步骤：
在模中形成容纳槽；
在容纳槽中形成底表面；
在容纳槽中形成侧表面；
在所述底表面上形成电极图案；
在所述底表面的中心并在电极图案上设置中心发光二极管芯片；
在电极图案上设置旁边的发光二极管芯片；
在容纳槽中设置保护树脂，保护树脂填充容纳槽以覆盖所述电极图案、所述中心发光二极管芯片和所述旁边的发光二极管芯片，
其中，中心发光二极管芯片在所述底表面上方的高度大于所述旁边的发光二极管芯片在所述底表面上方的高度。
10.如权利要求9所述的方法，其中，在电极图案上设置中心发光二极管芯片的步骤和在电极图案上设置所述旁边的发光二极管芯片的步骤中的至少一个步骤包括：
将中心发光二极管芯片和所述旁边的发光二极管芯片中的至少一个芯片芯片键合到电极图案上；
并对容纳槽执行第一等离子体处理。
11.如权利要求10所述的方法，还包括：
在第一等离子体处理之后，将中心发光二极管芯片和所述旁边的发光二极管芯片中的所述至少一个芯片引线键合到电极图案上；
并对容纳槽执行第二等离子体处理。
12.如权利要求11所述的方法，其中，执行第一等离子体处理的步骤和执行第二等离子体处理的步骤中的至少一个步骤包括使用氩气。
13.如权利要求9所述的方法，其中，中心发光二极管芯片包括垂直电极型发光二极管芯片。
14.如权利要求9所述的方法，还包括以下步骤：
形成从所述侧表面向所述底表面的中心延伸的第一突起，
其中，第一突起设置在所述底表面上方并与所述底表面分开第一间隙，第一间隙具有第一距离，并且第一突起防止保护树脂脱离所述模。
15.如权利要求14所述的方法，还包括以下步骤：
形成从所述侧表面向所述底表面的中心延伸的第二突起，
其中，第二突起设置在所述底表面上方并与所述底表面分开第二间隙，第二间隙具有与第一距离不同的第二距离，并且第二突起防止保护树脂脱离所述模。
16.一种背光组件，所述背光组件包括第一容器、设置在第一容器中的布置板和设置在布置板上的发光二极管封装件，所述发光二极管封装件包括：
模，包括形成在所述模中的容纳槽，容纳槽包括侧表面和底表面；
电极图案，设置在所述底表面上；
多个发光二极管芯片，设置在电极图案上；
保护树脂，设置在容纳槽中，并填充容纳槽以覆盖所述电极图案和所述多个发光二极管芯片，
其中，所述多个发光二极管芯片中的中心发光二极管芯片设置在所述底表面的中心，中心发光二极管芯片在所述底表面上方的高度大于所述多个发光二极管芯片中的其它发光二极管芯片在所述底表面上方的高度。
17.如权利要求16所述的背光组件，其中，中心发光二极管芯片包括垂直电极型发光二极管芯片。
18.如权利要求17所述的背光组件，其中，中心发光二极管芯片还包括红色发光二极管芯片。
19.如权利要求16所述的背光组件，还包括从所述侧表面向所述底表面的中心延伸的第一突起，
其中，第一突起设置在所述底表面上方并与所述底表面分开第一间隙，第一间隙具有第一距离，并且第一突起防止保护树脂脱离所述模。
20.如权利要求19所述的背光组件，还包括从所述侧表面向所述底表面的中心延伸的第二突起，
其中，第二突起设置在所述底表面上方并与所述底表面分开第二间隙，第二间隙具有与第一距离不同的第二距离，并且第二突起防止保护树脂脱离所述模。
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CN (1) CN101447477B (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008057140A1 (de) * 2008-11-13 2010-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US8058667B2 (en) * 2009-03-10 2011-11-15 Nepes Led Corporation Leadframe package for light emitting diode device
KR100986571B1 (ko) * 2010-02-04 2010-10-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP5507330B2 (ja) 2010-04-27 2014-05-28 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
DE102011003608A1 (de) * 2010-08-20 2012-02-23 Tridonic Gmbh & Co. Kg Gehäustes LED-Modul
CN102456806A (zh) * 2010-10-26 2012-05-16 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
US20120236532A1 (en) * 2011-03-14 2012-09-20 Koo Won-Hoe Led engine for illumination
CN102760824B (zh) * 2011-04-29 2016-06-08 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN102956624A (zh) * 2011-08-17 2013-03-06 盈胜科技股份有限公司 多层式阵列型发光二极管光引擎
JP5587949B2 (ja) * 2011-11-10 2014-09-10 京セラコネクタプロダクツ株式会社 半導体発光素子取付用モジュール、及び、半導体発光素子モジュール
TWI489657B (zh) * 2012-04-12 2015-06-21 Lextar Electronics Corp 發光二極體封裝件
KR20130127838A (ko) * 2012-05-15 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
CN102751425B (zh) * 2012-05-30 2016-05-04 日月光半导体制造股份有限公司 发光二极管封装构造及其承载件
KR20140041243A (ko) * 2012-09-27 2014-04-04 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 패키지 기판
TWM458672U (zh) * 2013-04-10 2013-08-01 Genesis Photonics Inc 光源模組
KR20160069161A (ko) * 2014-12-08 2016-06-16 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈
DE102016101719A1 (de) * 2016-02-01 2017-08-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE102018125127A1 (de) * 2018-10-11 2020-04-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102021130173A1 (de) * 2021-11-18 2023-05-25 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Elektronische vorrichtung und verfahren zur herstellung einer elektronischen vorrichtung

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6274924B1 (en) * 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
CN101015071A (zh) * 2004-09-10 2007-08-08 首尔半导体株式会社 具多模造树脂的发光二极管封装

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0521458U (ja) * 1991-08-30 1993-03-19 サンケン電気株式会社 半導体発光装置
JP3778597B2 (ja) * 1995-10-18 2006-05-24 日亜化学工業株式会社 Ｌｅｄチップのダイボンド方法
JPH10229221A (ja) * 1997-02-17 1998-08-25 Kouha:Kk 発光ダイオード表示装置およびそれを利用した画像表示装置
JPH10284757A (ja) * 1997-04-04 1998-10-23 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード装置
JP2907811B1 (ja) * 1998-04-27 1999-06-21 松下電器産業株式会社 半導体発光素子の実装方法および実装体
JP4305850B2 (ja) * 2004-05-24 2009-07-29 株式会社 日立ディスプレイズ バックライト装置及び表示装置
KR101270821B1 (ko) * 2004-11-09 2013-06-05 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 광반도체 밀봉 재료
JP5046507B2 (ja) * 2005-10-27 2012-10-10 京セラ株式会社 発光素子用配線基板および発光装置
JP2007273613A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Mitsubishi Electric Corp 発光ダイオード光源及び照明装置
JP2007305785A (ja) * 2006-05-11 2007-11-22 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6274924B1 (en) * 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
CN101015071A (zh) * 2004-09-10 2007-08-08 首尔半导体株式会社 具多模造树脂的发光二极管封装

Also Published As

Publication number Publication date
US20090134408A1 (en) 2009-05-28
JP2009135405A (ja) 2009-06-18
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KR20090055272A (ko) 2009-06-02

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