CN101447460B - 制造电子装置的方法及电子装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种制造电子装置的方法以及电子装置，该电子装置在设有薄膜晶体管的基板上设有抗蚀图。所述方法包括以下步骤：在基板上通过涂敷形成处于覆盖薄膜晶体管的状态的抗蚀膜，通过对抗蚀膜进行曝光和显影处理以形成抗蚀图，并在薄膜晶体管的沟道部分不会受到波长短于260nm的光的照射的情况下，在干燥气氛中以至少紫外光和可见光之一照射抗蚀图，其中，在以至少紫外光和可见光之一照射之后实施热硬化抗蚀图的步骤。使用所述方法可以避免在热硬化期间抗蚀材料回流，且抗蚀图的表面形状保持为通过曝光和显影被图形化后的形状。所述电子装置用所述方法形成，至少在P沟道型的薄膜晶体管的沟道部分上设有适合于隔断波长短于260nm的光的照射的遮光膜。

Description

制造电子装置的方法及电子装置
相关申请的交叉引用
本发明包含与2007年11月26日向日本专利局提交的日本专利申请JP2007-304357相关的主题，将该申请的全部内容通过引用并入此处。
技术领域
本发明涉及一种制造电子装置的方法和一种电子装置。更具体地，本发明涉及制造电子装置的方法及电子装置，所述电子装置例如是显示装置，在所述电子装置中，在设有薄膜晶体管的基板上设置抗蚀图以作为绝缘膜。
背景技术
例如在诸如液晶显示装置等薄型电子装置中，使用多个薄膜晶体管的诸如像素电路及驱动电路的电子电路设置于基板上。在这样的电子装置中，抗蚀图被用作覆盖薄膜晶体管的层间绝缘膜。在液晶显示装置中例如使用正型抗蚀材料，所述正型抗蚀材料含有作为基本树脂的高度透明的丙烯酸聚合物以及作为感光剂的重氮化合物。
抗蚀图按如下步骤形成。首先，未硬化的抗蚀膜通过涂敷形成于基板上，并对未硬化的抗蚀膜进行曝光和显影处理以形成抗蚀图。然后，进一步对抗蚀图进行热硬化。在所述热硬化中，例如在上述正型抗蚀剂含有作为感光剂的重氮化合物的情况下，以波长达到320nm的紫外光进行照射导致处理时间的显著缩短(参见日本专利公开公报No.平5-26189)。
另外，作为增强抗蚀膜在热硬化后的耐热性的手段，例如，一种在热硬化时以含有紫外线的光实施照射的方法(参见日本专利公报No.3356115)已被提出。而且，还提出了一种在降低的压力下以高能量辐射实施照射并接着实施热硬化的方法。据称，按照此步骤，避免了作为感光剂的重氮化合物转化为羧酸的同时进行交联反应，从而获得了致密且表现出耐热性和耐化学性得到增强的抗蚀图(参见日本专利申请公开公报No.2004-309955)。
然而已发现，在上述制造方法中，如图25所示，在抗蚀图的硬化处理期间用紫外光照射薄膜晶体管的沟道部会引起薄膜晶体管、尤其是P沟道型薄膜晶体管的特性的恶化。而且，如图26中所示，与不用紫外光照射所得到的特性相比，薄膜晶体管的特性的恶化随着照射能量变高而变得严重。
发明内容
鉴于上述问题，需要一种电子装置的制造方法以及一种电子装置，其中对抗蚀图加以硬化的同时可保持其刚光刻后的形状，而不降低覆盖有抗蚀图的薄膜晶体管的特性。
根据本发明的一个实施例，提供了一种制造电子装置的方法，该电子装置在设有薄膜晶体管的基板上设置有抗蚀图，该方法实施如下：首先，通过涂敷在所述基板上形成抗蚀膜以处于覆盖所述薄膜晶体管的状态。接下来，对抗蚀膜进行曝光和显影处理，从而形成抗蚀图。然后，对设有抗蚀图的基板进行干燥处理。随后，对已经过干燥处理的抗蚀图在干燥气氛中以至少紫外光和可见光之一进行照射。在此实例中，实施光照射的条件是薄膜晶体管的沟道部不会受到波长短于260nm的光的照射。然后，对抗蚀图进行热硬化。
在如上所述的方法中，在热硬化通过曝光和显影所形成的抗蚀图的步骤之前，执行在填充有干燥气体的气氛中以至少紫外光和可见光之一进行照射的步骤。这确保可以避免在后续的热硬化期间抗蚀材料的回流，且抗蚀图的表面形状保持在通过曝光和显影被图形化后的形状。而且，在以至少紫外光和可见光之一进行照射的步骤中，薄膜晶体管的沟道部可以免受波长短于260nm的光的照射。因此，由于以短波长的光照射沟道部而引起的薄膜晶体管的特性的恶化，尤其是P型薄膜晶体管P-Tr的特性的恶化可免于发生。
而且，根据本发明的另一实施例，提供了一种适用于根据本发明的一个实施例的上述制造方法的电子装置的配置。在该电子装置中，薄膜晶体管属于底栅型，且为P沟道型，其中至少在所述P沟道型薄膜晶体管的沟道部上设有用于隔断波长短于260nm的光的照射的遮光膜，使得在对抗蚀图加以硬化时不降低覆盖有抗蚀图的薄膜晶体管的特性，从而在该电子装置的制造过程中，以至少紫外光和可见光之一进行照射抗蚀图的步骤中，薄膜晶体管的沟道部可以免受波长短于260nm的光的照射。
根据本发明的上述实施例，可以获得具有高耐热性的抗蚀图的液晶显示装置，该抗蚀图在被牢固地硬化的同时可以保持其刚光刻后的形状，而覆盖有抗蚀图的薄膜晶体管的特性并无恶化。
附图说明
图1A到1C是图示根据第一至第四实施例的制造方法的截面步骤图；
图2是图示根据第一实施例的制造方法的主要部分的流程图；
图3是在第一至第四实施例中得到的液晶显示装置的关键部分的截面图；
图4R、4A及4B表示根据在第一实施例中的步骤及经历得到的抗蚀图的表面状况；
图5表示在第一实施例的范围中的硬化处理中，通过改变照射抗蚀图的光的波长范围而得到的被硬化的抗蚀图的形状保持程度的测量结果；
图6A和6B是表示在根据第一实施例的步骤对抗蚀图进行硬化处理之后以及比较处理之后，抗蚀图下面的薄膜晶体管的晶体管特性的曲线图；
图7是表示根据第一实施例中的步骤和经历得到的抗蚀图的吸收光谱的曲线图；
图8是图示根据第二实施例的制造方法的主要部分的流程图；
图9是表示在第二实施例中所用的抗蚀材料在曝光之前的吸收光谱的曲线图；
图10是表示在膜厚不同的抗蚀图之下的薄膜晶体管的晶体管特性的曲线图，所述抗蚀图以具有图9的吸收光谱的抗蚀材料制作；
图11是图示根据第三实施例的制造方法的主要部分的流程图；
图12是图示根据第三实施例的制造方法的主要部分的关键部分的截面图；
图13是图示根据第四实施例的制造方法的主要部分的流程图；
图14是表示在应用根据第四实施例的方法加以硬化的抗蚀图之下的薄膜晶体管的晶体管特性的曲线图，还包括参考曲线；
图15A至15C是图示根据第五实施例的制造方法的截面步骤图；
图16是图示根据第五实施例的制造方法的主要部分的流程图；
图17是在第五实施例中得到的液晶显示装置的关键部分的截面图；
图18是表示在应用根据第五实施例的方法加以硬化的抗蚀图之下的薄膜晶体管的晶体管特性的曲线图，还包括参考曲线；
图19是表示根据实施例的液晶显示装置的电路配置的示例的图；
图20是应用了本发明的电视机的立体图；
图21A和21B表示应用了本发明的数码相机，其中图21A是从正面侧看的立体图，图21B是从背侧看的立体图；
图22是应用了本发明的笔记本式个人电脑的立体图；
图23是应用了本发明的摄像机的立体图；
图24A至24G表示应用了本发明的PDA，例如为手机，其中图24A和图24B分别是其展开状态的前视图和侧视图，图24C-24G分别是其闭合状态的前视图、左侧视图、右侧视图、俯视图和仰视图；
图25是表示经紫外光照射的P沟道型薄膜晶体管的特性的恶化的曲线图；以及
图26表示薄膜晶体管的特性基于紫外光的照射能量恶化的曲线图。
具体实施方式
现在，将在下面描述应用了本发明的制造有源矩阵驱动型的半透射半反射液晶显示装置的方法的实施例，该液晶显示装置是一种设有薄膜晶体管的电子装置。
第一实施例
图1A至1C是图示根据第一实施例的制造方法的截面步骤图，其中示出了液晶显示装置的显示区域1a的单像素部，以及布置于显示区域1a的周围的周边区域1b的关键部分。
首先如图1A中所示，每个具有依次层叠的栅极3、栅绝缘膜5和半导体层7的底栅型薄膜晶体管Tr形成于由玻璃之类制成的透明的第一基板1上。在此情况下，例如在显示区域1a中，对应于每个像素形成n沟道型薄膜晶体管(n型薄膜晶体管)n-Tr。另一方面，在周边区域1b中形成n型薄膜晶体管n-Tr和p型薄膜晶体管P-Tr。顺便提及，在图中的周边区域1b中仅示出了p型薄膜晶体管P-Tr。
随后，设有薄膜晶体管Tr的第一基板1在其上侧被层间绝缘膜9覆盖，布线11形成并通过形成于层间绝缘膜9中的接触孔与薄膜晶体管Tr连接。因此，显示区域1a中的每个像素设有使用了薄膜晶体管Tr的像素电路13。另外，在周边区域1b中形成使用n型薄膜晶体管n-Tr和P型薄膜晶体管P-Tr的CMOS配置的驱动电路15。下面将描述像素电路13和驱动电路15的细节。
按上述方式，形成所谓的TFT基板20。在TFT基板20的正面侧上，因薄膜晶体管Tr和布线11而产生崎岖不平的形状(凹凸形)。
随后，如图1B中所示，在TFT基板20上通过涂敷(涂布)形成未硬化的抗蚀膜22。这里，使用含有重氮化合物作为感光剂以及至少丙烯酸酯和异丁烯酸酯之一作为基本树脂的正型抗蚀材料。顺便提及，例如可使用以日本专利No.3642048为例的抗蚀材料作为该抗蚀材料。而且，希望抗蚀材料包括具有环氧基团的化合物，环氧基团使抗蚀膜容易被硬化。
而且，这里使用此抗蚀材料所形成的抗蚀膜22的厚度约为3.5至6.0μm。这确保了TFT基板20的正面侧上的崎岖不平的形状变得足够平整，且包括抗蚀膜22的结构形成为足够的高度。
接下来，以大厚度形成的抗蚀膜22进行多步图案曝光，在所述多步图案曝光中的曝光量是可控的。这里，由于正型抗蚀剂用于形成抗蚀膜22，多步曝光可以如此实施，即在显影处理后抗蚀膜22需要保留较大厚度的区域中，曝光量可以被控制为较小。
例如，对正好处于布线11上方的接触部22c以最大曝光量进行曝光，以通过全部除去该处的抗蚀膜22从而形成作为通孔的接触孔。另一方面，用于形成控制液晶显示装置中的单元间隙的柱状隔离物的隔离部分22s不会受到曝光光线的照射，从而抗蚀膜22在该处保留最大厚度。而且，在显示区域1a中，由于透射显示部1t被挖掘到低于反射显示部1r的高度，从而在透射显示部1t和反射显示部1r之间出现一个台阶，故对透射显示部1t进行的曝光量大于对反射显示部1r的曝光量。对反射显示部1r进行曝光以提供具有崎岖不平的表面形状的光漫射表面。此外，若有必要，可对透射显示部1t和反射显示部1r进行曝光，以提供用于调整构成液晶层的液晶分子的定向的凹进或者凸出的定向元件。
顺便提及，在第一实施例中，对周边区域1b进行曝光足以使抗蚀膜22保留必要的厚度。
在如上所述的曝光中，重要的是使薄膜晶体管Tr、尤其是P型薄膜晶体管P-Tr中的沟道部ch免受波长短于260nm的光的照射。通常是使用以超高压汞灯作为光源的步进机(stepper)实施此曝光。自超高压汞灯发出的曝光光线的亮线为365nm(g线)/405nm(h线)/436nm(i线)，而沟道部ch不会被波长短于260nm的光照射。因此，可通过应用相关技术中的曝光技术，使用具有超高压汞灯的步进机而实施曝光。
在如上所述的多步曝光之后，对抗蚀膜22进行显影处理以进行图形化，已曝光部分由此溶解于显影溶液中。
此步骤产生抗蚀图24，其中如图1C中所示，抗蚀膜22图形化后的形状为设有一个预订的台阶d，该台阶d使得透射显示部1t处于底层而反射显示部1r处于上层，反射显示部1r设有具有崎岖不平形状的光漫射表面24b，且设有延伸至布线11的接触孔24c和柱状隔离物24s。另外，若有必要，以图形化的方式形成凹凸定向元件。
随后，进行用于硬化抗蚀图24的步骤，该步骤与后续的步骤共同构成第一实施例的主要部分。现在，将在下面使用图2所示的流程图描述硬化过程。
首先，在步骤S1中，对设有如上所述的抗蚀图的基板进行干燥处理。这可以使得从包围抗蚀图的气氛中并从抗蚀膜中去除湿气(水)。干燥处理通过减压干燥或通过将减压干燥和加热干燥结合进行。顺便提及，在结合加热干燥的情况下，重要的是要通过使加热温度保持在抗蚀材料的玻璃转变点以下，以免发生抗蚀材料的回流。
这里，在干燥处理步骤中所用的处理条件成为控制抗蚀图在热硬化后的表面形状的粗糙度的参数。具体地，通过改变在干燥处理中作为处理条件的减压值(真空度)和加热温度，抗蚀材料在热硬化时的流动性得到控制。这确保了抗蚀图在热硬化后的表面形状的粗糙度控制在小于刚经显影处理后的范围内。鉴于这点，优选地例如通过实施预先实验，预先检测促使抗蚀图在热硬化后的表面形状的粗糙度达到预定状态的处理条件，并在由此检测到的处理条件下执行干燥处理。
接下来，在步骤S2-1，已经过干燥处理的抗蚀图在填充干燥气体的干燥气氛中以含有紫外光的光进行照射。这里，尤其重要的是要在薄膜晶体管的沟道部免受波长短于260nm的光的照射的情况下实施照射。
这里，以诸如氮气(N2)、氦气(He)、氩气(Ar)等的惰性气体用作干燥气体。因此，例如优选地使用露点不高于-60℃的干燥气体，例如使用露点为-60℃的氮气(N2)气氛(湿气浓度：约11ppm)。
另外，重要的是要避免低分子量化合物从抗蚀图中挥发(去气)，且优选地保持干燥气体气氛的压强在大气压附近。这里需要注意的是，干燥气氛可为真空气氛或减压气氛。
顺便提及，处理气氛中的湿气浓度优选地保持于或低于4000ppm，但湿气浓度可根据抗蚀图所需的形状精度进行一定程度的调节。
另外，用于照射抗蚀图的含有紫外光的光优选地包含可见光以及紫外光，紫外光用于以良好的形状精度实现抗蚀图的后续的热硬化。作为可见光，优选地使用波长为400至450nm的光。
鉴于上述，在所述第一实施例中，以亮线处于紫外和可见范围内且适合于大面积的光照射的光源用作光照射的光源。可用于此处的光源例如包括高压汞灯(亮线：254nm/365nm/405nm/436nm/546nm/577nm/579nm)和低压汞灯(亮线：185nm/254nm/436nm/550nm)。
而且，尤其重要的是要在薄膜晶体管的沟道部免受波长短于260nm的光的照射的条件下实施光照射。因此，对光源配备有滤光器以用于屏蔽波长短于260nm的光，并以透过滤光器的光对抗蚀图进行照射。
这确保了抗蚀图被含有可见光以及波长不小于260nm的紫外光的光照射，而且此情况下，薄膜晶体管的沟道部不会受到波长短于260nm的光的照射。
而且，以含有紫外光的光照射的步骤可在加热条件下执行。在此情况下，通过使加热温度保持在抗蚀材料的玻璃转变点以下，例如在约为80℃的加热条件下进行照射，可以避免发生抗蚀材料的回流。
这里，在以含有紫外光的光照射的步骤中的处理条件成为用于控制抗蚀图在热硬化后的表面形状的粗糙度的参数。具体地，在以含有紫外光的光照射的步骤中通过改变在光照射时作为处理条件的光照射能量和加热温度，可控制抗蚀材料在热硬化时的流动性。这确保了抗蚀图在热硬化后的表面形状的粗糙度控制在小于刚经显影处理后的范围内。因此，优选地例如通过实施预先实验，预先检测诸如促使抗蚀图在热硬化后的表面形状的粗糙度达到预定状态的处理条件，并在由此检测到的处理条件下以含有紫外光的光进行照射。
然后，在步骤S3中进行抗蚀图的热硬化处理。这里，在根据构成抗蚀图的抗蚀材料的加热温度下实施热硬化处理、即实施产品烧成，从而通过显影处理被图形化为预定形状的抗蚀图被牢固地硬化。在该热硬化中，通常在200到300℃的加热温度下实施产品烧成。
在上述处理之后，如图3中所示，像素电极26、28形成于被热硬化的抗蚀图24’上。在这些像素电极26、28中，在透射显示部1t中的像素电极26形成为由诸如ITO(氧化铟锡)的透明电极材料形成的透明电极26。另一方面，在反射显示部1r中的像素电极28形成为由诸如铝的具有良好反射特性的材料形成的反射电极28。这里，重要的是，反射电极28要形成为与在抗蚀图24处形成的具有凹凸不平形状的光漫射表面24b保持一致。因此，形成有光漫射表面24b的抗蚀图24’的部分和反射电极28构成漫反射板，且反射电极28的表面构成光漫反射表面。
顺便提及，由于透明电极26和反射电极28构成单像素的像素电极，这些电极26和28设置为互相连接的状态。另外，为了避免具有薄膜晶体管Tr的像素电路影响显示器，反射电极28设置在与像素电路重叠的位置。而且，透明电极26通过接触孔24c连接于布线11，且该接触部被反射电极28所覆盖。而且，在柱状隔离物24s的位置处像素电极26、28被去除。
每个包括透明电极26和反射电极28的像素电极形成之后，形成定向膜(图中省略)覆盖这些电极。
另外，与第一基板1相面对且在其上侧设有如上所述结构的第二基板30被制备。第二基板30包括由玻璃之类制成的透明基板，且设有由透明导电材料形成为固体膜形状的反电极32。而且，定向膜(图中省略)设置为覆盖反电极32的状态。顺便提及，如果需要，第二基板30可设有以图形化方式形成的滤色器(图中在此省略)。滤色器设置于反电极32下方。
接下来，形成于第一基板1侧的像素电极26、28与形成于第二基板30侧的反电极32互相面对布置，且柱状隔离物24s夹于其间。在此情况下，基板1和30之间的间隙填充有含有液晶分子m的液晶层LC，以密封基板1和30之间的间隙。
按上述方式就可以获得具有夹于两个基板1和30之间的液晶层LC的液晶显示装置36。在液晶显示装置36中，覆盖第一基板1的上侧的抗蚀图24’掩埋了第一基板1的上侧上的粗糙部分，且形成为在其表面设有多个凹凸形状的整体结构。
具体地，抗蚀图24’被牢固地热硬化，且用于部分地控制液晶层LC的层厚(即单元间隙g1、g2)的台阶(d)和柱状隔离物24s以及具有凹凸不平的表面形状以用于漫射显示光的光漫射表面24b形成为一体。
如参照图2所述，根据上述的第一实施例，在填充有干燥气体的气氛中以含有紫外光的光进行照射的步骤(步骤S2-1)实施于对抗蚀图进行热硬化的步骤(步骤S3)之前，所述抗蚀图是通过曝光和显影的图形化获得的。这可以确保避免在步骤S3是热硬化时抗蚀材料的回流，且抗蚀图的表面形状保持在通过曝光和显影进行图形化所得到的形状。
因此，可在保持凹凸不平的表面形状的情况下，对加大厚度的抗蚀图进行热硬化。
具体地，在以含有紫外光的光进行照射的步骤(步骤S2-1)中，光源装配有用于屏蔽波长短于260nm的光的滤光器，且以透过所述滤光器的光照射抗蚀图。如图1C中所示，这确保了在抗蚀图24下面的底栅型薄膜晶体管Tr的沟道部不会受到波长短于260nm的光的照射，并可避免发生因以短波长的光照射沟道部ch引起的薄膜晶体管Tr的特性的恶化、尤其是P型薄膜晶体管P-Tr的特性的恶化。
因此，通过根据第一实施例的方法，可以获得具有良好耐热性的抗蚀图24’的液晶显示装置36，所述抗蚀图24’在保持刚光刻后的形状的状态中被牢固地硬化，而覆盖有抗蚀图24’的薄膜晶体管Tr没有任何特性的恶化。
图4R、4A及4B表示具有不同经历的抗蚀图的表面状态。每个抗蚀图通过这样的方法形成，即通过涂敷(涂布)形成含有重氮化合物作为感光剂的正型抗蚀剂的抗蚀膜，并进行曝光和显影以形成具有凹凸不平的形状的光漫射表面24b和接触孔24c。
图4R表示刚显影后的抗蚀图，其中光漫射表面24b和接触孔24c的形状精度被保持。
图4A表示顺着第一实施例中的图2的流程图进行硬化的抗蚀图。这里，首先，在步骤S1实施显影后的抗蚀图的减压干燥。接着在步骤S2-1，在填充有湿气浓度不多于50ppm的氮气(N2)气氛(干燥气体气氛)的处理腔中实施以含有紫外光的光照射。在此情况下，高压汞灯用作光源，并通过滤光器实施光照射，该滤光器能有效吸收波长不大于300nm的不少于99％的紫外光。另外，将基板加热到80到100℃的温度。然后，在步骤S3实施处于220℃的热硬化处理。
图4B表示不采用第一实施例进行硬化的抗蚀图。这里，首先，使用超高压汞灯作为光源对显影后的抗蚀图进行光照射，而不进行任何干燥处理。由于来自超高压汞灯的光不含有波长短于260nm的光，所以与步骤S2-1所用的相同的光照射实际上被实施为热硬化处理的预处理。然后，在220℃实施热硬化处理。
通过比较这些抗蚀图可以确定，根据第一实施例的步骤经过热硬化的抗蚀图[图4A]保持了刚经显影处理后的抗蚀图[图4R]的凹凸不平的表面形状。另一方面，经过光照射和热硬化而未经过第一实施例的步骤S1的干燥处理且未进行步骤S2的处理气氛和温度控制的抗蚀图[图4B]出现了抗蚀材料在热硬化时的回流，并在不能保持其显影后的形状。
另外，图5表示在抗蚀图硬化处理中在四个位置对刚显影后的抗蚀图形状的保持程度的测量结果，所述抗蚀图是在第一实施例的范围中的步骤S2-1通过变化用于照射的光的波长范围而被硬化的。以高压汞灯(亮线：254nm/365nm/405nm/436nm/546nm/577nm/579nm)作为光源，并且抗蚀图的照射的波长范围受滤光器的控制。
图5(A)-1表示采用其波长不大于300nm的光成分被滤光器隔断并且其主要波长为365nm/405nm/436nm/546nm/577nm/579nm的光进行照射的情况。
图5(A)-2表示以波长为300到375nm的光成分透过滤光器且其主要波长为365nm的光进行照射的情况。
从图5的结果可以看到，和仅以主要波长为365nm的紫外光进行照射的抗蚀图[图5(A)-2]相比，以波长不小于400nm的可见光加上紫外光进行照射的抗蚀图[图5(A)-1]更容易保持刚显影后的形状且耐热性更高。通过此结果，证实了在热硬化处理之前的步骤S2-1中以可见光加上紫外光进行照射的效果。
这可以解释如下：在普通的紫外辐射硬化过程中，目的是通过断开所述的抗蚀剂中的键以增强耐热性并接着实现重新键合。另一方面，在波长不小于400nm的可见区域的光只有约250到300kJ/mol的低能量，故无法断开这些键。然而，在上述第一实施例中所述的干燥气氛中进行光照射(步骤S2-1)时，抗蚀图被波长处于不小于400nm的可见区域中的光照射，从而在正型抗蚀剂的光敏处理(曝光)时产生的中间产物可引起交联反应。因此，在干燥气氛中进行光照射时(步骤S2-1)，抗蚀图被处于可见区域的光加上紫外光照射，从而可有效地增强抗蚀图的耐热性。
图6A和6B表示了形成于底栅型薄膜晶体管上的抗蚀图的硬化处理之后的P型薄膜晶体管的栅极电压与漏极电流之间的关系，该关系是晶体管的特性。
图6A表示应用第一实施例的方法[高压汞灯(带有滤光器)]经过硬化处理的抗蚀图下方的薄膜晶体管的晶体管特性。在步骤S2-1中，抗蚀图被来自高压汞灯且被滤光器屏蔽掉波长短于260nm的光的照射，并随后实施步骤S3的热硬化处理。而且，一同表示出了在光照射之前[未被照射(作为参考)]的晶体管特性。
图6B表示在不应用根据第一实施例[高压汞灯(不带滤光器)]的方法进行硬化的抗蚀图下方的薄膜晶体管的晶体管特性。在步骤S2-1中，对抗蚀图以来自高压汞灯且含有波长短于260nm的光实施照射，且随后在步骤S3中实施热硬化处理。而且，一同示出了在光照射之前[未被照射(作为参考)]的晶体管特性。
通过比较这些晶体管特性，可以证实，按照第一实施例的步骤经过热硬化处理的抗蚀图的下方的薄膜晶体管的特性[图6A]保持了在光照射之前[未被照射(作为参考)]的特性且没有恶化。另一方面，在没有采用第一实施例形成的抗蚀图、具体为在热硬化处理之前以波长短于260nm的光照射过的抗蚀图下方的薄膜晶体管的特性[图6B]被证实为相比于在光照射之前[未被照射(作为参考)]的特性出现了恶化，具体为出现了阈值电压的漂移。
另外，图7表示具有不同经历的抗蚀图的吸收光谱。在光谱图中，(R)是刚显影时的抗蚀图的吸收光谱；(A)是顺着第一实施例中图2的流程图硬化的抗蚀图的吸收光谱；以及(B)是未应用第一实施例形成的抗蚀图的吸收光谱，具体为通过波长为250nm的紫外光照射后由热硬化处理形成的抗蚀图的吸收光谱。
基于对这些吸收光谱的比较，在第一实施例中，在步骤S2-1中对抗蚀图以可见光加紫外光进行照射。因此，对抗蚀图以波长在270到600nm的范围内的光进行照射，所述波长的光在正型抗蚀剂的脱色处理中使用，因此还可得到脱色效果。因此，例如在图3中所示的透射显示部1t，可以保证实现显示光的辉度(亮度)的增强，而不用进行任何特设的脱色步骤。
第二实施例
第二实施例不同于第一实施例的地方在于，在对抗蚀图进行光照射时，抗蚀图本身被用作薄膜晶体管的沟道部的遮光膜，所述光照射用作抗蚀图的热硬化处理的预先步骤。
在此情况下，在上述第一实施例中参照图1C所述的步骤按照与上面所述相同的方式实施，以使用在第一基板1上的显示区域1a和周边区域1b中的薄膜晶体管形成电路，从而获得TFT基板20。
接下来，如图1B中所示，未硬化的抗蚀膜22通过涂敷(涂布)形成于TFT基板20上。在此情况下，使用了在短波长侧表现出极好光吸收性的丙烯酸正型光致抗蚀剂或甲酚基热塑性酚醛树脂光致抗蚀剂。另外，如上述第一实施例所述，这里，实施多步曝光，从而在显影处理后抗蚀膜22保留较大厚度的区域，曝光量被控制为较小。因此，优选地使用与在第一实施例中的抗蚀剂相同或相似的丙烯酸正型光致抗蚀剂。
而且，在所述第二实施例中，重要的是要以足够的厚度涂敷抗蚀膜22，从而在显影处理后，在设有P型薄膜晶体管P-Tr的区域、即在周边区域1b中将形成具有足够膜厚的抗蚀图。形成于周边区域1b中的抗蚀图的必要的膜厚取决于抗蚀材料的组成，并假定其厚度可以通过吸收将波长短于260nm的光屏蔽。
然后，对以大厚度涂敷形成的抗蚀膜22进行多步图形化曝光，在该多步曝光中曝光量被控制的方式与第一实施例相同。然而这里需要注意，在第二实施例中，至少对于位于周边区域1b中的P型薄膜晶体管P-Tr的上侧的那部分抗蚀膜22无须曝光。
类似于第一实施例，在如上所述的曝光中，重要的是薄膜晶体管Tr尤其是P型薄膜晶体管P-Tr的沟道部ch不受到波长短于260nm的光的照射。因此，类似于第一实施例，可通过应用以超高压汞灯作为光源的步进机的现有曝光技术进行曝光。
在如上所述的多步曝光后，对抗蚀膜22进行显影处理，以便将已曝光部分溶入显影溶液中，从而图形化抗蚀膜22。
因此，如图1C所示，抗蚀图24是通过使抗蚀膜22图形化为设有预定的台阶d的形状而获得的，预定的台阶d使透射显示部1t处于低层而使反射显示部分1r处于高层，反射显示部1r设有具有凹凸不平的形状的光漫射表面24b，并且设有延伸到布线11的接触孔24c以及柱状隔离物24s。另外，如果需要，可以以图形化方式形成凹凸定向元件。特别地，至少在周边区域1b中的P型薄膜晶体管P-Tr上，抗蚀图24形成的厚度要能够通过吸收将波长短于260nm的光屏蔽。
紧接的和后续的步骤构成抗蚀图24的硬化过程。现在，将在下面使用图8中所示的流程图描述硬化过程。在所述第二实施例中，步骤S2-2是主要部分，而步骤S1和S3可与第一实施例相同，故这里省略对其的描述。
首先，在步骤S1，对设有抗蚀图的基板进行干燥处理。然后，在步骤S2-2，已经过干燥处理的抗蚀图在填充有干燥气体的气氛中以含有紫外光的光进行照射。在此情况下，类似于第一实施例，在薄膜晶体管的沟道部不会受到波长短于260nm的光的照射的情况下实施光照射。在第二实施例中，对波长短于260nm的光的屏蔽由抗蚀图完成，且其它配置与第一实施例的步骤S2-1中的相同。
具体地，作为干燥气体的惰性气体的使用方式与第一实施例相同。
另外，作为用于照射抗蚀图的含有紫外光的光，可见光与紫外光一起使用，该紫外光用于以良好的形状精度对抗蚀图进行后续的热硬化，这与第一实施例类似。因此，作为用于光照射的光源，使用亮线处于紫外和可见范围中且适合于大面积的光照射的光源。此处所用的光源的例子包括高压汞灯(亮线：254nm/365nm/405nm/436nm/546nm/577nm/579nm)和低压汞灯(亮线：185nm/254nm/436nm/550nm)。
而且，对抗蚀图以含有可见光与紫外光的光进行照射，从而，具体在周边区域中形成为足够膜厚的抗蚀图用作遮光膜，从而P型薄膜晶体管的沟道部不会受到波长短于260nm的光的照射。
顺便提及，类似于第一实施例，可在加热条件下实施以含有紫外光的光进行照射的步骤。另外，以如上述相同的方式，在以含有紫外光的光进行照射的步骤中的处理条件成为用于控制抗蚀图在热硬化后的表面形状的粗糙度的参数。因此，类似于第一实施例，优选地例如通过实施预先实验，预先地检测诸如可使抗蚀图的表面形状的粗糙度在热硬化后成为预定状态的处理条件，并在由此检测到的处理条件下以含有紫外光的光对抗蚀图实施照射。
然后，在步骤S3中，以与第一实施例中相同的方式实施抗蚀图的热硬化处理。
而且，在上述处理之后，以与上述第一实施例中参照图3所述的相同方式，得到两个基板1和30之间夹有液晶层LC的液晶显示装置36。
在液晶显示装置36中，覆盖第一基板1的上侧的抗蚀图24’形成为整体结构，该结构掩埋第一基板1的上侧上的粗糙表面且在其表面设有多个凹凸形状。
根据上述第二实施例，如参考图8所述，在填充有干燥气体的气氛中以含有紫外光的光进行照射的步骤(步骤S2-2)实施于对通过曝光和显影进行图形化得到的抗蚀图进行热硬化的步骤之前。这确保了在步骤S3的热硬化时避免发生抗蚀材料的回流，且抗蚀图的表面形状保持在通过曝光和显影进行图形化得到的形状。
因此，类似于第一实施例，形成为加大厚度的抗蚀图可在保持其凹凸不平的表面形状的状态中被热硬化。
具体地，在以含有紫外光的光进行照射的步骤(步骤S2-2)中，在设有P型薄膜晶体管的周边区域中形成有足够膜厚的抗蚀图被用作波长短于260nm的光的遮光膜。如图1C中所示，这确保了设置于周边区域1b中的底栅型薄膜晶体管Tr的沟道部不会受到波长短于260nm的光的照射，并可避免发生因短波长的光照射沟道部ch引起的P型薄膜晶体管P-Tr的特性的恶化。
因此，通过根据第二实施例所述的方法，可以获得具有良好耐热性的抗蚀图24’的液晶显示装置36，该抗蚀图24’在保持其刚光刻后的形状的状态中被牢固地硬化，而覆盖有抗蚀图24’的薄膜晶体管Tr的特性无任何恶化。
这里，图9表示第二实施例中所用的抗蚀材料(丙烯酸正型光致抗蚀剂)在曝光之前的吸收光谱。如在本曲线图中所示，在第二实施例中重要的是使用在短于260nm的波长侧表现出高吸收率的抗蚀材料。
图10表示在使用具有图9所示的吸收光谱的抗蚀材料的抗蚀图在底栅型P型薄膜晶体管上形成为不同膜厚且以2000mJ/cm2的波长为250nm的光进行照射的情况下的晶体管特性(栅极电压和漏极电流之间的关系)。另外，抗蚀图未被波长为250nm的光照射的情况下的晶体管特性被表示为参考。
从图10中可以看到当使用在波长短于260nm的短波长侧上具有光吸收性的抗蚀材料时，通过使抗蚀图形成为加大的膜厚，可以抑制因在波长短于260nm的短波长侧的光(波长为的光250nm)上进行照射引起的P型薄膜晶体管的阈值漂移。例如，可以证实在以2000mJ/cm2的波长为250nm的光照射的情况下，通过使抗蚀图形成为约4.0μm的大膜厚，可以理想地避免P型薄膜晶体管的阈值漂移。
于是可以看到，通过设置形成于P型薄膜晶体管的沟道部上的抗蚀图的膜厚的值，足以避免步骤S2-2中用于照射的光的能量引起的P型薄膜晶体管的阈值漂移。
而且，鉴于如上所述的以抗蚀图作为对薄膜晶体管的沟道部的遮光膜的事实，在对抗蚀膜实施光刻中，即使在图案曝光时使用了含有波长短于260nm的曝光光线，仍可避免发生因曝光光线引起的薄膜晶体管的特性的恶化。
第三实施例
第三实施例不同于第一实施例的地方在于，对抗蚀图实施光照射时，栅极被用作薄膜晶体管的沟道部的遮光膜，所述光照射是抗蚀图的热硬化处理的预先步骤。
首先，在第三实施例中，以与上述第一实施例相同的方式实施如图1A到1C所示的步骤，以在第一基板1上形成底栅型薄膜晶体管Tr并形成覆盖它们的抗蚀图24。
接下来，按图11的流程图所示执行硬化抗蚀图24的步骤。在所述的第三实施例中，步骤S2-3是其特征，而步骤S1和S3可以与第一实施例相同，故这里省略对其的描述。
首先，在步骤S1中，对设有抗蚀图的基板进行干燥处理。然后，在步骤S2-3中，在填充有干燥气体的气氛中，以含有紫外光的光对已经过干燥处理的抗蚀图进行照射。在此情况下，类似于第一实施例，在薄膜晶体管的沟道部不会受到波长短于260nm的光的照射的情况下实施照射。在所述的第三实施例中，对波长短于260nm的光的屏蔽由栅极完成，且其它配置与在第一实施例的步骤S2-1中的相同。
具体地，作为干燥气体的惰性气体的使用方式与第一实施例中的相同。
另外，类似于第一实施例，作为用于照射抗蚀图的含有紫外光的光，用于增强被热硬化的抗蚀图的透光率的可见光优选地与紫外光一起使用，该紫外光用于以良好的形状精度实施后续的抗蚀图的热硬化。因此，作为用于光照射的光源，使用亮线处于紫外和可见范围中且适合于大面积的光照射的光源。此处所用的光源的例子包括高压汞灯(亮线：254nm/365nm/405nm/436nm/546nm/577nm/579nm)和低压汞灯(亮线：185nm/254nm/436nm/530nm)。
具体地，如图12中所示，在所述的第三实施例中，从第一基板1的背侧实施上述的含有紫外光的光h的照射。这确保了在每个薄膜晶体管Tr中，栅极3用作半导体层7的沟道部ch的遮光膜，从而避免了光h对沟道部ch的照射。于是，形成于周边区域1b中的P型薄膜晶体管P-Tr的沟道部ch不会受到波长短于260nm的光的照射。
顺便提及，类似于第一实施例，可在加热条件下实施以含有紫外光的光进行照射的步骤。而且，以与上述相同的方式，以含有紫外光的光进行照射的步骤中的处理条件成为控制抗蚀图在热硬化后的表面形状的粗糙度的参数。因此，类似于第一实施例，优选地例如通过实施预先实验，预先地检测诸如使得抗蚀图的表面形状的粗糙度在热硬化后达到预定状态的处理条件，并在由此检测到的处理条件下以含有紫外光的光进行照射。
然后，在步骤S3，以与第一实施例中相同的方式实施抗蚀图的热硬化处理。
而且，在上述处理之后，以与上述第一实施例中参照图3所述的相同方式，得到具有夹于在两个基板1和30之间的液晶层LC的液晶显示装置36。
在液晶显示装置36中，覆盖第一基板1的上侧的抗蚀图24’形成为一体化结构，该结构可以掩埋位于第一基板1的上侧的粗糙部分且在其表面设有多个凹凸形状。
根据参照图11和12所述的上述第三实施例，在填充有干燥气体的气氛中以含有紫外光的光进行照射的步骤(步骤S2-3)实施于通过曝光和显影进行图形化得到的抗蚀图的热硬化的步骤(步骤S3)之前。这确保了在步骤S3的热硬化时避免发生抗蚀材料的回流，且抗蚀图的表面形状保持在通过曝光和显影进行图形化得到的形状。
因此，类似于第一实施例，形成为加大的膜厚的抗蚀图可在保持凹凸不平的表面形状的状态中被热硬化。
具体地，如图12中所示，在以含有紫外光的光进行照射的步骤(步骤S2-3)中，从第一基板1的背侧实施以含有紫外光的光h进行的照射同时使用栅极作为遮光膜，从而底栅型薄膜晶体管Tr的沟道部ch不会受到波长短于260nm的光的照射。因此，可以避免因以短波长的光对沟道部ch照射引起的P型薄膜晶体管P-Tr的特性的恶化。
因此，通过根据第三实施例的方法，可以获得具有良好耐热性的抗蚀图24’的液晶显示装置36，该抗蚀图24’在保持其刚光刻后的形状的状态中被牢固地硬化，而覆盖有抗蚀图24’的薄膜晶体管Tr的特性无任何恶化。
第四实施例
第四实施例不同于第一实施例的地方在于，进行抗蚀图的光照射时使用仅产生波长不小于260nm的光的光源，所述抗蚀图的光照射用作抗蚀图的热硬化处理的预先步骤。
首先，在所述第四实施例中，以与第一实施例相同的方式执行图1A到1C中所示的步骤，以在第一基板1上形成底栅型薄膜晶体管Tr，并形成覆盖所述底栅型薄膜晶体管Tr的抗蚀图24。
接下来，实施如图13中的流程图中所示的硬化抗蚀图24的步骤。在所述第四实施例中，步骤S2-4是主要的，而步骤S1和S3可与第一实施例相同，从而这里省略对其的描述。
首先，在步骤S1，对设有抗蚀图的基板进行干燥处理。然后，在步骤S2-3中，在填充有干燥气体的气氛中以含有紫外光的光对已经过干燥处理的抗蚀图进行照射。在此情况下，类似于第一实施例，在薄膜晶体管的沟道部不会受到波长短于260nm的光的照射的情况下实施照射。在第四实施例中，以仅产生波长不小于260nm的光的光源作为用于提供含有紫外光的光的光源，且其它配置与在第一实施例的步骤S2-1中的相同。
具体地，作为干燥气体的惰性气体的使用方式与第一实施例中的相同。
另外，类似于第一实施例，作为用于照射抗蚀图的含有紫外光的光，用于增强被热硬化的抗蚀图的透光率的可见光优选地与紫外光一起使用，该紫外光用于以良好形状精度进行后续的抗蚀图的热硬化。因此这里，以仅产生波长不小于260nm的光且亮线处于紫外和可见范围内的光源作为光照射的光源。例如，使用超高压汞灯(亮线：365nm/405nm/436nm)。
这里应当注意，超高压汞灯是点状光源。因此，为了以含有波长不小于260nm紫外光的光有效地照射第一基板1的大面积，光源设有反光镜和/或透镜，以使照射光扩大为线状或面状。
顺便提及，类似于第一实施例，可在加热条件下实施以含有紫外光的光进行照射的步骤。而且，以如上所述相同的方式，在以含有紫外光的光进行照射的步骤中的处理条件成为控制抗蚀图在热硬化后的表面形状的粗糙度的参数。因此，类似于第一实施例，优选地预先检测诸如使抗蚀图的表面形状的粗糙度在热硬化后达到预定状态的处理条件，并在由此检测到的处理条件下以含有紫外光的光进行照射。
然后，在步骤S3中，类似于第一实施例实施抗蚀图的热硬化处理。
而且，在上述处理之后，以与上述第一实施例中参照图3所述的相同方式，得到具有夹于在两个基板1和30之间的液晶层LC的液晶显示装置36。
在液晶显示装置36中，覆盖第一基板1的抗蚀图24’形成为一体化结构，该结构掩埋在第一基板1的上侧上的粗糙部分且在其表面设有多个凹凸形状。
根据上述参照图13所述的第四实施例，在填充有干燥气体的气氛中以含有紫外光的光进行照射的步骤(步骤S2-4)实施于对通过曝光和显影进行图形化得到的抗蚀图进行热硬化的步骤(步骤S3)之前。这确保了在步骤S3中热硬化时避免发生抗蚀材料的回流，且抗蚀图的表面形状保持在通过曝光和显影进行图形化得到的形状。
因此，类似于第一实施例，形成为加大膜厚的抗蚀图可在保持凹凸不平的表面形状的状态中被热硬化。
具体地，在以含有紫外光的光照射的步骤(步骤S2-4)中，通过使用仅产生波长范围不小于260nm中的光且亮线处于紫外和可见范围内的光源对抗蚀图进行光照射，所述光源例如是超高压汞灯(亮线：365nm/405nm/436nm)。如图1C中所示，这确保了在抗蚀图24下方的底栅型薄膜晶体管Tr的沟道部不会受到波长短于260nm的光的照射，且可避免发生因以短波长的光对沟道部ch照射引起的薄膜晶体管Tr的特性的恶化，尤其是引起P型薄膜晶体管P-Tr的特性的恶化。
因此，通过根据第四实施例的方法，可以获得具有良好耐热性的抗蚀图24’的液晶显示装置36，所述抗蚀图24’在保持其刚光刻后的形状的状态中被牢固地硬化，而覆盖有抗蚀图24’的薄膜晶体管Tr的特性无任何恶化。
这里，图14表示在通过采用实施第四实施例的方法[以来自超高压汞灯的光照射]硬化的抗蚀图下方的薄膜晶体管的晶体管特性。在此情况下，在步骤S2-4以来自超高压汞灯的光照射抗蚀图，且随后在步骤S3中执行热硬化处理。而且一同示出在光照射之前[未被照射(作为参考)]的晶体管特性。
如图14所示，在抗蚀图下方的薄膜晶体管的特性被证实为保持光照射之前[未被照射(参考)]的特性并免于恶化，所述抗蚀图应用第四实施例通过使用不产生波长短于260nm的光的光源(超高压汞灯)加以硬化。
第五实施例
第五实施例不同于第一实施例的地方在于，遮光膜设置于沟道部的上侧，从而在对抗蚀图进行光照射时，遮光膜可以防止以波长短于260nm的光对沟道部的照射，所述光照射用作热硬化处理的预先步骤。现在，以下将描述根据第五实施例的制造方法。
首先，如图15A所示，底栅型薄膜晶体管Tr形成于由诸如玻璃的透明材料制成的第一基板1上。在此情况下，类似于第一实施例，例如，n型薄膜晶体管n-Tr形成于显示区域1a中，每个n型薄膜晶体管n-Tr对应于每个像素，而n型薄膜晶体管n-Tr和p型薄膜晶体管P-Tr形成于周边区域1b中。顺便提及，在图中的周边区域1b中仅示出了p型薄膜晶体管P-Tr。
接下来，设有薄膜晶体管Tr的第一基板1的上侧覆盖有层间绝缘膜9，且形成有通过形成于层间绝缘膜9中的接触孔与薄膜晶体管Tr连接的布线11。因此，在显示区域1a中对每个像素形成有一个使用薄膜晶体管Tr的像素电路13。而且，在周边区域1b中，形成有使用n型薄膜晶体管n-Tr和P型薄膜晶体管P-Tr的CMOS配置的驱动电路15。
在此情况下，尤其在第五实施例中，遮光膜11形成于层间绝缘膜9上，其状态为至少覆盖P型薄膜晶体管P-Tr的沟道部ch。遮光膜11由例如铝(Al)、钛(Ti)、钨(W)、银(Ag)或其合金形成。而且，遮光膜11可包括与布线11的层相同的层，且可从如图所示的布线11延伸。而且，遮光膜11可形成为不依赖于布线11的形状。
按上述方式形成所谓的TFT基板20。
然后，类似于第一实施例，如图15B中所示，未硬化的抗蚀膜22通过涂敷(涂布)形成于TFT基板20上，并对抗蚀膜22进行多步曝光。在此情况下，类似于第一实施例，可通过使用以超高压汞灯作为光源的步进机实施曝光，且在曝光光线中可包括波长短于260nm的光。
然后，对抗蚀膜22进行显影处理，从而，通过使其已曝光部分溶入显影溶液实现图形化。因此，类似于第一实施例，得到如图15C所示的被图形化为所需形状的抗蚀图24。
紧接的和后续的步骤构成抗蚀图24的硬化过程。现在，下面将参照图16中的流程图描述硬化过程。在所述第五实施例中，步骤S2-5是主要的，而步骤S1和S3可与第一实施例相同，从而这里省略对其的描述。
首先，在步骤S1，对设有抗蚀图的基板进行干燥处理。然后，在步骤S2-5，在填充有干燥气体的气氛中以含有紫外光的光对已经过干燥处理的抗蚀图进行照射。在此情况下，类似于第一实施例，在薄膜晶体管的沟道部不会受到波长短于260nm的光的照射的情况下实施照射。在第五实施例中，通过使用遮光膜实现对波长短于260nm的光的屏蔽，而其它配置与在第一实施例的步骤S2-1中的相同。
具体地，作为干燥气体的惰性气体的使用方式与第一实施例中的相同。
而且，类似于第一实施例，作为用于照射抗蚀图的含有紫外光的光，用于增强被热硬化的抗蚀图的透光率的可见光优选地与紫外光一起使用，该紫外光用于以良好的形状精度进行后续的抗蚀图的热硬化。因此，作为用于光照射的光源，使用亮线处于紫外和可见范围内的且适合于大面积的光照射的光源。此处所用的光源的例子包括高压汞灯(亮线：254nm/365nm/405nm/436nm/546nm/577nm/579nm)和低压汞灯(亮线：185nm/254nm/436nm/550nm)。
于是，对抗蚀图以含有可见光和紫外光的光照射，特别是借助于设置在周边区域中的遮光膜，P型薄膜晶体管的沟道部P-Tr不会受到波长短于260nm的光的照射。
顺便提及，类似于第一实施例，可在加热条件下执行以含有紫外光的光照射的步骤。而且，以如上所述相同的方式，在以含有紫外光的光照射的步骤中的处理条件成为用于控制抗蚀图在热硬化后的表面形状的粗糙度的参数。因此，类似于第一实施例，优选地例如通过实施预先实验，预先地检测诸如使得被热硬化的抗蚀图的表面形状的粗糙度成为预定状态的处理条件，并在由此检测到的处理条件下以含有紫外光的光进行照射。
然后，在步骤S3中，以与第一实施例相同的方式实施抗蚀图的热硬化处理。
而且，在上述处理之后，以与上述第一实施例中参照图3所述的相同方式，液晶层LC夹于在两个基板1和30之间。因此，得到图17中所示的液晶显示装置36’。液晶显示装置36’不同于图3的液晶显示装置的地方在于，设置于周边区域1b中的P型薄膜晶体管P-Tr的沟道部ch的上侧覆盖有遮光膜11，其它配置与图3中的相同。
在所述液晶显示装置36’中，覆盖第一基板1的上侧的抗蚀图24’形成为一体化结构，该结构掩埋在第一基板1的上侧的粗糙部分且在其表面设有多个凹凸形状。
根据如上所述的第五实施例，如参考图15A到15C以及16所述，在填充有干燥气体的气氛中以含有紫外光的光照射的步骤(步骤S2-5)实施于对通过曝光和显影进行图形化得到的抗蚀图实施热硬化的步骤(步骤S3)之前。这确保了在步骤S3中热硬化时避免发生抗蚀材料的回流，且抗蚀图的表面形状保持在通过曝光和显影进行图形化得到的形状。
因此，类似于第一实施例，形成有加大的膜厚的抗蚀图可在保持凹凸不平的表面形状的状态中被热硬化。
而且，如图15C中所示，具体地在以含有紫外光的光照射的步骤(步骤S2-5)中，以含有紫外光的光h进行的照射从设置于底栅型P型薄膜晶体管P-Tr的沟道部ch上的遮光膜11的上侧实施，从而P型薄膜晶体管P-Tr的沟道部ch不会受到波长短于260nm的光的照射。这确保了可以避免发生因以短波长的光对沟道部ch照射引起的P型薄膜晶体管P-Tr的特性的恶化。
因此，通过根据第五实施例所述的方法，可以获得具有良好耐热性的抗蚀图24’的液晶显示装置36’，所述抗蚀图24’在保持其刚光刻后的形状的状态中被牢固地硬化，而覆盖有抗蚀图24’的薄膜晶体管Tr的特性无任何恶化。
这里，图18表示在通过使用根据第五实施例的方法[以来自高压汞灯(带有遮光器)的光照射]硬化的抗蚀图下方的薄膜晶体管的晶体管特性。在此情况下，在步骤S2-5中，对抗蚀图以来自高压汞灯的含有波长短于260nm的能量为200mJ的光进行照射，且之后在步骤S3中实施热硬化处理。而且，一同示出光照射之前[未被照射(作为参考)]的晶体管特性。
如图18中所示，在抗蚀图下方的薄膜晶体管的特性被证实为保持光照射之前[未被照射(作为参考)]的特性且没有恶化，所述抗蚀图已经过硬化处理，并且还在沟道部上设有遮光膜的条件下经过采用第五实施例的方法进行的光照射。
显示器的电路配置
图19是表示上述实施例中所示的有源矩阵型液晶显示装置36、36’的电路配置的示例的图。如图中所示，显示区域1a和周边区域1b设置于液晶显示装置36、36’中的第一基板1上。显示区域1a被配置为像素阵列部分，在所述像素阵列部分中多个扫描线41和多个信号线43被纵向和横向地布置，且在对应于所述扫描线41和信号线43的每个交叉点处设置一个像素。另外，在周边区域1b中，布置有用于以扫描方式驱动扫描线41的扫描线驱动电路15(15-1)以及用于根据亮度信息(即输入信号)提供视频信号给信号线43的信号线驱动电路15(15-2)。
设置用于对应于扫描线41和多个信号线43的每个像素的像素电路13包括上述的像素电极、薄膜晶体管Tr以及保持电容器Cs，所述像素电极包括透明电极26和反射电极28。通过扫描线驱动电路15-1的驱动，由信号线47写出的视频信号通过薄膜晶体管Tr保持在保持电容器Cs中，根据所保持的信号的大小的电压加于像素电极26、28上，且构成液晶层的液晶分子根据电压发生倾斜，由此控制显示光的通过。
顺便提及，如刚才所述的像素电路13的配置仅为示例，因而，如果需要，可在像素电路13中设置电容元件，或者还可设有多个晶体管以构成像素电路13。而且，对周边区域1b，根据像素电路13中的改变增设了必要的驱动电路15。
应用示例
根据上述的本发明的实施例所述的显示器应用于所有领域中的电子装置的显示器，通过它，视频信号输入给电子装置或由电子装置产生的视频信号显示为图像或图片，所述电子装置例如是如图20到24G中所示的数码相机、笔记本式个人电脑、诸如手机的PDA、摄像机等电子装置。现在，下面将描述应用了本发明的电子装置的示例。
图20是表示应用了本发明的电视机的立体图。属于所述应用示例的电视机包括由前面板102、滤光镜103等构成的视频显示单元101，且通过使用根据本发明的实施例的显示器而制成视频显示单元101。
图21A和21B是表示应用了本发明的数码相机的立体图，其中图21A是从正面侧看的立体图，而图21B是从背侧看的立体图。属于所述应用示例的数码相机包括闪光发射部件111、显示部件112、菜单开关113、快门按钮114等，且通过使用根据本发明的实施例的显示器制成显示部112。
图22是表示应用了本发明的笔记本式个人电脑的立体图。属于所述应用示例的笔记本式个人电脑包括主体121、在输入字符等时操作的键盘122、用于显示图像的显示部件123等，且通过使用根据本发明的实施例的显示器制成显示部123。
图23是应用了本发明的表示摄像机的立体图。属于所述应用示例的摄像机包括主体部件131、设置于朝前的侧表面处的目标拍摄镜头132、在拍摄时操作的开始/停止开关133、显示部件134等，且通过使用根据本发明的实施例的显示器制成显示部134。
图24A到24G表示应用了本发明的PDA，例如是手机，其中图24A和图24B分别是其展开状态的前视图和侧视图，图24C-24G分别是其闭合状态的前视图、左侧视图、右侧视图、俯视图和仰视图。属于所述应用示例的手机包括上壳体141、下壳体142、结合部(这里为铰接部)143、显示器144、副显示器145、图片灯146、相机147等，且通过使用根据本发明的实施例的显示器制成显示器144和/或子显示器145。
顺便提及，虽然在以上实施例中描述了本发明应用于液晶显示装置的配置，然而本发明还可应用于通过布置有机电致发光元件而配置的显示器(所谓的有机电致发光显示器)。在此情况下，在上述实施例中所述的抗蚀膜被用作覆盖设有有机电致发光元件的显示区域的绝缘膜。
本领域的技术人员应当理解，在处于所附的权利要求书及其等同物的范围之内，可根据设计需要及其它因素而作出各种修改、组合、子组合和改变。

Claims (17)

1.一种制造电子装置的方法，所述电子装置在设有薄膜晶体管的基板上设置有抗蚀图，所述方法包括以下步骤：
在所述基板上通过涂敷形成处于覆盖所述薄膜晶体管的状态的抗蚀膜；
通过对所述抗蚀膜进行曝光和显影处理以形成抗蚀图；以及
在所述薄膜晶体管的沟道部不会受到波长短于260nm的光的照射的条件下，在干燥气氛中以至少紫外光和可见光之一照射所述抗蚀图，
其中，在所述的以至少紫外光和可见光之一进行照射之后实施热硬化所述抗蚀图的步骤。
2.如权利要求1所述的制造电子装置的方法，其中，
在所述的形成所述抗蚀图的步骤以及所述的以至少紫外光和可见光之一进行照射的步骤之间，实施对设有所述抗蚀图的所述基板进行干燥处理的步骤。
3.如权利要求1或2所述的制造电子装置的方法，其中，
在加热条件下实施所述的以至少紫外光和可见光之一进行照射的步骤。
4.如权利要求1或2所述的制造电子装置的方法，其中，
使用填充有干燥气体的气氛作为所述干燥气氛以实施所述的以至少紫外光和可见光之一照射的步骤。
5.如权利要求1或2所述的制造电子装置的方法，其中，
在所述的以至少紫外光和可见光之一照射所述抗蚀图的步骤中，通过适合于屏蔽波长短于260nm的光的滤光器对所述抗蚀图实施光照射，从而所述沟道部不会受到波长短于260nm的光的照射。
6.如权利要求1或2所述的制造电子装置的方法，其中，
所述薄膜晶体管是底栅型的；且
在所述的以至少紫外光和可见光之一照射所述抗蚀图的步骤中，波长短于260nm的光被吸收入所述抗蚀图中，从而所述沟道部不会受到波长短于260nm的光的照射。
7.如权利要求1或2所述的制造电子装置的方法，其中，
所述薄膜晶体管是底栅型的；且
在所述的以至少紫外光和可见光之一照射所述抗蚀图的步骤中，以来自基板侧的光实施照射，从而所述薄膜晶体管的栅极被用作所述沟道部的遮光膜。
8.如权利要求1或2所述的制造电子装置的方法，
其中在所述的以至少紫外光和可见光之一照射所述抗蚀图的步骤中，适合于仅产生波长不小于260nm的光的光源被用作光源。
9.如权利要求1或2所述的制造电子装置的方法，其中，
所述薄膜晶体管是底栅型的；
在所述的通过涂敷形成所述抗蚀膜的步骤之前，在所述薄膜晶体管的所述沟道部上形成对波长短于260nm的光的遮光膜；且
在所述的以至少紫外光和可见光之一照射所述抗蚀图的步骤中，所述遮光膜使所述沟道部免受波长短于260nm的光的照射。
10.如权利要求1或2所述的制造电子装置的方法，其中，
使用正型抗蚀材料构成所述抗蚀图。
11.如权利要求1或2所述的制造电子装置的方法，其中，
在所述的以至少紫外光和可见光之一照射所述抗蚀图的步骤中，以可见光与紫外光一起照射所述抗蚀图。
12.如权利要求1或2所述的制造电子装置的方法，其中，
在所述的热硬化所述抗蚀图的步骤之后，将像素电极形成于所述抗蚀图上，以将所述电子装置制造为显示装置。
13.如权利要求1或2所述的制造电子装置的方法，其中，
P沟道型薄膜晶体管形成为所述薄膜晶体管。
14.一种电子装置，其在设有薄膜晶体管的基板上设置有抗蚀图，其中，
所述薄膜晶体管是底栅型的，且为P沟道型，其中至少在所述P沟道型薄膜晶体管的沟道部上设有适合于隔断波长短于260nm的光的照射的遮光膜，使得在对抗蚀图加以硬化时不降低覆盖有抗蚀图的薄膜晶体管的特性，从而在该电子装置的制造过程中，以至少紫外光和可见光之一进行照射抗蚀图的步骤中，薄膜晶体管的沟道部可以免受波长短于260nm的光的照射。
15.如权利要求14所述的电子装置，其中，
所述抗蚀图含有能吸收波长短于260nm的光的材料，且被设置为所述的遮光膜，该遮光膜至少在所述P沟道型薄膜晶体管的所述沟道部上的厚度设为可以隔断波长短于260nm的光的照射。
16.如权利要求14所述的电子装置，其中，
至少在所述抗蚀图下的所述P沟道型薄膜晶体管的沟道部上设有所述的适合于隔断波长短于260nm的光的照射的遮光膜。
17.如权利要求14所述的电子装置，其中，
所述抗蚀图设有多个接触孔；
在所述基板上设有显示区域以及在所述显示区域的外围布置的周边区域，在所述显示区域中，通过所述接触孔连接到所述薄膜晶体管的多个像素电极在所述抗蚀图上以阵列形成；且
所述P沟道型薄膜晶体管设置于所述周边区域中。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101589473B (zh) 2006-10-12 2011-10-05 凯博瑞奥斯技术公司 基于纳米线的透明导体及其应用
US20080158217A1 (en) * 2006-12-28 2008-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2009130180A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Sony Corp 電子機器の製造方法および電子機器
WO2011007682A1 (en) * 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
TWI582951B (zh) 2009-08-07 2017-05-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及包括該半導體裝置之電話、錶、和顯示裝置
KR101894400B1 (ko) * 2009-12-28 2018-09-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치와 반도체 장치
TW201203652A (en) * 2010-04-27 2012-01-16 Orthogonal Inc Method for forming an organic device
US8890555B2 (en) * 2010-04-28 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring transistor
WO2011155127A1 (ja) * 2010-06-09 2011-12-15 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2012248743A (ja) * 2011-05-30 2012-12-13 Japan Display West Co Ltd 半導体装置およびその製造方法、表示装置ならびに電子機器
CN103337497A (zh) * 2013-06-28 2013-10-02 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
JP2016092120A (ja) * 2014-10-31 2016-05-23 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成装置およびレジストパターン形成方法
TWI578544B (zh) * 2014-12-02 2017-04-11 鴻海精密工業股份有限公司 薄膜電晶體及使用該薄膜電晶體之顯示陣列基板
US9935127B2 (en) * 2015-07-29 2018-04-03 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Control circuit of thin film transistor
US20190056622A1 (en) * 2017-08-16 2019-02-21 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Transflective liquid crystal display and manufacturing method thereof
CN108761911A (zh) * 2018-05-29 2018-11-06 Oppo（重庆）智能科技有限公司 显示模组及电子设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1372336A (zh) * 2002-04-05 2002-10-02 中国科学院长春应用化学研究所 一种有机薄膜晶体管开关器件及制作方法
CN1638540A (zh) * 2003-12-30 2005-07-13 Lg.菲利浦Lcd株式会社 有机电致发光显示器件
CN1713059A (zh) * 2004-06-23 2005-12-28 精工爱普生株式会社 电光装置和电子设备以及电光装置的制造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0526189A (ja) 1991-07-22 1993-02-02 Hitachi Ltd 密閉形スクロール圧縮機
US5645766A (en) * 1995-03-30 1997-07-08 Teijin Limited Film of aromatic polyethersulfone process for the production thereof and solution composition for the production thereof
TW515926B (en) * 1996-07-10 2003-01-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal alignment film and method for producing the same, and liquid crystal display apparatus using the same and method for producing the same
US6254715B1 (en) * 1999-03-22 2001-07-03 Tdk Corporation Process for production of electronic component having terminal electrode
JP3356115B2 (ja) 1999-05-20 2002-12-09 ウシオ電機株式会社 レジスト硬化装置
JP3642048B2 (ja) 2001-12-21 2005-04-27 Ｊｓｒ株式会社 光拡散反射膜形成用組成物、光拡散反射膜および液晶表示素子
JP2002356115A (ja) 2001-05-31 2002-12-10 Hitachi Constr Mach Co Ltd 建設機械の冷却装置
US6797129B2 (en) * 2002-06-03 2004-09-28 Eastman Kodak Company Organic light-emitting device structure using metal cathode sputtering
JP3884351B2 (ja) * 2002-08-26 2007-02-21 株式会社 日立ディスプレイズ 画像表示装置およびその製造方法
JP4243508B2 (ja) 2003-04-10 2009-03-25 セイコーエプソン株式会社 バンク形成方法およびバンク形成システム
JP2005064143A (ja) * 2003-08-08 2005-03-10 Seiko Epson Corp レジストパターンの形成方法、配線パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器
TWI263803B (en) * 2004-02-17 2006-10-11 Chi Mei Optoelectronics Corp Liquid crystal display device, spacer substrate thereof and manufacturing method therefor
TWI258619B (en) * 2005-02-04 2006-07-21 Chi Mei Optoelectronics Corp Liquid crystal display device, color filter substrate and protrusion structure thereof, and manufacturing method therefor
JP4733365B2 (ja) 2004-05-31 2011-07-27 パナソニック電工株式会社 リラックス制御システム
JP2009130180A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Sony Corp 電子機器の製造方法および電子機器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1372336A (zh) * 2002-04-05 2002-10-02 中国科学院长春应用化学研究所 一种有机薄膜晶体管开关器件及制作方法
CN1638540A (zh) * 2003-12-30 2005-07-13 Lg.菲利浦Lcd株式会社 有机电致发光显示器件
CN1713059A (zh) * 2004-06-23 2005-12-28 精工爱普生株式会社 电光装置和电子设备以及电光装置的制造方法

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Publication number Publication date
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US20100314621A1 (en) 2010-12-16
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