CN101438422A - 具有改善的光提取的激光剥离发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光器件，该发光器件包括限定发光pn结的半导体叠层以及设置在半导体叠层上方的介电层。介电层具有与半导体叠层的折射率基本匹配的折射率。介电层具有远离半导体叠层的主表面。远端主表面包含有被构造成以便促进半导体叠层中所产生光的提取的图案、粗糙度或纹理。
Description
技术领域
下述内容涉及照明技术。该内容尤其涉及包含有利用激光剥离技术从沉积基板转移到宿主(host)基板或承载基板(sub-mount)的III族氮化物基发光二极管(LED)的发光器件以及制造该发光器件的方法，下面将对该内容进行描述。然而，下述内容还包括关于其他发光半导体器件的申请，这些发光半导体器件包括从沉积基板转移到宿主基板或承载基板半导体层的半导体层。
背景技术
III族氮化物基LED用于产生绿、蓝、紫和紫外线光发射。这些LED包括叠层，该叠层通常包括氮化镓(GaN)层、氮化铝(AlN)层、氮化铟(InN)层及其三元合金或四元合金层，这些层限定pn二极管。通过将这样的一种LED与适当的磷光体耦合，可制作出白LED。例如，可用包含磷光体的密封剂来涂覆该LED芯片，并且可布置III族氮化物基LED阵列，以照射包含磷光体或涂覆有磷光体的光学镜等。
用于外延生长III族氮化物层的沉积基板应当与外延沉积的III族氮化物层的晶格常数、生长温度和化学性质基本一致。理想的基板是诸如GaN基板的III族氮化物基板；然而，在形成大面积III族氮化物晶片方面已经遇到一些困难。目前，大多数III族氮化物生长在由蓝宝石(Al2O3)或碳化硅(SiC)制成的沉积基板上。
蓝宝石和碳化硅具有在成品器件中可能不利的特性，诸如电绝缘、表现出有限的导热性等。因此，对将外延生长的III族氮化物pn二极管叠层从沉积基板转移至更有利的宿主基板或承载基板方面产生了关注，该宿主基板或承载基板对最终制作的LED器件提供结构支持(并且可选地还提供电连通性)。适当的宿主基板或承载基板可以包括例如硅或砷化镓(GaAs)基板或承载基板、涂覆有电介质的金属基板或承载基板等。为实现剥离，将外延生长的III族氮化物叠层的表面附着在宿主基板或承载基板上并与蓝宝石、SiC或其他沉积基板分离。
用于分离III族氮化物半导体叠层的一种方法是应用激光剥离工艺。激光剥离分离工艺采用其能量在III族氮化物叠层与沉积基板之间的界面附近被吸收的激光器。例如，一些受激准分子激光器产生激光束，这些激光束很好的透过蓝宝石，但被GaN有效地吸收。由于III族氮化物层结合于宿主基板，受激准分子激光冲击(impinge)蓝宝石基板。由于蓝宝石对激光束是透明的，因此激光束在基本没有削弱的情况下穿过该蓝宝石基板，并在GaN/蓝宝石界面处被吸收，从而造成该蓝宝石基板的分离。
尽管激光剥离技术提供了具有有利特性的宿主基板或承载基板，但是来自分离后的III族氮化物叠层中的光提取由于该剥离而劣化。剥离后的III族氮化物叠层较薄(该叠层的典型厚度为约几微米至约几十微米)，但是却具有基本更大的横向尺寸(通常为几百微米至一厘米或更大)。由激光剥离技术产生的新表面是光滑的。而且，III族氮化物材料的折射率较高。高纵横比(aspect ratio)尺寸、光滑的表面以及高折射率共同作用而造成在剥离后的III族氮化物叠层中产生的光的全内反射和波导，这基本上减少了光提取。
发明内容
根据一个方面，公开了一种发光器件，该发光器件包括限定pn结的半导体叠层以及设置在半导体叠层之上的介电层。该介电层具有与半导体叠层的折射率基本匹配的折射率。该介电层具有远离半导体叠层的主表面。该远端主表面包含有被构造成以便促进半导体叠层中所产生光的提取的图案(patterning)、粗糙度(roughening)或纹理(texturing)。
根据另一方面，公开了一种制造发光器件的方法。形成限定发光pn结的半导体叠层。在该半导体叠层之上设置介电层。该介电层具有与半导体叠层的折射率基本匹配的折射率。该介电层具有远离半导体叠层的主表面。该远端主表面包含被构造成以便促进半导体叠层中所产生光的提取的图案、粗糙度或纹理。
根据再一方面，公开了一种发光器件，其包括限定pn结的半导体叠层以及其上设置半导体叠层的宿主基板或承载基板。该宿主基板或承载基板与其上已形成有半导体叠层的沉积基板不同。被构造成以便促进半导体叠层中所产生光的提取的图案、粗糙度或纹理形成于半导体叠层的远离宿主基板或承载基板的远端主表面上。
根据又一方面，公开了一种制造发光器件的方法。在沉积基板上形成限定发光pn结的半导体叠层。将所形成的半导体叠层从沉积基板转移到宿主基板或承载基板。该转移过程露出半导体叠层的新主表面，当在沉积基板上形成半导体叠层时该新主表面未露出。在半导体叠层的新主表面上形成被构造为以便促进半导体叠层中所产生光的提取的图案、粗糙度或纹理。
附图说明
图1A至图1D示意性地示出了包括激光剥离工艺的适当的III族氮化物LED的制作工艺。图1A示意性地示出了沉积在沉积基板上的半导体叠层。图1B示意性地示出了在沉积基板的激光剥离工艺期间附着于宿主基板或承载基板的半导体叠层。图1C示意性地示出了在沉积基板分离之后附着于宿主基板或承载基板的半导体叠层。图1D示意性地示出了制作的发光器件，该发光器件包括设置在半导体叠层之上的介电层，这些半导体层具有这样的远端基础(principal)表面，该远端主表面包含有被构造成以便促进半导体叠层中所产生光的提取的图案、粗糙度或纹理。
图2示意性地示出了所制作的发光器件的另一实施例，其中，介电层包括延伸穿过其以露出半导体叠层的一部分的开口，这些开口限定远端主表面的图案、粗糙度或纹理的形成。
具体实施方式
参照图1A至图1D，如下制作LED。将限定发光pn结的III族氮化物半导体叠层10沉积在沉积基板12上。在一些实施例中，限定发光pn结的III族氮化物半导体叠层10包括选自由氮化镓(GaN)层、氮化铝(AlN)层、氮化铟(InN)层、包含有GaN、AlN或InN的三元合金层以及包含有GaN、AlN或InN的四元合金层组成的组中的半导体层。然而，可以形成替代III族氮化物半导体层的其他半导体层，或者除了III族氮化物半导体层之外还形成其他半导体层。例如，III族氮化物叠层可以包括III族磷化物层、III族砷化物层、IV族半导体层等。该pn结可以是界面，或者该pn结可以包括限定有源区的层。例如，该pn结可以包括多量子阱区，该多量子阱区包括含有InN或其合金的多个层。对于III族氮化物半导体层而言，可以利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)、氢化物气相外延(HVPE)等方法来进行该沉积工艺。
在一些实施例中，沉积基板12是有利地与GaN严密晶格匹配的蓝宝石或SiC。然而，可以使用其他沉积基板。该沉积基板应该与III族氮化物半导体叠层严密地晶格匹配。然而，也可以容许其间存在一些晶格失配。可选地，可以采用诸如渐变(graded)外延半导体缓冲的技术或薄且适应的沉积基板来调节所沉积的叠层与沉积基板之间的晶格失配。
图1A示出了形成于沉积基板12上的III族氮化物半导体叠层10。所形成的III族氮化物半导体叠层10包括：第一主表面14，在沉积期间，叠层10通过该主表面固定于沉积基板12；以及第二主表面16，远离沉积基板12。
在形成该结构之后，将III族氮化物半导体叠层10的第二主表面16附着于诸如硅承载基板的宿主基板或承载基板20上。所示宿主基板或承载基板20包括与半导体叠层10电连接以便能够电激励(energizing)发光pn结的连接凸起22。通常，连接凸起22与金属性的或其他高导电性的电极层(未示出)电连接，在连接之前，这些金属性的或其他高导电性的电极层被沉积在半导体叠层10的第二主表面16上。所示宿主基板或承载基板20进一步包括导电过孔24，这些导电过孔通过前侧导电线路(trace)26与这些连接凸起22电连接，以便为该器件提供后侧电接触。可选地，在所附着的半导体叠层10与宿主基板或承载基板20之间的介于连接凸起22间设置底层填料28。该底层填料可以提供诸如改善从半导体叠层10到宿主基板或承载基板20的附着性和导热性等的优点。底层填料28应当电绝缘，并且该底层填料可以是绝热的或者导热的，以促进从半导体叠层10到宿主基板或承载基板20的传热。
在将III族氮化物半导体叠层10的第二主表面16附着于宿主基板或承载基板20之后，将III族氮化物半导体叠层10与沉积基板12分离。在一些实施例中，使用激光剥离技术来完成该分离。在适当的激光剥离方法中，将激光束30(在图1B中由框形箭头示意性地示出)施加于沉积基板12。尽管这里使用传统术语“激光”来说明激光剥离工艺，但是这里所使用的“激光”包括诸如受激准分子激光器的传统激光光源或者聚焦的高强度弧灯光源、聚焦的高强度白炽光源或其他高强度光源两者。选择激光束30的波长或光子能以使其对于沉积基板12而言基本透明，从而使得激光束30基本无衰减地穿过沉积基板12。进一步选择激光束30的波长或光子能以使其被III族半导体叠层10的一种或多种材料强效吸收，从而使得激光束30在最接近半导体叠层10的第一主表面14之处被吸收而造成沉积基板12与半导体叠层10分离。
图1B示意性地示出了在激光剥离工艺期间对激光束30的应用。图1C示意性地示出了激光剥离工艺之后的发光器件。在图1C所示工艺期间，将半导体叠层10的第二主表面16附着于宿主基板或承载基板20，同时通过沉积基板12的分离而露出第一主表面14。通常，所露出的第一主表面14相对较光滑。在一些实施例中，所露出的第一主表面14具有几纳米至几微米的RMS粗糙度度。所露出的该相对光滑的第一主表面14促进半导体叠层10中产生的光在第一主表面14处的全内反射，并且促进拦截(trap)半导体叠层10内的光的波导作用。这些作用降低了光提取效率。
参照图1D，在半导体叠层10之上设置介电层40。介电层40对半导体叠层10发射出的光基本是透明的，并且该介电层具有与半导体叠层10的折射率基本匹配的折射率。介电层40包括与半导体叠层10接触的近端主表面42以及远离半导体叠层10的远端主表面44。远端主表面44包含有被构造成以便促进半导体叠层中所产生光的提取的图案、粗糙度或纹理50。在图1D的实施例中，图案、粗糙度或纹理50仅部分地延伸穿过介电层40。因此，近端主表面42不包含远端主表面44的图案、粗糙度或纹理50。相反，近端主表面42为连续的并且覆盖半导体叠层10的第一主表面14。
参照图2，在另一些实施例中，在半导体叠层10之上设置介电层40’。介电层40’对半导体叠层10发射出的光基本是透明的，并且该介电层具有与半导体叠层10的折射率基本匹配的折射率。介电层40’包括与半导体叠层10接触的近端主表面42’以及远离半导体叠层10的远端主表面44’。远端主表面44’包含有被构造成以便促进半导体叠层中所产生光的提取的图案、粗糙度或纹理50’。图2所示实施例与图1D所示实施例的不同之处在于，图案、粗糙度或纹理50’延伸穿过近端主表面42’，从而近端主表面42’包含图案、粗糙度或纹理50’。远端主表面44’的图案、粗糙度或纹理50’由介电层40’对半导体叠层的不完全覆盖来限定。该不完全覆盖中的开口限定远端主表面的图案、粗糙度或纹理50’。
在一些实施例中，图案、粗糙度或纹理50、50’基本上是随机的且非周期性的。在另一些实施例中，图案、粗糙度或纹理50、50’限定出显微透镜。在又另一些实施例中，图案、粗糙度或纹理50、50’具有使所提取的光朝向选定视角偏斜(bias)的倾斜表面或其他结构。图案、粗糙度或纹理50、50’降低远端主表面44、44’的平坦性，以通过降低全内反射和波导作用而提高光提取。图案、粗糙度或纹理50、50’包含有基于由限定发光pn结的半导体叠层10发射出的光的波长而提高光提取的特征尺寸。
介电层40、40’基本上可以是具有与半导体材料的折射率相当的折射率的任意透明介电材料。一种适当的介电材料是氮化硅(SiNx)。SiNx的折射率取决于化学定量关系(stoichiometry)，并且该折射率趋向于随着Si/N比的增加而增加。本发明的发明人已经通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积了SiNx，并且已经测量出在680nm时的折射率大于2.4。该折射率的大小足以与680nm时GaN的折射率(已经有报告称该折射率约为2.3，参见Zauner等人的MRS Internet J.Nitride Semicond.Res.3，17(1998)，第1-4页)基本匹配。其他适当的介电材料包括例如氧化硅(SiOx)和氧氮化硅(SixNy)。
介电层40、40’的折射率应该与半导体叠层10的折射率基本匹配，以便当光从半导体材料进入介电材料中时减少折射。对于全内反射而言，临界角θc与界面法线之间的关系由sin(θc)＝nd/ns表示，其中，nd是介电层40、40’的折射率，而ns是半导体的折射率。当nd≥ns时，对从半导体叠层10进入介电层40、40’的光而言不发生全内反射。因此，具有与半导体材料的折射率大约相同或者更大的折射率的任何介电材料被认为与半导体材料的折射率基本匹配。也就是说，使介电层40、40’的折射率与半导体叠层10的折射率基本匹配的条件是nd～ns或nd>ns。
可以通过各种方法来制造包括具有图案、粗糙度或纹理50、50’的远端主表面44、44’的介电层40、40’。在一种方法中，半导体叠层10的第一主表面14上基本均匀地沉积介电层。然后利用掩模采用诸如等离子体蚀刻的蚀刻工艺(etch down process)，以形成图案、粗糙度或纹理50、50’。该掩模可以是在附着于宿主基板或承载基板20之后适于对器件图案化的非接触式掩模。可以使用适于光刻、x射线光刻或电子束光刻工艺的非接触式掩模。可以使用该掩模在沉积的介电层上形成诸如光致抗蚀剂图案的抗蚀图案；该抗蚀图案用于限定蚀刻区和未蚀刻区。可替换地，在定向干蚀刻工艺中，可以将该掩模用作遮光板。
另一方法是在所沉积的介电层的表面上沉积诸如聚苯乙烯球的小聚苯乙烯件，并将那些件或球用作等离子体蚀刻掩模。该方法通常提供随机的或非周期性的图案、粗糙度或纹理。用于形成图案、粗糙度或纹理50的又一方法是利用光栅(grating)光刻工艺。这一方法通常提供周期性的粗糙度。
这些蚀刻方法可以制造出不完全穿过介电层40的图案、粗糙度或纹理50，或者制造出完全穿过介电层40’的图案、粗糙度或纹理50’，以便在介电层40’中限定开口。这二者的差异仅在于蚀刻工艺穿透的深度。如果利用蚀刻工艺来制造包含开口的介电层40’，那么最好选择不伤害构成半导体叠层10的半导体材料的蚀刻工艺。
还可利用剥离工艺来限定图案、粗糙度或纹理50。首先，使用掩模在半导体叠层10的第一主表面14上限定抗蚀图案(诸如光致抗蚀剂图案)。然后，将具有与半导体材料相匹配的折射率的介电层沉积在第一主表面14和该抗蚀图案的顶部上，接下来，进行将抗蚀图案以及所沉积介电层的设置于抗蚀图案上的部分去除的剥离工艺。
可以以对半导体叠层10不造成损坏的方式来容易地完成该剥离工艺，以便于制造包含开口的介电层40’。例如，该抗蚀图案可以是由不损坏半导体材料的曝光量形成的光致蚀刻剂图案。为利用剥离工艺制造介电层40，可以首先沉积由介电材料形成的连续层，然后在该连续介电层的顶部上限定屏蔽的(masked)抗蚀图案，接下来沉积第二介电层并将第二介电层的选定部分剥离。
在又一方法中，首先使用掩模来限定抗蚀图案，然后使用蚀刻工艺直接在半导体材料上形成图案。然而，这一方法具有的缺点在于，对半导体材料的蚀刻可能会使半导体叠层10受损，从而导致LED性能下降。
在图案化工艺之后可以制造出具有期望形状的图案。介电(或半导体)岛和岛阵列的形状可以有效地形成显微透镜，以使光输出能最优。可选地，可以形成所选择的岛形状和图案边墙陡度(sidewallangle)，以改变工程(engineer)视角。可选地，在图案化工艺之后，用抗反射涂层涂覆远端主表面44、44’，以进一步提高光提取率。当半导体的折射率ns较高并且介电材料相应地具有与半导体叠层的高折射率ns基本匹配的高折射率nd时，抗反射涂层尤其有益。
已经参照优选实施例描述了本发明。显而易见地，在阅读和理解前述详细描述的情况下，可以进行修改和改变。应该理解，本发明包括落入所附权利要求或其等同物的范围内的所有这些修改和改变。
Claims (37)
1.一种发光器件，包括：
半导体叠层，限定发光pn结；以及
介电层，设置在所述半导体叠层之上，所述介电层具有的折射率与所述半导体叠层的折射率基本匹配，所述介电层具有远离所述半导体叠层的主表面，该远端主表面包含有被构造成促进所述半导体叠层中所产生光的提取的图案、粗糙度或纹理。
2.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括：
宿主基板或承载基板，其上设置有所述半导体叠层，所述宿主基板或承载基板与其上形成所述半导体叠层的沉积基板不同。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述宿主基板或承载基板包括连接凸起，所述连接凸起与所述半导体叠层电连接，以能够电激励所述发光pn结。
4.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中，所述宿主基板或承载基板为硅基板或硅承载基板。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的发光器件，其中，所述半导体叠层具有相对的第一和第二主表面，所述第二主表面被固定于所述宿主基板；而所述第一主表面已经在所述半导体叠层形成于所述沉积基板上期间被固定于所述沉积基板。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光器件，其中，所述发光pn结包括多量子阱区。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件，其中，所述半导体叠层包括选自由以下层组成的组中的半导体层：氮化镓(GaN)层、氮化铝(AlN)层、氮化铟(InN)层、包含GaN、AlN或InN的三元合金的层、以及包含GaN、AlN或InN的四元合金的层。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述发光pn结包括多量子阱区，所述多量子阱区包括含有InN或其合金的多个层。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的发光器件，其中，所述介电层不完全覆盖所述半导体叠层，所述远端主表面的所述图案、粗糙度或纹理通过所述半导体叠层的不完全覆盖来限定。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的发光器件，其中，所述介电层包括露出下面的半导体叠层的开口，所述开口限定所述远端主表面的所述图案、粗糙度或纹理。
11.根据权利要求1至8中任一项所述的发光器件，其中，所述介电层具有接触所述半导体叠层的近端主表面，接触所述半导体叠层的所述近端主表面不包含所述远端主表面的所述图案、粗糙度或纹理。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的发光器件，其中，所述远端主表面的所述图案、粗糙度或纹理包括至少一个横向周期。
13.根据权利要求1至11中任一项所述的发光器件，其中，所述远端主表面的所述图案、粗糙度或纹理基本上是随机的和非周期性的。
14.根据权利要求1至11中任一项所述的发光器件，其中，所述图案、粗糙度或纹理限定显微透镜。
15.根据权利要求1至11中任一项所述的发光器件，其中，所述图案、粗糙度或纹理使所提取的光朝向选定的视角偏斜。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的发光器件，进一步包括：
抗反射涂层，设置在所述介电层的所述远端主表面上。
17.一种制造发光器件的方法，所述方法包括以下步骤：
形成限定发光pn结的半导体叠层；以及
在所述半导体叠层的上方设置介电层，所述介电层具有的折射率与所述半导体叠层的折射率基本匹配，所述介电层具有远离所述半导体叠层的主表面，该远端主表面包含有被构造成促进所述半导体叠层中所产生光的提取的图案、粗糙度或纹理。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述形成步骤包括：
在沉积基板上沉积所述半导体叠层。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述形成步骤进一步包括：
将所述半导体叠层从所述沉积基板转移至宿主基板或承载基板。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述转移步骤包括：
通过激光剥离工艺将所述半导体叠层与所述沉积基板分离。
21.根据权利要求19所述的方法，其中，所述转移步骤包括：
将所述半导体叠层的第二主表面附着于所述宿主基板或承载基板；以及
将与所述第二主表面相对的第一主表面与所述沉积基板分离。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述分离步骤包括：
对所述沉积基板施加激光束，所述激光束基本无损地穿过所述沉积基板并且在所述半导体叠层的所述第一主表面附近被吸收。
23.根据权利要求21或22所述的方法，其中，所述附着步骤包括：
将所述半导体叠层的所述第二主表面附着于所述宿主基板或承载基板的连接凸起，这一连接实现了所述连接凸起中的至少一些与所述半导体叠层的电连接，以能够电激励所述发光pn结。
24.根据权利要求17至23中任一项所述的方法，其中，所述形成步骤包括：
形成这样的半导体叠层，所述半导体叠层包括选自由以下层组成的组中的半导体层：氮化镓(GaN)层、氮化铝(AlN)层、氮化铟(InN)层、包含GaN、AlN或InN的三元合金的层、以及包含GaN、AlN或InN的四元合金的层。
25.根据权利要求17至24中任一项所述的方法，其中，所述形成步骤包括：
形成包括多量子阱区的所述pn结。
26.根据权利要求17至25中任一项所述的方法，其中，在所述半导体叠层的上方设置所述介电层的步骤包括：
在设置所述介电层之后，在所述远端主表面中形成所述图案、粗糙度或纹理。
27.根据权利要求26所述的方法，其中，形成所述图案、粗糙度或纹理的步骤包括：
蚀刻去除所设置的介电层的选定部分。
28.根据权利要求27所述的方法，其中，所述选定部分延伸至下面的半导体叠层，以在所设置的介电层中限定开口。
29.根据权利要求27所述的方法，其中，所述选定部分并不延伸至下面的半导体叠层。
30.根据权利要求27至29中任一项所述的方法，其中，所述选定部分由掩模来限定。
31.根据权利要求27至29中任一项所述的方法，其中，在所述远端主表面中形成所述图案、粗糙度或纹理的步骤进一步包括：
在所设置的介电层上设置聚苯乙烯件，所设置的聚苯乙烯件限定出所述选定部分。
32.根据权利要求17至25中任一项所述的方法，其中，在所述半导体叠层的上方设置所述介电层的步骤包括：
使用限定所述图案、粗糙度或纹理的剥离图案化工艺设置所述介电层。
33.一种发光器件，包括：
半导体叠层，限定发光pn结；
宿主基板或承载基板，其上设置有所述半导体叠层，所述宿主基板或承载基板与其上形成所述半导体叠层的沉积基板不同；
图案、粗糙度或纹理，所述图案、粗糙度或纹理被构造成促进所述半导体叠层中所产生的光的提取，并且形成在所述半导体叠层的远离所述宿主基板或承载基板的远端主表面上。
34.根据权利要求33所述的发光器件，进一步包括：
介电层，设置在所述半导体叠层的所述远端主表面的上方，所述介电层具有的折射率与所述半导体叠层的折射率基本匹配。
35.一种制造发光器件的方法，所述方法包括以下步骤：
在沉积基板上形成限定发光pn结的半导体叠层；
将所形成的半导体叠层从所述沉积基板转移至宿主基板或承载基板，所述转移步骤露出所述半导体叠层的新主表面，当在所述沉积基板上形成所述半导体叠层时，所述新主表面未被露出；以及
在所述半导体叠层的所述新主表面上形成图案、粗糙度或纹理，所述图案、粗糙度或纹理被构造成促进所述半导体叠层中所产生的光的提取。
36.根据权利要求35所述的方法，其中，所述转移步骤包括：
利用激光剥离工艺将所述半导体叠层与所述沉积基板分离。
37.根据权利要求35或36所述的方法，进一步包括：
在包含所述图案、粗糙度或纹理的所述新主表面上设置介电层。
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