CN101428800A - 一种用用后耐火材料合成SiC的方法 - Google Patents

一种用用后耐火材料合成SiC的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101428800A
CN101428800A CNA2008102278251A CN200810227825A CN101428800A CN 101428800 A CN101428800 A CN 101428800A CN A2008102278251 A CNA2008102278251 A CN A2008102278251A CN 200810227825 A CN200810227825 A CN 200810227825A CN 101428800 A CN101428800 A CN 101428800A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silica brick
sic
carbon
synthetic
synthesis
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2008102278251A
Other languages
English (en)
Inventor
赛音巴特尔
廖洪强
张梅
王习东
岳昌盛
余广炜
冯向鹏
李世青
周宇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shougang Group Co Ltd
Shougang Corp
Original Assignee
Shougang Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shougang Corp filed Critical Shougang Corp
Priority to CNA2008102278251A priority Critical patent/CN101428800A/zh
Publication of CN101428800A publication Critical patent/CN101428800A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

一种用用后耐火材料合成SiC的方法,属于耐火材料的合成技术领域。工艺步骤为:按配方组配原料:原料配方按质量百分比计:用后硅砖:55~75%;活性炭或碳黑:25~45%;粉碎:将用后硅砖球磨机中混磨至粒径40~50μm;混料、成型;高温热处理:合成采用空气中埋碳控制得到还原气氛体系,温度升至1300℃~1600℃,保温1~8h。本方法可以制备出纯度较高的SiC材料,且工艺方法可控,充分利用了用后硅砖,为用后耐火材料的资源化综合利用提供了一项得力有效的措施,大幅度降低了产品的生产制造成本,提高产品附加值,并必将显著改善社会环境。

Description

一种用用后耐火材料合成SiC的方法
技术领域
本发明涉及耐火材料的合成技术领域,特别是提供了一种用用后耐火材料烧结合成SiC的方法。
背景技术
SiC是一种共价键性很强的难熔非氧化物,在大气压下,约2600℃温度下分解为石墨和气相,另外还具有机械强度高、热导率好、耐磨性和抗侵蚀性能优异等特性,因此在磨料磨具、耐火材料、高温结构陶瓷、高温冶金等工业领域应用广泛。工业碳化硅一般混入少量的游离碳、二氧化硅和硅等杂质。SiC在高温冶金与材料行业中应用广泛,可以作为高温炉导电发热体,也可以作为耐火材料,例如高炉用Si3N4结合SiC砖,或加入含碳耐火材料材料中作为添加剂广泛使用。
目前,我国每年消耗耐火材料约800万t,其中钢铁工业用后耐火材料占有较大的比例,约占55%左右,钢铁工业吨钢耐火材料消耗量由建国初期的50kg降到了目前10kg左右。由于我国基础建设、产业升级、商业需求等方面对钢铁材料的需求,我国钢铁年产量大幅度增长,用后耐火材料总量仍居高不下。合理利用用后耐火材料,节约资源,开发新技术,对于提高工业生产效益和环境保护都有十分重要的意义。
目前虽然国内在技术领域内制备SiC材料的方法已有多种报道,但以用后耐火材料为主原料合成SiC的方法未见相关报道。
发明内容
本发明的目的在于提供一种利用用后硅砖与活性碳反应合成SiC的方法,制备用的原材料为冶金高温工业用后耐火材料,烧结合成反应后生成了纯度较高的SiC,高温反应下合成了以β-SiC为主晶相的材料,其含量可达90%以上。
本发明以用后耐火材料为原料合成SiC材料,工艺步骤为:
(1)按配方组配原料:原料配方按质量百分比计:用后硅砖:55~75%;活性碳或碳黑:25~45%;
其中用后硅砖所含主要成分按质量百分比计是:SiO2:90~100%,杂质相0~10%;
(2)粉碎:将用后硅砖球磨机中混磨至粒径40~50um;
(3)混料、成型:将硅砖粉与活性碳/碳黑按比例混合,以羧甲基纤维素钠或聚乙烯醇为粘接剂,拌匀后以30~40MPa压力下成型:
(4)高温合成:合成采用空气中埋碳控制得到还原气氛体系,温度升至1300℃~1600℃,保温1~8h。
本发明的优点在于:
本发明找到了一种用后耐火材料二次利用的方法,不仅节约了原料成本,且无需经过精细选料,有益于能源节约,避免资源浪费。采用本方法合成的SiC纯度较高,晶体发育较好,具有较好的使用前景。
本发明工艺方法可控,充分利用了用后硅砖,为用后耐火材料的资源化综合利用提供了一项得力有效的措施,大幅度降低了产品的生产制造成本,提高产品附加值,并必将显著改善社会环境
附图说明
图1为本发明的合成工艺流程图。
图2为合成SiC的XRD图(1450℃,保温4h,硅砖加入量64%)。
图3为合成SiC的XRD图(1550℃,保温4h,硅砖加入量55%)。
图4为图3合成SiC的SEM照片。
具体实施方式
实施例1
本发明按照质量百分比计的具体配方是:用后硅砖64%,活性碳36%。
(1)按照配方分别称量用后硅砖和活性碳;
(2)将用后硅砖磨料至粒径小于44um;
(3)将干燥的原料添加少量粘结剂,在40MPa的压力下机压成型;
(4)在空气中埋碳下升温至1450℃,保温4h;
结构表征:XRD结果(如图2所示)显示合成出SiC含量较高的材料,还可以看出还含有部分方石英领域磷石英。
实施例2
本发明按照质量百分比计的具体配方是:用后硅砖55%,活性碳45%。
(1)按照配方分别称量用后硅砖和活性碳;
(2)将用后硅砖磨料至粒径小于44um;
(3)将干燥的原料添加少量粘结剂,在40MPa的压力下机压成型;
(4)在空气中埋碳下升温至1550℃,保温4h;
结构表征:XRD结果(如图3所示)显示合成出SiC含量较高的材料,还可以看出还含有第二相氮氧化物Si2N2O,Si2N2O具有优异的高温使用性能,在合成材料中作为第二相对材料其有益的作用。由图4可以看出形成了较大颗粒的晶体,能谱分析表明其主要元素为Si和C,故其为SiC层状晶体。

Claims (2)

1、一种用用后耐火材料烧结合成SiC的方法,其特征在于,工艺步骤为:
(1)按配方组配原料:原料配方按质量百分比计:用后硅砖:55~75%;活性碳或碳黑:25~45%;
(2)粉碎:将用后硅砖球磨机中混磨至粒径40~50um;
(3)混料、成型:将硅砖粉与活性碳/碳黑按比例混合,以羧甲基纤维素钠或聚乙烯醇为粘接剂,拌匀后以30~40MPa压力下成型:
(4)高温合成:合成采用空气中埋碳控制得到还原气氛体系,温度升至1300℃~1600℃,保温1~8h。
2、按照权利要求1所述的方法,其特征在于,用后硅砖所含成分按质量百分比计是:SiO2:90~100%,杂质相0~10%。
CNA2008102278251A 2008-11-28 2008-11-28 一种用用后耐火材料合成SiC的方法 Pending CN101428800A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2008102278251A CN101428800A (zh) 2008-11-28 2008-11-28 一种用用后耐火材料合成SiC的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2008102278251A CN101428800A (zh) 2008-11-28 2008-11-28 一种用用后耐火材料合成SiC的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101428800A true CN101428800A (zh) 2009-05-13

Family

ID=40644481

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2008102278251A Pending CN101428800A (zh) 2008-11-28 2008-11-28 一种用用后耐火材料合成SiC的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101428800A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102424586A (zh) * 2011-09-06 2012-04-25 中国地质大学(北京) 一种SiC耐火原料粉体的制备方法
CN109607538A (zh) * 2019-01-18 2019-04-12 东北大学 一种由预处理后的粉煤灰制备碳化硅的方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102424586A (zh) * 2011-09-06 2012-04-25 中国地质大学(北京) 一种SiC耐火原料粉体的制备方法
CN109607538A (zh) * 2019-01-18 2019-04-12 东北大学 一种由预处理后的粉煤灰制备碳化硅的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103664199B (zh) 以聚碳硅烷为结合剂制备碳化硅耐火材料的方法
CN101913905A (zh) 一种多孔性陶瓷组成物及其制备方法与应用
CN101734936A (zh) 一种Si3N4-SiC-C耐火原料粉体的制备方法
CN109081697A (zh) 一种制备B4C/SiC复合陶瓷粉的方法
CN101891486A (zh) 一种用于干熄焦炉的高导热Sialon-SiC复相陶瓷耐火材料及其生产方法
CN102826851A (zh) 一种硼化锆-碳化硅复相耐高温粉体材料的制备方法
CN102093065A (zh) 一种以复合镁砂为主要原料的镁碳砖及制备方法
CN107162597A (zh) 一种浇注成型氮化硅结合碳化硅制品的配方及其制作方法
CN106747452A (zh) 一种电阻炉生产碳化硼结晶块的方法
CN108395218A (zh) 一种利用改性镁砂制备的低碳镁碳砖及其制备方法
CN102219530B (zh) 一种硅莫砖及其制备方法
CN101423412B (zh) 低温烧成制备高性能氧化硅结合碳化硅耐火材料的方法
CN105502404A (zh) 一种高品质碳化硼结晶块的冶炼制备方法
CN108610071A (zh) 一种自结合碳化硅耐火材料及其液相烧结制备方法
CN101096272A (zh) 氮化硅基复合材料燃烧合成方法
CN101798222A (zh) 一种Al2O3-Ni-C-B4C复相陶瓷及其制备方法
CN100361895C (zh) 利用铁矿石尾矿制备SiC复相材料的方法
CN104446459B (zh) 用于钨钼烧结中频炉的氧化锆空心球隔热制品的制备方法
CN101786612A (zh) 一种TiN粉体原料及其制备方法
CN100408510C (zh) 利用铁矿石尾矿制备Si3N4/TiN复相导电陶瓷材料的方法
CN103896606B (zh) 一种高炉陶瓷杯用耐火材料
CN101462885A (zh) 一种碳化硅匣钵砖生产工艺
CN103360092B (zh) 一种火化炉用碳化硅耐火材料的制备方法
CN101428800A (zh) 一种用用后耐火材料合成SiC的方法
CN101654369A (zh) 一种制备Fe-Sialon耐火原料的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20090513