CN101462885A - 一种碳化硅匣钵砖生产工艺 - Google Patents

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CN101462885A CNA2008102373345A CN200810237334A CN101462885A CN 101462885 A CN101462885 A CN 101462885A CN A2008102373345 A CNA2008102373345 A CN A2008102373345A CN 200810237334 A CN200810237334 A CN 200810237334A CN 101462885 A CN101462885 A CN 101462885A
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徐林富
徐跃庆
李宏宇
徐跃刚
宋桂兰
梁保青
张树才
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Abstract

一种碳化硅匣钵砖生产工艺，涉及一种耐火材料的生产工艺，本发明的目的是提供一种所烧的匣钵砖使用寿命长、能耗低的生产工艺。本发明的技术方案是，一种碳化硅匣钵砖生产工艺，(1)混合制泥料工序，先将7－15重量份的金属硅粉和5－38重量份的氮化硅粉在混练机内混和成混合粉后，在球磨机中研磨制成细粉备用，将50－76重量份的碳化硅颗粒放入湿碾机中与2－2.6重量份的树脂进行混碾均匀后，在将上述研磨机研磨成的金属硅和氮化硅继粉和1－1.33重量份的树脂继续混碾混合成泥料，(2)将上述混合的泥料在成型机成型，(3)对成型的匣钵砖在干燥炉内进行常规干燥，(4)将干燥后的匣钵砖放在氧化气氛炉内进行常规烧结，即制成碳化硅匣钵砖。本发明用于冶金。

Description

一种碳化硅匣钵砖生产工艺
技术领域：
本发明涉及一种耐火材料的生产工艺，特别是一种碳化硅匣钵砖生产工艺。
背景技术：
现有碳化硅匣钵砖的烧成工艺，采用SiC-Si3N4-Si在N气保护条件下高温烧制过程中加入N气，氧化形成活性的SiO2、Si2N2O等化合物，这种生产方法所产生的SiO2和Si2N2O活性化合物的含量较低，这种碳化硅匣钵砖的抗变形能力较低，寿命短，同时，采用氮气保护烧成工艺所消耗电能高，氮气加热炉的费用高。
发明内容：
本发明的目的是提供一种碳化硅匣钵砖生产工艺，所烧的匣钵砖使用寿命长、能耗低。本发明的技术方案是，一种碳化硅匣钵砖生产工艺，包括混料、成型、干燥和烧成工序，其特征在于：(1)混合制泥料工序，先将7-15重量份的金属硅粉和5-38重量份的氮化硅粉在混练机内混和成混合粉后，在球磨机中研磨制成细粉备用，将50-76重量份的碳化硅颗粒放入湿碾机中与2-2.6重量份的树脂进行混碾均匀后，在将上述研磨机研磨成的金属硅和氮化硅继粉和1-1.33重量份的树脂继续混碾混合成泥料，(2)将上述混合的泥料在成型机成型，(3)对成型的匣钵砖在干燥炉内进行常规干燥，(4)将干燥后的匣钵砖放在氧化气氛炉内进行常规烧结，即制成碳化硅匣钵砖。本发明与现有技术比较具有使用寿命长和能耗低的显著优点。
具体实施方式：
本发明有以下实施例：
实施例一：
1、将18千克小于等于500目的金属硅细粉，22千克小于400目的氮化硅细粉，能在锥形混练机中混匀成混合粉，再在小型球磨机中进行研磨。2、将18千克的3-5mm的碳化硅颗粒、30千克1-3mm的碳化硅颗粒料、12千克的0-1mm的碳化硅颗粒，进行搅拌混合。将混合好的颗粒倒入湿碾机中，先加入3千克树脂的2/3，即2千克树脂与混合好的颗粒，进行混碾均匀后，再加入上述研磨好的混合粉和剩下的1/3树脂进一步充分混合均匀成泥料。
3、将上述混合好的泥料由摩擦压力机上成型、干燥、烧成即成SiC-Si3N4-Si匣钵。
其中干燥工艺要求：
 
温度范围(℃) 要求干燥时间(h)
常温～80 8～10
80～140 10～12
124～200 10～14
200±10 ≥8
烧成温度(在氧化气氛烧成)：
 
温度范围(℃) 升温曲线(h)
常温～500 8
500～1000 12
1000～1200 4
1200(保温) 6
1200～1350 8
1350±10 8
实施例二：
1、将7千克小于等于500目的金属硅细粉，15千克小于400目的氮化硅细粉，能在锥形混练机中混匀成混合粉，再在小型球磨机中进行研磨。13千克320目细粉。
2、将12千克的3-5mm的碳化硅颗粒、38千克1-3mm的碳化硅颗粒料、15千克的0-1mm的碳化硅颗粒，进行搅拌混合。将混合好的颗粒倒入湿碾机中，先加入3.5千克树脂的2/3，即2.3333千克树脂与混合好的颗粒，进行混碾均匀后，再加入上述研磨好的混合粉和剩下的1/3树脂进一步充分混合均匀成泥料。
3、将上述混合好的泥料由摩擦压力机上成型、干燥、烧成即成SiC-Si3N4-Si匣钵。
其中干燥工艺要求：
 
温度范围(℃) 要求干燥时间(h)
常温～80 8～10
80～140 10～12
124～200 10～14
200±10 ≥8
烧成温度(在氧化气氛烧成)：
 
温度范围(℃) 升温曲线(h)
常温～500 8
500～1000 12
1000～1200 4
1200(保温) 6
1200～1400 10
1400±10 8
实施例三：
1、将10千克小于等于500目的金属硅细粉，5千克小于400目的氮化硅细粉，能在锥形混练机中混匀成混合粉，再在小型球磨机中进行研磨。23千克320目细粉。
2、将7千克的3-5mm的碳化硅颗粒、35千克1-3mm的碳化硅颗粒料、20千克的0-1mm的碳化硅颗粒，进行搅拌混合。将混合好的颗粒倒入湿碾机中，先加入4千克树脂的2/3，即2.6667千克树脂与混合好的颗粒，进行混碾均匀后，再加入上述研磨好的混合粉和剩下的1/3树脂进一步充分混合均匀成泥料。
3、将上述混合好的泥料由摩擦压力机上成型、干燥、烧成即成SiC-Si3N4-Si匣钵。
其中干燥工艺要求：
 
温度范围(℃) 要求干燥时间(h)
常温～80 8～10
80～140 10～12
124～200 10～14
200±10 ≥8
烧成温度(在氧化气氛烧成)：
 
温度范围(℃) 升温曲线(h)
常温～500 8
500～1000 12
1000～1200 4
1200(保温) 6
1200～1450 12
1450±10 8

Claims (1)

1、一种碳化硅匣钵砖生产工艺，包括混料、成型、干燥和烧成工序，其特征在于：(1)混合制泥料工序，先将7-15重量份的金属硅粉和5-38重量份的氮化硅粉在混练机内混和成混合粉后，在球磨机中研磨制成细粉备用，将50-76重量份的碳化硅颗粒放入湿碾机中与2-2.6重量份的树脂进行混碾均匀后，在将上述研磨机研磨成的金属硅和氮化硅继粉和1-1.33重量份的树脂继续混碾混合成泥料，(2)将上述混合的泥料在成型机成型，(3)对成型的匣钵砖在干燥炉内进行常规干燥，(4)将干燥后的匣钵砖放在氧化气氛炉内进行常规烧结，即制成碳化硅匣钵砖。
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