CN101428491A - 弱磁性纳微米粒子图案化的高分子薄膜、加工方法及加工设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及弱磁性纳微米粒子图案化的高分子薄膜、加工方法及加工设备,其中高分子薄膜为添加到高分子中的弱磁性纳微米粒子在基底内呈条状或阵列排列或图案化的定向取向的高分子薄膜,该高分子薄膜是由试样容器、磁场调制器和磁场发射器组成的加工设备中得到的。本发明提供的高分子薄膜结构独特新颖,加工方法及设备简单,操作灵活方便,功能性强,可广泛应用于信息、生物、电子工程式等领域。
Description
技术领域
本发明涉及功能高分子薄膜加工领域,特别是涉及弱磁性纳微米粒子图案化的高分子薄膜、加工方法及加工设备。
背景技术
弱磁性(抗磁性和顺磁性)材料和磁场的微弱相互作用是早在法拉第时代已被人们所认识,然而由于日常生活中人们的直接经验是磁铁只吸引铁钉、大头针等铁磁性材料,而不吸引橡皮,铅笔芯等弱磁性材料,所以磁场在电磁搅拌、电磁感应加热、电磁铸造、磁存储器等铁磁性材料领域已获得了非常成功的应用,但是在弱磁性材料领域中的磁场效果的研究,几乎没有引起人们的普遍重视。随着超导技术的日趋成熟,超导磁场开始普及到一般实验室,人们才有机会用肉眼便可以观察到弱磁性材料在磁场中表现出的一系列显著的磁场效果,如均匀磁场使具有磁各向异性的碳纤维一维取向、梯度磁场中水、木材、塑料等抗磁性材料的空中悬浮等现象。这些强磁现象具有重要的理论研究价值和实际应用价值,意味着磁场应用的范围可以从传统的以铁磁性材料为主扩大到到弱磁性材料领域,因而引起各国科学家的极大关注和重视。
另一方面,纳米的概念已渗入到高分子材料科学领域。碳纳米管(CNT)、无机纳米粒子与高分子复合所预期产生的纳米效应已经激发了研究者探索这一领域的极大热情。目前CNT、无机纳米粒子与高分子复合材料主要通过液相共混、固相共融和原位复合及共混的方法。但是,随着对纳米材料认识的逐渐加深,人们现在要面对的现实是如何使纳米概念在实际应用过程中见到效果。CNT、无机纳米晶须等弱磁性粒子的最大特征之一就是其一维性,即沿着主轴方向与其垂直方向具有固有的导电性、吸光及发光二色性。虽然上述制备方法各有优点,但都无法实现CNT、无机纳米晶须等弱磁性粒子在子中的一维取向,因此不能最大限度地利用弱磁性粒子所固有的光电磁的各向异性特性,而且由于弱磁性粒子排列的无序性,也不能满足制备光电子器件的要求。今后纳米复合材料的发展趋势不只是简单地混合,而是要最有效地利用纳米材料固有的各向异性性质来设计纳米复合材料,以满足不同应用的需要。
中国专利CN1899795A中公开了利用磁场制备了有序结构树脂复合材料,其方法是首先将预先配制好的复合材料涂布于底膜上,然后经过磁场的处理使复合材料中的微尺寸结构水平方向和垂直方向取向,并最终形成纳微米粒子磁场取向的树脂基复合材料膜。该方法制得的复合材料中只具有取向的纳微米粒子结构,但是不能实现纳微米粒子的图案化。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术存在的不足,经发明人从事高分子领域的开发研究及其市场需求调研,开发提供一种结构独特新颖,加工方法简单,操作灵活方便,功能性强的弱磁性纳微米粒子图案化的高分子薄膜、加工方法及其加工设备。
本发明提供的弱磁性纳微米粒子图案化的高分子薄膜,其特征在添加到高分子中的弱磁性纳微米粒子在基底内呈条状或阵列排列或图案化的定向取向的高分子薄膜,所述弱磁性纳微米粒子为纳微米尺寸的抗磁性和顺磁性物质为有机材料、无机材料或生物材料,例如低聚噻吩微晶、低聚苯微晶、富勒烯C60纳微米球、纤维素微晶、二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、碳酸钙或氧化铝纳微米晶体或晶须、蒽微晶、聚苯乙烯微球、氧化镉纳米晶体、五氧化二钒纳微米晶须、二氧化钒钠微米晶须、碳纳米管或红细胞等;所述高聚物薄膜为聚丙烯酰胺薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚丙烯酸薄膜、聚乙二醇薄膜、聚电解质薄膜、聚氧化乙烯薄膜、聚乙烯吡咯烷酮薄膜、聚马来酸酐薄膜、聚二甲基二烯丙基氯化铵薄膜、聚乙烯胺薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚1-丁烯环氧树脂薄膜、聚丙烯薄膜、聚异丁烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯化聚氯乙烯薄膜、聚醋酸乙烯薄膜、聚丙烯酸酯薄膜、聚异戊二烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚氯丁二烯薄膜、聚环氧氯丙烷薄膜、环氧树脂薄膜、聚苯砜薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、尼龙膜、聚对苯二甲酸乙二酯薄膜、聚噻吩薄膜、环氧树脂薄膜或酚醛树脂薄膜等等各种高聚物薄膜,这些基底厚度最好控制在100μm以下。
本发明提供的弱磁性纳微米粒子图案化的高分子薄膜的加工方法,包括下列步骤:
①预先配制弱磁性纳微米粒子的预聚物、高分子溶液或悬浮液;②磁场调制器置于水平方向或垂直方向均匀磁场内,使磁场的磁力线垂直贯穿或平行于箔片,使磁场调制器表面上调制所需图案的磁场分布;③在磁场调制器表面基底上涂上步骤①中配制的弱磁性纳微米粒子的预聚物、高分子溶液或悬浮液;④通过加热或者室温挥发溶剂使弱磁性纳微米粒子固定在高分子薄膜内,得到弱磁性纳微米粒子呈条状、阵列排列或图案化的高分子薄膜。
本发明提供的弱磁性纳微米粒子图案化的高分子薄膜的加工设备,由(1)试样容器(2)磁场调制器(3)磁场发射器三部分组成,其中所述试样容器主要包括:基底和容器,基底可以根据不同的需要改变其材质和厚度,常用的基底:为各种高聚物薄膜为聚丙烯酰胺薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚丙烯酸薄膜、聚乙二醇薄膜、聚电解质薄膜、聚氧化乙烯薄膜、聚乙烯吡咯烷酮薄膜、聚马来酸酐薄膜、聚二甲基二烯丙基氯化铵薄膜、聚乙烯胺薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚1-丁烯环氧树脂薄膜、聚丙烯薄膜、聚异丁烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯化聚氯乙烯薄膜、聚醋酸乙烯薄膜、聚丙烯酸酯薄膜、聚异戊二烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚氯丁二烯薄膜、聚环氧氯丙烷薄膜、环氧树脂薄膜、聚苯砜薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、尼龙膜、聚对苯二甲酸乙二酯薄膜、聚噻吩薄膜、环氧树脂薄膜、酚醛树脂薄膜、单晶硅片或玻璃薄片等。这些基底厚度优选控制在100μm以下,置于磁场调制器表面上。
所述磁场调制器:主要由铝箔片和铁箔片构成。铝片和铁片的厚度可以根据不同的要求自行改变,例如要构成相间的条纹,则只需要把铝片和铁片交替地叠加在一起。
磁场发射器:可以是永磁体,电磁铁,超强电磁铁或其组合。置于磁场调制器下方,其磁场强度为0.1-30T。
根据本发明提供的弱磁性纳微米粒子图案化的高分子薄膜、加工方法及其加工设备中,所述纳微米是指微米、亚纳米或纳米。所述弱磁性纳微米粒子为纳微米尺寸的抗磁性和顺磁性物质,为聚丙烯酰胺薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚丙烯酸薄膜、聚乙二醇薄膜、聚电解质薄膜、聚氧化乙烯薄膜、聚乙烯吡咯烷酮薄膜、聚马来酸酐薄膜、聚二甲基二烯丙基氯化铵薄膜、聚乙烯胺薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚1-丁烯环氧树脂薄膜、聚丙烯薄膜、聚异丁烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯化聚氯乙烯薄膜、聚醋酸乙烯薄膜、聚丙烯酸酯薄膜、聚异戊二烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚氯丁二烯薄膜、聚环氧氯丙烷薄膜、环氧树脂薄膜、聚苯砜薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、尼龙膜、聚对苯二甲酸乙二酯薄膜、聚噻吩薄膜、环氧树脂薄膜或酚醛树脂薄膜。抗磁性微粒被俘获在磁场密度较低的势能位置,顺磁性微粒被俘获在磁场密度较高的势能位置上来实现磁场图案化。
所述高分子预聚物、悬浮液或溶液为水溶性高分子和油溶性高分子,如聚丙烯酰胺、聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚乙二醇、聚电解质、聚氧化乙烯、聚乙烯吡咯烷酮、聚马来酸酐、聚二甲基二烯丙基氯化铵、聚乙烯胺、聚苯乙烯、聚1-丁烯环氧树脂、聚丙烯、聚异丁烯、聚氯乙烯、氯化聚氯乙烯、聚醋酸乙烯、聚丙烯酸酯、聚异戊二烯、聚丁二烯、聚氯丁二烯、聚环氧氯丙烷、环氧树脂、聚苯砜、聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚甲基丙烯酸甲酯、尼龙膜、聚对苯二甲酸乙二酯、聚噻吩、环氧树脂、聚氨酯或酚醛树脂等的预聚物、悬浮液或溶液。为了提高其图案化效果,可以向弱磁性纳微米粒子的高分子溶液或悬浮液中添加少量氯化锰等顺磁性过渡金属化合物。
所述基底可以根据不同的需要改变其材质和厚度,优选基底为单晶硅片或玻璃薄片等。
所述磁场调制器为抗磁性物质和顺磁性物质,抗磁性物质和铁磁性物质,顺磁性物质和铁磁性物质或其组合构成。在均匀磁场内其水平表面生成预先设计的图案化磁场密度分布的器件,其表面能形成磁能的“峰”与“谷”的分布图案。图案化时的图案可以根据需要自行设计,得到各种不同形状的图案,例如要构成相间的条纹,则只需要把铝片和铁片交替地叠加在一起。抗磁性微粒被俘获在磁场密度较低的势能位置,顺磁性微粒被俘获在磁场密度较高的势能位置上来实现磁场图案化。利用磁场调制器调制出不同磁通密度的磁能分布图案实现高分子中的弱磁性的微粒子在调制好的磁能分布场中图案化,并可以对弱磁性准一维微粒子取向的同时图案化,实现对准一维材料的性能优化。
本发明提供的弱磁性纳微米粒子图案化的高分子薄膜、加工方法及其加工设备,结构独特新颖,操作灵活,加工工艺简单,适合于功能高分子薄膜的加工,与现有的实验装置相比对弱磁性微粒子进行图案化,大大扩大了磁场加工材料的范围。可以对弱磁性准一维微粒子取向的同时图案化,实现对准一维材料的性能优化。图案化时的图案可以根据需要自行设计,得到各种不同形状的图案。无需对基底进行预处理。
本发明提供的纳微米粒子图案化的高分子薄膜可望广泛应用于信息、生物、电子工程等领域。
附图说明
图1为二氧化矾纳微米晶须在塑料薄膜中形成条状图案。
图2为五氧化二钒微米晶须在塑料薄膜中形成条状图案。
图3为CNT在玻璃载波片形成CNT与磁场方向平行取向和图案化的PS复合膜。
图4为PS微球和氧化镉纳米棒在同一张PVA复合膜中形成的条状图案。
图5为对三聚噻吩微晶和十二烷基磺酸钠微晶在玻璃载波片形成与磁场方向平行取向和图案化复合膜,附图中箭头表示外加磁场方向。
具体实施方式
本发明用下列实施例来进一步说明本发明,但本发明的保护范围并不限于下列实施例,
实施例1
厚度各300微米的强铁磁性铁(Fe)箔片和顺磁性铝(Al)箔片交替层叠的集成块(磁场调制器)配置在0.55T的水平方向均匀磁场内,使磁场的磁力线垂直贯穿箔片。二氧化矾纳微米晶须分散在PVA水溶液中制备了弱磁性纳微米粒子的高分子悬浮液。磁场调制器表面平铺厚度约10~20μm的塑料薄膜后,滴上二氧化矾纳微米晶须的悬浮液,待溶剂蒸发干燥后形成条状图案(图1)。
实施例2
用五氧化二钒纳微米晶须分散液替代二氧化矾纳微米晶须的分散液以外,其他与实施例1做相同的工艺操作,得到条状图案化(图2)。由图2可以看出,所得到的高分子复合膜的五氧化矾纳微米晶须是与磁场方向呈45度取向。
实施例3
厚度各300微米的强铁磁性铁(Fe)箔片和顺磁性铝(Al)箔片交替层叠的集成块(磁场调制器)配置在12T的水平方向均匀磁场内,使磁场的磁力线垂直贯穿箔片。CNT分散在PS的甲苯溶液中制备了CNT的高分子悬浮液。磁场调制器表面平铺厚度约100μm的玻璃载波片后,滴上CNT的高分子悬浮液,待溶剂蒸发干燥后形成条状图案(图3)。由图3可以看出,所得到的PS复合薄膜的CNT是与磁场方向平行取向。
实施例4
厚度各300微米的强铁磁性铁(Fe)箔片和顺磁性铝(Al)箔片交替层叠的集成块(磁场调制器)配置在10T的水平方向均匀磁场内,使磁场的磁力线垂直贯穿箔片。抗磁性PS微球和顺磁性氧化镉纳米棒分散在的PVA水溶液中制备了PS微球和氧化镉纳米棒的高分子悬浮液。磁场调制器表面平铺厚度约100μm的玻璃载波片后,滴上上述高分子悬浮液,待溶剂蒸发干燥后形成条状图案(图4)。由图4可以看出,PS微球和氧化镉纳米棒在同一张PVA复合薄膜中形成各自的条状图案。
实施例5
厚度各300微米的强铁磁性铁(Fe)箔片和顺磁性铝(Al)箔片交替层叠的集成块(磁场调制器)配置在10T的水平方向均匀磁场内,使磁场的磁力线垂直贯穿箔片。对三聚噻吩甲苯溶液和十二烷基磺酸钠的水溶液混合制备对三聚噻吩的乳液。磁场调制器表面平铺厚度约170μm的玻璃载波片后,滴上上述对三聚噻吩的乳液,再滴上氯化锰水溶液。待溶剂蒸发干燥后形成对三聚噻吩微晶和十二烷基磺酸钠微晶的条状图案化薄膜(图5)。从偏光显微镜观察(图5)可以确认,对三聚噻吩微晶和十二烷基磺酸钠微晶在图案化的同时实现了磁场取向。
Claims (9)
1、一种弱磁性纳微米粒子图案化的高分子薄膜,其特征在于添加到高分子中的弱磁性纳微米粒子在基底内呈条状或阵列排列或图案化的定向取向的高分子薄膜,其中所述弱磁性纳微米粒子为纳微米尺寸的抗磁性和顺磁性物质,所述基底为高聚物薄膜、单晶硅片或玻璃薄片,基底厚度在100μm以下。
2、根据权利要求1的高分子薄膜,其特征在于所述顺磁性物质和抗磁性物质为有机材料、无机材料或生物材料;所述高聚物薄膜为聚丙烯酰胺薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚丙烯酸薄膜、聚乙二醇薄膜、聚电解质薄膜、聚氧化乙烯薄膜、聚乙烯吡咯烷酮薄膜、聚马来酸酐薄膜、聚二甲基二烯丙基氯化铵薄膜、聚乙烯胺薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚1-丁烯环氧树脂薄膜、聚丙烯薄膜、聚异丁烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯化聚氯乙烯薄膜、聚醋酸乙烯薄膜、聚丙烯酸酯薄膜、聚异戊二烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚氯丁二烯薄膜、聚环氧氯丙烷薄膜、环氧树脂薄膜、聚苯砜薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、尼龙膜、聚对苯二甲酸乙二酯薄膜、聚噻吩薄膜、环氧树脂薄膜或酚醛树脂薄膜。
3、根据权利要求2的高分子薄膜,其特征在于所述顺磁性物质和抗磁性物质为低聚噻吩微晶、低聚苯微晶、蒽微晶、聚苯乙烯微球、富勒烯C60纳微米球、纤维素微晶、氧化镉、五氧化二矾、二氧化钒、二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、碳酸钙或氧化铝纳微米晶体或晶须、碳纳米管或红细胞。
4、一种权利要求1的高分子薄膜的加工方法,包括下列步骤:①配制弱磁性纳微米粒子的高分子的预聚物、溶液或悬浮液;②在加工设备的磁场调制器表面上调制所需图案的磁场分布;③在磁场调制器表面基底上涂上步骤①中配制的弱磁性纳微米粒子的高分子溶液或悬浮液;④通过加热或者室温挥发溶剂使微粒子固定,得到弱磁性纳微米粒子呈条状或阵列排列或图案化的高分子薄膜。
5、根据权利要求4的高分子薄膜的加工方法,其特征在于所述弱磁性纳微米粒子为纳微米尺寸的抗磁性和顺磁性物质;所述高分子悬浮液或溶液为水溶性高分子和油溶性高分子物质的悬浮液或溶液;所述预聚物为环氧树脂或光固化树脂;所述基底为高聚物薄膜、单晶硅片或玻璃薄片,其基底厚度在100μm以下。
6、根据权利要求5的加工方法,其特征在于所述高聚物薄膜为聚丙烯酰胺薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚丙烯酸薄膜、聚乙二醇薄膜、聚电解质薄膜、聚氧化乙烯薄膜、聚乙烯吡咯烷酮薄膜、聚马来酸酐薄膜、聚二甲基二烯丙基氯化铵薄膜、聚乙烯胺薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚1-丁烯环氧树脂薄膜、聚丙烯薄膜、聚异丁烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯化聚氯乙烯薄膜、聚醋酸乙烯薄膜、聚丙烯酸酯薄膜、聚异戊二烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚氯丁二烯薄膜、聚环氧氯丙烷薄膜、环氧树脂薄膜、聚苯砜薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、尼龙膜、聚对苯二甲酸乙二酯薄膜、聚噻吩薄膜、环氧树脂薄膜或酚醛树脂薄膜;所述高分子预聚物、溶液或悬浮液为环氧树脂、酚醛树脂或聚氨酯的预聚物、聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚乙二醇、聚电解质、聚苯乙烯、聚丙烯、聚异丁烯、聚氯乙烯、氯化聚氯乙烯、聚醋酸乙烯、聚丙烯酸酯膜或聚异戊二烯的溶液或其悬浮液;所述抗磁性或顺磁性物质为有机材料、无机材料和生物材料。
7、根据权利要求6的加工方法,其特征在于所述抗磁性或顺磁性物质为低聚噻吩微晶、低聚苯微晶、蒽微晶、聚苯乙烯微球、富勒烯C60纳微米球、纤维素微晶、氧化镉、五氧化二矾、二氧化钒、二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、碳酸钙或氧化铝纳微米晶体或晶须碳纳米管或红细胞。
8、一种权利要求1或4的加工设备,其特征在于由试样容器、磁场调制器和磁场发射器组成;其中试样容器主要包括基底和容器,基底厚度为100μm以下,置于磁场调制器表面上;所述磁场调制器为抗磁性物质和顺磁性物质、抗磁性物质和铁磁性物质、顺磁性物质和铁磁性物质或其组合构成;所述磁场发射器为永磁体、电磁铁、超强电磁铁或其组合,磁场强度为0.1-30T,磁场调制器置于水平方向或垂直方向均匀磁场内,使磁场的磁力线垂直贯穿或平行于箔片。
9、根据权利要求8的加工设备,其特征在于所述磁场调制器由强铁磁性铁箔片和弱磁性铝箔片交替层叠的集成块构成;所述基底为聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、尼龙膜、聚对苯二甲酸乙二酯薄膜、单晶硅片或玻璃薄片。
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