CN101399519A - 数字控制电容电路以及高分辨率数字控制振荡器及其方法 - Google Patents

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Abstract

本发明揭露一种数字控制电容电路以及高分辨率数字控制振荡器及其方法，其中该数字控制振荡器通过使用数字控制电容网络以提供高分辨率的频率调整。数字电容控制网络包含可调电容电路、第一电容及第二电容。可调电容电路依据数字句柄产生可变电容值。第一电容是以并联的方式与可调电容电路耦合。第二电容是以串联的方式与第一电容的一接合点耦合。第一电容及第二电容于数字控制电容网络中设置足够大小的有效电容值，使有效电容值的步长，为可变电容值根据数字句柄的增加量产生的步长的一部。

Description

数字控制电容电路以及高分辨率数字控制振荡器及其方法
技术领域
本发明是有关于一种电子电路，特别是有关于一种数字控制振荡器。
背景技术
目前，数字控制振荡器(DCO)用以产生频率控制周期信号的电路，数字控制振荡器是由数字句柄(digital control word)控制。图1A是描述已知的数字控制振荡器(DCO)100A，其包含一对交叉耦合NMOS晶体管M1及M2，其是用以产生正反馈回路于第一输出节点VO1及第二输出节点VO2，一对电感L1及L2为M1及M2的负载，且变容器(varactor)阵列110并联于晶体管M1及M2的输出端(或漏极端)之间以提供可调电容。图1A中，VDD表示第一固定电位节点，VSS则表示第二固定电位节点。
变容器阵列110包含N个变容器对(例如：第一对{101，102}、第二对{111，112}、第三对{121，122}以此类推)，其中N为整数。变容器为电容的特殊形式，其电容值是与供应电压的大小有关。图1B是描述电压供应电容产生电容值的转换特征。当供应电压上升时，变容器的电容值接近最小电容值Cmin。当供应电压下降时，变容器的电容值接近最大电容值Cmax。如此，当供应电压足够大或足够小时可得到最小电容值Cmin或最大电容值Cmax。
在图1A中，变容器阵列110接收包含N控制位的N-位(bit)句柄[N-1：0]。每一句柄任一个位为逻辑1(例如：足够大的电压)或逻辑0(例如：足够低的电压)，且用以控制任一变容器对。每一可变电容对包含第一变容器及第二变容器。第一变容器是与第一输出节点VO1的一端连接并于另一端输出句柄。第二变容器连接第二输出节点VO2的一端并于另一端输出相同的句柄。举例而言，第一变容器101是与第一输出节点VO1连接于一端且于另一端输出控制位D[0]，第二可变电容102是与第二输出节点VO2连接于一端且于另一端输出控制位D[0]。此种情况下，变容器阵列110的综效(total effective)电容值可在N·Cmin/2及N·Cmax/2之间可调整，其中步长(step)为(Cmax-Cmin)/2。在此，由「除以二(/2)」说明了一变容器对是由两个可变电容串联所形成以及其综效电容值。如图1A所见，两输出节点VO1及VO2用以产生的差动信号。
如图1A，变容器阵列110及两电感L1及L2形成具有共振频率的共振器电路，其大约等于数字控制振荡器(DCO)100A的振荡频率。交叉耦合NMOS晶体管对M1及M2提供一增益以支持(sustain)振荡，但在振荡频率有其微小影响。因此，数字控制振荡器(DCO)100A的振荡频率大约可在及
Figure A200810161902D00072
之间调整，其中L是表示电感L1及L2的电容值。
数字控制振荡器(DCO)100A的频率调整分辨率被限制在(Cmax-Cmin)/2，(例如：变容器阵列110的综效电容值的增加量)。理论上，使用非常小的变容器们所造成的增加量(Cmax-Cmin)/2可以非常小且可达到高分辨率。然而，在实务上，制造流程可制造出的变容器的最小尺寸有其限制。以目前的技术来说，标准CMOS制程，举例而言，变容器阵列110的增益电容值可达到毫微微法拉第(femto-Ferads，fF或10-15F)的数量级。在许多应用中，频率调整的适用分辨率并没有非常高。
有鉴于已知技术的各项问题，为了能够兼顾解决之，本发明人基于多年研究开发与诸多实务经验，提出一种延展可调频率范围的数字控制振荡器及其方法，以作为改善上述缺点的实现方式与依据。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的之一就是在于提供一种数字控制振荡器及其方法，以解决已知的问题。
本发明的目的之一在于提供一种数字控制振荡器及其方法，可延展该数字控制振荡器的可调频率范围。根据本发明的目的，提出一种数字控制振荡器(DCO)及其制造方法，其在频率调整方面具有高分辨率。数字控制振荡器(DCO)接收包含多个位的第一数字句柄，及在第一输出节点产生振荡频率的振荡信号，此振荡信号是对应第一数字句柄。在一实施例中，数字控制振荡器(DCO)包含第一数字控制电容网络，其包含具有可调整电容值的电容性电路、具有第一电容值的电容及具有第二电容值的第二电容。电容性电路是由第一数字句柄控制且可调电容值是在下界限及上界限之间调整。第一电容具有第一终端以耦合至电容性电路的第一内电路节点。第二电容是耦合于第一内电路节点及第一输出节点之间。在一应用中，第一电容值大于(例如：至少大于10倍)可调电容值的上界限，此时第二电容值小于(例如：不大于一个数量级)第一电容值。
举例来说，电容性电路的可调电容值具有可调整步长，以对应第一数字句柄的增加量，且最低步长受最小元件规格束缚，此最小元件是利用特定制造程序产生。在并联配置中，第一电容的第一电容值是结合可调电容值，且在串联的配置中，第二电容的第二电容值结合第一电容值及可调电容值以产生第一有效电容值并通过第一数字控制电容网络的第一输出节点输出。第一有效电容值具有有效步长，其是对应第一数字句柄的增加量。通过选择第一电容值以大于可调电容的上界限且第二电容值小于第一电容值，以使有效步长小于(或分数为)可调步长。数字控制振荡器(DCO)的频率调整分辨率增加则使第一有效电容值的有效步长减少。
在一实施例中，电容性电路包含多个变容器，每一变容器具有第一终端及第二终端，第一终端耦合第一内电路节点，第二终端耦合第一数字句柄的独立位。可调步长依据各自变容器(例如：较小变容器提供较小可调步长)的数值(或规格)以决定限制部分。一电阻耦合于第一内电部节点及第一实质固定电位节点，以对多个变容器建立偏压状态(例如：在第一终端的偏压电压)。在一应用中，第一电容具有第二终端以耦合第二实质固定电位节点，且第一数字控制电容网络在第一输出节点中提供第一有效电容值于一单端上。
在另一实施例中，电容性电路包含多个耦合于第一内电路节点及第二内电路节点之间的从属电路(例如：变容器对)。每一从属电路是由第一数字句柄中多个位的其一控制。第一变容器具有第一终端及第二终端，第一终端耦合第一内电路节点，第二终端耦合第一数字句柄的独立位。第二变容器具有第一终端及第二终端，第一终端耦合第二内电路节点，第二终端耦合第一数字句柄中多个位的其一。建立偏压状态(例如：偏压电压)予电容性电路(第一及第二变容器)，第一电阻耦合于第一变容器(或第一内电路节点)的第一终端及第一实质固定电位节点之间，此时第二电阻耦合于第二变容器(或第二内电路节点)的第一终端及第二实质固定电位节点之间。第一实质固定电位节点及第二实质固定电位节点具有相同的电位。
在一应用中，第一数字控制电容网络还包含具有第三电容值的第三电容。第一电容耦合于第二内电路节点，此时第三电容耦合于第二内电路节点及第二输出节点之间。第一数字控制电容网络提供第一有效电容值于差动配置穿过第一及第二输出节点。第一有效电容值实际上与第三电容、第二电电容及电容性电路及第一电容的并联配置所形成的串联组合的电容值相等。在一实施例中，第三电容是大约与第二电容值相等，第一电容值至少为第二电容值的10倍，以使第一有效电容值的有效步长小于电容性电路的可调步长。
在一实施例中，使用在电容性电路中的可调电容实际上每一个均相同。举例而言，实体上相同的变容器具有相似的低电容值以对应输入句柄的逻辑位中的第一逻辑等级，且具有相似的高电容值是对应逻辑位中的第二逻辑等级。利用相似的变容器形成的电容性电路是对于输出电容值(或可调电容值)具有相似的增加量(或相同步长)以对应输入句柄的每一增加量(或超过输入句柄的整体范围)。然而，第一数字控制电容网络的第一有效电容值也许不具有大于输入句柄的整体范围的不同的步长。
在另一实施例中，电容性电路中的变容器均具有独立权重，以使第一数字句柄的每一增加量对第一数字控制电容网络的第一有效电容值产生相似的增加量。举例来说，变容器具有不同的权重(或不同尺寸)使电容性电路中两个或更多个变容器具有不同电容值以对应多个位的其一的第一逻辑等级或第二逻辑等级。电容性电路的输出电容值也许不具有大于第一逻辑句柄的整体范围的相同的步长。但变容器经由加权以使具有相同步长的第一数字控制电容网络的第一有效电容是与第一数字句柄的整体跨接。
在一实施例中，数字控制振荡器(DCO)还包含交叉耦合晶体管对、第四电容、第一电感及第二电感。交叉耦合晶体管对耦合于第一输出节点及第二输出节点之间。第四电容亦耦合于第一输出节点及第二输出节点之间。第一电感耦合于第一输出节点及第三实质固定电位节点之间。第二电感耦合于第二输出节点及第三实质固定电位节点之间。
在一些应用方面，数字控制振荡器(DCO)还包含第二数字控制电容网络耦合于第一输出节点及第二输出节点之间。第二数字控制网络建立第二有效电容值以对应第二数字句柄。第二电容值的增加量是对应第二数字句柄的增加量，如此可区别第一数字控制电容网络的第一有效电容值的增加量以对应第一数字句柄的增加量。第二数字句柄提供数字控制振荡器(DCO)的振荡频率的附加控制。更进一步来说，第二有效电容值可具有不同步长，而后第一有效电容值的有效步长提供振荡频率再一不同分辨率的控制。举例而言，一数字句柄用以频率粗调，另一数字句柄进行数字控制振荡器的频率微调。
在一实施例中，第一数字控制电容网络用以控制数字控制振荡器(DCO)的振荡频率，数字控制振荡器(DCO)的振荡频率是实施于环式振荡器配置。环式振荡器包含多个耦合于封闭回路的增益级。每一增益级具有差动输入及差动输出。差动输出的一增益级是耦合差动输入中具反向极性的另一增益级。第一数字控制电容网络是经由耦合差动输出以导入延迟，藉以调整振荡频率。附加数字控制网络可平行耦合于第一数字控制电容网络或耦合于具有另一增益级的差动输出以提供振荡频率的附加控制。在一些应用中，附加数字控制电容网络及第一数字控制电容网络通过不同数字句柄控制或依据不同的步长以产生个别有效电容值，藉以简化不同分辨率中的频率调整。
在一实施例中，一用以实施DCO的方法包含利用包含电容网络的振荡拓仆，其中DCO的振荡频率至少一部分是通过电容网络的有效电容值以决定。在一实施样态中，N-位(bit)数字控制号用以控制具有第一可变电容值的第一可变电容电路，其中N为大于1的整数。第二电容电性并联耦合于第一可变电容电路以形成具有第二可变电容值的第二可变电容电路。第三电容电性串联耦合第二可变电容电路以形成具有第三可变电容值的第三可变电容电路。
更详细地说，数字控制振荡器(DCO)的电容网络包含第三变容网络且其是用以提供数字控制振荡器(DCO)高分辨率的频率调整。举例而言，第一可变电容电路的第一可变电容值具有第一步长以对应数字控制信号的增加量。第二电容及第三电容可被定义以使电容网络的有效电容值具有第二步长，其为第一步长的分数。在一实施样态中，第二电容值大于第一可变电容值的最大值且第三电容值小于第二电容值。电容网络的有效电容值与数字句柄交互作用以决定数字控制振荡器(DCO)的频率调整范围，此时第二步长用以决定数字控阵振荡器频率调整的分辨率。
一实施例中，第一可变电容电路包含N变容从属电路的电性并联配置。每一变容从属电路产生最大电容值或最小电容值以对应N-位数字控制信号的多个位的其一的状态。在一实施样态中，每一变容从属电路包含两个变容器经由N-位数字控制信号的多个位的其一于一公共节点电性串联耦合。在一些应用中，第四电容是与第三可变电容电路并联耦合以形成电容网络。第四电容亦可调整数字控制振荡器(DCO)频率的最小化(或偏置)操作。
在另一实施例中，一种数字控制振荡器(DCO)中增加频率调整的分辨率的方法包含依据第一数字句柄产生第一可调(或可变)电容值，依据第二数字句柄产生第二可变电容值，以及利用电性并联的设置以结合第一可调电容值及第二可调电容值，藉以产生综效电容值以控制数字控制振荡器(DCO)的频率。举例而言，第一数字句柄控制第一可变电容阵列以产生具有一步长的第一可变电容值，第一步长是对应第一数字句柄的增加量。第一可变电容阵列利用电性并联第一电容的配置排列。第一可变电容阵列及第一电容的配置是以电性串联第二电容的方式排列，藉以产生具有第二步长的第一可调电容值。在一些实施样态中，第二步长为第一步长的分数。
第二数字句柄控制第二变容器阵列以产生具有第三步长的第二可变电容值。第二可变电容阵列利用电性并联第三电容的配置排列。第二变容器阵列之及第三电容的配置是串联第四电容的方式以产生具有第四步长的第二可调电容，其为第三步长的分数。第四步长小于第二步长以使变动第一数字句柄而实现数字控制振荡器的频率粗调，且调整第二数字句柄以实现数字控制振荡器的频率微调。
兹为使贵审查员对本发明的技术特征及所达到的功效有更进一步的了解与认识，谨佐以较佳的实施例及配合详细的说明如后。
附图说明
图1A为已知的数字控制振荡器的示意图；
图1B为一可变电容的标准转换特征图；
图2为本发明的数字控制振荡器的实施例示意图；
图3为本发明的数字控制振荡器的单端可调电容的实施例示意图；
图4为本发明的数字控制振荡器的另一实施例示意图；以及
图5为本发明的数字控制振荡器的环式振荡器示意图。
[主要元件标号说明]
100：数字控制振荡器；
100A：数字控制振荡器；
100C：数字控制振荡器；
100D：数字控制振荡器；
100E：数字控制振荡器；
100F：数字控制振荡器；
101：第一可变电容；
110：变容器阵列；
110：电容性电路；
150：电容网络；
102，112，122：第一可变电容；
101，111，121：第二可变电容；
150_1：第一可调电容网络；
150_2：第二可调电容网络；
191：第一增益级；
192：第二增益级；
193：第三增益级；以及
194：可调电容网络。
具体实施方式
以下将参照相关图式，说明依本发明实施例的数字控制振荡器及其制造方法，为使便于理解，下述实施例中的相同元件是以相同的标号标示来说明。
图2是表示本发明的数字控制振荡器(DCO)100C的实施例示意图。图2中，数字控制振荡器100C为振荡器的一实施例，其包含电容网络(或数字控制电容网络)150。数字控制振荡器100C的振荡频率的至少一部分是由电容网络150的有效电容值所决定。数字控制振荡器100C接收N-位数字句柄(或N-位数字控制信号D[N-1：0])及在输出端(例如：交叉差动输出节点VO1及VO2)产生具有振荡频率的振荡信号，该振荡信号是对应于N-位数字控制信号。
在一实施例中，电容网络(capacitive circuit)150包含电容性电路110，其是通过N位数字句柄所控制。电容性电路110具有可在上界限及下界限的可调电容(或第一可变电容值)。电容网络150还包含第一电容C2及第二电容C4。第一电容C2是并联耦接于电容性电路110以形成具有第二可变电容值的第一电容从属电路。第二电容C4是与第一电容从属电路串联耦接以形成具有第三可变电容值的第二电容从属电路。第一可变电容值、第二可变电容值及第三可变电容值对应于N-位数字句柄各自具有不同的电容值范围以及不同的步长(step)。
图2中，第一电容C2具有第一终端，其于第一内电路节点耦接该电容性电路110的一端，第一电容C2的第二终端于第二内电路节点耦合电容性电路的另一端。第二电容C4耦接于第一内电路节点及第一输出节点VO2之间。电容网络150还包含第三电容C3，其耦合于第二内电路节点及第二输出节点VO1之间。在一实施例中，第一电容C2具有第一固定电容值，此时第二电容C4及第三电容C3具有实质上相似的第二固定电容值。在一些应用方面，第一固定电容实际上大于(例如：至少10倍)电容性电路110的第一容变值的上界限，且亦大于(例如：至少10倍)第二固定电容值以提供该数字控制振荡器(DCO)100C以做频率调整的高分辨率。
另一方面，当第二电容C4及第三电容C3具有较小于第一电容C2的电容值，第一电容C2具有电容值大于电容性电路110的可调电容的最大值时，电容网络150经由差动输出节点VO1及VO2提供具有一步长的有效电容值，有效电容值远小于电容性电路110提供的可调电容的步长。在图2中，数字控制振荡器(DCO)100C还包含第四电容C1，其耦接于该输出节点VO1及VO2。第四电容C1可视为电容网络150的一部分，且其可用以修正电容网络150的电容值，而不影响电容网络150的步长。
在一实施例中，电容性电路(例如：可变电容阵列)110包含多个可变电容从属电路，该多个可变电容从属电路并联耦接第一内电路节点及第二内电路节点之间。每一可变电容从属电路(例如：可变电容对)包含第一可变电容及第二可变电容，可变电容从属电路是通过N-位数字句柄的多个位的其一所控制。第一可变电容(如图示102、112、122等)具有第一终端以耦接第一内电路节点，以及其各自的第二终端耦接于N-位数字句柄的多个位的其一。第二可变电容(如图所示101、111或121等)具有第一终端以耦合第二内电路节点且第二终端是与N-位数字句柄的多个位的其一。
可变电容阵列110包含具有电性并联配置的N可变电容对。每一可变电容对包含电性串联的两可变电容，且在一公共节点由N-位数字句柄的一公共的特定位所控制。每一可变电容对产生高电容值或低电容值以对应N-位数字句柄的多个位的其一的一状态(如逻辑高或逻辑低)。在一实施例中，可变电容阵列110包含多个相似的可变电容，可变电容阵列110具有可调电容Ctune，其是于N×Cmin/2及N×Cmax/2之间，可调电容Ctune具有一步长(Cmax-Cmin)/2。Cmin及Cmax是分别表示通过每一可变电容(或组成电容)产生的第一(或最小)电容值及第二(或最大)电容值，第一(或最小)电容值及第二(或最大)电容值是对应第一控制电压(表示数字位为逻辑高位)及第二控制电压(表示数字位为逻辑低位)。因此，每一可变电容对具有低电容值Cmin/2及高电容值Cmax/2。
图2中，可变电容阵列110的偏压配置是通过第一电阻R2及第二电阻R1所建立。可变电容阵列110内的每一可变电容的一端(或第一终端)是耦接至第一电阻R2或第二电阻R1以建立该偏压配置。举例而言，第一电阻R2耦接于第一可变电容(或第一内电路节点)的第一终端及第一实质固定电位节点之间。第二电阻R1耦接于第二可变电容(或第一内电路节点)的第一终端及第二实质固定电位节点之间。第一及第二实质固定电位节点具有相同电位(或电压)VREF，以及在DCO 100C中与其它实质固定电位节点(例如：VDD)相同。第一电阻R2及第二电阻R1的电阻值够大以使在有兴趣的频率(或操作频率的范围)下第一电阻R2及第二电阻R1的阻抗实质上大于(例如：至少20倍)在电容网络150的电容的阻抗(例如：C2、C3、C4及可变电容阵列110)。在此种情况下，第一电阻R2及第二电阻R1是对可变电容建立偏压配置，而不对电容网络150导入一有意义的负载。
在一实施例中，DCO 100C还包含：交叉耦合晶体管对M1及M2，其耦合于第一输出节点及第二输出节点之间；第一电感L2耦合于第一输出节点及第三实质固定电位节点(VDD)；以及第二电感L1耦合于第二输出节点及第三实质固定电位节点之间。在一实施例中，交叉耦合晶体管为NMOS晶体管，其源极公共耦合于第四固定电位节点VSS。第一晶体管M2具有漏极及栅极，漏极是与第一输出节点VO2耦合，栅极端是与第二输出节点VO1耦合。第二晶体管M1的漏极是与第二输出节点VO1耦合，其栅极是与第一输出节点VO2耦合。在此连接方式下，交叉耦合晶体管对M1及M2于第一输出节点及第二输出节点之间提供正反馈回路。电感对L1及L2提供电感负载予晶体管M1及M2。
图2中，DCO 100C的振荡频率大约等于其中Ctotal是表示输出节点VO1及VO2的综效电容值。假设第二电容C4及第三电容C3具有实体相似电容值C3，综效电容值具有下列关系：
Ctotal＝C1+(C3/2)(C2+Ctune)/(C3/2+C2+Ctune)
在一实施例中，电容网络150中的第一电容C2的第一电容值C2大于(例如：至少10倍)第二电容C4或第三电容的第二电容值C3。本实施例仅为举例，并不以此为限，第一电容值C2亦可大于电容性电路110的可调电容值Ctune以符合下列关系式：
Ctotal＝C1+(C3/2)/(1+(C3/2)/(C2+Ctune))
     ≈C1+(C3/2)(1-(C3/2)/(C2+Ctune))
     ＝C1+(C3/2)(1-(C3/2C2)/(1+Ctune/C2))
     ≈C1+(C3/2)(1-(C3/2C2)(1-Ctune/C2))
     ＝C1+C3/2-(C3/2C2)2C2+(C3/2C2)2Ctune
依据上述关系式，综效电容Ctotal的增加量是对应数字句柄的增加量，其可定义为(C3/2C2)2Ctune。综效电容的增加量大约与Ctune乘以(C3/2C2)2或大约等于(C3/2C2)2(Cmax-Cmin)/2。当C2实质上大于C3时，则综效电容的增加量Ctotal非常小或至少小于可变电容阵列110的可调电容的增加量。可变电容阵列110的可调电容值的增加量有一部分与最小元件规格的制造程序有关。DCO 100C的综效电容值具有为小增加量是可使DCO 100C在较高等级的频率分辨率中调整，而不需考虑最小元件规格因依特殊的制造程序而产生的限制。
由上述的关系式，假设可变电容阵列110内的组成电容依据其电容值-电压特征(例如：相同权重)是实质上相同。在此假设中，应用于可变电容阵列110的可调电容值的增加量是与数字句柄的整体范围相同，且大约与(Cmax-Cmin)/2相等。换言之，每一数字句柄的增加量致使可变电容阵列110的可调电容值的增加量。然而，当可变电容完全相同时，电容网络150的综效电容值的增加量亦可能不完全相同。
在其它实施例中，可变电容阵列110的组成电容亦可能设计为不相同的电容(或具有不同权重)。在此情境中，可变电容阵列110的可调电容值通过数字句柄的整体范围而具有不同增加量。然而，组成电容可以给不同权重使得电容网络150的综效电容值具有相同增加量。每一数字句柄的增加量可使电容网络150提供综效电容值相似的增加量。综效电容具有相同的增加量是表示振荡频率可由数字句柄的整体范围作一有利的调整。
在不改变本发明的发明精神下即可应用于许多实施例中。举例而言，图2所表示的DCO 100C可做许多改变而不改变本发明的范围。此种改变包含连接晶体管的源极端至一电流源以代替第四实质固定电位节点VSS，使用一PMOS交叉耦合晶体管对以替代NMOS交叉耦合晶体管对，或使用两PMOS交叉耦合晶体管对及NMOS交叉耦合晶体管对M1及M2以增加其振荡增益。相对于NMOS交叉耦合晶体管，在使用PMOS交叉耦合晶体管的情况中，第三及第四实质固定电位节点的功能是逆转。也就是说，PMOS交叉耦合晶体管包含源极，此源极是与第三实质固定电位节点VDD耦合，且电感L1及L2耦合于PMOS交叉耦合晶体管对的漏极及第四实质固定电位节点VSS之间。PMOS交叉耦合晶体管对的漏极转变为输出节点，且电容网络150及第四电容C1将耦合于PMOS交叉耦合晶体管对的漏极之间。
更进一步来说，图2是表示一种LC振荡器电路架构(例如：差动电路架构)。有许多可交替的差动及单端电路来幅以实现LC振荡器，此LC振荡器可使用电容网络150以提供具有上述优点(例如：高频率分辨率)的可变电容值。依据此例子，图3是表示单端可调电容网络150D，其是设置于在单端电路架构的LC振荡器中。
单端可调电容网络150D包含电容性电路110D、第一电容C2及第二电容C4。在一实施例中，电容性电路11D为可变电容阵列，此可变电容阵列包含多个可变电容(例如：可变电容101、112、122等)，此些可变电容101、112、122等是由数字句柄D[N-1：0]中多个位的其一(例如：D[0]、D[1]、D[2]等)控制。每一可调电容具有第一终端及第二终端，第一终端用以耦合内电路节点，第二终端用以耦合数字句柄的多个位的其一。电阻R2耦合于一实质固定电位节点VREF及第一终端(或内电路节点)之间以产生偏压予多个可变电容。第一电容C2耦合于内电路节点及另一实质固定电位节点VSS之间。第二电容C4耦合于内电路节点及单端可调电容网络150D的一输出节点之间。如上所述，可变电容具有相同权重或不同权重。
在其它电路图中，LC振荡器可包含两个或更多个可变电容网络以控制振荡频率。图4是表示具有两分开的可调电容网络150_1及150_2的DCO 100E。根据此例子，图4中的DCO 100E是与图2中的DCO 100C相似，其分别仅将电容网络150代换为分开的可调电容网络150_1及150_2。在一实施例中，任一可调电容网络150_1及150_2具有与电容网络150相似的电路图。在另一实施例中，可调电容网络150_1及150_2其中之一具有与电容网络150相似的架构，另一可调电容网络具有不同的架构。
图4中，分别的可调电容网络150_1及150_2是跨接差动输出节点VO1及VO2以并联耦合。第一可调电容网络150_1接收第一数字句柄D1[N1-1：0]以产生第一有效电容值，且第二可调电容网络150_2接收第二数字句柄D2[N2-1：0]以产生第二有效电容值。第一数字句柄及第二数字句柄具有不同数量(或相同数量)的位数。第一有效电容值及第二有效电容值是跨接差动输出节点VO1及VO2以结合(或相加)产生综效电容值。
在一实施例中，第一有效电容值及第二有效电容值具有不同步长以对应独立第一及第二数字句柄的增加量。换言之，第一有效电容值的增加量是对应第一数字句柄的增加量，第二有效电容值的增加量是对应第二数字句柄的增加量，第一有效电容值的增加量不同于第二有效电容值的增加量。举例而言，在此例子中，两可调电容网络150_1及150_2使用与电容网络150相似的架构，可调电容网络150_1及150_2因各自内部的电容(例如：C2、C3、C4及可调电容)而有具有不同电容值。在一应用方式中，其中一可调电容网络150_1及150_2提供大略频率调整(粗调)功能(例如：使用具有大步长的有效电容值)，此时另一可调电容网络提供精确的频率调整(微调)功能(例如：使用具有小步长的有效电容值)。
除了LC振荡器之外，一数字控制可调电容网络可具有小步长(例如：图2的差动电容网络150或图3的单端电容网络150D)，其对于提供其它种类振荡器高频率分辨率是十分有用。图5是表示另一种类的DCO 100F，其使用一个或多个可调电容网络以控制振荡频率。更进一步来说，图5中的DCO 100F为具有三个增益级(gain stage)191、192及193的数字控制环式振荡器。此三个增益级191、192及193耦合于封闭回路(或环)。一实施例，可调电容网络194被插入第一增益级191及第二增益级192之间。
在一实施例中，增益级191、192及193具有差动输入端及差动输出端。可调电容网络194具有与图2中的差动电容网络150相似的电路架构，且可调电容网络194是与第一增益级191的差动输出端耦合。可调电容网络194接收数字句柄D[N-1:0]以在输出端产生可变电容值以对应数字句柄的值。由可调电容网络194产生的可变电容值是对第一增益级191的输出端形成延迟(例如：改变电容值)。DCO 100F的振荡频率可以被改变，通过改变其延迟(例如：改变电容值)。因为可调电容网络194可用以调整可变电容值，此可变电容值是有关于较高层级的分辨率(例如：经由小量增加的步长以对应数字句柄的增加量)，DCO 100F的振荡频率是可由相关的高分辨率调整。
在其它实施例中，DCO 100F具有附加增益级及/或附加可调电容网络(位表示于图5)。举例而言，附加可调电容网络是可与该可调电容网络194并联耦接以提供附加可变电容值。此附加可变电容值是由不同的数字句柄控制，且其亦具有不同的步长以提供不同的频率调整分辨率。在另一实施例中，一个或更多个附加可调电容网络是与不同增益级192及193或附加增益级的不同输出端相耦接。
以上所述仅为举例性，而非为限制性者。任何未脱离本发明的精神与范畴，而对其进行的等效修改或变更，均应包含于所附的权利要求范围中。

Claims (23)

1.一种数字控制振荡器，其用以接收包含多个位的第一数字句柄，及根据该第一数字句柄于第一输出节点产生具有振荡频率的振荡信号，其中，该数字控制振荡器包含第一数字控制电容电路，该第一数字控制电容电路包含：
可调电容器，是由该第一数字句柄控制，其中该可调电容器是于下界限及上限界之间调整；
第一电容器，是与该可调电容器的第一内电路节点电性耦接，且该第一电容器的电容值大于该可调电容器的该上界限；以及
第二电容器，电性耦接于该第一内部电路节点及该第一输出节点之间，且该第二电容器的电容值小于该可调电容器的该下界限。
2.根据权利要求1所述的数字控制振荡器，其中该可调电容器包含多个变容器，每一该些变容器具有第一终端及第二终端，各该第一终端耦合于该第一内电路节点，各该第二终端分别耦合于该第一数字句柄的该多个位的其一。
3.根据权利要求2所述的数字控制振荡器，其还包含电阻，该电阻是与该第一内电路节点及第一实质固定电位节点以对该多个变容器建立偏压状态。
4.根据权利要求2所述的数字控制振荡器，其中该多个变容器实质上为相同，以使该可调电容器的增加量与该第一句柄的增加量实质相似。
5.根据权利要求2所述的数字控制振荡器，其中该多个变容器分别被赋予权重，以使该第一数字控制电容电路的有效电容的增加量与该第一数字句柄的增加量实质相似。
6.根据权利要求1所述的数字控制振荡器，其中该第一电容器具有第二终端以耦合第二实质固定电位节点。
7.根据权利要求1所述的数字控制振荡器，其中该可调电容器包含多个从属电路，该多个从属电路于该第一内电路节点及第二内电路节点之间并联，每一该多个从属电路是分别由该第一数字句柄的该多个位的其一所控制，且各该从属电路包含第一变容器及第二变容器，该第一变容器具有第一终端及第二终端，该第一终端与该第一内电路节点耦合，该第二终端与该第一数字句柄的该多个位的其一耦合，该第二变容器具有第三终端及第四终端，该第三终端是与该第二内电路节点耦合，该第四终端与该第一数字句柄的该多个位的其一耦合。
8.根据权利要求7所述的数字控制振荡器，其还包含第一电阻及第二电阻，该第一电阻耦合于该第一内电路节点及第一实质固定电位节点之间，该第二电阻耦合于该第二内电路节点及第二实质固定电位节点之间，以对该电容性电路建立偏压状态。
9.根据权利要求8所述的数字控制振荡器，其还包含具有第三电容值的第三电容，其中该第三电容耦合于该第二内电路节点及第二输出节点之间，该第一电容具有第二终端并以该第二终端与该第二内电路节点耦合。
10.根据权利要求9所述的数字控制振荡器，其中该第三电容值大约与该第二电容值相同，且该第一电容值至少大于该第二电容值10倍。
11.一种实现数字控制振荡器的方法，该方法包含下列步骤：
使用振荡器架构，其包含具有电容网络，其中该数字振荡器的振荡频率至少部分通过该电容网络的有效电容值所决定；
使用N-位数字控制信号以控制第一可变电容电路，该第一可变电容电路具有第一可变电容值，其中N大于1；
电性耦合第二电容，该第二电容并联于该第一可变电容电路以形成具有第二可变电容值的第二可变电容电路；以及
电性耦合第三电容，该第三电容是与该第二可变电容电路串联以形成第三可变电容电路，该第三可变电容电路包含第三可变电容值；
其中，该电容网络包含该第三可变电容电路。
12.根据权利要求11所述的方法，其中该第一可变电容电路包含由N个可变电容从属电路的电性并联组合，每一该N个可变电容从属电路根据该N-位数字控制信号每一对应位的状态，产生最大电容值或最小电容值。
13.根据权利要求12所述的方法，其中每一该N个可变电容从属电路包含两个变容器电性串联耦合，其一公共节点耦合于该N-位数字控制信号的一公共个别位，且为其所控制。
14.根据权利要求11所述的方法，其还包含：
电性耦合第四电容，其是与该第三可变电容电路并联以形成该电容网络。
15.一种调整数字控制振荡器频率的调整方法，该方法包含：
依据第一数字句柄以产生第一可调电容值，该第一数字句柄根据其增加量控制第一变容器阵列以产生具有第一步长的第一可变电容值，该第一变容器阵列是并联第一电容，该第一变容器阵列与该第一电容并联的组合是电性串联第二电容，以根据第二步长产生该第一可调电容值，其中该第二步长为该第一步长的一部分；
依据第二数字句柄产生第二可调电容值，该第二数字句柄根据其增加量控制第二变容器阵列以产生具有第三步长的第二可变电容值，该第二变容器阵列电性是并联第三电容，该第二变容器阵列与该第三电容电性并联的组合是电性串联第四电容，以根据第四步长产生该第二可调电容值，其中该第四步长为该第三步长的一部分；以及
电性并联以结合该第一可调电容值及该第二可调电容值以产生综效电容，藉以控制数字控制振荡器的频率，其中该第四步长小于该第二步长，而通过调整该第一数字句柄而实现该数字控制振荡器的频率粗调，及通过调整该第二数字句柄而实现该数字控制振荡器的频率微调。
16.一种数字控制电容电路，该电路包含：
第一可调电容器，是由具有多个位的第一数字控制信号所控制，其中该可调电容器是于下界限及上限界之间调整；
第一电容器，电性耦接于该第一可调电容器的第一节点，其中，该第一电容器的电容值大于该可调电容器的该上界限；以及
第二电容器，电性耦接于该第一节点，其中，该第二电容器的电容值小于该可调电容器的该下界限。
17.根据权利要求16所述的数字控制电容电路，其中该第一可调电容器包含多个第一变容器，每一第一变容器具有第一终端及第二终端，各该第一终端耦合于该第一内电路节点，各该第二终端分别耦合于该第一数字句柄的该多个位的其一。
18.根据权利要求17所述的数字控制电容电路，其还包含电阻，该电阻是与该第一内电路节点及第一实质固定电位节点以对该多个变容器建立偏压状态。
19.根据权利要求17所述的数字控制电容电路，其中该多个变容器实质上为相同，以使该可调电容的增加量与该第一句柄的增加量实质相似。
20.根据权利要求17所述的数字控制电容电路，其中该多个变容器分别被赋予权重，以使该第一数字控制电容电路的有效电容的增加量与该第一数字句柄的增加量实质相似。
21.根据权利要求16所述的数字控制电容电路，其中该第一电容器具有第二终端以耦合第二实质固定电位节点。
22.根据权利要求16所述的数字控制电容电路，其中该可调电容器包含多个从属电路，该多个从属电路是于该第一内电路节点及第二内电路节点之间并联，每一该多个从属电路是分别由该第一数字句柄的该多个位的其一所控制，且各该从属电路包含第一变容器及第二变容器，该第一变容器具有第一终端及第二终端，该第一终端与该第一内电路节点耦合，该第二终端与该第一数字句柄的该多个位的其一耦合，该第二变容器具有第三终端及第四终端，该第三终端是与该第二内电路节点耦合，该第四终端与该第一数字句柄的该多个位的其一耦合。
23.根据权利要求22所述的数字控制电容电路，其还包含第一电阻及第二电阻，该第一电阻耦合于该第一内电路节点及第一实质固定电位节点之间，该第二电阻耦合于该第二内电路节点及第二实质固定电位节点之间，以对该电容性电路建立偏压状态。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102185663A (zh) * 2011-02-16 2011-09-14 意法·爱立信半导体（北京）有限公司 频率校准方法和装置
CN102422526A (zh) * 2009-05-07 2012-04-18 高通股份有限公司 用于压控振荡器频率调谐的重叠二段电容器组
CN102576703A (zh) * 2009-05-05 2012-07-11 意法爱立信有限公司 可变电容集成电子电路模组
CN102823138A (zh) * 2010-03-26 2012-12-12 阿尔特拉公司 具有可配置电感器的集成电路
CN102938644A (zh) * 2011-08-15 2013-02-20 联发科技（新加坡）私人有限公司 数字控制振荡器
CN103516356A (zh) * 2012-06-29 2014-01-15 三星电机株式会社 具有改进线性的数字控制振荡器
CN104065342A (zh) * 2013-03-20 2014-09-24 成都世旗电子科技有限公司 一种并联型晶体振荡器
CN104467817A (zh) * 2014-10-28 2015-03-25 长沙景嘉微电子股份有限公司 一种应用于自动频率控制系统(afc)的环路微调算法
CN104539287A (zh) * 2014-12-24 2015-04-22 华南理工大学 一种用于数控振荡器的最小变电容结构及其方法
CN109075612A (zh) * 2016-03-15 2018-12-21 X2 动力科技有限公司 无线电能传输控制装置和方法

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8031011B2 (en) * 2008-06-27 2011-10-04 Altera Corporation Digitally controlled oscillators
TWI490456B (zh) 2011-04-29 2015-07-01 Elan Microelectronics Corp Differential Capacitance Sensing Circuit and Method
US8665034B2 (en) * 2011-09-26 2014-03-04 International Business Machines Corporation Varactor tuning control using redundant numbering
US8779867B2 (en) 2011-10-26 2014-07-15 Intel Mobile Communications GmbH Split varactor array with improved matching and varactor switching scheme
US8786376B2 (en) * 2011-12-13 2014-07-22 Peraso Technologies, Inc. Varactor voltage controlled oscillator (VCO) providing independent coarse and fine frequency tuning
US9257997B2 (en) * 2012-04-19 2016-02-09 Semtech Corporation Analog loop filter systems, apparatus, and methods
WO2014006439A1 (en) * 2012-07-06 2014-01-09 Freescale Semiconductor, Inc. Capacitive arrangement for frequency synthesizers
US20140035691A1 (en) * 2012-07-31 2014-02-06 Cambridge Silicon Radio Limited Capacitive divider structure
US9070510B2 (en) * 2012-12-14 2015-06-30 Intel IP Corporation Frequency tuning and step control of a digitally controlled oscillator
KR102044479B1 (ko) 2013-08-28 2019-11-13 삼성전자주식회사 디지털 제어 발진기 및 디지털 제어 발진기를 포함하는 전자 장치
US9641164B2 (en) * 2014-06-24 2017-05-02 Technische Universiteit Delft Quadrature LC tank digitally controlled ring oscillator
US9325332B2 (en) 2014-08-27 2016-04-26 International Business Machines Corporation Adjusting the magnitude of a capacitance of a digitally controlled circuit
CN107408918B (zh) * 2015-01-27 2021-02-12 华为技术有限公司 射频振荡器
US9520829B1 (en) 2015-09-18 2016-12-13 Samsung Electronics Co., Ltd Apparatus and method of fine capacitance tuning for high resolution digitally controlled oscillator
US9509381B1 (en) 2015-09-18 2016-11-29 Samsung Electronics Co., Ltd Apparatus and method of blind detection of interference rank information in wireless communication system
US9496935B1 (en) 2015-09-18 2016-11-15 Samsung Electronics Co., Ltd Apparatus and method of blind detection of precoding matrix index of interference in wireless communication system
FR3057674B1 (fr) 2016-10-17 2021-02-12 Faiveley Transp Tours Dispositif d'interface entre un systeme de gestion de batteries et des groupes de cellules
US10727847B1 (en) 2019-02-07 2020-07-28 International Business Machines Corporation Digital control of a voltage controlled oscillator frequency
US11277096B2 (en) 2020-02-25 2022-03-15 Stmicroelectronics International N.V. Digitally controlled LC oscillator
US11356058B1 (en) * 2020-12-17 2022-06-07 Cypress Semiconductor Corporation Oscillator with frequency variation compensation

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6658748B1 (en) * 2000-03-02 2003-12-09 Texas Instruments Incorporated Digitally-controlled L-C oscillator
US6650194B1 (en) * 2000-10-25 2003-11-18 International Business Machines Corporation Phase shift control for voltage controlled oscillator
DE10100113A1 (de) * 2001-01-03 2002-07-18 Infineon Technologies Ag Spannungsgesteuerter Oszillator zur Frequenzmodulation
US6734741B2 (en) * 2001-04-25 2004-05-11 Texas Instruments Incorporated Frequency synthesizer with digitally-controlled oscillator
US6653908B1 (en) * 2001-10-18 2003-11-25 National Semiconductor Corporation Oscillator circuit with automatic level control for selectively minimizing phase noise
US6833769B2 (en) * 2003-03-21 2004-12-21 Nokia Corporation Voltage controlled capacitive elements having a biasing network
WO2004034564A2 (en) * 2002-09-06 2004-04-22 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Trimming of a two point phase modulator
US6850106B1 (en) * 2003-07-08 2005-02-01 Mohan Krishna Kunanayagam Voltage controlled oscillator delay cell
US7061334B1 (en) * 2004-06-03 2006-06-13 Altera Corporation Apparatus and methods for wide tuning-range ring oscillators
US7212073B2 (en) * 2005-02-02 2007-05-01 Skyworks Solutions, Inc. Capacitive tuning network for low gain digitally controlled oscillator
DE102006011285B4 (de) * 2006-03-10 2019-09-05 Intel Deutschland Gmbh Schwingkreisanordnung mit digitaler Steuerung, Verfahren zur Erzeugung eines Schwingungssignals und digitaler Phasenregelkreis mit der Schwingkreisanordnung
CN1333522C (zh) * 2006-04-14 2007-08-22 清华大学 片上cmos数控lc振荡器
KR100877688B1 (ko) * 2006-07-14 2009-01-09 한국전자통신연구원 선형적인 가변 커패시턴스 모듈 및 이를 이용한 ｌｃ 공진 회로

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102576703B (zh) * 2009-05-05 2014-10-29 意法爱立信有限公司 可变电容集成电子电路模组
CN102576703A (zh) * 2009-05-05 2012-07-11 意法爱立信有限公司 可变电容集成电子电路模组
CN102422526A (zh) * 2009-05-07 2012-04-18 高通股份有限公司 用于压控振荡器频率调谐的重叠二段电容器组
CN102422526B (zh) * 2009-05-07 2015-10-21 高通股份有限公司 用于压控振荡器频率调谐的重叠二段电容器组
CN102823138A (zh) * 2010-03-26 2012-12-12 阿尔特拉公司 具有可配置电感器的集成电路
CN102823138B (zh) * 2010-03-26 2016-03-09 阿尔特拉公司 具有可配置电感器的集成电路
CN102185663A (zh) * 2011-02-16 2011-09-14 意法·爱立信半导体（北京）有限公司 频率校准方法和装置
CN102938644A (zh) * 2011-08-15 2013-02-20 联发科技（新加坡）私人有限公司 数字控制振荡器
CN102938644B (zh) * 2011-08-15 2015-10-07 联发科技（新加坡）私人有限公司 数字控制振荡器
CN103516356A (zh) * 2012-06-29 2014-01-15 三星电机株式会社 具有改进线性的数字控制振荡器
CN104065342A (zh) * 2013-03-20 2014-09-24 成都世旗电子科技有限公司 一种并联型晶体振荡器
CN104467817A (zh) * 2014-10-28 2015-03-25 长沙景嘉微电子股份有限公司 一种应用于自动频率控制系统(afc)的环路微调算法
CN104467817B (zh) * 2014-10-28 2018-12-07 长沙景嘉微电子股份有限公司 一种应用于自动频率控制系统(afc)的环路微调算法
CN104539287A (zh) * 2014-12-24 2015-04-22 华南理工大学 一种用于数控振荡器的最小变电容结构及其方法
CN104539287B (zh) * 2014-12-24 2017-08-29 华南理工大学 一种用于数控振荡器的最小变电容结构及其方法
CN109075612A (zh) * 2016-03-15 2018-12-21 X2 动力科技有限公司 无线电能传输控制装置和方法
US11750033B2 (en) 2016-03-15 2023-09-05 Quanten Technologies Limited Wireless power transfer control apparatus and method

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