CN101389181B - 传输差动对的半导体基板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种传输差动对的半导体基板,其包括一基板本体及至少一孔。该孔开口于该基板本体的表层,该孔内具有第一导体、第二导体及一接地导体,该第一导体、该第二导体及该接地导体彼此不电性连接,该接地导体电性连接该基板本体的接地层,该第一导体及该第二导体穿过该基板本体的接地层,且与该基板本体的接地层不电性连接。该第一导体用以传送一正差动信号。该第二导体用以传送一负差动信号。由此,传输一差动对信号只需一个孔,而不会占据太多空间。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体基板,详言之,涉及一种在同一孔中传输差动对的半导体基板。
背景技术
为了因应当今高电路密度的需求,基板被设计成具有多层的结构,而为了电性连接这些层至该基板表面的线路,在基板内加设多个孔(Via)便应运而生。此外,阻抗控制一直是差动对(Differential Pair)设计领域中重要的课题之一,针对平面的线路而言,因为其上层或下层可有一完整的参考平面,因此可做好阻抗设计,但是针对这些孔(盲孔或是贯穿孔)而言,一般是很难做到阻抗控制。
参考图1,显示已知传输差动对的半导体基板的示意图。该半导体基板1包括基板本体11、第一孔(Via)12、第二孔13、多个接地孔14、第一线路15及第二线路16。该基板本体11具有表层111、接地(Ground)层112及多层介电层113。该接地层112可能是全面性或是局部布分布于二个介电层113之间。
该第一孔12、该第二孔13及这些接地孔14为各自独立的孔,且皆开口于该基板本体11的表层111。该第一孔12内具有第一导体121。该第二孔13内具有第二导体131。这些接地孔14围绕该第一孔12及该第二孔13,且每一这些接地孔14内具有一接地导体141。这些接地导体141电性连接该基板本体11的接地层112。该第一导体121及该第二导体131穿过该基板本体11的接地层112,且与该基板本体11的接地层112不电性连接。
该第一线路15位于该基板本体11的表层111,该第一线路15连接该第一导体121,且用以传送一正差动信号。该第二线路16位于该基板本体11的表层111,该第二线路16连接该第二导体131,且用以传送一负差动信号。
该已知半导体基板1的缺点为其利用这些接地孔14围绕该第一孔12及该第二孔13以做阻抗设计,然而此方式的阻抗设计仍不理想,会使差动信号因阻抗不匹配而产生不连续点,而降低差动对的电性特性。此外,该第一孔12及该第二孔13的周围环绕这些接地孔14,因而占据较大的空间。
因此,有必要提供一种创新且具进步性的传输差动对的半导体基板,以解决上述问题。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种传输差动对的半导体基板,该半导体基板包括一基板本体、至少一孔(Via)、第一线路及第二线路。该基板本体至少具有一表层及一接地层。该孔开口于该基板本体的表层,该孔内具有第一导体、第二导体及一接地导体,该第一导体、该第二导体及该接地导体彼此不电性连接,该接地导体电性连接该基板本体的接地层,该第一导体及该第二导体穿过该基板本体的接地层,且与该基板本体的接地层不电性连接。该第一线路位于该基板本体的表层,该第一线路连接该第一导体,且用以传送一正差动信号。该第二线路位于该基板本体的表层,该第二线路连接该第二导体,且用以传送一负差动信号。
由此,在该孔内即具有三个导体,其中该第一导体及该第二导体可分别传输正负差动信号,另外一个接地导体则连接接地信号,可当作阻抗设计的参考平面,其不仅可达到在孔内控制阻抗的目的,而且其效果良好可提升差动对的电性特性。此外,在本发明中,传输一差动对信号只需一个孔,而不会占据太多空间。
附图说明
图1显示已知传输差动对的半导体基板的示意图;
图2显示本发明传输差动对的半导体基板的第一实施例的示意图;及
图3显示本发明传输差动对的半导体基板的第二实施例的示意图。
附图标记说明
1已知半导体基板
2本发明的半导体基板的第一实施例
3本发明的半导体基板的第二实施例
11基板本体
12第一孔
13第二孔
14接地孔
15第一线路
16第二线路
21基板本体
22孔
23第一线路
24第二线路
111表层
112接地层
113介电层
121第一导体
131第二导体
141接地导体
211表层
212接地层
213介电层
221第一导体
222第二导体
223接地导体
224第三导体
225第四导体
具体实施方式
参考图2,显示本发明传输差动对的半导体基板的第一实施例的示意图。该半导体基板2包括基板本体21、至少一孔(Via)22、第一线路23及第二线路24。该基板本体21具有表层211、接地层212及多层介电层213。该接地层212可能是全面性或是局部布分布于两层介电层213之间。
该孔22开口于该基板本体21的表层211。该孔22可以是盲孔或是贯穿孔。该孔22内具有第一导体221、第二导体222及接地导体223。该第一导体221、该第二导体222及该接地导体223彼此分离且不电性连接,该接地导体223电性连接该基板本体21的接地层212,该第一导体221及该第二导体222穿过该基板本体21的接地层212,且与该基板本体21的接地层212不电性连接。
在本实施例中,该第一导体221、该第二导体222及该接地导体223的形成方式,举例而言,将该孔22填满一导体(例如金属)后,再以激光切割方式将该导体切割成图示的形状。然而可以理解的是,也可以利用其他方式形成分离的该第一导体221、该第二导体222及该接地导体223。在本实施例中,该第一导体221及该第二导体222以俯视观之皆为四分之一圆形,且其面积大致相等;而该接地导体223为半圆形,且其面积为该第一导体221及该第二导体222的面积的总和。然而可以理解的是,该第一导体221、该第二导体222及该接地导体223也可以是其他形式。
该第一线路23位于该基板本体21的表层211,该第一线路23连接该第一导体221,且用以传送一正差动信号。该第二线路24位于该基板本体21的表层211,该第二线路24连接该第二导体222,且用以传送一负差动信号。
本发明的优点为,在一个孔(亦即该孔22)内即具有三个导体,其中两个导体(该第一导体221及该第二导体222)可分别传输正负差动信号,另外一个(该接地导体223)则连接接地信号,可当作阻抗设计的参考平面,其不仅可达到在孔内控制阻抗的目的,而且其效果良好可提升差动对的电性特性。此外,在本发明中,传输一差动对信号只需一个孔(该孔22),而不会占据太多空间。
参考图3,显示本发明传输差动对的半导体基板的第二实施例的示意图。该半导体基板3包括基板本体21、至少一孔(Via)22、第一线路23及第二线路24。该基板本体21具有表层211、接地层212及多个介电层213。该接地层212可能是全面性或是局部布分布于两层介电层213之间。该孔22内具有第一导体221、第二导体222及接地导体223,其中该接地导体223包括第三导体224及第四导体225。该第一导体221、该第二导体222、该第三导体224及该第四导体225彼此分离且不电性连接,该第三导体224及该第四导体225电性连接该基板本体21的接地层212,该第一导体221及该第二导体222穿过该基板本体21的接地层212,且与该基板本体21的接地层212不电性连接。
在本实施例中,该第一导体221、该第二导体222、该第三导体224及该第四导体225的形成方式,举例而言,以激光切割方式而成。然而可以理解的是,也可以利用其他方式形成分离的该第一导体221、该第二导体222、该第三导体224及该第四导体225。在本实施例中,该第一导体221、该第二导体222、该第三导体224及该第四导体225以俯视观之皆为四分之一圆形,且其面积大致相等。然而可以理解的是,该第一导体221、该第二导体222、该第三导体224及该第四导体225也可以是其他形式。
该第一线路23位于该基板本体21的表层211,该第一线路23连接该第一导体221,且用以传送一正差动信号。该第二线路24位于该基板本体21的表层211,该第二线路24连接该第二导体222,且用以传送一负差动信号。
可以理解的是,本实施例的该半导体基板3因为具有二个接地导体(即该第三导体224及该第四导体225),因此可以达到优选的阻抗控制。
惟上述实施例仅为说明本发明的原理及其功效,而非用以限制本发明。因此,本领域的技术人员对上述实施例进行修改及变化仍不脱本发明的精神。本发明的权利范围应如所述的权利要求所列。
Claims (9)
1.一种传输差动对的半导体基板,包括:
基板本体,至少具有一表层及一接地层;
至少一孔(Via),开口于该基板本体的表层,该孔内具有第一导体、第二导体及至少一接地导体,该第一导体、该第二导体及该接地导体彼此不电性连接,该接地导体电性连接该基板本体的接地层,该第一导体及该第二导体穿过该基板本体的接地层,且与该基板本体的接地层不电性连接;
第一线路,位于该基板本体的表层,该第一线路连接该第一导体,且用以传送一正差动信号;及
第二线路,位于该基板本体的表层,该第二线路连接该第二导体,且用以传送一负差动信号。
2.如权利要求1的半导体基板,其中该第一导体、该第二导体及该接地导体以激光切割而成。
3.如权利要求1的半导体基板,其中该孔为一盲孔。
4.如权利要求1的半导体基板,其中该孔为一贯穿孔。
5.如权利要求1的半导体基板,其中以上视观察的该第一导体及该第二导体的面积相同,该接地导体的面积为该第一导体及该第二导体的面积的总和。
6.如权利要求1的半导体基板,其中该接地导体包括第三导体及第四导体,该第三导体及该第四导体彼此不电性连接,且该第三导体及该第四导体电性连接该基板本体的接地层。
7.如权利要求6的半导体基板,其中该第三导体及该第四导体以激光切割而成。
8.如权利要求6的半导体基板,其中以上视观察的该第一导体、该第二导体、该第三导体及该第四导体的面积系相同。
9.如权利要求1的半导体基板,其中该基板本体还具有多个介电层,该接地层分布于两层介电层之间。
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