CN101385127B - 用于减少介电蚀刻中微粒污染的密封弹性材料粘合的Si电极 - Google Patents
用于减少介电蚀刻中微粒污染的密封弹性材料粘合的Si电极 Download PDFInfo
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Abstract
一种用于半导体基片处理的等离子反应室的电极组件，其包含具有粘合表面的衬垫构件，具有在一侧的下部表面和在另一侧的粘合表面的内部电极，以及具有在一侧的下部表面和在另一侧的粘合表面的外部电极。至少一个上述电极具有法兰，该法兰在另一个电极的该下部表面的至少一部分下面延伸。
Description
背景技术
从60年代中期以来，集成半导体电路已经变成大多数电子系统的主要部件。这些小型电子设备可包括数以千计的晶体管和其他电路，它们组成微型计算机中央处理单元的存储和逻辑子系统以及其他集成电路。这些芯片的低成本、高可靠性和速度使得它们变成现代数字电子设备中普遍存在的结构。
集成电路芯片的制造通常开始于高纯度、单晶体的称为“晶片”的半导体基片(如硅或锗)的薄的、抛光的切片。每个晶片经受一系列物理和化学处理步骤，以在该晶片上形成各种不同的电路结构。在制造过程中，使用各种技术将各种类型的薄膜沉积在晶片上，如热氧化以产生二氧化硅薄膜，化学气相沉积以产生硅、二氧化硅和氮化硅薄膜，以及溅射或者其他技术以产生其他金属薄膜。
在该半导体晶片上沉积薄膜之后，通过掺杂工艺将选取的杂质取代入半导体晶格而产生半导体唯一的电气属性。接着，利用光敏或者辐射敏感材料(称为抗蚀剂)的薄层均匀地涂覆掺杂的硅晶片。然后，使用通常所说的光刻工艺将小的几何图案转移到该抗蚀剂上，该图案限定电路中的电子路径。在光刻工艺过程中，集成电路图案可绘制在玻璃板上(称为“掩模”)，然后光学缩小、投影以及转移到光敏涂层上。
随后，通过已知的蚀刻工艺将光刻抗蚀剂图案转移到下面的半导体材料的结晶表面。通过将蚀刻或者沉积气体输入该真空室并且向该气体施加射频(RF)场以将该气体激发为等离子状态的方式，真空处理室常用于基片上材料的蚀刻和化学气相沉积(CVD)。
一个反应性离子蚀刻系统通常由蚀刻室组成，其具有设置在其中的上部电极或阳极和下部电极或阴极。阴极相对于该阳极或者容器壁负向偏置。待蚀刻晶片由适当的掩模覆盖并且直接设置在阴极上。将化学反应气体，如CF4、CHF3、CClF3、HBr、Cl2和SF6或其与O2、N2、He或Ar的混合物引入蚀刻室并通常保持在毫托范围内的压力下。上部电极提供有气孔，其使得气体均匀地通过该电极散入该室。在阳极和阴极之间建立的电场将使反应性气体电离以形成等离子。通过与该反应性离子的化学反应以及撞击该晶片表面的粒子的动量转移而蚀刻该晶片表面。由这些电极产生的电场将离子吸引到阴极，使得粒子在主要垂直的方向撞击该表面，从而该工艺产生清晰的垂直蚀刻侧壁。
通常考虑到多功能性，可通过将两个或者多个不相似的构件利用化学相容和/或导热粘结剂粘合来制造蚀刻反应器电极。在许多两个构件之间具有粘合线或者层的蚀刻反应器中，包括喷头电极组件，其中内部电极和外部电极粘合到衬垫构件，或多重粘合层结合电极和/或加热元件或组件，粘合材料会暴露于反应室中。另外，粘合材料会被等离子和由等离子生成的自由基直接攻击而蚀刻掉。
因此，防止粘合材料的腐蚀，或至少显著减缓腐蚀速率，从而使电极和其相关粘合材料在用于半导体蚀刻工艺时获得延长的和可接受的工作寿命，且没有明显降低等离子处理系统的性能或者工作可靠性，是有必要的。
发明内容
根据一个实施方式，用于在半导体基片处理中使用的等离子反应室的电极组件包括：具有粘合表面的衬垫构件；在一侧具有下部表面和在另一侧具有粘合表面的内部电极；在一侧具有下部表面和在另一侧具有粘合表面的外部电极；其中至少一个电极具有法兰，该法兰在另一个电极的下部表面的至少一部分下面延伸。
根据进一步实施方式，对于在半导体基片处理中使用的等离子反应室有用的电极组件包括：具有粘合表面的衬垫构件，该衬垫构件具有至少一个凹坑，用于容纳粘合材料；在一侧具有下部表面和在另一侧具有粘合表面的电极；其中，该粘合材料局限在该至少一个凹坑内。
根据另一个实施方式，电极组件包括：具有粘合表面的衬垫构件，该衬垫构件具有至少一个凹坑，以用于容纳粘合材料；在一侧具有下部表面和在另一个侧具有粘合表面的电极；至少一个垫片，用于在该衬垫构件的粘合表面和该电极之间保持间隙；以及该衬垫构件的粘合表面和该电极之间的粘合材料。
根据进一步实施方式，用于在半导体基片处理中使用的等离子反应室电极组件包括：具有粘合表面的衬垫构件；在一侧具有下部表面和在另一侧具有粘合表面的电极；其中，该电极具有用于容纳粘合材料的凹坑，和位于外部边缘的、用于接收过多粘合材料的凹槽。
根据另一个实施方式，用于在基片处理中使用的等离子反应室的电极组件包括：具有粘合表面的衬垫构件；在一侧具有下部表面和在另一侧具有粘合表面的外部电极环；其中，该外部电极环的粘合表面包括多个凹坑。
根据另一个实施方式，制造用于在半导体基片处理中使用的等离子反应室的电极组件的方法包括：提供具有粘合表面的衬垫构件；提供在一侧具有下部表面和在另一侧具有粘合表面的内部电极；以及将粘合材料施加到该内部电极和该衬垫构件的粘合表面，其中该粘合材料的边缘延伸到该内部电极的外部边缘的1.0到3.0mm内。
附图说明
图1示出用于蚀刻基片的等离子反应器的喷头电极组件的剖视图。
图2示出图1的喷头电极组件的一部分的剖视图。
图3示出图2的喷头电极组件的一部分的剖视图，包括顶部电极、衬垫构件和外部电极构件。
图4示出图3的外部电极的一部分的剖视图。
图5示出喷头电极的一部分的剖视图，具有按照一个实施方式的弹性材料粘合剂。
图6示出图5的喷头电极的一部分的剖视图，具有按照另一个实施方式的弹性材料粘合剂。
图7示出该喷头电极的一部分的俯视图，具有按照进一步实施方式的弹性材料粘合剂。
图8示出该喷头电极的一部分的俯视图，具有按照进一步实施方式的弹性材料粘合剂。
图9示出按照进一步实施方式，多个外部电极和衬垫构件的界面剖视图。
图10示出该图9的多个外部电极的一部分的俯视图。
图11示出按照另一个实施方式的喷头电极组件的一部分的剖视图。
图12示出按照进一步实施方式的喷头电极组件的一部分的剖视图，在该内部电极和该外部电极的界面具有互锁构造。
图13示出按照另一个实施方式的喷头电极组件的一部分的剖视图，在该内部电极和该外部电极的界面具有互锁构造。
图14示出按照进一步实施方式的喷头电极组件的一部分的剖视图。
图15示出按照另一个实施方式的喷头电极组件的一部分的剖视图。
图16示出按照进一步实施方式的喷头电极组件的一部分的剖视图。
图17示出按照另一个实施方式的喷头电极组件的一部分的剖视图。
具体实施方式
图1示出用于蚀刻基片的等离子反应器的喷头电极组件100的一部分的剖视图。如图1所示，该喷头电极组件100包括顶部电极110、热控制构件112和顶板114。该顶部电极110包括内部电极120， 和固定于该内部电极120的可选的衬垫构件140。该衬垫构件140可包括内部衬垫构件124和可选的外部衬垫构件132。该顶板114可形成该等离子处理设备可移除顶壁，如等离子蚀刻室。该顶部电极110优选地包括内部电极构件120和可选的外部电极构件130。该内部电极构件120优选地是圆柱形板并且可由单晶硅制成。
如图1所示，该喷头电极组件100通常与静电卡盘(未示)一起使用，该静电卡盘具有平的底部电极，晶片支撑在该底部电极上，在该顶部电极110下面间隔1到2cm。一个这样的等离子处理系统的例子是平行板类型反应器，如 
介电蚀刻系统，由Fremont，Calif的Lam Research Corporation制造。这种夹紧装置通过供应背面氦(He)压力而提供该晶片的温度控制，其控制该晶片和该卡盘之间的热传递速率。
该顶部电极110是消耗零件，必须定期更换。在一个优选实施方式中，该顶部电极110是提供有多个隔开的气体排出通道116的喷头电极，其大小和分布适于提供处理气体，该处理气体被该电极激发并且在该电极110下方的反应区域102内(图3)形成等离子。
该内部电极120优选地是平面圆盘，从中央(未示)到外部边缘121的厚度一致。通过水出口/入口连接件使水在冷却通道中循环。由一堆间隔的石英环组成的等离子限制环150围绕顶部电极110的外部圆周。该限制环150的目的和功能是在反应器中产生压差并且增加反应室壁和该等离子之间的电阻，由此将等离子限制在该上部和下部电极之间。
通过该顶板114中一个或者多个通道将来自气体供应源的处理气体提供到电极110。然后通过一个或者多个垂直隔开的的挡板和经过该电极110中的气体分配孔116的路径分配该气体，以将该处理气体均匀地分散入反应区域102内。
该内部电极构件120的直径可以小于、等于或者大于待处理的晶片，例如，如果该板是由单晶硅制成，可高达300mm，这是目前可以获得的单晶硅的最大直径。为了适应处理300mm晶片，该外部电极构件130将该顶部电极110的直径从大约15英寸扩展到大约17英寸。该外部电极构件130可以是连续构件(例如，多晶硅构件，如环)，或分段的构件(例如，排列成环结构的2-6个分开的片段，如单晶硅片段)。该内部电极构件120优选地包括多重气体通道116，用于将处理气体喷入该顶部电极110下面的等离子反应室。
单晶硅是用于该内部电极构件120和该外部电极构件130的等离子暴露表面的优选材料。高纯度单晶硅使得在等离子处理过程中基片的污染最小，因为其仅向该反应室引入最小数量的不受欢迎的成分并且在等离子处理过程中磨损平滑，由此使得微粒最少。可以用作该顶部电极110等离子暴露表面的其他材料包括，例如，SiC、SiN和AlN。
在构造中，该喷头电极组件100对于处理大的基片是足够大的，如直径300mm的半导体晶片。对于300mm晶片，该顶部电极110直径至少是300mm。然而，该喷头电极组件100的大小可以设定为处理其他晶片尺寸或具有非圆形构造的基片。
图2示出图1的喷头电极组件的一部分的剖视图。如图2所示，该喷头电极组件100包括该内部电极120、该内部衬垫构件124、该外部电极130、该外部电极外部衬垫构件132和该等离子限制环150。
该衬垫构件140是由该内部衬垫构件124和可选地外部衬垫构件132组成。在这样的构造中，该内部电极构件120与该内部衬垫构件124共同延伸，以及该外部电极构件130与该周围的衬垫构件132共同延伸。然而，该内部衬垫构件124可以延伸超出该内部电极构件120从而可使用单个衬垫构件140(图3)以支撑该内部电极构件 120和该外部电极构件130。该内部电极构件120和该外部电极构件130优选地利用弹性粘合材料160连接到该内部和外部衬垫构件124、132。该内部衬垫构件124包括与该内部电极构件120的气体通道116对准的气体通道126，用以将气体流输入该等离子处理室。内部衬垫构件124的气体通道126的直径通常为大约0.04英寸，而该内部电极120的气体通道116的直径通常为大约0.025英寸。
该内部衬垫构件124和外部衬垫构件132优选地由与用于在该等离子处理室处理半导体基片的处理气体化学相容的材料制成，其具有的热膨胀系数与该电极材料密切匹配，和/或导电且导热。可用来制做该内部衬垫构件124的优选的材料包括，但不限于，石墨和SiC。
该内部和该外部电极120、130可分别通过导热和导电弹性粘合材料160(图3)连接到该内部衬垫构件124和外部衬垫构件132。该弹性粘合材料160允许在由于热循环导致的热应力的作用下在该顶部电极110和该衬垫构件140之间相对移动。该粘合材料160还可以在该内部和该外部电极120、130和该内部衬垫构件124和外部衬垫构件132之间传递热和电能。在共有美国专利No.6,073,577中描述了使用弹性粘合材料160将电极组件100表面粘合起来，其通过引用整体结合在这里。
该内部衬垫构件124和该外部衬垫构件132优选地利用适当的紧固件连接到该热控制构件112，该紧固件可以是螺杆、螺栓等。例如，螺栓(未示)可以插入该热控制构件112中的孔并拧入该衬垫构件140中的螺纹孔中。该热控制构件112包括挠曲部分152并且优选地由机器加工金属材料制成，如铝、铝合金等。该顶板114优选地由铝或者铝合金制成。等离子限制环150示为在该喷头电极组件100的外面。在共有美国专利No.5,534,751描述了一个合适的等离 子限制组件，其包括垂直可调节的等离子限制环150，其通过引用整体结合在这里。
图3示出该图2的喷头电极组件的一部分的剖视图，包括顶部电极110，其具有内部电极120、衬垫构件140和外部电极130。该内部电极120和该外部电极130分别具有下部或等离子暴露表面123、139，和上部或粘合表面125、141。该衬垫构件140具有下部或粘合表面127和上部或热控制表面116。如图3所示，将该弹性粘合材料160施加并包含在该内部电极120的上部表面125、该外部电极130的上部表面141和该衬垫构件140的下部表面127之间的间隙或者空间118中。
可以预知，该衬垫构件140可以延伸超出该内部电极120的外部边缘121，从而可使用单个衬垫构件140替代如图2所示的内部衬垫构件124和外部衬垫构件132。该内部电极120的外部边缘121通常是垂直的，如图3所示。然而，可以预料，该内部电极120的外部边缘121可具有非垂直的方位。
该外部电极130具有内部边缘131和外部边缘133。该外部电极130的内部边缘131面向或是邻近该内部电极120的外部边缘121。该外部电极130的外部边缘133面向该等离子限制环150。该外部电极130的内部边缘131和外部边缘133通常是垂直的。然而，可以认识到，正如此处所描述的，该内部边缘131和该外部边缘133可具有非垂直的方位。
如图3所示，该外部电极130的内部边缘131和外部边缘133可包括内部表面135和外部表面137，其朝向该外部电极130的下部表面139倾斜。该内部和外部表面135、137连同该外部电极130的下部表面139可延伸进入该区域102内比该内部电极120的下部表面123更大的深度。该外部电极130的内部表面135可以描述为台阶111，如在 共有美国专利No.6,824,627中描述的，其通过引用整体结合在这里。提供该台阶111以控制等离子处理过程中在暴露的下部表面123、139附近形成的等离子密度。该台阶111优选地大体排列在该下部电极的边缘环(未示)上方并且设置为恰好在该晶片边缘的外侧。该内部表面135和该外部表面137的角度优选地在大约15和85度之间。
如图3所示，该粘合材料160或弹性粘合材料通常施加在该内部和外部电极120、130的上部或粘合表面125、141和/或该衬垫构件140的下部或粘合表面127的至少一个上。在该粘合材料160施加到该粘合表面125、127、141的至少一个上之后，可以组装这些零件从而将这些粘合表面125、127、141压在一起。在上面描述的电极110和衬垫构件140的例子中，该电极110可以保持在固定装置中并且该固定装置的塑料销可用来引导该衬垫构件140与该电极110精确接触。开始，可用轻微的压力如手的压力来将弹性体或粘合材料160涂到整个将要形成的连接处。在该弹性体或粘合材料160涂好后，在烘焙该粘合剂过程中可向该电极110施加静态载荷。
该粘合剂可以在空气或者保护性气体环境中在环境温度或者高温下烘焙。例如，该组件100可设置在烤炉中并且加热到低温以加速该粘合剂的烘焙而不会将热应变引入待结合的零件中。在上面描述的该顶部电极110和该衬垫构件140的例子中，需要将温度保持为低于60℃，例如45°到50℃，持续适当的时间，例如3到5小时。在烘焙粘合剂以形成该弹性连接之后，冷却该组件100并且去除该遮蔽材料。进一步，取决于该组件运行的需要，可执行任何额外的清除和/或进一步的制造步骤，如在真空炉中除气。
可以认识到，通常，如图3所示，将这些粘合表面125、127、141(即，该内部电极120和该外部电极130连同该内部衬垫构件124和该外部衬垫构件132)压在一起使得该弹性粘合材料160填充该内部和外部电极120、130和该衬垫构件124之间的间隙或者空间118。 另外，该粘合材料160通常部分填充该内部电极120的内部边缘121和该外部电极130的内部边缘131之间的外部电极间隙129。然而，该弹性粘合材料160暴露于直接等离子蚀刻同时受到由等离子产生的自由基的攻击，会导致该弹性粘合材料160损坏和/或粘合剂损失，以及铝(Al)球体微粒的生成。
在等离子处理过程中，该弹性体粘合的电极可以保持在高工作温度、高功率密度和长RF时间。因此，具有如这里描述的喷头或电极组件110的蚀刻工具广泛用于半导体晶片蚀刻工艺。这种类型电极的广泛成功使用主要归因于这种电极具有导电性和高导热性。更具体地，这些高传导性主要由于在该弹性粘合材料160中使用Al微粒(其表现为微观的Al球)作为填充体(该填充体通常是由铝合金制成的粉末状材料)，其统称为Al粉末或Al球体。然而，当该弹性体或粘合材料160在晶片蚀刻过程中被等离子蚀刻光时，Al微粒不可避免地从该Al填充体脱落。结果，Al微粒会落入产品晶片表面，导致基于Al球体的缺陷。另外，已经发现Al球体缺陷很可能在相反的蚀刻条件中形成，如先进的65nm蚀刻技术，并且要求在蚀刻该晶片中进行长时间的干洗。
通常，Al球体微粒是由等离子直接攻击该弹性体或粘合材料160或者由等离子攻击该弹性体或粘合材料160生成的自由基所产生的。在该粘合材料160的直接等离子攻击中，残留在该内部电极120和该外部电极130之间的外部电极间隙129内的残余粘合材料由于这些残余物暴露于直接的线上等离子(direct inline plasma)而被等离子蚀刻。或者，弹性粘合材料160的自由基攻击是由该弹性粘合材料160受到由该等离子生成的自由基的攻击而产生的。然而，这些自由基并不在这些等离子带电离子的方向上移动。另外，这些自由基比这些离子的寿命更长。因此，一旦其保持孤电子和能量，自由基可随机地移动到任何地方。所以，该自由基具有很大的可能 性去攻击该弹性体或粘合材料160，导致粘合材料损失以及Al微粒生成。
图4示出图3的外部电极130的一部分的剖视图。如图4所示，该外部电极130优选地由多个片段134组成，其中这些片段134利用弹性粘合材料160彼此连接。该多个片段134允许在该处理区域102中进行的半导体基片处理过程中该外部电极130的膨胀。在处理过程中，热量从该内部电极120和该外部电极130传递到该内部衬垫构件124和外部衬垫构件132，然后经由热传导传递到该顶板114。
图5示出图1的喷头电极的一部分的剖视图，其所具有的弹性材料粘合剂含有边缘排斥粘合剂(edge exclusion bond)。如图5所示，精确分散的弹性粘合材料160被沉积在该内部和外部电极120、130的粘合表面125，141和/或该衬垫构件140的粘合表面127，并且仅填充该内部和外部电极120、130和该衬垫构件140之间的间隙或空间118的一部分。该精确分散的粘合材料防止过多的粘合材料160填充该外部电极间隙129。另外，可以认识到，不仅是该外部电极间隙129没有弹性粘合材料160，而且在该外部电极间隙129(包括该内部和外部电极120、130的外部边缘121和内部边缘131)附近的该内部电极120以及该外部电极130和该内部衬垫构件124的粘合表面125、141也没有过多的粘合材料160。
图6示出图5的喷头电极组件100的一部分的剖视图，其具有边缘排斥区域粘合剂(edge exclusion zone band)。如图6所示，在该内部电极120、该外部电极130和该衬垫构件140之间精确分散的弹性粘合材料160，可避免弹性粘合材料160过多或溢出到该粘合区域外部的区域或表面。在使用中，对于直径至少300mm的顶部电极110，该粘合材料160具有外部边缘162，其距离该外部电极间隙129优选为1到3mm，更优选为距离该外部电极间隙129约1到1.5mm。另外，可以预估，该粘合材料160的外部边缘162优选为距离该内部电极 120的外部边缘121，以及该外部电极130的内部边缘131和外部边缘133，约1到3mm。另外，可以认识到该粘合材料160的外部边缘162更优选地距离该内部电极120的外部边缘121以及该外部电极130的内部边缘131和外部边缘133约1到1.5mm。
图7示出具有精确分散的弹性粘合材料160的内部电极120的一部分的进一步实施方式的俯视图。如图7所示，该粘合材料160的外部边缘162优选地距离该外部边缘121约1到3mm，更优选地距离该内部电极120的外部边缘121大约1到1.5mm。
图8示出用于精确分散粘合材料160的单个或者多部分外部电极130的一部分的俯视图，其中该粘合表面202是不规则形状。例如，等离子反应器或室中的该外部电极130实际上通常是环形(即，环)，具有通常不规则外形，不规则到该外部电极130的边缘131、133彼此不成直角并且也不互相平行的程度。因此，为了获得所需的边缘排斥粘合剂，该粘合表面202可包括多个凹坑200，用于容纳该弹性粘合材料160的一部分。该多个凹坑200优选地策略性地设置在该粘合表面202上，并且可以具有任何适当的形状和构造。该凹坑202在构造上优选地以大约0.1到1.0mm深度204下凹。然而，可以认识到，该凹坑202可具有任何合适的剖面构造。在该粘合过程中，该凹坑202通过防止粘合材料160的外部边缘162(图7)相对于该电极130的外部边缘131延伸出所需位置来控制粘合材料160的外流。
图9示出多个外部电极130和该外部衬垫构件132的界面的剖视图。如图9所示，该多个外部电极130包括下部或等离子暴露表面139和上部或粘合表面141。该外部电极130由多个片段134组成，其中每个片段134包括由上部法兰136和下部法兰138组成的配合表面，该上部法兰136和下部法兰138互相重叠，以保护下面的粘合材料160在等离子处理过程中免于沿视线(line of sight)暴露在等离子或由等离子生成的自由基。可以认识到，每个片段134可包括一个法兰136、138或上部和下部法兰136、138都包含。
如图9所示，该上部法兰136包括第一或上部垂直表面149、水平表面148和第二或下部垂直表面147。该下部法兰138包括对应的第一或上部垂直表面146、水平表面145和第二或下部垂直表面144。该上部垂直表面146、149形成上部间隙153，该水平表面145、148形成水平间隙152，以及该下部垂直表面144、147形成下部间隙151。该重叠的边缘136、138通过防止该粘合材料160免于沿视线暴露于等离子或来自等离子的自由基，来保护该粘合材料160。如所示，当组装时，该多部分外部电极130的粘合表面141和该外部衬垫构件132的粘合表面127优选地利用弹性粘合材料160填充。然而，该粘合材料160仅仅部分填充该上部间隙153，而留下该水平间隙152和下部间隙151没有粘合材料160。因此，在等离子处理过程中，该等离子和自由基不能够攻击该粘合材料160，从而使得没有粘合材料160损失或Al球体生成。
图10示出图9的多部分外部电极130的一部分的示图，在该上部间隙153内包括该弹性粘合材料160。如图10所示，该外部电极130是由多个片段134组成，每个具有上部法兰136和下部法兰138。该上部法兰136和该下部法兰138彼此重叠以保护该粘合材料160免受直接等离子攻击或免于生成由该等离子生成的自由基。如图10所示，由于该下部间隙151和该上部间隙153互相不对准，该等离子和来自该等离子的自由基不包括沿视线暴露于该粘合材料160。
图11示出按照进一步实施方式，喷头电极组件100的一部分的剖视图。如图11所示，该顶部电极110包括内部电极120、内部衬垫构件124、外部电极构件130和外部衬垫构件132。该内部电极120和该外部电极130每个具有下部表面123、139，其暴露于该等离子区域(未示)。如图11所示，该弹性粘合材料160填充该内部电极120的粘合表面125和该内部衬垫构件124的粘合表面127的间隙，以及该外部电极130的粘合表面141和该外部衬垫构件132的下部或粘合表面143之间的间隙。该粘合材料160通常还填充该外部间隙129或该内部电极120和该外部电极130之间的界面的一部分。该内部电极120的外部边缘121通常是垂直的，如图11所示。
如图11所示，该外部电极130的内部边缘131包括下部法兰152，其从该外部电极130的内部表面180突出。该下部法兰152包括水平表面166，其从该外部电极130的内部表面180且在该内部电极120的下部表面123的下方延伸。该下部法兰152还包括内部表面135，将该水平表面166与该外部电极130的下部表面139连接。该下部法兰152防止该等离子和来自该等离子的自由基在该外部间隙129内直接到达该粘合材料160。
图12示出按照另一个实施方式，喷头电极组件100的一部分的剖视图，在该内部电极120和该外部电极130之间的界面或外部间隙129中具有互锁结构。如图12所示，该内部电极120具有下部法兰156，以及该外部电极130具有上部法兰154，其中该上部法兰154和该下部法兰156互相重叠形成互锁构造。该上部法兰154包括第一或上部垂直表面180、水平表面168和第二或下部垂直表面172。该下部法兰156包括对应的第一或上部垂直表面182、水平表面170和第二或下部垂直表面174。该重叠的法兰154、156通过防止该粘合材料160沿视线暴露于该等离子或来自该等离子的自由基来保护该粘合材料160，其部分填充该外部间隙129的一部分。如图12所示，该下部法兰156在该上部法兰154下面延伸。然而，可以认识到，在其他替代实施方式中，该外部电极130的法兰154可以在该内部电极120的法兰156下面延伸。还可以认识到在如图12所示的另一替代实施方式中，该外部电极130的下部垂直表面172可以延伸到该区域 (未示)并且在该内部电极120的下部表面123下面形成台阶状电极组件。
图13示出按照进一步实施方式，喷头电极组件100的一部分的剖视图，在该内部电极120和该外部电极130的界面或外部间隙129中具有互锁结构。如图13所示，该内部电极120设有下部法兰156，其具有第一或上部垂直表面182、水平表面170和第二或下部垂直表面174。该外部电极130包括内部表面180、水平表面168和延伸到该外部电极130的下部表面139的内部表面135。如所示，该外部电极130的内部表面135和该下部表面139形成台阶111，其可提供该晶片边缘(未示)的蚀刻速率均一性。
图14示出的剖视图的一部分电极组件200按照另一个实施方式。该电极组件200可以是内部电极220和衬垫构件230，或具有外部电极220和衬垫构件230的单个或多个分段的外部电极环的一部分。如图14所示，可使用该衬垫构件230的粘合表面227内至少一个粘合材料凹坑280将电极227和衬垫构件230互相连接。每个该粘合材料凹坑280包括一对垂直表面284和上部水平表面282。
在使用中，该粘合材料160可以是任何合适的弹性材料。该粘合材料160设置入该凹坑280中，该衬垫构件230压在该电极220的粘合表面225上。测量弹性粘合材料160的量，并且将其设置入该凹坑280中从而该衬垫构件230的粘合表面227和该电极220的粘合表面225彼此接触形成密封，其防止该弹性或粘合材料160扩张到该至少一个凹坑280的外面。
图15示出按照进一步实施方式，电极组件200的一部分的剖视图。如图15所示，该衬垫构件230具有至少一个垫片281，其在热循环过程中在该衬垫构件230和该电极220之间保持有限的距离或间隙283。该至少一个垫片281优选地是铝线、杆、杆或金属丝网，或 其他合适的材料。该至少一个垫片281还通过在该内部和外部电极220粘合表面和该衬垫构件230之间保持有限的距离或间隙283来防止在热循环过程中由该电极220和该衬垫构件230之间的摩擦导致的微粒生成。
图16示出按照另一个实施方式，电极组件200的一部分的剖视图。如图16所示，该电极220包括凸台290，其容纳于该衬垫构件230内的凹坑292中。该凸台290包括该电极220的粘合表面225延伸的一对垂直表面296和上部表面294。该凹坑292包括下部表面298和一对垂直表面299。如图16所示，该弹性粘合材料160施加在该凹坑292内和该凸台290的顶部。这提供弹性连接，其在等离子处理过程中不暴露于该等离子或由该等离子生成的自由基。另外，该粘合材料160在该电极220的上部表面225和该衬垫构件230的下部表面227之间引入间隙或空间297。
图17示出按照另一个实施方式，电极组件300的一部分的剖视图。该电极组件300可以是内部电极220和衬垫构件230，或具有外部电极220和衬垫构件230的单个或多个分段的外部电极环的一部分。如图17所示，该电极220包括凹坑310，用于容纳粘合材料160。该凹坑310包括下部表面318和一对垂直表面312。该凹坑310可还包括外部凹槽320，其包括下部表面314和内部垂直表面316，其从该下部表面314延伸到该凹坑310的下部表面318。该外部凹槽320作为在该互锁构件的边缘的容器以接收任何由于弹性粘合材料非均匀分散而导致的过多弹性体或粘合材料160。或者，如果该电极组件300是外部电极环，该外部电极环将包括内部和外部凹槽320。
已经根据优选的实施方式描述了本发明。然而，对于本领域的技术人员来说，显而易见，以不同于上述方式将本发明实现为具体的形式而不背离本发明的精神是可能的。该优选实施方式是说明性的，并且不应当认为是以任何方式限制。本发明的范围是由所附权 利要求给出的，而不是前面的描述，并且意图是将落入这些权利要求范围内的全部变化和等同方式包含在这里。
Claims (13)
1.一种用于在半导体基片处理中使用的等离子反应室的电极组件，包括：
衬垫构件，其具有下部粘合表面；
内部电极，其具有在一侧的下部表面和在另一侧的粘合表面，该内部电极的粘合表面与该衬垫构件的下部粘合表面粘合；
外部电极，其具有在一侧的下部表面和在另一侧的粘合表面，该外部电极围绕该内部电极，该外部电极的粘合表面与该衬垫构件的下部粘合表面粘合；和
其中，该内部和外部电极的至少一个设有法兰，其在另一个电极的该下部表面的至少一部分下面延伸。
2.根据权利要求1所述的电极组件，其中该法兰在该内部电极上并且在该外部电极的下部表面下面延伸。
3.根据权利要求1所述的电极组件，其中该法兰在该外部电极上并且在该内部电极的下部表面下面延伸。
4.根据权利要求1所述的电极组件，其中每个该内部和外部电极包括法兰，以及该外部电极的法兰在该内部电极的法兰下面延伸。
5.根据权利要求1所述的电极组件，其中每个该内部和外部电极包括法兰，以及该内部电极的法兰在该外部电极的法兰下面延伸。
6.根据权利要求3所述的电极组件，其中该法兰的内部表面是斜面。
7.根据权利要求1所述的电极组件，其中该外部电极包括排列成环结构的多个片段，并具有与每个相邻片段的配合表面重叠的配合表面。
8.根据权利要求7所述的电极组件，其中该多个片段的每个的配合表面包括上部法兰和下部法兰。
9.根据权利要求1所述的电极组件，进一步包含该内部和外部电极的粘合表面和该衬垫构件之间的粘合材料，以及其中至少一个法兰消除了从等离子区域到该粘合材料的视线。
10.根据权利要求1所述的电极组件，其中该衬垫构件包括分别与该内部电极和外部电极共同延伸并粘合的内部衬垫构件和外部衬垫构件，且每个该内部和外部衬垫构件具有下部粘合表面，以及进一步，其中该内部和外部衬垫构件的下部粘合表面是共同延伸的。
11.根据权利要求1所述的电极组件，其中该内部电极和该外部电极由硅制成。
12.根据权利要求1所述的电极组件，其中该衬垫构件是由石墨制成。
13.根据权利要求9所述的电极组件，其中在该内部和外部电极相对表面之间的水平间隙不含粘合材料，且在该内部和外部电极相对表面之间的垂直间隙部分填充了粘合材料。
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| US20070281032A1 (en) * | 2006-06-06 | 2007-12-06 | Hsu-Wei Fang | Method for generating polymeric wear particles |
| JP5547366B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2014-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US8216418B2 (en) * | 2007-06-13 | 2012-07-10 | Lam Research Corporation | Electrode assembly and plasma processing chamber utilizing thermally conductive gasket and o-rings |
| US8187414B2 (en) * | 2007-10-12 | 2012-05-29 | Lam Research Corporation | Anchoring inserts, electrode assemblies, and plasma processing chambers |
| US8152954B2 (en) * | 2007-10-12 | 2012-04-10 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assemblies and plasma processing chambers incorporating the same |
| WO2009085163A1 (en) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Lam Research Corporation | A composite showerhead electrode assembly for a plasma processing apparatus |
| SG187387A1 (en) | 2007-12-19 | 2013-02-28 | Lam Res Corp | Film adhesive for semiconductor vacuum processing apparatus |
| TWI501704B (zh) * | 2008-02-08 | 2015-09-21 | Lam Res Corp | 於電漿處理系統中用以改變面積比之方法與裝置 |
| US8187413B2 (en) * | 2008-03-18 | 2012-05-29 | Lam Research Corporation | Electrode assembly and plasma processing chamber utilizing thermally conductive gasket |
| JP5348919B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2013-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 電極構造及び基板処理装置 |
| US8161906B2 (en) * | 2008-07-07 | 2012-04-24 | Lam Research Corporation | Clamped showerhead electrode assembly |
| US8221582B2 (en) | 2008-07-07 | 2012-07-17 | Lam Research Corporation | Clamped monolithic showerhead electrode |
| US8206506B2 (en) * | 2008-07-07 | 2012-06-26 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode |
| CN101740298B (zh) * | 2008-11-07 | 2012-07-25 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置及其构成部件 |
| US8869741B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-10-28 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber |
| US8402918B2 (en) * | 2009-04-07 | 2013-03-26 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode with centering feature |
| US8272346B2 (en) * | 2009-04-10 | 2012-09-25 | Lam Research Corporation | Gasket with positioning feature for clamped monolithic showerhead electrode |
| US8419959B2 (en) | 2009-09-18 | 2013-04-16 | Lam Research Corporation | Clamped monolithic showerhead electrode |
| KR200464037Y1 (ko) | 2009-10-13 | 2012-12-07 | 램 리써치 코포레이션 | 샤워헤드 전극 어셈블리의 에지-클램핑되고 기계적으로 패스닝된 내부 전극 |
| DE202010014805U1 (de) | 2009-11-02 | 2011-02-17 | Lam Research Corporation (Delaware Corporation) | Heissrandring mit geneigter oberer Oberfläche |
| US8573152B2 (en) | 2010-09-03 | 2013-11-05 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode |
| JP5762798B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-08-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 天井電極板及び基板処理載置 |
| US9859142B2 (en) | 2011-10-20 | 2018-01-02 | Lam Research Corporation | Edge seal for lower electrode assembly |
| US9869392B2 (en) | 2011-10-20 | 2018-01-16 | Lam Research Corporation | Edge seal for lower electrode assembly |
| CN104103566B (zh) * | 2013-04-15 | 2017-07-25 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理装置及其静电夹盘 |
| US9433070B2 (en) | 2013-12-13 | 2016-08-30 | Kla-Tencor Corporation | Plasma cell with floating flange |
| US9583377B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-02-28 | Lam Research Corporation | Installation fixture for elastomer bands |
| US10090211B2 (en) | 2013-12-26 | 2018-10-02 | Lam Research Corporation | Edge seal for lower electrode assembly |
| JP6339866B2 (ja) * | 2014-06-05 | 2018-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびクリーニング方法 |
| CN110379701A (zh) * | 2019-07-24 | 2019-10-25 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 具有可调射频组件的晶圆支撑座 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5238499A (en) | 1990-07-16 | 1993-08-24 | Novellus Systems, Inc. | Gas-based substrate protection during processing |
| US5074456A (en) | 1990-09-18 | 1991-12-24 | Lam Research Corporation | Composite electrode for plasma processes |
| JP2978358B2 (ja) | 1993-03-25 | 1999-11-15 | 東芝セラミックス株式会社 | エッチング用電極板 |
| JP3210207B2 (ja) * | 1994-04-20 | 2001-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| TW299559B (zh) * | 1994-04-20 | 1997-03-01 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| US5569356A (en) | 1995-05-19 | 1996-10-29 | Lam Research Corporation | Electrode clamping assembly and method for assembly and use thereof |
| US5534751A (en) | 1995-07-10 | 1996-07-09 | Lam Research Corporation | Plasma etching apparatus utilizing plasma confinement |
| JPH11162940A (ja) | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Hitachi Chem Co Ltd | プラズマエッチング用電極 |
| US6079356A (en) | 1997-12-02 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Reactor optimized for chemical vapor deposition of titanium |
| JP3981967B2 (ja) | 1998-03-09 | 2007-09-26 | 三菱マテリアル株式会社 | 放熱性を有するプラズマエッチング用シリコン電極板 |
| US6073577A (en) | 1998-06-30 | 2000-06-13 | Lam Research Corporation | Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof |
| US6050216A (en) | 1998-08-21 | 2000-04-18 | M.E.C. Technology, Inc. | Showerhead electrode for plasma processing |
| US6451157B1 (en) | 1999-09-23 | 2002-09-17 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
| US6170432B1 (en) | 2000-01-24 | 2001-01-09 | M.E.C. Technology, Inc. | Showerhead electrode assembly for plasma processing |
| US6391787B1 (en) | 2000-10-13 | 2002-05-21 | Lam Research Corporation | Stepped upper electrode for plasma processing uniformity |
| US20020127853A1 (en) | 2000-12-29 | 2002-09-12 | Hubacek Jerome S. | Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof |
| US6827815B2 (en) | 2002-01-15 | 2004-12-07 | Applied Materials, Inc. | Showerhead assembly for a processing chamber |
| US6846726B2 (en) | 2002-04-17 | 2005-01-25 | Lam Research Corporation | Silicon parts having reduced metallic impurity concentration for plasma reaction chambers |
| JP3868341B2 (ja) | 2002-04-22 | 2007-01-17 | 日清紡績株式会社 | 耐熱性に優れたプラズマエッチング電極及びそれを装着したドライエッチング装置 |
| KR101075046B1 (ko) | 2002-05-23 | 2011-10-19 | 램 리써치 코포레이션 | 반도체 공정용 플라즈마 반응기를 위한 다중부재 전극 및다중부재 전극의 일부를 교체하는 방법 |
| US7267741B2 (en) | 2003-11-14 | 2007-09-11 | Lam Research Corporation | Silicon carbide components of semiconductor substrate processing apparatuses treated to remove free-carbon |
| US7645341B2 (en) | 2003-12-23 | 2010-01-12 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses |
| US8789493B2 (en) | 2006-02-13 | 2014-07-29 | Lam Research Corporation | Sealed elastomer bonded Si electrodes and the like for reduced particle contamination in dielectric etch |
-
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