CN101373777A - 薄膜晶体管基板、电湿润式显示装置及薄膜晶体管基板制造方法 - Google Patents

薄膜晶体管基板、电湿润式显示装置及薄膜晶体管基板制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种薄膜晶体管基板、一种电湿润式显示装置和一种薄膜晶体管基板制造方法。该薄膜晶体管基板包括一基底、多个设置在该基底的薄膜晶体管、多个设置在该基底的反射电极和一设置在该反射电极上的斥水性绝缘层，其中，该反射电极包括一第一金属层和一透光的保护层，该第一金属层设置在该保护层与基底之间。

Description

薄膜晶体管基板、电湿润式显示装置及薄膜晶体管基板制造方法
技术领域
本发明是关于一种薄膜晶体管基板、薄膜晶体管基板制造方法及采用该薄膜晶体管基板的电湿润式显示装置。
背景技术
如今，诸多光电技术正在快速的发展且应用来下一代平板显示器，如投影显示器(Projection Display)、可挠式显示器(FlexibleDispaly)等。在此环境下，一种基于电湿润原理的显示装置由于其响应速度快、视角广、耗电量小、轻薄便携等优点受到广泛的关注。
请参阅图1，是一种现有技术揭示的基于电湿润原理的反射式显示装置的平面结构示意图。该显示装置1包括多个呈矩阵排列的像素单元10，通过控制该像素单元10显示不同的灰阶以组成该显示装置1所需显示的画面。
请参阅图2，是图1所示显示装置1的一像素单元10的放大剖视结构示意图。该像素单元10包括一上基板11、一与其相对的下基板12及设置在该二基板11、12之间的四侧壁13，该四侧壁13依序首尾相接与该二基板11、12形成一收容空间14。该上基板11是使用透光材料制成，如玻璃或塑料。
该收容空间14由互不相融(Immiscible)的一第一液体15及一第二液体16充满。例如，该第一液体15可以是导电的水，该第二液体16可以是黑色的油。
该下基板12邻近该收容空间14的表面依序设置有一主动矩阵(图未示)、一反射电极121及一绝缘层122，从而构成一用来驱动该显示装置1的薄膜晶体管基板。由于该反射电极121须具有较高的反率，故采用纯铝制成。该绝缘层122是由疏水性(Hydrophobic)材料制成，如无定型的含氟聚合物(Amorphous Fluoropolymer)。
由于该绝缘层122的疏水性，即由于该绝缘层122、第一液体15及第二液体16三者之间的表面张力(Interfacial Tension)作用，该第二液体16充分覆盖该绝缘层122。由于该第二液体16呈黑色，吸收了绝大部分自该上基板11方向射入的光束，故此时的像素单元10为暗态(Off State)。
请一起参阅图3，是图2所示像素单元10亮态结构示意图。当一电压差加载在该第一液体15与该反射电极121上时，该第一液体15与该反射电极121各自所载的异性电荷的吸引力破坏了暗态时分子张力的平衡态，即此时电势能的介入使该绝缘层122与第一液体15倾向于接触，故该第一液体15将该第二液体16排开，从而自该上基板12方向射入的光束经过上述被排开的部分所对应的反射电极121反射，实现亮态(On State)。
但是，该反射电极121是由纯铝制成，而纯铝表面一般会自然的形成诸多突起(Hillock)，在后续形成绝缘层122时，对应该反射电极121突起的部位会较薄，甚至会被该突起刺破，容易导致该反射电极121与该第一液体15之间电场不都，从而使该薄膜晶体管基板可靠性较低，也使采用该薄膜晶体管基板的显示装置1显示效果较差。
发明内容
为了解决上述薄膜晶体管基板可靠性较低的问题，有必要提供一种可靠性较高的薄膜晶体管基板。
同时，也有必要提供该薄膜晶体管基板的制造方法。
同时，也有必要提供一种显示效果较佳的电湿润式显示装置。
一种薄膜晶体管基板，其包括一基底、多个设置在该基底的薄膜晶体管、多个设置在该基底的反射电极和一设置在该反射电极上的斥水性绝缘层，其中，该反射电极包括一第一金属层和一透光的保护层，该第一金属层设置在该保护层与基底之间。
一种电湿润式显示装置，其包括一对向基板、一与该对向基板相对的薄膜晶体管基板、多个设置在该对向基板与该薄膜晶体管基板之间的侧壁、一设置在该对向基板与该薄膜晶体管基板之间的导电的第一液体和一设置在该对向基板与该薄膜晶体管基板之间的非导电的第二液体，该第一液体与该第二液体互不相融，该薄膜晶体管基板包括一基底、多个设置在该基底的薄膜晶体管、多个设置在该基底的反射电极和一设置在该反射电极上的斥水性绝缘层，其中，该反射电极包括一第一金属层和一透光的保护层，该第一金属层设置在该保护层与基底之间。
一种薄膜晶体管基板，其包括一基底、一设置在该基底上的栅极、一设置在该栅极和该基底上的栅极绝缘层、一设置在该栅极绝缘层上的半导体层、设置在该半导体图案和该栅极绝缘层上的一源极和一漏极、一设置在该栅极绝缘层、该源极、该漏极和该半导体图案上的钝化层、一设置在该钝化层上的反射电极和一设置在该反射电极上的斥水性绝缘层，该反射电极电连接至该漏极，其中，该反射电极包括一第一金属层和一透光的保护层，该第一金属层位于该保护层与该钝化层之间。
一种电湿润式显示装置，其包括一对向基板、一与该对向基板相对的薄膜晶体管基板、多个设置在该对向基板与该薄膜晶体管基板之间的侧壁、一在该对向基板与该薄膜晶体管基板之间的导电的第一液体和一在该对向基板与该薄膜晶体管基板之间的非导电的第二液体，该第一液体与该第二液体互不相融，该薄膜晶体管基板包括一基底、一设置在该基底上的栅极、一设置在该栅极和该基底上的栅极绝缘层、一设置在该栅极绝缘层上的半导体层、设置在该半导体图案和该栅极绝缘层上的一源极和一漏极、一设置在该栅极绝缘层、该源极、该漏极和该半导体图案上的钝化层、一设置在该钝化层上的反射电极和一设置在该反射电极上的斥水性绝缘层，该反射电极电连接至该漏极；其中，该反射电极包括一第一金属层和一透光的保护层，该第一金属层位于该保护层与该钝化层之间。
一种薄膜晶体管基板制造方法，其包括提供一基底；在该基底上形成多个薄膜晶体管；在该基底上形成一第一金属层；在该第一金属层上形成一透光的保护层，使该第一金属层和该保护层用来形成一反射电极；在该反射电极上形成一斥水性绝缘层。
相较于现有技术，本发明的薄膜晶体管基板由于该反射电极设置有该透光的保护层，可以起到平坦化该第一金属层的作用，防止该第一金属层的金属材料表面的突起影响或刺破形成在其上的元件，使该薄膜晶体管基板的可靠性较高。
相较于现有技术，本发明电湿润式显示装置由于该薄膜晶体管基板的反射电极设置有该透光的保护层，可以起到平坦化该第一金属层的作用，使驱动该电湿润式显示装置的电场较均匀，进而该电湿润式显示装置的显示效果较佳。
相较于现有技术，本发明的薄膜晶体管基板制造方法由于在该反射电极的第一金属层上形成一保护层，可以起到平坦化该第一金属层的作用，防止该第一金属层的金属材料表面的突起影响或刺破形成在其上的元件，使制成后的薄膜晶体管基板可靠性较高。
附图说明
图1是一种现有技术揭示的基于电湿润原理的反射式显示装置的平面结构示意图。
图2是图1所示显示装置的一像素单元的放大剖视结构示意图。
图3是图2所示像素单元亮态结构示意图。
图4是本发明电湿润式显示装置第一实施方式的局部结构示意图。
图5是图4所示电湿润式显示装置薄膜晶体管基板的部分平面结构示意图。
图6是图5所示薄膜晶体管基板的剖视图。
图7是图6所示薄膜晶体管基板的制造流程图。
图8是本发明电湿润式显示装置第二实施方式的结构示意图。
图9是本发明电湿润式显示装置第三实施方式的结构示意图。
图10是本发明电湿润式显示装置第四实施方式的结构示意图。
图11是本发明电湿润式显示装置第五实施方式的结构示意图。
具体实施方式
请参阅图4，是本发明电湿润式显示装置第一实施方式的局部结构示意图。该电湿润式显示装置4包括一对向基板41、一与该对向基板41相对设置的薄膜晶体管基板42、和夹在该对向基板41和该薄膜晶体管基板42之间的多个成行列交叉排列的侧壁43。该侧壁43将该电湿润式显示装置4分割成多个呈矩阵排列的像素单元40，且该侧壁43与该二基板41、42配合形成多个收容空间44。
该收容空间44由互不相融的一第一液体45和一第二液体46充满。该第一液体45可以是水或盐溶液等导电液体或极性液体，如氯化钾(KCl)溶解在水和普通酒精(Ethyl Alcohol)混合液后所形成的溶液。该第二液体46可以是着黑色的链烷或烷烃(Alkane)等非极性液体，如十六烷(Hexadecane)或油，以作为一种遮蔽液体。
请一起参阅图5，是图4所示电湿润式显示装置4薄膜晶体管基板42的部分平面结构示意图。该薄膜晶体管基板42包括一用来承载主动驱动元件的基底420，其可以由玻璃制成。该基底420邻近该对向基板41的表面上设置有多条相互平行绝缘间隔的扫描线441、与该扫描线441垂直且绝缘间隔设置的多条数据线442、设置在该扫描线441与该数据线442相交处的多个薄膜晶体管443和多个反射电极421。该扫描线441与该数据线442交叉界定的最小区域与该像素单元40一一对应，每一薄膜晶体管443和每一反射电极421与该像素单元40对应设置。每一薄膜晶体管443的栅极444连接至对应的扫描线441，源极445连接至对应的数据线442，漏极446连接至对应的反射电极421。
请一起参阅图6，是图5所示薄膜晶体管基板42的剖视图。该基底420邻近该对向基板41的表面上还设置有一栅极绝缘层422、一半导体图案423、一钝化层424和一斥水性绝缘层425。该薄膜晶体管443的栅极444设置在该基底420上，该栅极绝缘层422设置在该栅极444和该基底420上，该半导体图案423设置在该栅极绝缘层422上，该源极445和该漏极446设置在该栅极绝缘层422和该半导体图案423上，该钝化层424设置在该栅极绝缘层422、该源极445、该漏极446和该半导体图案423上，该反射电极421设置在该钝化层424上，该斥水性绝缘层425设置在该反射电极421和该钝化层424上。
该反射电极421包括一第一金属层431和一形成在该反射层431上的保护层432。该第一金属层431是使用纯铝制成，由于纯铝具有较高的光反射率，可以使该电湿润式显示装置4获得较高的光利用率和较佳的显示效果。该保护层432可以使用透光率较高的绝缘材料，如氧化铝。该第一金属层431通过一贯穿该钝化层424的通孔427电连接至该漏极446。
相较于现有技术，本发明的电湿润式显示装置4由于其薄膜晶体管基板42的反射电极421包括该透光的保护层432，可以起到平坦化该第一金属层431的作用，防止该第一金属层431金属材料的突起影响或刺破形成在其上的薄膜，使该薄膜晶体管基板42的可靠性较高，也使该电湿润式显示装置4的显示效果较佳。
请一起参阅图7，是图6所示薄膜晶体管基板42的制造流程图。该薄膜晶体管基板42的制造方法包括如下步骤:
步骤S1:形成栅极金属层；
提供一基底420，在该基底420上依序形成一栅极金属层和一第一光致抗蚀剂层。
步骤S2:形成栅极444；
提供一第一掩膜对该第一光致抗蚀剂层进行曝光显影，从而形成一预定的光致抗蚀剂图案；对该栅极金属层进行刻蚀，进而形成该栅极444的图案，移除第一光致抗蚀剂层。
步骤S3:形成栅极绝缘层422和半导体层；
在该栅极444该基底420上形成该栅极绝缘层422、一半导体层和一第二光致抗蚀剂层。
步骤S4:形成半导体图案423；
提供一第二掩膜对该第二光致抗蚀剂层进行曝光显影，从而形成一预定的光致抗蚀剂图案；对该掺杂非晶硅层和该非晶硅层进行刻蚀，进而形成该半导体图案423，移除第二光致抗蚀剂层。
步骤S5:形成源/漏极金属层；
在该基底420和该半导体图案423上形成一源/漏极金属层和一第三光致抗蚀剂层。
步骤S6:形成源极445和漏极446；
提供一第三掩膜对该第三光致抗蚀剂层进行曝光显影，从而形成一预定的光致抗蚀剂图案；对该源/漏极金属层进行刻蚀，进而形成该源极445和该漏极446。
步骤S7:形成钝化层424；
在该栅极绝缘层422、源极445、漏极446和该半导体图案423上依序沈积形成该钝化层424和一第四光致抗蚀剂层。
步骤S8:形成贯穿该钝化层424的通孔427；
提供一第四掩膜对该第四光致抗蚀剂层进行曝光显影，从而形成一预定图案；对该钝化层424进行刻蚀，进而形成该通孔427，移除第四光致抗蚀剂层。
步骤S9:形成一第一金属层薄膜和一保护层薄膜；
在该钝化层424上形成一第一金属层薄膜，该第一金属层薄膜为纯铝，厚度为1000A。可在大气压化学气相沉积(AtmosphericPressure Chemical Vapor Deposition，APCVD)或等离子辅助化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)的气室(Chamber)中通入氧气以产生氧等离子，利用该氧等离子与该纯铝材料进行化学反应，在该纯铝表面形成一氧化铝(Al2O3)薄膜作为保护层薄膜，操作温度在25至600摄氏度间，压力约为1.333×104至6.555×104N/m2，操作时间小于等于1分钟。在该保护层薄膜表面沉积一第五光致抗蚀剂层。其中，该氧等离子力量的作用可以使该纯铝表面自然形成的突起平坦化。
步骤S10:形成反射电极421；
提供一第五掩膜对该第五光致抗蚀剂层进行曝光显影，从而形成一预定的光致抗蚀剂图案；对该金属层薄膜和该保护层薄膜进行刻蚀，进而定义出该第一金属层431和该保护层432的图案，即形成多个反射电极421，移除第五光致抗蚀剂层。
步骤S11:形成斥水性绝缘层425；
在该反射电极421和钝化层424上沈积形成该斥水性绝缘层425。
相较于现有技术，本发明的薄膜晶体管基板制造方法由于在形成该反射电极421的纯铝材料的第一金属层431上利用氧等离子形成一氧化铝材料的保护层432，可以使该反射电极421的表面较平整，使制成后的薄膜晶体管基板42可靠性较高。
同时，由于该氧等离子对纯铝表面突起的平坦化作用，可以使该反射电极421的金属层电荷分布较均匀。
请参阅图8，是本发明电湿润式显示装置第二实施方式的结构示意图。该电湿润式显示装置5与该电湿润式显示装置4的区别在于:反射电极521包括一第一金属层531、一第二金属层533和保护层532。该第二金属层533设置在该钝化层524上，该第一金属层531设置在该第二金属层533上，该保护层532设置在该第一金属层531上。该第二金属层533通过一贯穿该钝化层524的通孔527电连接至漏极546。该第二金属层533可以由质地较坚固、与其它金属连接性能较稳定的氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)制成，该第一金属层531可以由高反射率的纯铝制成，该保护层532可以由透光的绝缘材料制成，如氧化铝。
该薄膜晶体管基板52的制造方法与该薄膜晶体管基板42的制造方法的区别在于其进一步包括步骤:形成一第二金属层薄膜在该钝化层524与该第一金属层薄膜之间。
相较于第一实施方式，该电湿润式显示装置5由于该第二金属层533采用质地较坚固、与其它金属连接性能较稳定的氧化铟锡或氧化铟锌制成，使该反射电极521与该漏极546连接更牢固、稳定。
请参阅图9，是本发明电湿润式显示装置第三实施方式的结构示意图。该电湿润式显示装置6与该电湿润式显示装置5的区别在于:反射电极621包括一第一金属层631、一第二金属层633、一缓冲层634和一保护层632。该第二金属层633设置在钝化层624上，该缓冲层634设置在该第二金属层633上，其厚度为500A。该第一金属层631设置在该缓冲层634上，厚度为1000A。该保护层632设置在该第一金属层631上。该第二金属层633通过一贯穿该钝化层624的通孔627电连接至该漏极646。该第二金属层633可以由质地较坚固、与其它金属连接性能较稳定的氧化铟锡或氧化铟锌制成；该缓冲层634可以由性质稳定、不易与该第一金属层631和该第二金属层633产生化学反应的导体制成，如钼；该第一金属层631可以由高反射率的纯铝制成；该保护层632可以由透光的绝缘材料制成，如氧化铝。
该薄膜晶体管基板62的制造方法与该薄膜晶体管基板52的制造方法的区别在于其进一步包括步骤:形成一第二金属层薄膜和一缓冲层薄膜在该钝化层624与该第一金属层薄膜之间。
相较于第二实施方式，该电湿润式显示装置6由于该薄膜晶体管基板62的反射电极621进一步包括设置在该第一金属层631与该第二金属层633之间的该缓冲层634，且其材料由性质稳定、不易与该第一金属层631和该第二金属层633产生化学反应的导体制成，故使该第一金属层631与该第二金属层633不易产生化学反应，进而使该电湿润式显示装置6可靠性较高。
请参阅图10，是本发明电湿润式显示装置第四实施方式的结构示意图。该电湿润式显示装置7与该电湿润式显示装置4的区别在于:反射电极721的保护层732的材料为透光的导体。该保护层732通过一贯穿第一金属层731和钝化层724的通孔727电连接至漏极746。该保护层732可以由透光率较高的金属制成，如氧化铟锡或氧化铟锌，该第一金属层731可以由反射率较高的纯铝制成。
相较于第一实施方式，该电湿润式显示装置7由于其薄膜晶体管基板72的采用透光率较高的金属材料设置在反射率较高的铝上作为反射电极721，覆盖了该铝材料不平整的表面，使该反射电极721表面平坦。且由于该反射电极721的该保护层732为金属材料，使该反射电极721以该保护层732作为外表面一侧电荷分布均匀。
该薄膜晶体管基板72的制造方法与该薄膜晶体管基板42制造方法相似，其包括如下步骤:
步骤S21:在该基底720上形成栅极金属层；
步骤S22:第一道掩膜制造过程形成栅极744；
步骤S23:形成栅极绝缘层722和半导体层；
步骤S24:第二道掩膜制造过程形成半导体图案723；
步骤S25:形成源/漏极金属层；
步骤S26:第三道掩膜制造过程形成源极745和漏极746；
步骤S27:形成钝化层724；
步骤S28:第五道掩膜制造过程形成一第一金属层薄膜和一贯穿该第一金属层和该钝化层的通孔727；
步骤S29:形成一保护层薄膜；
步骤S30:第六道掩膜制造过程形成反射电极721；
步骤S31:形成斥水性绝缘层725。
请参阅图11，是本发明电湿润式显示装置第五实施方式的结构示意图。该电湿润式显示装置8与该电湿润式显示装置7的区别在于:反射电极821进一步包括至少一缓冲层834，其设置在第一金属层831与保护层832之间。该缓冲层834可以是一层，其材料可以是氧化铝或钼；该缓冲层834也可以是双层，如在该第一金属层831上依序设置的氧化铝和钼；该缓冲层也可以是由其它性质稳定、不易与该第一金属层831和该保护层832产生化学反应的材料形成的一层或多层结构。
该薄膜晶体管基板82的制造方法与该薄膜晶体管基板72制造方法相似，其包括如下步骤:
步骤S41:在该基底820上形成栅极金属层；
步骤S42:第一道掩膜制造过程形成栅极844；
步骤S43:形成栅极绝缘层822和半导体层；
步骤S44:第二道掩膜制造过程形成半导体图案823；
步骤S45:形成源/漏极金属层；
步骤S46:第三道掩膜制造过程形成源极845和漏极846；
步骤S47:形成钝化层824；
步骤S48:形成一第一金属层薄膜和一缓冲层薄膜，并在第五道掩膜制造过程形成一贯穿该缓冲层薄膜、该第一金属层薄膜和该钝化层的通孔827；
步骤S49:形成一保护层薄膜；
步骤S50:第六道掩膜制造过程形成反射电极821；
步骤S51:形成斥水性绝缘层825。

Claims (24)

1.一种薄膜晶体管基板，其包括一基底、多个设置在该基底的薄膜晶体管、多个设置在该基底的反射电极和一设置在该反射电极上的斥水性绝缘层，其特征在于：该反射电极包括一第一金属层和一透光的保护层，该第一金属层设置在该保护层与基底之间。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该反射电极的第一金属层的材料为纯铝，该保护层为对该第一金属层进行氧化而得的氧化铝。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该反射电极进一步包括一第二金属层，其设置在该第一金属层与该基底之间。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该第二金属层的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。
5.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该反射电极进一步包括一缓冲层，其设置在该第一金属层与该第二金属层之间。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该缓冲层的材料为与该第一金属层和该第二金属层稳定的材料。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该缓冲层的材料为钼。
8.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该保护层的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。
9.如权利要求8所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该反射电极进一步包括一缓冲层，其设置在该第一金属层与该保护层之间。
10.如权利要求9所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该缓冲层的材料与该第一金属层和该保护层稳定的材料。
11.如权利要求9所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该缓冲层的材料为钼。
12.如权利要求10所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该第一金属层的材料为纯铝，该缓冲层的材料为氧化该纯铝而得的氧化铝。
13.一种电湿润式显示装置，其包括一对向基板、一与该对向基板相对的薄膜晶体管基板、多个设置在该对向基板与该薄膜晶体管基板之间的侧壁、一设置在该对向基板与该薄膜晶体管基板之间的导电的第一液体和一设置在该对向基板与该薄膜晶体管基板之间的非导电的第二液体，该第一液体与该第二液体互不相融，该薄膜晶体管基板包括一基底、多个设置在该基底的薄膜晶体管、多个设置在该基底的反射电极和一设置在该反射电极上的斥水性绝缘层，其特征在于：该反射电极包括一第一金属层和一透光的保护层，该第一金属层设置在该保护层与基底之间。
14.一种薄膜晶体管基板，其包括一基底、一设置在该基底上的栅极、一设置在该栅极和该基底上的栅极绝缘层、一设置在该栅极绝缘层上的半导体层、设置在该半导体图案和该栅极绝缘层上的一源极和一漏极、一设置在该栅极绝缘层、该源极、该漏极和该半导体图案上的钝化层、一设置在该钝化层上的反射电极和一设置在该反射电极上的斥水性绝缘层，该反射电极电连接至该漏极，其特征在于：该反射电极包括一第一金属层和一透光的保护层，该第一金属层位于该保护层与该钝化层之间。
15.一种电湿润式显示装置，其包括一对向基板、一与该对向基板相对的薄膜晶体管基板、多个设置在该对向基板与该薄膜晶体管基板之间的侧壁、一在该对向基板与该薄膜晶体管基板之间的导电的第一液体和一在该对向基板与该薄膜晶体管基板之间的非导电的第二液体，该第一液体与该第二液体互不相融，该薄膜晶体管基板包括一基底、一设置在该基底上的栅极、一设置在该栅极和该基底上的栅极绝缘层、一设置在该栅极绝缘层上的半导体层、设置在该半导体图案和该栅极绝缘层上的一源极和一漏极、一设置在该栅极绝缘层、该源极、该漏极和该半导体图案上的钝化层、一设置在该钝化层上的反射电极和一设置在该反射电极上的斥水性绝缘层，该反射电极电连接至该漏极；其特征在于：该反射电极包括一第一金属层和一透光的保护层，该第一金属层位于该保护层与该钝化层之间。
16.一种薄膜晶体管基板制造方法，其包括提供一基底；在该基底上形成多个薄膜晶体管；在该基底上形成一第一金属层；在该第一金属层上形成一透光的保护层，使该第一金属层和该保护层用来形成一反射电极；在该反射电极上形成一斥水性绝缘层。
17.如权利要求16所述的薄膜晶体管基板制造方法，其特征在于：该第一金属层的材料为纯铝，该保护层的材料为氧化铝。
18.如权利要求16所述的薄膜晶体管基板制造方法，其特征在于：该第一金属层的材料为纯铝，该保护层的材料采用氧化铟锡或氧化铟锌。
19.如权利要求17所述的薄膜晶体管基板制造方法，其特征在于：该保护层是利用氧化该第一金属层的铝材料获得。
20.如权利要求19所述的薄膜晶体管基板制造方法，其特征在于：利用氧等离子氧化该第一金属层获得氧化铝。
21.如权利要求16所述的薄膜晶体管基板制造方法，其特征在于：该薄膜晶体管基板制造方法进一步包括：在该基底与该第一金属层之间形成一第二金属层。
22.如权利要求21所述的薄膜晶体管基板制造方法，其特征在于：该薄膜晶体管基板制造方法进一步包括：在该第二金属层与该第一金属层之间形成一缓冲层。
23.如权利要求21所述的薄膜晶体管基板制造方法，其特征在于：该薄膜晶体管基板制造方法进一步包括:在该第二金属层与该第一金属层之间形成一缓冲层。
24.如权利要求18所述的薄膜晶体管基板制造方法，其特征在于：该薄膜晶体管基板制造方法进一步包括：在该第一金属层与该保护层之间形成一缓冲层。
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