CN101373302B - 改善液晶面板放电特性的装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种改善液晶面板放电特性的装置，该装置包括：输入电源，为电压调节电路提供电源；第一开关电路，用于向电压调节电路提供输入电源；第一关断电路，用于向一开关电路提供关断信号；模拟电源，为显示器驱动电路提供模拟电源；第二开关电路，用于向显示器驱动电路提供模拟电源；第二关断电路，用于向所述第二开关电路提前提供关断信号。通过该装置，延长模拟电源与输入电源关断时间的时间间隔，从而使面板内残存的电荷减少，对重新开机时像素重新充电所产生的影响减小，改善迅速反复开关机时出现的画面闪烁现象。
Description
技术领域
本发明涉及一种改善液晶面板放电特性的装置，特别涉及一种在关机时改善液晶面板放电特性的装置。
背景技术
在某些客户系统上，输入信号频率为60HZ的模拟信号，在第一次开机时，显示画面不出现闪烁现象(Power on flicker)，但如果对系统迅速开关机(开关机时间间隔＜2秒)时，就会发生闪烁，开关机的时间间隔越短，闪烁越厉害，开关机的时间间隔很长，闪烁就会减弱，甚至消失。
液晶显示器发生闪烁现象的原因是模块电源关断后，由于面板(Panel)的薄膜晶体管(TFT)上没有信号，所以面板内像素上保留有最后一幅画面驱动面板的电荷。在电源关断期间，像素上的电荷主要靠晶体管的漏电、液晶的漏电以及其他材料的漏电来对面板像素上电荷放电，如果像素上电荷没有释放掉就开机时，面板内残存的电荷对像素重新充电产生了影响，使得面板内像素在一定的时间内不能达到所需的电压，因此发生了闪烁现象。
目前，解决闪烁现象采用的方法是将薄膜晶体管的关断电压的放电电阻降低，当关断电压的放电电阻降低时，闪烁现象的不良率由原来的100％下降到10％左右，而且闪烁的程度减轻，这种方法就是通过改变薄膜晶体管的关断电压的放电电阻，使薄膜晶体管的关断电压在关断时能迅速地降低到0伏，加快面板的放电，这也是各大液晶模块厂家实际应用中通常的改善方法，即通过调节薄膜晶体管的关断电压的放电电阻阻值来在一定程度上改变薄膜晶体管的漏极放电速度，但是10％的不良率是模块厂家和显示 器厂家都不可以接受的。
另外，为进一步减小面板内残存的电荷对重新开机时像素重新充电所产生的影响，从面板设计角度和成本角度来看，直接更改面板的放电特性代价都很高，因此，如果能从面板的外部电路角度来改善，将是最合理的方案。
发明内容
本发明的目的是通过一些实施例提供一种改善液晶面板放电特性的装置，使面板内残存的电荷减少，对重新开机时像素重新充电所产生的影响减小，改善迅速反复开关机时出现的画面闪烁现象。
为实现上述目的，本发明提供了一种改善液晶面板放电特性的装置，包括：
输入电源，为电压调节电路提供电源；
第一开关电路，连接在所述输入电源和电压调节电路之间，用于向电压调节电路提供输入电源；
第一关断电路，一端与所述第一开关电路连接，另一端与输入电源连接，用于向第一开关电路提供关断信号，所述第一关断电路包括第一放电电阻；
模拟电源，为显示器驱动电路提供模拟电源；
第二开关电路，连接在所述模拟电源和显示器驱动电路之间，用于向显示器驱动电路提供模拟电源；
第二关断电路，一端与所述第二开关电路连接，另一端与输入电源连接，用于向所述第二开关电路提前提供关断信号，所述第二关断电路包括第二放电电阻，所述第一放电电阻和第二放电电阻的阻值之比为5∶1-25∶1。
其中，所述第一开关电路包括P沟道增强型场效应管和第一电阻，第一P沟道增强型场效应管的源极与输入电源连接，漏极与电压调节电路连 接，栅极与第一关断电路连接，第一电阻的一端与第一P沟道增强型场效应管的源极连接，另一端与第一P沟道增强型场效应管的栅极连接；所述第一关断电路还包括第二电阻、第一电容和N沟道增强型场效应管，第一N沟道增强型场效应管的源极接地，漏极与第一P沟道增强型场效应管的栅极连接，栅极与第二电阻连接，第一电容和第一放电电阻的一端都与第一N沟道增强型场效应管的栅极连接，另一端都接地，第二电阻的一端与第一N沟道增强型场效应管的栅极连接，另一端与输入电源连接。
所述第二开关电路包括第二P沟道增强型场效应管和第三电阻，第二P沟道增强型场效应管的源极与所述模拟电源连接，漏极与显示器驱动电路连接，栅极与第二关断电路连接，第三电阻的一端与第二P沟道增强型场效应管的源极连接，另一端与第二P沟道增强型场效应管的栅极连接；所述第二关断电路还包括第四电阻、第二电容和第二N沟道增强型场效应管，第二N沟道增强型场效应管的源极接地，漏极与第二P沟道增强型场效应管的栅极连接，栅极与第四电阻连接，第二电容和第二放电电阻的一端都与第二N沟道增强型场效应管的栅极连接，另一端都接地，第四电阻的一端与第二N沟道增强型场效应管的栅极连接，另一端与输入电源连接。
所述第一开关电路包括第一NPN型双极性晶体管和第一电阻，第一NPN型双极性晶体管的射极与所述输入电源连接，集电极与电压调节电路连接，基极与第一关断电路连接，第一电阻的一端与第一NPN型双极性晶体管的射极连接，另一端与第一NPN型双极性晶体管的基极连接；所述第一关断电路还包括第二电阻、第一电容和第一PNP型双极性晶体管，第一PNP型双极性晶体管的射极接地，集电极与第一NPN型双极性晶体管的基极连接，基极与第二电阻连接，第一电容和第一放电电阻的一端都与第一PNP型双极性晶体管的基极连接，另一端都接地，第二电阻的一端与第一PNP型双极性晶体管的基极连接，另一端与输入电源连接。
所述第二开关电路包括第二NPN型双极性晶体管和第三电阻，所述第 二NPN型双极性晶体管的射极与所述模拟电源连接，集电极与显示器驱动电路连接，基极与第二关断电路连接，第三电阻的一端与第二NPN型双极性晶体管的射极连接，另一端与第二NPN型双极性晶体管的基极连接；所述第二关断电路还包括第四电阻、第二电容和第二PNP型双极性晶体管，第二PNP型双极性晶体管的射极接地，集电极与第二NPN型双极性晶体管的基极连接，基极与第四电阻连接，第二电容和第二放电电阻的一端都与第二PNP型双极性晶体管的基极连接，另一端都接地，第四电阻的一端与第二PNP型双极性晶体管的基极连接，另一端与输入电源连接。
本发明改善液晶面板放电特性的装置，通过设置第一放电电阻的阻值小于第二放电电阻的阻值来延长模拟电源与输入电源的关断时间的时间间隔，从而使面板内残存的电荷大幅度减少，对重新开机时像素重新充电所产生的影响也进一步减小，大大改善了迅速反复开关机时出现的画面闪烁现象。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为本发明改善液晶面板放电特性的装置的结构示意图；
图2为本发明改善液晶面板放电特性的装置一实施例的结构示意图；
图3为本发明改善液晶面板放电特性的装置另一实施例的结构示意图；
图4为采用本发明改善液晶面板放电特性的装置前后的模拟电源信号输出时序关系图；
图5为采用本发明改善液晶面板放电特性的装置前后的模拟电源信号输出波形图。
附图标记说明：
1-输入电源； 2-第一开关电路； 3-电压调节电路；
4-第一关断电路； 5-模拟电源； 6-第二开关电路；
7-第二关断电路； 8-显示器驱动电路； R1-第一电阻；
R2-第二电阻； C1-第一电容； C2-第二电容；
R3-第三电阻； R4-第四电阻； R5-第一放电电阻；
R6-第二放电电阻； Q1-P沟道增强型场效应 Q2-N沟道增强型场效应
管； 管；
Q3-P沟道增强型场效应 Q4-N沟道增强型场效应 Q5-NPN型双极性晶体
管； 管； 管；
Q6-PNP型双极性晶体 Q7-NPN型双极性晶体 Q8-PNP型双极性晶体
管； 管； 管；
101-模拟电源信号； 102-薄膜晶体管开启电 103-薄膜晶体管关断电
压； 压；
104-提前关断的模拟电 105-正常关断的模拟电
源信号； 源信号。
具体实施方式
图1为本发明改善液晶面板放电特性的装置的结构示意图，如图1所示，改善液晶面板放电特性的装置包括输入电源1、第一开关电路2、电压调节电路3、第一关断电路4、模拟电源5、第二开关电路6、显示器驱动电路7和第二关断电路8。输入电源1为电压调节电路提供电源；第一开关电路2连接在所述输入电源1和电压调节电路3之间，用于向电压调节电路3提供输入电源；第一关断电路4一端与所述第一开关电路2连接，另一端与输入电源1连接，用于向第一开关电路2提供关断信号；模拟电源5，为显示器驱动电路7提供模拟电源；第二开关电路6，连接在所述模拟电源5和显示器驱动电路7之间，用于向显示器驱动电路7提供模拟电源；第二关断电路8，一端与所述第二开关电路6连接，另一端与输入电源1连接，用于提前向所述第二开关电路6提供关断信号。
上述装置，由于第二关断电路中第二放电电阻的阻值要远远小于第一关断电路中第一放电电阻的阻值，所以在关机时，第二关断电路中的电流释放的速度要远远大于第一关断电路，从而使模拟电源信号比输入电源信号提前关断，延长了模拟电源与输入电源关断时间的时间间隔，从而使在这段时间内面板内残存的电荷减少，对重新开机时像素重新充电所产生影响也减小，因此可以改善迅速反复开关机时出现的画面闪烁的现象。
图2为本发明改善液晶面板放电特性的装置一实施例的结构示意图，如图2所示，第一开关电路2由P沟道增强型场效应管Q1和第一电阻R1构成，上述P沟道增强型场效应管Q1的源极与输入电源VDD连接，漏极与电压调节电路VDDIN连接，栅极与第一关断电路连接，第一电阻R1的一端与P沟道增强型场效应管Q1的源极连接，另一端与P沟道增强型场效应管Q1的栅极连接；第一关断电路4包括第一放电电阻R5、第二电阻R2、第一电容C1和N沟道增强型场效应管Q2，上述N沟道增强型场效应管Q2的源极接地，漏极与P沟道增强型场效应管Q1的栅极连接，栅极与第二电阻R2连接，第一电容C1和第一放电电阻R5的一端都与N沟道增强型场效应管Q2的栅极连接，另一端都接地，第二电阻的一端与N沟道增强型场效应管Q2的栅极连接，另一端与输入电源1连接。
第二开关电路由P沟道增强型场效应管Q3和第三电阻R3构成，上述P沟道增强型场效应管Q3的源极与模拟电源5连接，漏极与显示器驱动电路7连接，栅极与第二关断电路8连接，第三电阻R3的一端与P沟道增强型场效应管Q3的源极连接，另一端与P沟道增强型场效应管Q3的栅极连接；第二关断电路8包括第二放电电阻R6、第四电阻R4、第二电容C2和N沟道增强型场效应管Q4，上述N沟道增强型场效应管Q4的源极接地，漏极与P沟道增强型场效应管Q3的栅极连接，栅极与第四电阻R4连接，第二电容C2和第二放电电阻R6的一端都与N沟道增强型场效应管Q4的栅极连接，另一端都接地，第四电阻R4的一端与N沟道增强型场效应管Q4的栅极连接，另一端与输入 电源1连接。
在开机瞬间，A点和B点同时充电，R2C1和R4C2都是典型的延时电路，由于C1R4＝C2R2，使得输入电源VDD信号到达N沟道增强型场效应管Q2和Q4的延时时间是一样的。在信号到达C点之后，Q1、Q2、Q3、Q4四个增强型场效应管都处于工作状态，电压调节电路3与显示器驱动电路7相对于输入电源1与模拟电源5的延时都是一样的。
在关机瞬间，电流在C、D两点同时放电，由于第二放电电阻R6的阻值要远远小于第一放电电阻R5的阻值，第二放电电阻R6与第一放电电阻R5的阻值之比为1∶15，所以电流在D点的放电速度更快，因而模拟电源5比输入电源1提前关断，采用改善液晶面板放电特性的装置前后的模拟电源信号输出时序关系如图4所示，T1为正常情况下模拟电源信号101比薄膜晶体管开启电压102和薄膜晶体管关断电压103提前关断的时间，T2为使用该装置后模拟电源信号101比薄膜晶体管开启电压102和薄膜晶体管关断电压103提前关断的时间，从图3中可以看出，T2的值要远大于T1的值，从而使面板内残存的电荷在T2的时间内减少，对重新开机时像素重新充电所产生影响减小，大大改善了迅速反复开关机时出现的画面闪烁现象。
图3为本发明改善液晶面板放电特性的装置另一实施例的结构示意图，如图3所示，第一开关电路由NPN型双极性晶体管Q5和第一电阻R1构成，NPN型双极性晶体管Q5的射极与输入电源1连接，集电极与电压调节电路3连接，基极与第一关断电路4连接，第一电阻R1的一端与NPN型双极性晶体管Q5的射极连接，另一端与NPN型双极性晶体管Q5的基极连接；第一关断电路4由第一放电电阻R5、第二电阻R2、第一电容C1和PNP型双极性晶体管Q6构成，PNP型双极性晶体管Q6的射极接地，集电极与NPN型双极性晶体管Q5的基极连接，基极与第二电阻R2连接，第一电容C1和第一放电电阻R5的一端都与PNP型双极性晶体管Q6的基极连接，另一端都接地，第二电阻R2的一端与PNP型双极性晶体管Q6的基极连接，另一端与输入电源1连接。
第二开关电路6由NPN型双极性晶体管Q7和第三电阻R3构成，NPN型双极性晶体管Q7的射极与模拟电源5连接，集电极与显示器驱动电路7连接，基极与第二关断电路8连接，第三电阻R 3的一端与NPN型双极性晶体管Q7的射极连接，另一端与NPN型双极性晶体管Q7的基极连接。第二关断电路8由第二放电电阻R6、第四电阻R4、第二电容C2和PNP型双极性晶体管Q8构成，PNP型双极性晶体管Q8的射极接地，集电极与NPN型双极性晶体管Q7的基极连接，基极与第四电阻R4连接，第二电容C2和第二放电电阻R6的一端都与PNP型双极性晶体管Q8的基极连接，另一端都接地，第四电阻R4的一端与PNP型双极性晶体管Q8的基极连接，另一端与输入电源1连接。
在关机瞬间，电流在C、D两点同时放电，由于第二放电电阻R6的阻值要远远小于第一放电电阻R5的阻值，第二放电电阻R6与第一放电电阻R5的阻值之比为1∶15，所以电流在D点的放电速度更快，因而模拟电源5比输入电源1提前关断，图5为采用本发明改善液晶面板放电特性的装置前后的模拟电源信号输出波形图，通常情况下，在关机后，正常关断的模拟电源信号105仅比薄膜晶体管的开启电压102提前关断T1ms，但对于关机后出现的闪烁现象，T1ms的时间，远远不足以使面板内的残存电荷大幅度的减小，因此通过该装置，使提前关断的模拟电源信号104比薄膜晶体管的开启电压102提前关断的时间增加至T2ms，使用该装置前后的模拟电源信号的波形如图5所示。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (6)
1.一种改善液晶面板放电特性的装置，其特征在于，包括：
输入电源，为电压调节电路提供电源；
第一开关电路，连接在所述输入电源和电压调节电路之间，用于向电压调节电路提供输入电源；
第一关断电路，一端与所述第一开关电路连接，另一端与输入电源连接，用于向第一开关电路提供关断信号，所述第一关断电路包括第一放电电阻；
模拟电源，为显示器驱动电路提供模拟电源；
第二开关电路，连接在所述模拟电源和显示器驱动电路之间，用于向显示器驱动电路提供模拟电源；
第二关断电路，一端与所述第二开关电路连接，另一端与输入电源连接，用于提前向所述第二开关电路提供关断信号，所述第二关断电路包括第二放电电阻，所述第一放电电阻和第二放电电阻的阻值之比为5∶1-25∶1。
2.根据权利要求1所述的改善液晶面板放电特性的装置，其特征在于：所述第一开关电路包括第一P沟道增强型场效应管和第一电阻，所述第一P沟道增强型场效应管的源极与所述输入电源连接，漏极与电压调节电路连接，栅极与第一关断电路连接，第一电阻的一端与第一P沟道增强型场效应管的源极连接，另一端与第一P沟道增强型场效应管的栅极连接。
3.根据权利要求2所述的改善液晶面板放电特性的装置，其特征在于：所述第一关断电路还包括第二电阻、第一电容和第一N沟道增强型场效应管，所述第一N沟道增强型场效应管的源极接地，漏极与第一P沟道增强型场效应管的栅极连接，栅极与第二电阻连接，第一电容和第一放电电阻的一端都与第一N沟道增强型场效应管的栅极连接，另一端都接地，第二电阻的一端与第一N沟道增强型场效应管的栅极连接，另一端与输入电源连 接。
4.根据权利要求3所述的改善液晶面板放电特性的装置，其特征在于：所述第二开关电路包括第二P沟道增强型场效应管和第三电阻，所述第二P沟道增强型场效应管的源极与所述模拟电源连接，漏极与显示器驱动电路连接，栅极与第二关断电路连接，第三电阻的一端与第二P沟道增强型场效应管的源极连接，另一端与第二P沟道增强型场效应管的栅极连接。
5.根据权利要求4所述的改善液晶面板放电特性的装置，其特征在于：所述第二关断电路还包括第四电阻、第二电容和第二N沟道增强型场效应管，所述第二N沟道增强型场效应管的源极接地，漏极与第二P沟道增强型场效应管的栅极连接，栅极与第四电阻连接，第二电容和第二放电电阻的一端都与第二N沟道增强型场效应管的栅极连接，另一端都接地，第四电阻的一端与第二N沟道增强型场效应管的栅极连接，另一端与输入电源连接。
6.根据权利要求1所述的改善液晶面板放电特性的装置，其特征在于：所述第一放电电阻和第二放电电阻的阻值之比为15∶1。
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: BEIJING BOE PHOTOELECTRICITY SCIENCE + TECHNOLOGY Effective date: 20141208 Owner name: JINGDONGFANG SCIENCE AND TECHNOLOGY GROUP CO., LTD Free format text: FORMER OWNER: BEIJING BOE PHOTOELECTRICITY SCIENCE + TECHNOLOGY CO., LTD. Effective date: 20141208 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 100176 DAXING, BEIJING TO: 100015 CHAOYANG, BEIJING |
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| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20141208 Address after: 100015 Jiuxianqiao Road, Beijing, No. 10, No. Patentee after: BOE Technology Group Co., Ltd. Patentee after: Beijing BOE Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. Address before: 100176 Beijing economic and Technological Development Zone, West Central Road, No. 8 Patentee before: Beijing BOE Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. |
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| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20201126 Address after: 215200 No. 1700, Wujiang economic and Technological Development Zone, Suzhou, Jiangsu, Zhongshan North Road Patentee after: Gaochuang (Suzhou) Electronics Co.,Ltd. Patentee after: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd. Address before: 100015 Jiuxianqiao Road, Beijing, No. 10, No. Patentee before: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd. Patentee before: BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
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