CN101369403A - 改善开机闪烁的漏极放电装置和方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种改善开机闪烁的漏极放电装置和方法，装置包括：直流模拟电源，所述直流模拟电源连接单向导通二极管的正极，所述二极管的负极连接存储电容，所述直流模拟电源、所述二极管的负极和面板内薄膜晶体管的栅极关断电源之间连接开关管。方法包括：在面板电源关断时刻，向面板薄膜晶体管的栅极关断电源输入一正电压，使栅极关断电压在一设定时间内大于0V。本发明通过将薄膜晶体管的栅极关断电压在关机时刻瞬间提高，改善薄膜晶体管的漏电特性，不仅使画面闪烁不良率进一步降低，而且避免了面板设计的难度，成本代价很小，具有广泛的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置的控制装置和控制方法，特别是一种改善开机闪烁的漏极放电装置和方法。
背景技术
现有液晶显示器的输入信号为频率60Hz的模拟信号，在关机后迅速开机(关机、开机的时间间隔<2秒)时，普遍会出现画面闪烁(Power on Flicker)不良，关机、开机的时间间隔越短，闪烁越厉害，但关机、开机的时间间隔较长时，闪烁就会变弱，甚至消失。
液晶显示器发生画面闪烁的机理是模块电源关断后，由于液晶显示器面板(Panel)的薄膜晶体管(TFT)上没有信号，所以面板内像素上保留有最后一幅画面驱动面板的电荷。在电源关断期间，像素上的电荷主要靠晶体管的漏电、液晶的漏电以及其他材料的漏电来对面板内像素上电荷放电，如果像素上电荷没有释放掉就开机时，面板内残存的电荷对像素重新充电产生影响，使得面板内像素在一定时间内不能达到所需的电压，因此发生了闪烁现象。
现有技术提出了一种通过调节放电电阻阻值减轻闪烁现象的方法，将薄膜晶体管的关断电压的放电电阻降低时，画面闪烁问题的不良率由原来的100％下降到10％左右，而且闪烁程度减轻。该方法通过调节驱动集成电路关断电压的放电电阻，使薄膜晶体管的关断电压在关断时能迅速地提高到0伏，加快面板的放电。图4为现在技术关断时刻薄膜晶体管栅极关断电压的波形图，通常薄膜晶体管的关断电压为一负值，在关断时刻，薄膜晶体管的栅极关断电压VOFF由该负值上升到0V。但试验发现，当放电电阻阻值降低到某一值时，薄膜晶体管的关断电压在关断时的放电时间将不随着阻值的变化而变化，而10％的画面闪烁不良率仍是实际使用不能接受的。虽然可以采用直接更改面板放电特性等方法进一步改善面板放电，但从面板设计角度和成本角度来看，代价都很高。
发明内容
本发明的目的是提供一种改善开机闪烁的漏极放电装置和方法，通过面板外部电路改善薄膜晶体管的漏电特性，有效解决现有技术未能有效克服画面闪烁不良等技术缺陷。
为了实现上述目的，本发明第一方面提供了一种改善开机闪烁的漏极放电装置，包括直流模拟电源，所述直流模拟电源连接单向导通二极管的正极，所述二极管的负极连接存储电容，所述直流模拟电源、所述二极管的负极和面板内薄膜晶体管的栅极关断电源之间连接开关管。
所述开关管为P沟道增强型场效应管，所述P沟道增强型场效应管的栅极连接直流模拟电源，源极与所述二极管的负极连接，漏极连接面板内薄膜晶体管的栅极关断电源。进一步地，所述P沟道增强型场效应管的漏极源极电压差为-10V～-100V，漏电流为-0.5A～-5A。
所述开关管为NPN型双极性晶体管，所述NPN型双极性晶体管的基极连接直流模拟电源，发射极与所述二极管的负极连接，集电极连接面板内薄膜晶体管的栅极关断电源。
在上述技术方案基础上，所述存储电容为2.2μF～100μF。
为了实现上述目的，本发明第二方面提供了一种改善开机闪烁的漏极放电方法，在面板电源关断时刻，向面板薄膜晶体管的栅极关断电源输入一正电压，使栅极关断电压在一设定时间内大于0V。
所述栅极关断电压的电压值为1.0V～2.0V。优选地，所述栅极关断电压的电压值为1.6V。
所述设定时间为3ms～7ms。优选地，所述设定时间为5ms。
本发明针对液晶显示器关机后迅速开机时普遍出现的画面闪烁不良，提出了一种设计合理、解决彻底以及代价小的改善开机闪烁的漏极放电装置和漏极放电方法，通过在面板外部设置本发明改善开机闪烁的漏极放电装置，在面板电源关断时刻，向面板薄膜晶体管的栅极关断电压输入一正电压，使栅极关断电压在一设定时间内大于0V，使薄膜晶体管的漏电特性得以改善，不仅使画面闪烁不良率进一步降低，仅为1％～3％左右，而且避免了面板设计的难度，成本代价很小，具有广泛的应用前景。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为本发明改善开机闪烁的漏极放电装置一实施例的电路示意图；
图2为本发明关断时刻薄膜晶体管栅极关断电压的波形图；
图3为本发明改善开机闪烁的漏极放电装置另一实施例的电路示意图；
图4为现在技术关断时刻薄膜晶体管栅极关断电压的波形图。
附图标记说明：
Q1—P沟道增强型场效应管； AVDD—直流模拟电源；
Q2—NPN型双极性晶体管； D1—二极管
C1—存储电容。
具体实施方式
图1为本发明改善开机闪烁的漏极放电装置一实施例的电路示意图。如图1所示，改善开机闪烁的漏极放电装置包括直流模拟电源AVDD、开关管、二极管D1和存储电容C1，本实施例中，开关管为P沟道增强型场效应管Q1。其中，P沟道增强型场效应管Q1的源极S与存储电容C1连接，漏极D与薄膜晶体管(TFT)的栅极关断电源连接，栅极S与直流模拟电源AVDD连接，直流模拟电源AVDD还与单向导通的二极管D1的正极连接，二极管D1的负极连接存储电容C1。
本发明改善开机闪烁的漏极放电装置的工作过程分为二个阶段：面板工作阶段和面板关断阶段，其工作原理为：在面板正常工作阶段，直流模拟电源AVDD为提供10V～15V的直流电源，一方面通过单向导通的二极管D1给存储电容C1充电，另一方面对P沟道增强型场效应管Q1的栅极G施加栅极电压VG，同时模拟电源AVDD通过单向导通的二极管D1对P沟道增强型场效应管Q1的源极S施加源极电压VS，此时栅极电压VG和源极电压VS相等，即栅极源极电压差VGS＝0V，虽然此时源极S和漏极D有电压存在，但是由于栅极源极电压差VGS＝0V，P沟道增强型场效应管Q1是关闭的，P沟道增强型场效应管Q1的漏极D没有输出，面板上薄膜晶体管的工作状态并不会受这部分电路的影响。
在面板电源关断的瞬间，直流模拟电源AVDD瞬间降为0V，即P沟道增强型场效应管Q1的栅极电压VG＝0。由于此时存储电容C1仍保持着直流模拟电源AVDD的原电压，使P沟道增强型场效应管Q1的源极电压VS也保持着直流模拟电源AVDD的原电压，使栅极源极电压差VGS<0V。由于栅极源极电压差VGS<0V，P沟道增强型场效应管Q1打开，处于工作状态。在P沟道增强型场效应管Q1打开瞬间，栅极源极电压差VGS的绝对值最大，整个沟道最窄，沟道电阻最大，因此可以认为此时无栅极电流(只有很小的PN结反向饱和电流)，从而实现了电压控制漏极电流的作用。因此在面板关断瞬间，P沟道增强型场效应管Q1的漏极D向TFT输出的栅极关断电压VOFF在下降到0V后会继续上升到一正电压值，并维持一段时间，之后栅极关断电压VOFF的电压值才会降至0V。本实施例中，栅极关断电压VOFF是每一行的关断电压。
图2为本实施例关断时刻薄膜晶体管栅极关断电压的波形图。通过将图2与现在技术关断时刻薄膜晶体管栅极关断电压的波形图(见图4)比较可以看出，现有技术中，通常薄膜晶体管的关断电压为一负值，在关断时刻，薄膜晶体管的栅极关断电压VOFF由该负值上升到0V；本实施例中，在关断时刻，薄膜晶体管的栅极关断电压VOFF由该负值上升到VMAX(VMAX>0V)左右，并维持时间T，之后才会降至0V。在关断瞬间，栅极关断电压VOFF在一段时间内为正电压，而面板上薄膜晶体管的漏极上残存的是负电荷，正负电荷中和，从而减小了面板上的残存电荷。本实施例通过栅极关断电压VOFF的这种变化，加快了面板上残存电荷的释放，使得关机时面板内像素上保留的电荷在重新开机之前迅速放掉，避免了面板内残存的电荷对像素重新充电产生的影响，对于关机后快速开机时出现的画面闪烁现象有明显改善效果。
本实施例改善开机闪烁的漏极放电装置设置在面板外部的印刷线路板(Printed Circuit Board，简称PCB)上，不仅改善了薄膜晶体管的漏电特性，进一步降低画面闪烁不良率，使画面闪烁不良率仅为1％～3％左右，而且避免了面板设计的难度，成本代价很小。
本实施例中，P沟道增强型场效应管Q1的相关参数为：漏极源极电压差VDS＝-10V～-100V，漏电流ID＝-0.5A～-5A，存储电容C1为2.2μF～100μF，使VMAX＝1.6V，T＝5ms，即薄膜晶体管的栅极关断电压VOFF由负值上升到1.6V左右，并维持5ms左右。本实施例采用绝缘栅型场效应管的优势在于，绝缘栅型场效应管是电压控制型，不需要有电流流入控制端(栅极)，也就是说它有很高的输入阻抗和很低的漏流。
图3为本发明改善开机闪烁的漏极放电装置另一实施例的电路示意图，与图1所示技术方案不同的是，本实施例中的开关管为NPN型双极性晶体管Q2，其中NPN型双极性晶体管Q2的发射极E与存储电容C1连接，集电极C与薄膜晶体管(TFT)的栅极关断电源连接，基极B与直流模拟电源AVDD连接。其工作原理为：在面板正常工作阶段，提供10V～15V直流电源的直流模拟电源AVDD一方面通过单向导通的二极管D1给存储电容C1充电，另一方面对NPN型双极性晶体管Q2的基极B施加基极电压VB，同时模拟电源AVDD通过单向导通的二极管D1对NPN型双极性晶体管Q2的发射极E施加发射极电压VE，此时基极电压VB和发射极电压VE相等，即基极发射极电压差VBE＝0V，虽然此时发射极E和集电极C有电压存在，但是由于基极发射极电压差VBE＝0V，NPN型双极性晶体管Q2是关闭的，NPN型双极性晶体管Q2的集电极C没有输出，面板上薄膜晶体管的工作状态并不会受这部分电路的影响。
在面板电源关断的瞬间，直流模拟电源AVDD瞬间降为0V，即NPN型双极性晶体管Q2的基极电压VB＝0。由于此时存储电容C1仍保持着直流模拟电源AVDD的原电压，使NPN型双极性晶体管Q2的发射极电压VE也保持着直流模拟电源AVDD的原电压，使基极发射极电压差VBE<0V。由于基极发射极电压差VBE<0V，NPN型双极性晶体管Q2打开，处于工作状态。在NPN型双极性晶体管Q2打开瞬间，基极发射极电压差VBE的绝对值最大，整个沟道最窄，沟道电阻最大，因此可以认为此时无基极电流，从而实现了电压控制集电极电流的作用。因此在面板关断瞬间，NPN型双极性晶体管Q2的集电极C向TFT输出的栅极关断电压VOFF在下降到0V后会继续上升到一正电压值，并维持一段时间，之后栅极关断电压VOFF的电压值才会降至0V。本实施例中存储电容等器件参数与图1所示实施例相同，薄膜晶体管栅极关断电压的波形图也基本相同，不再赘述。
在上述技术方案基础上，本发明还提出了一种改善开机闪烁的漏极放电方法，在面板电源关断时刻，向面板薄膜晶体管的栅极关断电源输入一正电压，使栅极关断电压VOFF由负值上升到一正电压值，并维持一设定时间。由于在面板电源关断时刻，面板上薄膜晶体管的漏极上残存的是负电荷，因此通过使栅极关断电压VOFF在一段时间内为正电压的技术方案，使薄膜晶体管漏极上正负电荷中和，从而减小了面板上的残存电荷。本发明上述技术方案通过栅极关断电压VOFF的这种变化，加快了面板上残存电荷的释放，使得关机时面板内像素上保留的电荷在重新开机之前迅速放掉，避免了面板内残存的电荷对像素重新充电产生的影响，对于关机后快速开机时出现的画面闪烁现象有明显改善效果。
具体地，使栅极关断电压VOFF由负值上升到一正电压值可以为1.0V～2.0V，并维持3ms～7ms时间。优选地，栅极关断电压VOFF的电压值为1.6V，维持5ms时间。本发明改善开机闪烁的漏极放电方法中，向面板薄膜晶体管的栅极关断电源输入正电压的装置可以设置在面板外部的PCB上，不仅改善了薄膜晶体管的漏电特性，进一步降低画面闪烁不良率，使画面闪烁不良率仅为1％～3％左右，而且避免了面板设计的难度，成本代价很小。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种改善开机闪烁的漏极放电装置，包括直流模拟电源，其特征在于，所述直流模拟电源连接单向导通二极管的正极，所述二极管的负极连接存储电容，所述直流模拟电源、所述二极管的负极和面板内薄膜晶体管的栅极关断电源之间连接开关管。
2.根据权利要求1所述的改善开机闪烁的漏极放电装置，其特征在于，所述开关管为P沟道增强型场效应管，所述P沟道增强型场效应管的栅极连接直流模拟电源，源极与所述二极管的负极连接，漏极连接面板内薄膜晶体管的栅极关断电源。
3.根据权利要求2所述的改善开机闪烁的漏极放电装置，其特征在于，所述P沟道增强型场效应管的漏极源极电压差为-10V～-100V，漏电流为-0.5A～-5A。
4.根据权利要求1所述的改善开机闪烁的漏极放电装置，其特征在于，所述开关管为NPN型双极性晶体管，所述NPN型双极性晶体管的基极连接直流模拟电源，发射极与所述二极管的负极连接，集电极连接面板内薄膜晶体管的栅极关断电源。
5.根据权利要求1～4中任一权利要求所述的改善开机闪烁的漏极放电装置，其特征在于，所述存储电容为2.2μF～100μF。
6.一种改善开机闪烁的漏极放电方法，其特征在于，在面板电源关断时刻，向面板薄膜晶体管的栅极关断电源输入一正电压，使栅极关断电压在一设定时间内大于0V。
7.根据权利要求6所述的改善开机闪烁的漏极放电方法，其特征在于，所述栅极关断电压的电压值为1.0V～2.0V。
8.根据权利要求7所述的改善开机闪烁的漏极放电方法，其特征在于，所述栅极关断电压的电压值为1.6V。
9.根据权利要求6所述的改善开机闪烁的漏极放电方法，其特征在于，所述设定时间为3ms～7ms。
10.根据权利要求9所述的改善开机闪烁的漏极放电方法，其特征在于，所述设定时间为5ms。
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